JPH0573964U - 複合リードフレームを用いた半導体装置 - Google Patents

複合リードフレームを用いた半導体装置

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JPH0573964U
JPH0573964U JP012250U JP1225092U JPH0573964U JP H0573964 U JPH0573964 U JP H0573964U JP 012250 U JP012250 U JP 012250U JP 1225092 U JP1225092 U JP 1225092U JP H0573964 U JPH0573964 U JP H0573964U
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Japan
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lead frame
tab
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semiconductor device
lead
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JP012250U
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進 沖川
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Nippon Steel Corp
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Nippon Steel Corp
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Publication date
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  • Wire Bonding (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本考案は、半導体エッジ部にボンディングワ
イヤの接地を防止すると共に放熱性が良好であり、且つ
多ピン構造に適する複合リードフレームを用いた半導体
装置を提供することを目的とする。 【構成】 TABやFPCテープと、リードフレームと
を接合して形成した複合リードフレームを凹部を設けた
基盤上に接着し、この基盤凹部内に半導体チップを、そ
の表面が前記TAB或いはFPCのインナーリードの表
面レベルに近接するように位置させて装填固定すると共
に、前記チップと基盤凹部側壁間に構成される間隙に伝
熱性物質を充填せしめ、チップ上の電極とTAB或いは
FPCのインナーリードとをボンディングワイヤで連結
したことを特徴とする複合リードフレームを用いた半導
体装置。 【効果】 高歩留で信頼度の良好な多ピン構造の半導体
装置が得られる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、実装作業性に優れた複合リードフレームを用いた半導体装置に関す るものである。
【0002】
【従来の技術】
複合リードフレームは、絶縁樹脂フィルム上に接着剤を介し、又は介せずして Cuなどの導電金属よりなるリードをパターン化して形成されるTAB(Tape Au tomated Bonding)テープやFPC(Flex Printed Curcuit)テープ等の実装部品と 、これらのアウターリーとリードフレームのドインナーリードとを接続して形成 されている。 近年、半導体デバイスの高集積、高機能化に伴って、リードは益々多ピン化し より高精度のファインピッチ化が求められている。従来、ボンディングワイヤを 用いて半導体チップと接続するリードフレームは、その加工法や材質等からファ インピッチ化には限界があったが、TABやFPC(以下TABという)テープ は多ピンに対する有効技術として最近多用されるようになっており、特にリード フレームと一体に接続している複合リードフレームはPCB(Printed Curcuit B oard) 実装作業の容易さから次第に注目されている。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】
TABテープのリードは、絶縁フィルム上にレジストパターンに従ってメッキ する方法(2層TAB)やCu箔を絶縁フィルム上に貼着テープで貼り合わせた 後エッチングする方法(3層TAB)により形成されるため、所望のピン数のリ ードが得られ、かつ絶縁フィルムと組合わさっているので細幅リードでも強度上 の問題はない。 図2は、樹脂フィルム1表面にパターン化されたリード2を有するTABのア ウターリード2aとリードフレーム3を接続して構成する複合リードフレーム4 を、そのTAB部を基盤(ダイパッド)5上に接着すると共に、基盤上のTAB デバイスホール相当部位に半導体チップ6を接着材(Agペースト)7により接 着した半導体装置の例を示したが、半導体チップ6とTABのインナーリード2 bとをボンディングワイヤ8で接続する場合に次のような問題が生じる。
【0004】 即ち、AuやAlなどのボンディングワイヤー8を用いて、落差のあるチップ とTABのインナーリード2aとを接続する場合、或いは樹脂モールド時に、ボ ンディングワイヤ8が弛みを生じ、或いはスプリングバックに起因して変形し半 導体チップ6のエッジ部に接触9すことがある。その結果ショートを起しトラブ ルの原因となる。このことは最近のパッケージ動向に見られる多ピン化、薄形化 を狙う程発生チャンスは多くなる。
【0005】 一方、半導体装置には多くの素子が配置されており、かなりの電力を消費し、 温度も上昇する。信頼度と半導体チップのジャンクション温度を必要以上にあげ ないために、パッケージの熱抵抗を下げる必要がある。
【0006】 本考案は上記したような問題点を解消し、且つ要望に応えるものであって、半 導体エッジ部にボンディングワイヤのショートを防止すると共に良好な放熱性を 有し、且つ多ピン構造に適する複合リードフレームを用いた半導体装置を提供す ることを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本考案は上記目的を達成するために、樹脂フィルムにリードをパターン化した TAB(或いはFPC)のアウターリードと、リードフレームのインナーリード とを接合して形成した複合リードフレームを、凹部を設けた基盤上に接着し、こ の基盤凹部内に半導体チップを、前記TAB或いはFPCのインナーリードの表 面レベルに近接した部位に表面が位置するように伝熱性物質を介して装填固定す ると共に、前記チップと基盤凹部側壁間に構成される間隙の一部または全部に伝 熱性物質を充填せしめ、チップ上の電極とTAB或いはFPCのインナーリード とをボンディングワイヤで連結したことを特徴とする複合リードフレームを用い た半導体装置を要旨とする。
【0008】 以下本考案を図に示す実施例に基づいて詳細に説明する。 図1は基盤10上に複合リードフレーム4のTAB部を接着し、TAB部のイ ンナーリード2aと基盤10に接合した半導体素子(チップ)6とをボンディン グワイヤ8で接続した半導体装置の一部を示すものである。
【0009】 基盤10は例えば42アロイ(42%Ni−Fe)やCuそしてAlなどの放 熱作用のある金属(合金)を用い、所謂ヒートスプレッダーの役割を持たせてい るが、本考案においては、この基盤10に凹部11を加工成形して設け、該凹部 11に半導体チプ6を装填し、伝熱性物質12を介して接着固定する。この際半 導体チップ6の表面或いはチップ6に配置した電極表面のレベルが、前記TAB 部のインナーリード2aの表面と同一或いはそれに近づけた位置になるように固 定する。即ち、この様に夫々の表面をほぼ同レベルに位置させることにより、ボ ンディングワイヤ8を接続する際に多少の変形が生じても、半導体エッジ部への 接触を起こすことがなくなる。
【0010】 又、本考案においては、前記凹部11に半導体チップ6を装填した時に、該チ ップ6側面と凹部11側壁間に構成される間隙13に伝熱性物質12を充填する 。充填は間隙13の全域及び或いは全深さに亘って行うことが好ましいが、必要 によりそれらの一部であってもよい。この結果、伝熱性物質12が半導体チップ 6面の広範囲に亘って接触するため、広く熱を基盤10に伝達し、熱放散能を大 きくすることができる。 伝熱性物質は、熱伝導率の大きい材料であれば金属、金属酸化物樹脂等何れで もよく特に限定しないが、接着性を有していることが好ましい。例えば、従来用 いられているAgペースト、Cuペースト、Al2 3 ペーストを用いることも できる。
【0011】
【考案の効果】 以上のように本考案は、高集積多ピン化に適する複合リードフレームを用いた 組立において、ボンディングワイヤーが半導体チップのエッジ部分と接触するの を防止できると共に、半導体チップの放熱量を大きくすることができて実用時の 信頼度低下や故障の発生を防ぎ、トラブルのない長寿命の半導体装置を歩留り高 くかつ安定して提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案装置(左半分)の断面説明図。
【図2】従来装置(左半分)の断面説明図。
【符号の説明】
1:樹脂フィルム 2:リード 3:リードフレーム 4:複合リードフレーム 5:基盤 6:半導体チップ 7:ダイボンディング材 8:ボンディングワイヤ 9:接触部 10:基盤(ヒートスプレッダー) 11:凹部 12:伝熱性物質 13:間隙

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】樹脂フィルムにリードをパターン化したT
    AB或いはFPCのアウターリードと、リードフレーム
    のインナーリードとを接合して形成した複合リードフレ
    ームを、凹部を設けた基盤上に接着し、この基盤凹部内
    に半導体チップを、前記TAB或いはFPCのインナー
    リードの表面レベルに近接した部位に表面が位置するよ
    うに伝熱性物質を介して装填固定すると共に、前記チッ
    プと基盤凹部側壁間に構成される間隙の一部または全部
    に伝熱性物質を充填せしめ、チップ上の電極とTAB或
    いはFPCのインナーリードとをボンディングワイヤで
    連結したことを特徴とする複合リードフレームを用いた
    半導体装置。
JP012250U 1992-03-12 1992-03-12 複合リードフレームを用いた半導体装置 Withdrawn JPH0573964U (ja)

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JP012250U Withdrawn JPH0573964U (ja) 1992-03-12 1992-03-12 複合リードフレームを用いた半導体装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111492476A (zh) * 2017-10-10 2020-08-04 Z格鲁公司 具有引线框架的灵活且集成的模块封装的组装

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Effective date: 19960606