JPH0573979A - 光磁気記録方法および光磁気記録装置 - Google Patents
光磁気記録方法および光磁気記録装置Info
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- JPH0573979A JPH0573979A JP3231642A JP23164291A JPH0573979A JP H0573979 A JPH0573979 A JP H0573979A JP 3231642 A JP3231642 A JP 3231642A JP 23164291 A JP23164291 A JP 23164291A JP H0573979 A JPH0573979 A JP H0573979A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記録磁界のスイッチング期間中は磁性薄膜の
温度が記録閾値を下まわるようにすることによって、ノ
イズの原因となる磁化方向が不確定な領域を減少させ、
良好な再生信号が得られる記録を可能とする。 【構成】 半導体レーザ５および電磁石７を駆動する
際、磁界の反転の開始に先行して光ビームの照射を停止
または光ビームの強度を減少し、且つ、磁界の反転の完
了に先行して光ビームの照射を開始または光ビームの強
度を増大するようなタイミング信号を、タイミング信号
発生回路１５から磁界変調回路８および光変調回路１１
に供給する。
温度が記録閾値を下まわるようにすることによって、ノ
イズの原因となる磁化方向が不確定な領域を減少させ、
良好な再生信号が得られる記録を可能とする。 【構成】 半導体レーザ５および電磁石７を駆動する
際、磁界の反転の開始に先行して光ビームの照射を停止
または光ビームの強度を減少し、且つ、磁界の反転の完
了に先行して光ビームの照射を開始または光ビームの強
度を増大するようなタイミング信号を、タイミング信号
発生回路１５から磁界変調回路８および光変調回路１１
に供給する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁性薄膜を記録層とす
る光磁気記録媒体に光ビームを照射し、磁性薄膜を局所
的に加熱するとともに、磁性薄膜に記録信号に対応して
極性の反転する磁界を印加することによって情報を記録
する光磁気記録方法およびこの方法を実施するための光
磁気記録装置に関する。
る光磁気記録媒体に光ビームを照射し、磁性薄膜を局所
的に加熱するとともに、磁性薄膜に記録信号に対応して
極性の反転する磁界を印加することによって情報を記録
する光磁気記録方法およびこの方法を実施するための光
磁気記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光磁気記録媒体に情報を記録する
方法として、所謂磁界変調方式と呼ばれる方法が知られ
ている。この方法は、連続発光した光ビームで媒体上を
走査するとともに、磁性薄膜に記録信号に対応して極性
の反転する磁界を印加することによって、情報を記録す
るものである。磁性薄膜の光ビームが照射された部分
は、局所的にキュリー温度以上に加熱され、磁化が消滅
する。そして、光ビームが通過した部分は温度が下がっ
て、その時に印加されている磁界と同一方向に磁化され
る。このようにして、磁性薄膜には、情報を示す磁化方
向の異なる磁区の連続したパターンが形成される。
方法として、所謂磁界変調方式と呼ばれる方法が知られ
ている。この方法は、連続発光した光ビームで媒体上を
走査するとともに、磁性薄膜に記録信号に対応して極性
の反転する磁界を印加することによって、情報を記録す
るものである。磁性薄膜の光ビームが照射された部分
は、局所的にキュリー温度以上に加熱され、磁化が消滅
する。そして、光ビームが通過した部分は温度が下がっ
て、その時に印加されている磁界と同一方向に磁化され
る。このようにして、磁性薄膜には、情報を示す磁化方
向の異なる磁区の連続したパターンが形成される。
【０００３】しかしながら、上記の方法において、磁性
薄膜に印加される磁界は、瞬時にその方向が反転するわ
けではなく、反転を開始してから完了するまで有限の時
間（スイッチング期間）を必要とする。このスイッチン
グ期間中に光ビームが通過した部分は、磁性薄膜を所望
の方向に確実に磁化させるのに必要な強度の磁界が印加
されないので、磁化方向が不確定な領域となる。このよ
うな不確定領域は、記録された情報を再生する際に、ノ
イズを増大させる原因となる。
薄膜に印加される磁界は、瞬時にその方向が反転するわ
けではなく、反転を開始してから完了するまで有限の時
間（スイッチング期間）を必要とする。このスイッチン
グ期間中に光ビームが通過した部分は、磁性薄膜を所望
の方向に確実に磁化させるのに必要な強度の磁界が印加
されないので、磁化方向が不確定な領域となる。このよ
うな不確定領域は、記録された情報を再生する際に、ノ
イズを増大させる原因となる。
【０００４】一方、上記の方法を改良した光磁気記録装
置が、特開昭６３−３７８４２号に記載されている。こ
の改良された装置の概略構成を図４に示す。また、図５
に図４の装置の動作を説明するためのタイミングチャー
ト図を示す。
置が、特開昭６３−３７８４２号に記載されている。こ
の改良された装置の概略構成を図４に示す。また、図５
に図４の装置の動作を説明するためのタイミングチャー
ト図を示す。
【０００５】図４において、光磁気ディスク１は、ガラ
ス或は樹脂から成る基板２上に、垂直磁化可能な磁性薄
膜３を形成して成る。この光磁気ディスクは、不図示の
スピンドルモータによって、軸Ｏ−Ｏ’を中心に回転さ
れている。光磁気ディスク１の磁性薄膜３には、半導体
レーザ５から発したレーザビームＬＢが、対物レンズ６
によって集光されて照射される。レーザビームＬＢは、
照射された部分の磁性薄膜の温度を、この薄膜のキュリ
ー温度ＴC 以上に上昇させるのに十分な強度を有するよ
うに調整されている。
ス或は樹脂から成る基板２上に、垂直磁化可能な磁性薄
膜３を形成して成る。この光磁気ディスクは、不図示の
スピンドルモータによって、軸Ｏ−Ｏ’を中心に回転さ
れている。光磁気ディスク１の磁性薄膜３には、半導体
レーザ５から発したレーザビームＬＢが、対物レンズ６
によって集光されて照射される。レーザビームＬＢは、
照射された部分の磁性薄膜の温度を、この薄膜のキュリ
ー温度ＴC 以上に上昇させるのに十分な強度を有するよ
うに調整されている。
【０００６】光磁気ディスク１を挟んで、レンズ６を含
む光ヘッド部４と対向する位置には、電磁石７が配置さ
れている。そして、光ヘッド部４と電磁石７は、互いに
対向した状態のまま、記録を行う目的の場所までディス
ク１の半径方向に移動できるように構成されている。電
磁石７は、磁心にコイル７Ａが巻かれて成り、磁性薄膜
３に記録信号に対応した極性の磁界を印加する。
む光ヘッド部４と対向する位置には、電磁石７が配置さ
れている。そして、光ヘッド部４と電磁石７は、互いに
対向した状態のまま、記録を行う目的の場所までディス
ク１の半径方向に移動できるように構成されている。電
磁石７は、磁心にコイル７Ａが巻かれて成り、磁性薄膜
３に記録信号に対応した極性の磁界を印加する。
【０００７】記録情報信号入力端子９より入力された、
図５のＡに示すような記録情報信号は、磁界変調回路８
に入力され、磁界変調回路８は、この記録情報信号に対
応した極性の電流をコイル７Ａに供給する。例えば電流
は、記録信号がハイレベル“１”であれば光磁気ディス
ク１に上向きの磁界＋Ｈa を、記録信号がローレベル
“０”であれば光磁気ディスク１に下向きの磁界−Ｈa
を印加するような方向にコイル７Ａに供給される。ここ
で、磁界±Ｈa の強度は、レーザビームの照射によって
加熱された磁性薄膜が冷却する際、この磁性薄膜の磁化
方向を磁界の印加方向に配向させるのに十分な強度に設
定されており、図５のＢに示すように変化する。
図５のＡに示すような記録情報信号は、磁界変調回路８
に入力され、磁界変調回路８は、この記録情報信号に対
応した極性の電流をコイル７Ａに供給する。例えば電流
は、記録信号がハイレベル“１”であれば光磁気ディス
ク１に上向きの磁界＋Ｈa を、記録信号がローレベル
“０”であれば光磁気ディスク１に下向きの磁界−Ｈa
を印加するような方向にコイル７Ａに供給される。ここ
で、磁界±Ｈa の強度は、レーザビームの照射によって
加熱された磁性薄膜が冷却する際、この磁性薄膜の磁化
方向を磁界の印加方向に配向させるのに十分な強度に設
定されており、図５のＢに示すように変化する。
【０００８】一方、端子９より入力された記録信号は、
信号反転検出回路１０に入力される。そして、この回路
１０は、記録信号が位相反転した時点ｔ0を示すタイミ
ング信号を、光変調回路１１に供給する。光変調回路１
１は、図５のＣに示すような駆動電流を半導体レーザ５
に供給する。このレーザ駆動電流は、タイミング信号が
入力された時点から、磁界の反転が完了するまでの時間
ｔ1 までは、電流値は零で、それ以外は一定の電流値Ｉ
を有している。このレーザ駆動電流にしたがって、半導
体レーザ５から発するレーザビームのパワーは、図５の
Ｄに示すように変調される。つまり、図４の装置におい
ては、磁界のスイッチング期間中は、光磁気ディスク１
にレーザビームＬＢが照射されないように構成されてい
る。
信号反転検出回路１０に入力される。そして、この回路
１０は、記録信号が位相反転した時点ｔ0を示すタイミ
ング信号を、光変調回路１１に供給する。光変調回路１
１は、図５のＣに示すような駆動電流を半導体レーザ５
に供給する。このレーザ駆動電流は、タイミング信号が
入力された時点から、磁界の反転が完了するまでの時間
ｔ1 までは、電流値は零で、それ以外は一定の電流値Ｉ
を有している。このレーザ駆動電流にしたがって、半導
体レーザ５から発するレーザビームのパワーは、図５の
Ｄに示すように変調される。つまり、図４の装置におい
ては、磁界のスイッチング期間中は、光磁気ディスク１
にレーザビームＬＢが照射されないように構成されてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示すような従来の光磁気記録装置は、以下のような問題
点を有していた。即ち、図５のＤに示すようなパワーの
レーザビームが照射された場合、磁性薄膜の温度は、図
５のＥに示すように、時点ｔ0 より下降し始め、時間ｔ
2 後に磁性薄膜のキュリー温度ＴC 以下となる。磁性薄
膜は、その温度がキュリー温度以上である期間、即ち時
間ｔ2 を経過するまでは磁化を配向させる力を受ける
が、ｔ0 からｔ2 の間は磁界のスイッチング期間である
ため、磁界強度は磁性薄膜の磁化を配向させるのに十分
な大きさを有していない。その結果、ｔ0 からｔ2の期
間は磁化の配向が正確に行われず、図５のＦに示す記録
パターンにおいて、ノイズの大きな領域１２Ａ，１２
Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄが発生する。そして、このような記
録パターンから再生された図５のＧに示すような再生信
号には、時間ｔ4 に相当する、ハイレベルかローレベル
か不定な期間、所謂ジッターが生じ、エラーの発生原因
となった。
示すような従来の光磁気記録装置は、以下のような問題
点を有していた。即ち、図５のＤに示すようなパワーの
レーザビームが照射された場合、磁性薄膜の温度は、図
５のＥに示すように、時点ｔ0 より下降し始め、時間ｔ
2 後に磁性薄膜のキュリー温度ＴC 以下となる。磁性薄
膜は、その温度がキュリー温度以上である期間、即ち時
間ｔ2 を経過するまでは磁化を配向させる力を受ける
が、ｔ0 からｔ2 の間は磁界のスイッチング期間である
ため、磁界強度は磁性薄膜の磁化を配向させるのに十分
な大きさを有していない。その結果、ｔ0 からｔ2の期
間は磁化の配向が正確に行われず、図５のＦに示す記録
パターンにおいて、ノイズの大きな領域１２Ａ，１２
Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄが発生する。そして、このような記
録パターンから再生された図５のＧに示すような再生信
号には、時間ｔ4 に相当する、ハイレベルかローレベル
か不定な期間、所謂ジッターが生じ、エラーの発生原因
となった。
【００１０】一方、磁界のスイッチングが完了し、レー
ザビームの照射が開始した後、磁性薄膜の温度が記録が
可能となる温度ＴC を越えるまでに、時間ｔ3 の時間遅
れがある。このため、ｔ0 のｔ1時間後からｔ1 ＋ｔ3
時間後までの期間は、磁性薄膜の温度が記録に不十分と
なる。そして、この期間の磁性薄膜には、図５のＦに符
号１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄで示すような、信号
が重ね書きされずに、過去に記録された情報がそのまま
残る領域が形成される。このような領域１３Ａ〜１３Ｄ
も、エラーを増大させる原因となった。
ザビームの照射が開始した後、磁性薄膜の温度が記録が
可能となる温度ＴC を越えるまでに、時間ｔ3 の時間遅
れがある。このため、ｔ0 のｔ1時間後からｔ1 ＋ｔ3
時間後までの期間は、磁性薄膜の温度が記録に不十分と
なる。そして、この期間の磁性薄膜には、図５のＦに符
号１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ，１３Ｄで示すような、信号
が重ね書きされずに、過去に記録された情報がそのまま
残る領域が形成される。このような領域１３Ａ〜１３Ｄ
も、エラーを増大させる原因となった。
【００１１】本発明の目的は、上記従来技術を更に改良
し、エラーの原因となる領域の発生を防止することによ
って信頼性の高い記録を可能とした光磁気記録方法およ
び光磁気記録装置を提供することにある。
し、エラーの原因となる領域の発生を防止することによ
って信頼性の高い記録を可能とした光磁気記録方法およ
び光磁気記録装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、磁
性薄膜を記録層とする光磁気記録媒体に光ビームを照射
し、磁性薄膜を局所的に加熱するとともに、磁性薄膜に
記録信号に対応して極性の反転する磁界を印加すること
によって情報を記録する光磁気記録方法において、前記
磁界の反転を開始してから完了するまでのスイッチング
期間に磁性薄膜の温度が記録閾値を下まわるように、磁
界の反転の開始に先行して光ビームの照射を停止または
光ビームの強度を減少し、且つ、磁界の反転の完了に先
行して光ビームの照射を開始または光ビームの強度を増
大することによって達成される。
性薄膜を記録層とする光磁気記録媒体に光ビームを照射
し、磁性薄膜を局所的に加熱するとともに、磁性薄膜に
記録信号に対応して極性の反転する磁界を印加すること
によって情報を記録する光磁気記録方法において、前記
磁界の反転を開始してから完了するまでのスイッチング
期間に磁性薄膜の温度が記録閾値を下まわるように、磁
界の反転の開始に先行して光ビームの照射を停止または
光ビームの強度を減少し、且つ、磁界の反転の完了に先
行して光ビームの照射を開始または光ビームの強度を増
大することによって達成される。
【００１３】また、磁性薄膜を記録層とする光磁気記録
媒体に光ビームを照射する光源と、該光源から発する光
ビームの強度を変調する光変調回路と、前記磁性薄膜に
磁界を印加する手段と、記録信号に応じて前記磁界発生
手段から印加される磁界の極性を反転させる磁界変調回
路とから成る本発明の光磁気記録装置において、前記光
変調回路は、磁界の反転を開始してから完了するまでの
スイッチング期間に磁性薄膜の温度が記録閾値を下まわ
るように、磁界の反転の開始に先行して光ビームの照射
を停止または光ビームの強度を減少させ、且つ、磁界の
反転の完了に先行して光ビームの照射を開始または光ビ
ームの強度を増大させるように構成される。
媒体に光ビームを照射する光源と、該光源から発する光
ビームの強度を変調する光変調回路と、前記磁性薄膜に
磁界を印加する手段と、記録信号に応じて前記磁界発生
手段から印加される磁界の極性を反転させる磁界変調回
路とから成る本発明の光磁気記録装置において、前記光
変調回路は、磁界の反転を開始してから完了するまでの
スイッチング期間に磁性薄膜の温度が記録閾値を下まわ
るように、磁界の反転の開始に先行して光ビームの照射
を停止または光ビームの強度を減少させ、且つ、磁界の
反転の完了に先行して光ビームの照射を開始または光ビ
ームの強度を増大させるように構成される。
【００１４】
【実施例】図１は本発明の光磁気記録装置の一実施例の
構成を示す概略図である。また、図２は図１の装置の動
作を説明するためのタイミングチャート図である。図１
において、図４と同一の部材には同一の符号を付し、詳
細な説明は省略する。
構成を示す概略図である。また、図２は図１の装置の動
作を説明するためのタイミングチャート図である。図１
において、図４と同一の部材には同一の符号を付し、詳
細な説明は省略する。
【００１５】図１において、記録情報信号入力端子９か
ら入力された記録情報信号は、タイミング信号発生回路
１５に入力される。そして、回路１５は、入力された記
録情報信号に基づいて磁界変調駆動信号を発生し、磁界
変調回路８に供給する。磁界変調回路８は、この磁界変
調駆動信号にしたがって電磁石７を駆動し、変調された
磁界を光磁気ディスク１の磁性薄膜３に印加する。
ら入力された記録情報信号は、タイミング信号発生回路
１５に入力される。そして、回路１５は、入力された記
録情報信号に基づいて磁界変調駆動信号を発生し、磁界
変調回路８に供給する。磁界変調回路８は、この磁界変
調駆動信号にしたがって電磁石７を駆動し、変調された
磁界を光磁気ディスク１の磁性薄膜３に印加する。
【００１６】一方、タイミング信号発生回路１５は、記
録情報信号に基づいてレーザ駆動信号を発生し、光変調
回路１１に供給する。光変調回路１１は、このレーザ駆
動信号に対応した電流を半導体レーザ５に供給し、強度
変調されたレーザビームＬＢが、半導体レーザ５から磁
性薄膜３に照射される。
録情報信号に基づいてレーザ駆動信号を発生し、光変調
回路１１に供給する。光変調回路１１は、このレーザ駆
動信号に対応した電流を半導体レーザ５に供給し、強度
変調されたレーザビームＬＢが、半導体レーザ５から磁
性薄膜３に照射される。
【００１７】次に、図２を用いて図１の装置の動作を説
明する。図２のＡに示されるような記録情報信号が入力
されると、タイミング信号発生回路１５は、図２のＢの
ような記録情報信号を時間ｔ5 だけ遅延させた磁界変調
駆動信号を発生する。時間ｔ5は、図２のＦ及びＧから
わかるように、磁性薄膜へのレーザビームの照射が停止
してから、磁性薄膜の温度がこの磁性薄膜のキュリー温
度ＴC を下まわる温度になるまでの時間に対応してい
る。
明する。図２のＡに示されるような記録情報信号が入力
されると、タイミング信号発生回路１５は、図２のＢの
ような記録情報信号を時間ｔ5 だけ遅延させた磁界変調
駆動信号を発生する。時間ｔ5は、図２のＦ及びＧから
わかるように、磁性薄膜へのレーザビームの照射が停止
してから、磁性薄膜の温度がこの磁性薄膜のキュリー温
度ＴC を下まわる温度になるまでの時間に対応してい
る。
【００１８】上記の磁界変調駆動信号は、磁界変調回路
８に入力され、電磁石７のコイル７Ａには、この駆動信
号に従った駆動電流が供給される。ここで、コイルはイ
ンダクタンス素子であるため、磁性薄膜３に印加される
磁界は、図２のＤに強度変化を示すように、極性反転を
開始してから完了するまでに有限のスイッチング時間ｔ
1 を持った交番磁界となる。このスイッチング時間ｔ1
の間は、印加される磁界の強度が、磁性薄膜の磁化を目
的の方向に配向させるのに十分とはいえない期間であ
る。
８に入力され、電磁石７のコイル７Ａには、この駆動信
号に従った駆動電流が供給される。ここで、コイルはイ
ンダクタンス素子であるため、磁性薄膜３に印加される
磁界は、図２のＤに強度変化を示すように、極性反転を
開始してから完了するまでに有限のスイッチング時間ｔ
1 を持った交番磁界となる。このスイッチング時間ｔ1
の間は、印加される磁界の強度が、磁性薄膜の磁化を目
的の方向に配向させるのに十分とはいえない期間であ
る。
【００１９】また、タイミング信号発生回路１５は、図
２のＣのような記録情報信号を時間ｔ7 だけ遅延させた
遅延信号を生成する。そして、この遅延信号と図２のＡ
に示す記録情報信号との排他的論理和をとった信号を反
転させて、レーザ駆動信号を発生する。このレーザ駆動
信号は、光変調回路１１に入力され、光変調回路１１は
このレーザ駆動信号に対応した電流を半導体レーザ５に
供給する。このレーザ駆動電流を図２のＥに示す。半導
体レーザ５からは、図２のＦに示すようなパワーのレー
ザビームが磁性薄膜３に照射される。すなわち、磁性薄
膜には、記録情報信号の立ち上がり及び立ち下がりから
時間ｔ7 が経過する間は、レーザビームが照射されず、
それ以外の期間には一定のパワーＰW を有するレーザビ
ームが照射される。
２のＣのような記録情報信号を時間ｔ7 だけ遅延させた
遅延信号を生成する。そして、この遅延信号と図２のＡ
に示す記録情報信号との排他的論理和をとった信号を反
転させて、レーザ駆動信号を発生する。このレーザ駆動
信号は、光変調回路１１に入力され、光変調回路１１は
このレーザ駆動信号に対応した電流を半導体レーザ５に
供給する。このレーザ駆動電流を図２のＥに示す。半導
体レーザ５からは、図２のＦに示すようなパワーのレー
ザビームが磁性薄膜３に照射される。すなわち、磁性薄
膜には、記録情報信号の立ち上がり及び立ち下がりから
時間ｔ7 が経過する間は、レーザビームが照射されず、
それ以外の期間には一定のパワーＰW を有するレーザビ
ームが照射される。
【００２０】上記の時間ｔ7 は、ｔ7 ＝ｔ1 ＋ｔ5 −ｔ
6 と表される。ここで、ｔ6 は、磁性薄膜にレーザビー
ムが照射されてから、磁性薄膜がこの磁性薄膜のキュリ
ー温度ＴC に達するまでの時間に相当する。言い換えれ
ば、ｔ6 は、レーザビームが照射されてから書き込みが
可能な温度（記録閾値）に達するまでの時間である。こ
のようなレーザビームの照射によって、磁性薄膜の温度
は、図２のＧに示すように変化する。
6 と表される。ここで、ｔ6 は、磁性薄膜にレーザビー
ムが照射されてから、磁性薄膜がこの磁性薄膜のキュリ
ー温度ＴC に達するまでの時間に相当する。言い換えれ
ば、ｔ6 は、レーザビームが照射されてから書き込みが
可能な温度（記録閾値）に達するまでの時間である。こ
のようなレーザビームの照射によって、磁性薄膜の温度
は、図２のＧに示すように変化する。
【００２１】上述のように、本発明によれば、磁性薄膜
の温度がキュリー温度ＴC （記録閾値）を下まわる期間
が、磁界のスイッチング期間（磁界の反転を開始してか
ら時間ｔ1 が経過するまで）と一致する。このため、磁
界強度が磁性薄膜の磁化を配向させるのに不十分な強度
である期間には、磁性薄膜の温度が閾値を下まわってい
るため、磁化の配向は起こらない。したがって、図４に
示したようなノイズの大きな、磁化配向が不明瞭な領域
１２Ａ〜１２Ｄは発生せず、図２のＦに示すように、＋
の磁化配向と−の磁化配向とが明瞭な記録パターンが形
成される。そして、この磁性薄膜から再生される信号
は、図２のＩに示すように、ジッターを有さない、記録
情報信号に忠実なものとなる。
の温度がキュリー温度ＴC （記録閾値）を下まわる期間
が、磁界のスイッチング期間（磁界の反転を開始してか
ら時間ｔ1 が経過するまで）と一致する。このため、磁
界強度が磁性薄膜の磁化を配向させるのに不十分な強度
である期間には、磁性薄膜の温度が閾値を下まわってい
るため、磁化の配向は起こらない。したがって、図４に
示したようなノイズの大きな、磁化配向が不明瞭な領域
１２Ａ〜１２Ｄは発生せず、図２のＦに示すように、＋
の磁化配向と−の磁化配向とが明瞭な記録パターンが形
成される。そして、この磁性薄膜から再生される信号
は、図２のＩに示すように、ジッターを有さない、記録
情報信号に忠実なものとなる。
【００２２】また、信号が重ね書きされずに過去に記録
された情報がそのまま残る期間は、時間ｔ1 の間だけな
ので非常に短く（おおむね１０〜１５ｎｓ）、図４の１
３Ａ〜１３Ｄに示したような消し残り領域も再生信号に
実質的に影響のない程度のものとなる。更に、本発明に
おいては、この期間は磁性薄膜の温度分布が小さくなる
ため、磁界変調記録に特有な矢羽状の記録ピットの尾の
部分のヒゲが小さくなり、より高密度記録に適したもの
となる。
された情報がそのまま残る期間は、時間ｔ1 の間だけな
ので非常に短く（おおむね１０〜１５ｎｓ）、図４の１
３Ａ〜１３Ｄに示したような消し残り領域も再生信号に
実質的に影響のない程度のものとなる。更に、本発明に
おいては、この期間は磁性薄膜の温度分布が小さくなる
ため、磁界変調記録に特有な矢羽状の記録ピットの尾の
部分のヒゲが小さくなり、より高密度記録に適したもの
となる。
【００２３】次に、図１に示す本発明の装置及び図４に
示す従来の装置を用いて行った記録実験の結果を図３を
用いて説明する。図３は、１８００ｒｐｍで回転させた
光磁気ディスクに、種々の記録パターン長で記録を行
い、その後、記録されたパターンを再生した時の再生信
号振幅比と再生信号に含まれるジッター時間を示したも
のである。図３において、横軸は記録パターン長を、縦
軸は再生信号振幅比と再生信号ジッターをそれぞれ示
す。再生信号比は、記録パターン長が２μｍの時の値を
１として、正規化して示した。
示す従来の装置を用いて行った記録実験の結果を図３を
用いて説明する。図３は、１８００ｒｐｍで回転させた
光磁気ディスクに、種々の記録パターン長で記録を行
い、その後、記録されたパターンを再生した時の再生信
号振幅比と再生信号に含まれるジッター時間を示したも
のである。図３において、横軸は記録パターン長を、縦
軸は再生信号振幅比と再生信号ジッターをそれぞれ示
す。再生信号比は、記録パターン長が２μｍの時の値を
１として、正規化して示した。
【００２４】図３において、符号２１は従来の装置にお
ける再生信号ジッター、符号２２は本発明の装置におけ
る再生信号ジッター、符号２３は従来の装置における再
生信号振幅比、符号２４は本発明の装置における再生信
号振幅比をそれぞれ示す。この結果から、本発明によっ
て再生信号振幅比および再生信号ジッター共に改善され
るのがわかる。例えば、再生信号振幅比は、２μｍ以下
の記録パターン長で効果が認められ、パターン長が０．
７μｍの場合には、約１５％向上する。このことは、本
発明によれば、同じ信号振幅を得る場合にもパターン長
を０．０３μｍ短くすることができ、記録密度が容量比
で４．５％増加することを意味する。また、再生信号ジ
ッターも、本発明では従来の装置に比べて２／３に低減
しており、低エラーレートで信頼性の高い情報記録が可
能となる。
ける再生信号ジッター、符号２２は本発明の装置におけ
る再生信号ジッター、符号２３は従来の装置における再
生信号振幅比、符号２４は本発明の装置における再生信
号振幅比をそれぞれ示す。この結果から、本発明によっ
て再生信号振幅比および再生信号ジッター共に改善され
るのがわかる。例えば、再生信号振幅比は、２μｍ以下
の記録パターン長で効果が認められ、パターン長が０．
７μｍの場合には、約１５％向上する。このことは、本
発明によれば、同じ信号振幅を得る場合にもパターン長
を０．０３μｍ短くすることができ、記録密度が容量比
で４．５％増加することを意味する。また、再生信号ジ
ッターも、本発明では従来の装置に比べて２／３に低減
しており、低エラーレートで信頼性の高い情報記録が可
能となる。
【００２５】本発明は、以上説明した実施例の他にも種
々の応用が可能である。例えば、実施例では磁性薄膜へ
の光ビームの照射を所定の期間停止したが、この期間の
光ビームの強度を零でない値に低減するようにしても良
い。すなわち、磁界の反転の開始に先行して光ビームの
強度を減少させ、且つ、磁界の反転の完了に先行して光
ビームの強度を増大させるように構成することもでき
る。また、本発明は光磁気ディスクに限らず、テープ
状、カード状等いかなる形態の光磁気記録媒体に情報を
記録する場合にも適用が可能である。
々の応用が可能である。例えば、実施例では磁性薄膜へ
の光ビームの照射を所定の期間停止したが、この期間の
光ビームの強度を零でない値に低減するようにしても良
い。すなわち、磁界の反転の開始に先行して光ビームの
強度を減少させ、且つ、磁界の反転の完了に先行して光
ビームの強度を増大させるように構成することもでき
る。また、本発明は光磁気ディスクに限らず、テープ
状、カード状等いかなる形態の光磁気記録媒体に情報を
記録する場合にも適用が可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明の光磁気記録
方法および装置は、磁界のスイッチング期間に磁性薄膜
の温度が記録閾値を下まわるようにしたので、磁化の配
向が不明瞭な領域が形成されないため、良好な再生信号
振幅が得られるとともに、再生信号のジッターが改善さ
れる。その結果、より高密度の情報記録が可能となる効
果を有する。更に、本発明は、先に記録された情報の消
し残しを減少させる効果も合わせ持っているので、低エ
ラーレートで、信頼性の高い光磁気記録が可能である。
方法および装置は、磁界のスイッチング期間に磁性薄膜
の温度が記録閾値を下まわるようにしたので、磁化の配
向が不明瞭な領域が形成されないため、良好な再生信号
振幅が得られるとともに、再生信号のジッターが改善さ
れる。その結果、より高密度の情報記録が可能となる効
果を有する。更に、本発明は、先に記録された情報の消
し残しを減少させる効果も合わせ持っているので、低エ
ラーレートで、信頼性の高い光磁気記録が可能である。
【図１】本発明の光磁気記録装置の一実施例を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図２】図１の装置の動作を説明するためのタイミング
チャート図である。
チャート図である。
【図３】本発明の装置および従来の装置で記録したパタ
ーンを再生した実験の結果を示す図である。
ーンを再生した実験の結果を示す図である。
【図４】従来の光磁気記録装置の一実施例を示す概略構
成図である。
成図である。
【図５】図５の装置の動作を説明するためのタイミング
チャート図である。
チャート図である。
１ 光磁気ディスク ２ 基板 ３ 磁性薄膜 ４ 光ヘッド部 ５ 半導体レーザ ６ 対物レンズ ７ 電磁石 ７Ａ コイル ８ 磁界変調回路 ９ 記録情報信号入力端子 １１ 光変調回路 １５ タイミング信号発生回路 ＬＢ レーザビーム
Claims (5)
- 【請求項１】 磁性薄膜を記録層とする光磁気記録媒体
に光ビームを照射し、磁性薄膜を局所的に加熱するとと
もに、磁性薄膜に記録信号に対応して極性の反転する磁
界を印加することによって情報を記録する光磁気記録方
法において、前記磁界の反転を開始してから完了するま
でのスイッチング期間に磁性薄膜の温度が記録閾値を下
まわるように、磁界の反転の開始に先行して光ビームの
照射を停止または光ビームの強度を減少し、且つ、磁界
の反転の完了に先行して光ビームの照射を開始または光
ビームの強度を増大することを特徴とする光磁気記録方
法。 - 【請求項２】 光ビームの照射を停止または光ビームの
強度を減少するタイミングは、磁界の反転を開始するタ
イミングに対して、光ビームの照射が停止してから磁性
薄膜が記録閾値を下まわる温度になるまでの時間だけ先
行し、光ビームの照射を開始または光ビームの強度を増
大するタイミングは、磁界の反転が完了するタイミング
に対して、光ビームの照射を開始してから磁性薄膜が記
録閾値に達するまでの時間だけ先行した請求項１の光磁
気記録方法。 - 【請求項３】 磁性薄膜を記録層とする光磁気記録媒体
に光ビームを照射する光源と、該光源から発する光ビー
ムの強度を変調する光変調回路と、前記磁性薄膜に磁界
を印加する手段と、記録信号に応じて前記磁界発生手段
から印加される磁界の極性を反転させる磁界変調回路と
から成る光磁気記録装置において、前記光変調回路が、
磁界の反転を開始してから完了するまでのスイッチング
期間に磁性薄膜の温度が記録閾値を下まわるように、磁
界の反転の開始に先行して光ビームの照射を停止または
光ビームの強度を減少させ、且つ、磁界の反転の完了に
先行して光ビームの照射を開始または光ビームの強度を
増大させることを特徴とする光磁気記録装置。 - 【請求項４】 前記光変調回路は、光ビームの照射を停
止または光ビームの強度を減少させるタイミングを、磁
界の反転を開始するタイミングに対して、光ビームの照
射が停止してから磁性薄膜が記録閾値を下まわる温度に
なるまでの時間だけ先行させ、光ビームの照射を開始ま
たは光ビームの強度を増大するタイミングを、磁界の反
転が完了するタイミングに対して、光ビームの照射を開
始してから磁性薄膜が記録閾値に達するまでの時間だけ
先行させることを特徴とする請求項３の光磁気記録装
置。 - 【請求項５】 前記記録信号に基づいて、磁界変調回路
を駆動する第１のタイミング信号と、光変調回路を駆動
する第２のタイミング信号とを発生するタイミング信号
発生回路を備え、前記スイッチング期間の長さをｔ1 、
光ビームの照射が停止してから磁性薄膜が記録閾値を下
まわる温度になるまでの時間をｔ2 、光ビームの照射を
開始してから磁性薄膜が記録閾値に達するまでの時間を
ｔ3 、ｔ4 ＝ｔ1 ＋ｔ2 −ｔ3 としたときに、第１のタ
イミング信号は、記録信号をｔ2 だけ遅延させた信号か
ら成り、第２のタイミング信号は、記録信号の立ち上が
り及び立ち下がりと同時に立ち下がり、立ち下がりから
ｔ4 後に立ち上がる信号から成る請求項４の光磁気記録
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3231642A JPH0573979A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 光磁気記録方法および光磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3231642A JPH0573979A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 光磁気記録方法および光磁気記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0573979A true JPH0573979A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16926699
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3231642A Pending JPH0573979A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 光磁気記録方法および光磁気記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0573979A (ja) |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP3231642A patent/JPH0573979A/ja active Pending
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