JPH0574693A - 荷電ビーム描画方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】描画マスクを構成する複数のＬＳＩチップおよ
びＬＳＩチップ領域の描画単位領域であるフレーム領域
毎に１ＣＰＵでの処理を行い、フレーム単位およびチッ
プ単位での並列処理を行う際、ＣＰＵの稼働効率を良く
し、データ変換時間の大幅な高速化を図り、データ変換
時間を短縮化する。 【構成】描画マスク上にＬＳＩチップのパターンを描画
する荷電ビーム描画方法において、ＬＳＩチップの各フ
レーム領域６１〜６６にそれぞれ対応するフレームデー
タを生成してＬＳＩチップ全体を構成する全フレーム領
域のデータ生成を行う際に、複数のＣＰＵにより複数の
フレーム領域にそれぞれ対応するフレームデータを生成
するように並列にデータ処理すると共に、複数のフレー
ム領域にそれぞれ包含される図形数に応じて複数のフレ
ーム領域のデータ生成順序を制御することを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、大規模集積回路（ＬＳ
Ｉ）などの半導体集積回路のパターンをマスクやウェハ
ー等の試料に描画するための荷電ビーム描画方法に関わ
り、特に描画装置に受容可能な描画パターンデータを高
速に生成するデータ変換処理方式に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＬＳＩのパターンは益々微細かつ
複雑になっており、このようなパターンを形成する装置
として電子ビーム描画装置が用いられている。この描画
装置を用いて所望のＬＳＩパターンを描画する場合、予
め、ＣＡＤ（コンピュータ支援設計装置）を始めとする
ＬＳＩパターンの設計パターンデータ作成ツールを用い
て設計パターンデータを作成している。しかし、この設
計パターンデータをそのままの形式で電子ビーム描画装
置の描画パターンデータとして供給することは出来な
い。即ち、設計パターンデータで定義されているデータ
体系は一般的に非常に自由度の高いデータ体系として作
成されているので、電子ビーム描画装置に受容可能なデ
ータ体系とするためには、以下に示すような制限を満足
させなければならない。 （１）電子ビーム描画装置で受容可能な基本図形群（台
形や矩形など）のみで構成される図形体系で定義される
こと。 （２）多重露光となってパターンの形成精度を低下させ
てしまう図形相互の重なりがないデータ体系で定義され
ること。 （３）電子ビーム描画装置の描画方法に沿って所定の単
位描画領域毎に領域分割されたデータ体系で定義される
こと。 以下、電子ビーム描画装置を用いる従来のビーム描画方
法を説明する。

【０００３】設計パターンデータを例えば輪郭化処理と
いった手法を用いて多重露光領域の除去を行い、その後
ビームの偏向領域により決定する単位描画領域（フレー
ム領域、サブフィールド領域）毎の矩形・台形および三
角形などの基本図形群に図形分割することにより、電子
ビーム描画装置にとって受容可能な図形データ体系とす
る。そして、このような図形体系のデータを基に所望の
ＬＳＩチップに関わる描画パターンデータを生成し、こ
の描画パターンデータを磁気ディスクに代表される記憶
媒体に記憶させて描画に供する。

【０００４】描画処理工程では、描画パターンデータを
１回のテーブル連続移動により描画し得る単位描画領域
である描画ストライプ領域毎（フレーム領域を所定の規
則により集めた領域）に読み出して一時的にパターンメ
モリ部に記憶させ、このデータを解読してビーム成形手
段により形成可能な描画単位図形（図形サイズに制限を
持った矩形と形状およびサイズに制限を持った三角形）
の集まりで所望パターンを構成すべく図形分割を行っ
て、その結果得られた図形を基にビーム形状およびビー
ム位置を制御すると共に、試料を載置したテーブルをＸ
方向もしくはＹ方向に連続移動して描画ストライプ領域
内に所望パターンを描画する。

【０００５】次いで、上記テーブル連続移動方向と直交
する方向に描画ストライプ領域幅だけステップ移動さ
せ、上記処理を繰り返すことにより所望領域全体に描画
処理を行う。

【０００６】なお、主偏向手段により副偏向位置を制御
しながら且つ副偏向手段により副偏向領域内に所望パタ
ーンを描画する２段偏向方式では、単位描画領域（サブ
フィールド）の集合体でフレーム領域を構成し、このフ
レーム領域の集合体で描画ストライプ領域を構成してお
り、描画ストライプ領域の幅は上記主偏向手段と副偏向
手段のビーム偏向幅により規定されている。

【０００７】上述のごとく描画処理に供される描画パタ
ーンデータを生成するに際しては、ＬＳＩパターンの微
細化および高集積化への対応策としてメモリーセルの様
な繰り返し構造を有するパターンについては、繰り返し
の種となる図形パターン群とその繰り返し情報で描画パ
ターンデータを構成することにより描画パターンデータ
の圧縮を図っていた。その理由はパターン密度に微細化
および集積度の伸長が激しいメモリーデバイスのデータ
変換にあっては、繰り返し構造を利用したデータ圧縮を
行わないと計算機資源を著しく圧迫することと、データ
変換時間が長期化し実用的ではなくなるといった観点か
ら、データ変換不能という状況になり得るからである。

【０００８】一方、上述のような処理工程により描画さ
れたマスクパターンに対しては、通常形成されたパター
ンが設計パターン通りに形成されているか否かおよびパ
ターン欠陥が存在するか否かを検証するために欠陥検査
装置によりパターン検査を行う。この結果、所定の基準
に合格したマスクおよび検査結果を基にして修正された
マスクのみをウェハー用のパターン転写マスクとして採
用する。

【０００９】通常上述のような描画装置および欠陥検査
装置への入力データは、設計パターンデータを基にそれ
ぞれの装置に受容可能なパターンデータに変換するか、
描画用もしくは検査用のデータの一方を生成しておき、
描画時もしくは検査時に必要に応じてデータ変換して描
画もしくは検査に供するという処理工程を経ていた。

【００１０】この様な種々のデータ変換は、通常、描画
装置や検査装置支援用の計算機システムが利用されてお
り、上述のごとくデータ変換処理は１つのＣＰＵ（中央
処理装置）により１つの描画マスクデータを順次描画パ
ターンデータにデータ変換するという処理方式を採って
いた。

【００１１】しかし、この様な方式では、データ変換時
間がＣＰＵ性能に大きく制限されてしまうため、近年伸
長著しい複数のＣＰＵを搭載した並列計算機を適用し、
データ変換処理を行う方式が提案されている。

【００１２】この提案に係るデータ変換処理方式は、描
画マスクの描画領域に包含されるＬＳＩチップの単位描
画領域であるフレーム領域およびチップ毎に１ＣＰＵを
割り当て、マスクデータ全体のデータ変換処理を複数の
ＣＰＵにより並列処理する。この場合、複数のフレーム
領域（例えば６１〜６６）がそれぞれ異なったデータ変
換時間を必要とすると、ＣＰＵ数が３である時に、例え
ば図１０に示すように、フレーム領域６１はＣＰＵ１、
フレーム領域６２はＣＰＵ２、…というように処理を行
い、３つにＣＰＵのいずれかが空き状態となった時にそ
の空き状態となったＣＰＵで次のフレーム領域を処理す
る。これにより、データ変換時間の大幅な高速化を行
い、データ変換時間の短縮および描画スループットの向
上を図ろうとするものである。

【００１３】しかし、上記提案に係るデータ変換処理方
式は、フレーム領域毎に包含される図形数の差によりフ
レーム領域毎の処理時間に大きな差が生ずることがあ
り、チップ全体のデータ変換処理時間は、特に、最後に
処理されるフレーム領域６６の処理時間に依存し、非常
に長くなることがある。この様な処理時間の差は、ＣＰ
Ｕの稼働効率の低下やデータ変換時間（実際に設計デー
タ等を入力して所定形式の描画パターンデータを出力す
るまでの時間）の長期化、描画スループットの低下等を
招くことが十分に考えられる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】上記したような提案に
係る荷電ビーム描画方法におけるデータ変換処理方式
は、ＣＰＵの稼働効率の低下やデータ変換時間の長期
化、描画スループットの低下等を招くおそれがあるとい
う問題がある。

【００１５】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、描画パターンデータを作成するためのデータ
変換処理に際して、ＣＰＵの稼働効率を良くし、データ
変換時間の大幅な高速化を図り、データ変換時間を短縮
化し得る荷電ビーム描画方法を提供することを目的とす
る。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明は、試料上にＬＳ
Ｉチップのパターンを描画する荷電ビーム描画方法にお
いて、ＬＳＩチップの各フレーム領域にそれぞれ対応す
るフレームデータを生成してＬＳＩチップ全体を構成す
る全フレーム領域のデータ生成を行う際に、複数のＣＰ
Ｕにより上記複数のフレーム領域にそれぞれ対応するフ
レームデータを生成するように並列にデータ処理すると
共に、上記複数のフレーム領域にそれぞれ包含される図
形数に応じて上記複数のフレーム領域のデータ生成順序
を制御することを特徴とする。

【００１７】

【作用】複数のＣＰＵを搭載した並列計算機を用いて、
描画マスクの描画領域に包含されるＬＳＩチップの描画
単位領域であるフレーム領域毎に１ＣＰＵを割り当てて
マスクデータ全体のデータ変換を行うと共に、フレーム
領域毎の処理図形数を算出し、フレーム領域のデータ生
成順序をフレーム領域に包含される図形数の多い（デー
タ変換時間の長い）フレーム領域から優先的に行うこと
が可能になる。

【００１８】これにより、複数のＣＰＵそれぞれの処理
終了時間の差をできるだけ少なくし、チップに包含され
るすべてのフレームデータの処理時間が固有のフレーム
データの処理時間に依存することを防ぐことが可能にな
り、ＣＰＵの稼働効率を良くし、データ変換時間の大幅
な高速化を図り、データ変換時間を短縮化することが可
能になる。

【００１９】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図１は、本発明の一実施例に係る荷電ビー
ム描画方法で使用される電子ビーム描画装置を示す概略
構成図である。

【００２０】図中、１０は試料室であり、この試料室１
０には半導体ウェハーもしくはガラスマスクなどの試料
１１を載置したテーブル１２が収容されている。テーブ
ル１２は、テーブル駆動回路１３によりＸ方向（紙面左
右方向）およびＹ方向（紙面表裏方向）に駆動される。
そして、テーブル１２の移動位置は、レーザー干渉計等
を用いた位置回路１４により測定されるものとなってい
る。試料室１０の上方には電子ビーム光学系２０が配置
されている。この光学系２０は、電子銃２１、各種レン
ズ２２〜２６、ブランキング用偏向器３１、ビーム寸法
可変用偏向器３２、ビーム走査用の主偏向器３３、ビー
ム走査用の副偏向器３４およびビーム成形アパーチャ３
５、３６などから構成されている。そして、主偏向器３
３により所定の副偏向領域（サブフィールド）に位置決
めし、副偏向器３４によりサブフィールド内での図形描
画位置決めを行うと共に、ビーム寸法可変用偏向器３２
および成形アパーチャ３５、３６によりビーム形状を制
御し、テーブル１２を一方向に連続移動しながらＬＳＩ
チップのフレーム領域を１回のテーブル連続移動により
描画可能な範囲内で集めた描画ストライプ領域を描画処
理する。さらに、テーブル１２を連続移動方向と直交す
る方向にステップ移動し、上記処理を繰り返して各描画
ストライプ領域を順次描画処理するものとなっている。

【００２１】一方、制御計算機４０には磁気ディスク
（記憶媒体）４１が接続されており、このディスク４１
にＬＳＩチップの描画パターンデータが格納されてい
る。磁気ディスク４１から読み出されたＬＳＩチップの
描画パターンデータは、前記描画ストライプ毎にパター
ンメモリ部（データバッファ部）４２に一時的に格納さ
れる。データバッファ部４２に格納された描画ストライ
プ領域毎のパターンデータ（描画位置および基本図形デ
ータから構成）は、データ解読部であるパターンデータ
デコーダ４３および描画データデコーダ４４により解読
され、ブランキング回路４５、ビーム成形器ドライバ４
６、主偏向器ドライバ４７および副偏向器ドライバ４８
に送られる。

【００２２】即ち、パターンデータデコーダ４３では、
上記描画ストライプ領域毎の描画パターンデータを入力
し、描画ストライプデータとして定義されているパター
ンの繰り返し情報を元に圧縮された図形データを展開処
理すると共に、上記描画ストライプ領域の描画処理にお
いて描画すべき領域か否かおよび次に描画すべき領域に
ついてサブフィールド毎に判断および解読しながら、前
記描画パターンデータに定義された描画領域図形データ
を前記成形アパーチャ３５、３６の組み合わせにより形
成可能な描画単位図形群に図形分割し、このデータに基
づいてブランキングデータを作成し、ブランキング回路
４５に送る。そして、さらに、希望するビーム寸法デー
タをビーム成形偏向器ドライバ４６に送る。

【００２３】次に、ビーム成形器ドライバ４６から前記
光学系２０のビーム寸法可変用偏向器３２に所定の偏向
信号が印加され、これにより電子ビームの寸法が制御さ
れるものとなっている。また、描画データデコーダ４４
では、上記描画ストライプデータに基づきサブフィール
ドの位置決めデータを解読および作成し、主偏向器ドラ
イバ４７に送られる。そして、主偏向器ドライバ４７か
ら前記光学系の主偏向器３３に所定の偏向信号が印加さ
れ、これにより電子ビームは指定のサブフィールド位置
に偏向走査される。さらに、描画データデコーダ４４で
は、副偏向走査の制御信号が生成され、この信号により
副偏向器ドライバ４８を介して副偏向器３４に所定の副
偏向信号が印加され、これによりサブフィールド毎の描
画処理が行われるものとなっている。次に、上記した電
子ビーム描画装置を用いた電子ビーム描画方法について
説明する。

【００２４】図２は、描画処理を行うためのデータ生成
工程を示す。ＬＳＩパターンは、ＣＡＤシステムにより
設計およびパターン作成され、その設計パターンデータ
は大型計算機を始めとする処理能力の高いホスト計算機
により前記電子ビーム描画方式に依存した装置固有の描
画パターンデータに変換され、この描画パターンデータ
を元にして電子ビームの位置決めおよびビーム形状を制
御して一連の描画処理が行われる。

【００２５】上記ＣＡＤシステムによりパターン作成さ
れる設計パターンデータは、図３（ａ）に示すように、
描画マスク５０を構成するＬＳＩチップ５１〜５５毎に
独立したデータ体系となっている。それぞれのＬＳＩチ
ップに係わる設計パターンデータは、図３（ｂ）に示す
ように、ＬＳＩチップの全体領域１は幾つかのブロック
領域（２，３，５，６，９）と幾つかの図形パターン１
Ａ〜１Ｄにより構成され、ブロック参照領域２は、図３
（ｃ）に示すように、ブロック領域４の繰り返しにより
構成されている。さらに、ブロック参照領域３は、図３
（ｄ）に示すように、ブロック領域７、８および図形パ
ターン３Ａで構成されているというように、複数のブロ
ック領域と図形パターンの組み合わせによりＬＳＩチッ
プ全体が表現されるデータ体系となっている。ここで、
ブロック領域５、６、９については、以下の説明では、
特に図示しないがそれぞれブロック領域の参照はなく図
形パターンのみにより構成されるブロック領域とする。

【００２６】個々のブロック領域を表現する設計パター
ンデータは、図４に示すように、ブロック参照情報群と
図形パターンを定義した図形データ群により構成されて
いる。なお、図４に示した設計パターンデータは、図３
（ｂ）に示したＬＳＩチップ全体のブロック領域１に係
わるものであり、それぞれのブロック領域に包含されて
いる図形パターンは、多角形パターンとしてデータ定義
されており、それらの図形は互いにパターン相互の重な
りが許容されている体系となっている。また、ブロック
領域相互の重なりについても特に制限を有するものでは
ない。

【００２７】この様な形式のＬＳＩパターンデータを電
子ビーム描画装置で受容可能な描画パターンデータとす
るため、前記ホスト計算機で上記ブロック領域間でのパ
ターンの重なりを除去するために本願出願人の出願に係
る“特願昭６２−３２７１９”に開示するような前処理
を行い、さらに、ＬＳＩチップ１のブロック参照をチッ
プ領域全体を表現するブロック１に集結し、ブロック領
域１以外にはブロックの参照がなく図形パターンのみで
構成されるデータ体系となるように設計パターンデータ
の再編成処理を行い（つまり、ブロックの参照関係を１
レベルに制限するための展開処理を行う）、図５に示す
ような、ブロックの参照関係となるようなデータ体系と
する。そして、それぞれのブロック領域に包含されてい
る図形パターン群に対して、スリット法やタッチング法
に代表される手法を用いて図形相互の重なり除去を行っ
て、描画図形の多重露光領域を解消するための図形処理
を施す。次に、図６に示すように、ＬＳＩチップの全体
領域１をビームの主偏向幅により決定される暫定的なフ
レーム領域（６１〜６６）に領域分割する。

【００２８】図６において、テーブル連続移動方向は紙
面左右方向であり、テーブルステップ移動方向は紙面上
下方向である。上記フレーム領域６１〜６６のフレーム
データを構築するに際しては、複数のＣＰＵを駆使し且
つそれぞれのフレーム領域に包含される図形数を算出
し、図形数の多いフレーム領域から優先的にＣＰＵを割
り当ててデータ変換処理を行う。

【００２９】具体的には、図７（ａ）に示すように、領
域分割されたフレーム領域６１〜６６がそれぞれ異なっ
たデータ変換時間を必要とすると、図形数によるフレー
ム領域のソーティングを行い、図形数の多い（処理時間
の長い）フレーム領域からデータ変換処理を行う。例え
ばＣＰＵ数が３である場合には、図７（ｂ）に示すよう
に、フレーム領域６６をＣＰＵ１で、フレーム領域６３
をＣＰＵ２で、…というように処理し、ＣＰＵのいずれ
かが空き状態になった時には、ソーティングを行わない
場合と同様に次のフレーム領域を処理する。また、ＣＰ
Ｕを効率良く稼働させるために、ＣＰＵにデータの入出
力処理により空きが生じた時に、フレーム領域の処理を
図７（ｃ）に示すようにタイムシェアさせることにより
処理している。

【００３０】ここで、図７（ｂ）に示したソーティング
有りの場合と、図１０に示したソーティング無しの場合
とを比較すると、明らかにデータ変換時間に大きな差が
あり、図形数によるフレームデータの生成順序の制御を
行うことでデータ変換時間の高速化に効果があることが
分る。

【００３１】次に、上記フレーム領域毎に行なうデータ
変換処理について説明する。上記暫定的に分割されたフ
レーム領域６１〜６６（以下、仮想フレーム領域と呼
ぶ）に一部でも含まれるブロック領域について、このブ
ロック領域の描画位置を上記仮想フレーム領域の基準位
置からの相対位置により定義した位置データとアレイ属
性情報から構成されるブロック配置データと、上記ブロ
ック領域内の描画図形を前記副偏向手段により偏向可能
なサブフィールド領域毎にグループ分けされた図８に示
すようなブロック図形データから構成されるブロック描
画データの集合体としてフレームデータを生成する。

【００３２】このようにして得たフレームデータ群は磁
気ディスク４１に格納される。また、上述のような複数
ＣＰＵを活用した並列処理は、１つのＬＳＩチップのフ
レーム処理に限らず、前記マスク５０に配置されたＬＳ
Ｉチップ５１〜５５の間でも活用され、処理の高速化を
図っている。

【００３３】そして、上記磁気ディスク４１に格納され
た描画パターンデータを基にして“特願昭６３−３００
９３８号”に示すような手法に沿って高速・高精度な描
画処理を実現することができる。従って、本実施例方法
によれば、ＣＡＤシステムで作成される設計パターンデ
ータと整合性の高い描画パターンデータを高速にデータ
変換することができる。

【００３４】また、その他の実施例として、従来のマス
クを描画するための描画方式として主流となっている図
９に示すような円形ビームを用いた１段偏向・テーブル
連続移動方式の描画パターンデータ（以下従来データと
呼ぶ）は、そのままレティクル欠陥検査装置の基準デー
タとして用いられており、レティクル欠陥検査装置との
整合性を図るため、上記描画パターンデータを２段偏向
方式の描画パターンデータへデータ変換する必要があ
る。その場合、前記の１段偏向方式のフレーム領域は２
段偏向方式のフレーム領域に比較してビーム偏向幅が極
めて狭いため、通常従来データのｎフレーム分のデータ
を集めて新たな１フレームデータを生成する。

【００３５】具体的には、従来データの１フレーム領域
を前記１ブロック領域と見做してこのブロック領域に包
含される図形パターンについて図形相互の重なり除去お
よび白黒反転処理を行い、さらに、上記図形パターン群
を所定のサブフィールド領域で分割することにより上述
したフレームデータと同様のデータ構造を有する描画パ
ターンデータを生成する。

【００３６】なお、上記データ変換処理は、元来、フレ
ーム領域に分割された図形パターンを集めて新たなフレ
ームデータを構築することからデータの独立性が高く、
上述のような複数ＣＰＵを駆使した並列処理により、よ
り有効な効果を引き出すことが可能である。

【００３７】上述したように電子ビーム描画装置のデー
タ体系の中で極めて独立性の高いフレーム領域を並列処
理の基本単位とすることにより、電子ビーム描画装置で
描画処理するのに必須である描画パターンデータの生成
処理時間を大幅に短縮することが可能となり、描画装置
の稼働率向上を図ることができ電子ビーム描画装置の性
能を最大限に引き出すことができる。

【００３８】なお、本発明は前記実施例に制限されるも
のではなく、種々変形して実施することができる。例え
ば、前記描画パターンデータを格納する手段としては、
磁気ディスクに限るものではなく、磁気テープや半導体
メモリなどその他の記憶媒体を用いることができる。ま
た、電子ビーム描画装置の構成は、図１に限定されるも
のではなく、仕様に応じて変更可能である。

【００３９】また、前記実施例では電子ビームにより描
画を行う例を説明したが、電子ビームに限定されること
なく、イオンビームやレーザービームを含む荷電ビーム
により描画を行う場合とか、可変成形ビームを用いたシ
ョット方式の他楕円形ビームを用いたベクタもしくはラ
スタ方式の描画装置を用いて描画を行う場合にも本発明
方法を適用することができる。

【００４０】さらに、記憶媒体に格納される描画パター
ンデータの図形体系は、矩形や台形などの基本図形でな
く、描画単位図形や多角形図形でもよく、図形相互の重
畳についても、パターンデータデコーダ部により図形の
重なり除去や白黒反転を行う図形演算手段を追加するこ
とにより対応可能となる。その他、本発明の要旨を逸脱
しない範囲で種々変形して実施可能である。

【００４１】

【発明の効果】上述したように本発明によれば、ＣＡＤ
システムで設計および作成される設計パターンデータ等
を入力として２段偏向方式でビーム位置を制御すると共
にビーム形状を制御して所望パターンを描画するのに必
要な描画パターンデータを生成するデータ変換処理にお
いて、単位描画領域であるフレーム領域内に包含される
図形数を算出し、図形数の多いフレームから複数ＣＰＵ
による並列処理を行うことにより、データ変換時間の大
幅な高速化が可能となり極めて効率の良いデータ変換が
実現でき、その結果として装置自体の稼働率を高めるこ
とができ、ＬＳＩの生産性向上に寄与することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の荷電ビーム描画方法の一実施例で使用
される電子ビーム描画装置を示す概略構成図。

【図２】本発明の荷電ビーム描画方法における描画パタ
ーンデータの生成工程を示す模式図。

【図３】図２の工程でＣＡＤシステムによりパターン作
成される設計パターンデータのデータ構造を示す模式
図。

【図４】図３中の個々のブロック領域を表現する設計パ
ターンデータのデータ体系を示す模式図。

【図５】図２のＬＳＩチップの展開処理されたデータ体
系を示す模式図。

【図６】図５のＬＳＩチップの全体領域をビームの主偏
向幅により決定される暫定的なフレーム領域に仮想的に
分割した様子を示す模式図。

【図７】本発明の荷電ビーム描画方法における描画パタ
ーンデータを生成するためのデータ変換処理方式による
各ＣＰＵでの処理負荷の推移を示す模式図。

【図８】図６のフレーム領域に対応するフレームデータ
のデータ構造を示す模式図。

【図９】本発明の荷電ビーム描画方法を適用可能な１段
偏向方式の描画方式を示す模式図。

【図１０】現在提案中の荷電ビーム描画方法における描
画パターンデータを生成するためのデータ変換処理方式
による各ＣＰＵでの処理負荷の推移を示す模式図。

【符号の説明】

１〜９…ブロック、１Ａ〜１Ｄ…図形パターン、１０…
試料室、１１…試料、１２…テーブル、１３…テーブル
駆動装置、１４…位置回路、２０…電子光学系、２１…
電子銃、２２〜２６…レンズ、３１〜３４…偏向器、３
５、３６…ビーム成形アパーチャ、４０…制御計算機、
４１…磁気ディスク、４２…パターンメモリ、４３…パ
ターンデータデコーダ、４４…描画データデコーダ、４
５…ブランキング回路、４６…ビーム成形器ドライバ、
４７…主偏向器ドライバ、４８…副偏向器ドライバ、５
１〜５５…ＬＳＩチップ、６１〜６６…フレーム領域。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 玉樹 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１ 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 大木 慎一郎 神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１ 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 試料を載置したテーブルをＸ方向に連続
   移動させながら、試料上に描画すべき集積回路チップの
   描画領域を所定幅に分割したフレーム領域の集合である
   描画ストライプ領域を荷電ビームにより描画処理し、さ
   らに、上記テーブルをＸ方向と直交するＹ方向に上記描
   画ストライプ領域を単位としてステップ移動させ、上記
   描画ストライプ領域の描画処理を繰り返して各描画スト
   ライプ領域を順次描画処理する荷電ビーム描画方法にお
   いて、 前記集積回路チップの各フレーム領域にそれぞれ対応す
   るフレームデータを生成して集積回路チップ全体を構成
   する全フレーム領域のデータ生成を行う際に、複数の中
   央処理装置により上記複数のフレーム領域にそれぞれ対
   応するフレームデータを生成するように並列にデータ処
   理すると共に、上記複数のフレーム領域にそれぞれ包含
   される図形数に応じて上記複数のフレーム領域のデータ
   生成順序を制御することを特徴とする荷電ビーム描画方
   法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の荷電ビーム描画方法にお
   いて、前記複数のフレーム領域のデータ生成順序は、包
   含される図形数の大なるフレーム領域から順次データ生
   成することを特徴とする荷電ビーム描画方法。
3. 【請求項３】 請求項１記載の荷電ビーム描画方法にお
   いて、前記描画ストライプ領域を描画処理する際に、予
   め記憶媒体に記憶されている上記描画ストライプ領域に
   係わる描画パターンデータを読み出し、この描画パター
   ンデータを解読してビーム成形手段により形成可能な描
   画単位図形群にし、前記描画ストライプ領域毎にビーム
   偏向手段およびビーム成形手段によりビームの位置決め
   およびビームの形状を制御して所望パターンを描画する
   ことを特徴とする荷電ビーム描画方法。
4. 【請求項４】 請求項１記載の荷電ビーム描画方法にお
   いて、前記フレームデータの集合で定義される集積回路
   チップの描画パターンデータは、描画すべき図形パター
   ンデータもしくは他のブロック参照情報から構成される
   ブロックデータの集合として表現される集積回路チップ
   の設計パターンデータからデータ生成することを特徴と
   する荷電ビーム描画方法。
5. 【請求項５】 請求項１記載の荷電ビーム描画方法にお
   いて、前記フレームデータの集合で定義される集積回路
   チップの描画パターンデータは、描画方式の異なる荷電
   ビーム描画装置に関わる描画パターンデータからデータ
   生成することを特徴とする荷電ビーム描画方法。
6. 【請求項６】 請求項５記載の荷電ビーム描画方法にお
   いて、前記描画方式の異なる荷電ビーム描画装置は、ビ
   ーム偏向手段を制御してビーム偏向可能な前記描画領域
   を分割する所定幅・ビーム偏向方式およびビーム形状の
   制御方式のいずれかが異なることを特徴とする荷電ビー
   ム描画方法。
7. 【請求項７】 請求項５記載の荷電ビーム描画方法にお
   いて、前記データ処理に供される描画パターンデータ
   は、円形ビームを１段の偏向手段により偏向走査して描
   画処理する荷電ビーム描画装置に供給されるものであ
   り、このデータを元に生成される描画パターンデータに
   より主偏向手段および副偏向手段を組み合わせた２段偏
   向方式によりビーム位置を制御すると共に、２枚のアパ
   ーチャの組み合わせによりビーム形状を制御して描画処
   理を行うことを特徴とする荷電ビーム描画方法。