JPH0573573U - サンプリングヘッド - Google Patents
サンプリングヘッドInfo
- Publication number
- JPH0573573U JPH0573573U JP1202492U JP1202492U JPH0573573U JP H0573573 U JPH0573573 U JP H0573573U JP 1202492 U JP1202492 U JP 1202492U JP 1202492 U JP1202492 U JP 1202492U JP H0573573 U JPH0573573 U JP H0573573U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- input
- metal
- circuit
- sampling head
- sampling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本考案はサンプリングヘッドに関し、その目
的は、広帯域の周波数特性を有し、入力容量の小さなサ
ンプリングヘッドを提供することにある。 【構成】 整合抵抗が取り去られたサンプリング回路の
入力端に、金属体と抵抗体との直列回路を介して被測定
対象を接続するように構成されたものである。
的は、広帯域の周波数特性を有し、入力容量の小さなサ
ンプリングヘッドを提供することにある。 【構成】 整合抵抗が取り去られたサンプリング回路の
入力端に、金属体と抵抗体との直列回路を介して被測定
対象を接続するように構成されたものである。
Description
【0001】
本考案はサンプリングヘッドに関し、更に詳しくは、高入力インピーダンス化 の改善に関する。
【0002】
従来、電子回路の各部分の電圧波形を高入力インピーダンスのプローブで測定 するのにあたっては、入力抵抗が1MΩの普通のオシロスコープの入力端子に9 MΩの直列抵抗を基本素子とする10:1プローブと称するプローブを接続する ことが行われてきた。
【0003】 図3はこのようなプローブを接続した状態の入力端子の等価回路図である。す なわち、10MΩの入力抵抗Rinと並列に15pF前後の大きな入力容量Ci nが接続されている。ここで、入力容量Cinは、周波数特性を平坦にするため に設けられている補償容量によるものである。
【0004】
しかしながら、このような従来のプローブでインピーダンスが100Ω程度の 比較的低インピーダンスの被測定回路の電圧波形を観測した場合、入力容量Ci nの充電電流による信号源抵抗(被測定回路の抵抗100Ω)の電圧降下のため にこの測定系の周波数特性は下がってしまい、特性が3dB低下する周波数帯域 は、106/(2π100[Ω]×15[pF])から110MHz程度になっ てしまう。
【0005】 このように、信号源インピーダンスによっては、本来のオシロスコープの性能 を発揮できない場合がある。そこで、入力容量Cinを極力小さくするための努 力が払われている。
【0006】 また、このような10:1プローブでは信号電圧が1/10になってしまうた め、測定信号がオシロスコープが出すノイズに埋もれて信号波形を明瞭に観測で きない場合もある。
【0007】 これらの欠点を改良するために、1:1FETプローブと称されているものを 使うことも行われている。具体例としては、入力抵抗Rinが100kΩで入力 容量Cinが3pFのプローブ自体の周波数帯域が約1GHzのものがあるが、 これでも高速動作する被測定回路や信号源インピーダンスが100Ω以上の回路 の正確な波形観測は不可能である。
【0008】 他に、高速動作する被測定回路の波形観測手段として、入力インピーダンスが 50Ωのサンプリングオシロスコープの入力端子に450Ωの抵抗を接続して入 力抵抗Rinが500Ωになるようにしたプローブもあるが、入力抵抗Rinが 低いので信号源インピーダンスが相当低い回路でないと正確な波形観測は行えな い。
【0009】 本考案は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、広帯 域の周波数特性を有し、入力容量の小さなサンプリングヘッドを提供することに ある。
【0010】
本考案は、 整合抵抗が取り去られたサンプリング回路の入力端に、金属体と抵抗体との直 列回路を介して被測定対象を接続するように構成されたことを特徴とするもので ある。
【0011】
被測定対象をサンプリング回路の入力端に接続するための金属体と抵抗体との 直列回路よりなる伝送線路は、実質的に空気中に配置された状態になり、入力容 量は小さな値に保たれる。そして、サンプリング回路の入力端の整合抵抗は取り 去られているのでオープン状態になり、入力抵抗はほぼ無限大になる。
【0012】 この結果、広帯域の周波数特性が得られる。
【0013】
以下、図面を参照して、本考案の実施例を詳細に説明する。 一般に、サンプリングオシロスコープは直流から10GHz〜50GHzと周 波数帯域が極めて広い。また、入力インピーダンスは50Ωであるが、入力端子 に伝送線路を接続したときの反射が小さくなるようにするために入力容量Cin は極めて小さく設計される。
【0014】 そこで、本考案では、この広帯域と低入力容量のみを利用して50Ωを取り去 ってしまい、入力抵抗Rinを無限大(オープン)にするとともに、かつ周波数 特性を極力平坦にしようとするものである。
【0015】 図1は本考案の一実施例の構成断面図である。図において、1はサンプリング ヘッドの入力コネクタが取り付けられる金属板で、図面の左側がサンプリングヘ ッドの内部になり、右側が被測定対象部分が接続される外部になる。2は入力コ ネクタを構成するガラスビードで、金属棒3が貫通固着されている。該金属棒3 の一端(左端)は図示しないサンプリングヘッド回路に接続され、他端(右端) はセラミック基板4に接続されている。なお、サンプリングヘッド回路内部の終 端抵抗50Ωは取り去られている。
【0016】 図2は該セラミック基板4の構成図であり、一方の面には例えば金よりなる金 属パターン5と抵抗体パターン6が直列に形成され、他方の面には金属パターン は形成されていない。
【0017】 再び図1において、7は金属管であり、セラミック基板4を内包するように一 端が金属板1に固着されている。セラミック基板4に形成された金属パターン5 と抵抗体パターン6は該金属管7を基準電位(アース)とする伝送線路を形成し ている。金属管7の他端には同心円状に形成された絶縁体8が取り付けられてい る。該絶縁体8の中心部分には入力端子9が貫通固着されている。該入力端子9 の一端(左端)はセラミック基板4に形成されている抵抗体パターン6の右端側 に接続され、他端(右端)は図示しない被測定対象に接触させる。10は金属管 7の外周を覆うように形成された金属リングであり、該金属リング10の一部を 被測定対象の基準電位(アース)に接触させた状態で被測定対象の電圧波形を測 定する。
【0018】 一般に、一定の長さを有する金属に周波数の高い電圧を印加すると、その金属 の長さがその波長の1/4程度になる周波数近傍で著しい周波数特性の乱れを生 じる。例えば長さ7.5mmの金属の場合、その周波数は10GHzである。従 って、測定回路であるサンプリングブリッジと被測定回路との間の距離はできる だけ短くしなければならない。また、その間の接続のための金属の伝送線路とア ースとの間の空間が誘電率εsの物質で満たされている場合には、前記の波長の 1/4になる周波数は1/(εs)1/2に下がってしまう。そこで、できるだ け空気の中に上記接続線路を保持しなければならない。本考案の構成において、 セラミック基板4の下面に金属パターンを設けていないのは、実効的に空気の中 に配置された接続線路とほぼ等価にするためである。
【0019】 また、セラミック基板4に抵抗体パターン6を設けているのは、高い周波数で 発生する共振を制動して、周波数特性を極力平坦にするためである。 更に、セラミック基板4に形成した金属パターン5の幅が広くなったり狭くな ったりしているのは、周波数特性を平坦にするために場所によって伝送線路の特 性インピーダンスの値を変えているためである。
【0020】 サンプリングオシロスコープの周波数特性が直流から10GHz〜50GHz までほぼ平坦であるのは、コネクタを含めた入力伝送線路の特性インピーダンス をすべて一定値(一般には50Ω)に統一し、その抵抗値を持つ固定抵抗器で終 端することによって整合を取り、定在波を生じさせないようにしていることによ る。
【0021】 実際のサンプリングヘッドの入力回路が接続された場合の実施例の特性は、コ ンピュータシュミレーションの結果によれば、信号源抵抗Rgが25Ωのときは 直流から16GHzまで±1.3dBであり、信号源抵抗Rgが50Ωのときの 帯域は7GHzである。また、2.3GHzにおける入力容量Cinは0.7p Fであり、入力抵抗Rinはサンプリングヘッド内部のダイオードブリッジのリ ーク抵抗で決まるので1GΩ(109Ω)以上である(ただし、ダイオードブリ ッジがオンしたときに流れでる電流は無視している)。
【0022】 なお、上記実施例ではセラミック基板4に金属パターン5と抵抗体パターン6 を形成しているが、セラミック基板でなくてもよく、小さな固定抵抗器と金属を 直列に接続したものや、適当な形状の固定抵抗器があればそれだけでもよく、要 は伝送線路の主なる誘電体の誘電率が空気に近ければよい。
【0023】
以上詳細に説明した本考案によれば、伝送線路の主なる誘電体の誘電率は空気 に近くなり、広帯域の周波数特性を有し、入力容量の小さなサンプリングヘッド が実現できる。
【図1】本考案の一実施例の構成断面図である。
【図2】図1で用いるセラミック基板の構成例図であ
る。
る。
【図3】従来のプローブを接続した状態の等価回路図で
ある。
ある。
1 金属板 2 ガラスビード 3 金属棒 4 セラミック基板 5 金属パターン 6 抵抗体パターン 7 金属管 8 絶縁体 9 入力端子 10 金属リング
Claims (1)
- 【請求項1】 整合抵抗が取り去られたサンプリング回
路の入力端に、金属体と抵抗体との直列回路を介して被
測定対象を接続するように構成されたことを特徴とする
サンプリングヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1202492U JPH0573573U (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | サンプリングヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1202492U JPH0573573U (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | サンプリングヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0573573U true JPH0573573U (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=11794043
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1202492U Withdrawn JPH0573573U (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | サンプリングヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0573573U (ja) |
-
1992
- 1992-03-11 JP JP1202492U patent/JPH0573573U/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4646005A (en) | Signal probe | |
| JP2947885B2 (ja) | 回路網解析向け試験用セット | |
| US7545157B2 (en) | Shielded probe apparatus for probing semiconductor wafer | |
| US4739259A (en) | Telescoping pin probe | |
| TWI283751B (en) | Probe for testing a device under test | |
| EP0150336B1 (en) | Broadband radio frequency directional bridge | |
| US4978907A (en) | Apparatus and method for expanding the frequency range over which electrical signal amplitudes can be accurately measured | |
| JP2002504995A (ja) | 広域インピーダンス整合プローブ | |
| US6458611B1 (en) | Integrated circuit device characterization | |
| CN113671247A (zh) | 一种基于pt对称电路的在线式微波功率传感器 | |
| CN110275071A (zh) | 一种采用门型结构的高灵敏度有源电场探头 | |
| US5463323A (en) | Impedance meter | |
| CN110133376A (zh) | 用于测量磁介质材料介电常数和磁导率的微波传感器 | |
| US4795989A (en) | MMW microstrip coupler having movable test probe | |
| US6864761B2 (en) | Distributed capacitive/resistive electronic device | |
| US4308498A (en) | Kelvin test fixture for electrically contacting miniature, two terminal, leadless, electrical components | |
| US7053750B2 (en) | Voltage probe systems having improved bandwidth capability | |
| EP3546975A1 (en) | Test arrangement and test method for characterizing a differential probe | |
| JPH0573573U (ja) | サンプリングヘッド | |
| JPH11258274A (ja) | プロ―ブ・チップ及びケ―ブル損失補償方法 | |
| US7042232B1 (en) | Cable and substrate compensating custom resistor | |
| JPH0539501Y2 (ja) | ||
| JP3101024B2 (ja) | 一端子トリオ,二端子トリオ測定装置および電気係数測定方法 | |
| JPH0864643A (ja) | 高周波集積回路装置および高周波測定システム | |
| JPH0810798Y2 (ja) | 信号検出器用電極 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19960606 |