JPH0574811A - 電界効果素子とその製造方法 - Google Patents
電界効果素子とその製造方法Info
- Publication number
- JPH0574811A JPH0574811A JP3231396A JP23139691A JPH0574811A JP H0574811 A JPH0574811 A JP H0574811A JP 3231396 A JP3231396 A JP 3231396A JP 23139691 A JP23139691 A JP 23139691A JP H0574811 A JPH0574811 A JP H0574811A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- conductive layer
- field effect
- insulating layer
- effect element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 高分子フィルムよりなる絶縁層１２と、絶縁
層１２の表面にイオン注入により形成された導電層１４
と、導電層１４の表面に設けられた第１電極１６と、導
電層１４の表面に第１電極１６と間隔をおいて設けられ
た第２電極１８と、前記絶縁層１２の裏面に設けられた
第３電極２０とよりなる。 【効果】 第３電極２０に電圧を印加することにより、
この電圧に比例して、第１電極１６及び第２電極１８間
に流れる電流を制御することができる。したがって、こ
の電界効果素子を、電流制御素子または抵抗制御素子と
して使用することができる。
層１２の表面にイオン注入により形成された導電層１４
と、導電層１４の表面に設けられた第１電極１６と、導
電層１４の表面に第１電極１６と間隔をおいて設けられ
た第２電極１８と、前記絶縁層１２の裏面に設けられた
第３電極２０とよりなる。 【効果】 第３電極２０に電圧を印加することにより、
この電圧に比例して、第１電極１６及び第２電極１８間
に流れる電流を制御することができる。したがって、こ
の電界効果素子を、電流制御素子または抵抗制御素子と
して使用することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高分子フィルムを利用
した電界効果素子に関するものである。
した電界効果素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】株式会社サイエンスフォーラム発行の
「イオン注入表層改質技術」に記載されているように、
ポリイミド、ポリアクリロニトリル、ポリフェニレンサ
ルファイド、ポリエチレン、ポリ塩化ビニルなどの高分
子フィルムの表面層に、アルゴン、水素、窒素、ヒ素、
ボロン、あるいは金属をイオン種としてイオン注入をす
ることにより、この高分子フィルム表面層を導電化する
ことが、従来より知られている。
「イオン注入表層改質技術」に記載されているように、
ポリイミド、ポリアクリロニトリル、ポリフェニレンサ
ルファイド、ポリエチレン、ポリ塩化ビニルなどの高分
子フィルムの表面層に、アルゴン、水素、窒素、ヒ素、
ボロン、あるいは金属をイオン種としてイオン注入をす
ることにより、この高分子フィルム表面層を導電化する
ことが、従来より知られている。
【０００３】これにより、絶縁体である高分子フィルム
の表面層に導電層が形成され、この導電層に電流を流す
ことが可能となった。
の表面層に導電層が形成され、この導電層に電流を流す
ことが可能となった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記導電層
を有する高分子フィルムの応用技術においては、現在、
その方向が定まっていない。
を有する高分子フィルムの応用技術においては、現在、
その方向が定まっていない。
【０００５】そこで本発明は、上記の導電層を有する高
分子フィルムを利用した電界効果素子及びその製造方法
を提供するものである。
分子フィルムを利用した電界効果素子及びその製造方法
を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明の電界効
果素子は、高分子フィルムよりなる絶縁層と、絶縁層の
表面にイオン注入により形成された導電層と、導電層の
表面に設けられた第１電極と、導電層の表面に第１電極
と間隔をおいて設けられた第２電極と、前記絶縁層の裏
面に設けられた第３電極とよりなるものである。
果素子は、高分子フィルムよりなる絶縁層と、絶縁層の
表面にイオン注入により形成された導電層と、導電層の
表面に設けられた第１電極と、導電層の表面に第１電極
と間隔をおいて設けられた第２電極と、前記絶縁層の裏
面に設けられた第３電極とよりなるものである。
【０００７】この電界効果素子の製造方法は、高分子フ
ィルムよりなる絶縁層の表面にイオン注入により導電層
を形成し、導電層の表面に第１電極を設け、導電層の表
面に第１電極と間隔をおいて第２電極を設け、前記絶縁
層の裏面に第３電極を設けるものである。
ィルムよりなる絶縁層の表面にイオン注入により導電層
を形成し、導電層の表面に第１電極を設け、導電層の表
面に第１電極と間隔をおいて第２電極を設け、前記絶縁
層の裏面に第３電極を設けるものである。
【０００８】上記構成の電界効果素子であると、第３電
極に電圧を印加することにより、この印加した電圧に比
例して、第１電極及び第２電極間に流れる電流を制御す
ることができる。すなわち、この電界効果素子は、電流
制御素子または抵抗制御素子として働く。
極に電圧を印加することにより、この印加した電圧に比
例して、第１電極及び第２電極間に流れる電流を制御す
ることができる。すなわち、この電界効果素子は、電流
制御素子または抵抗制御素子として働く。
【０００９】また、本発明の電界効果素子は、高分子フ
ィルムよりなる絶縁層と、絶縁層の表面にイオン注入に
より形成された第１導電層と、第１導電層の表面に設け
られた第１電極と、第１導電層の表面に第１電極と間隔
をおいて設けられた第２電極と、前記絶縁層の裏面にイ
オン注入により形成された第２導電層と、第２導電層の
裏面に設けられた第３電極とよりなるものである。
ィルムよりなる絶縁層と、絶縁層の表面にイオン注入に
より形成された第１導電層と、第１導電層の表面に設け
られた第１電極と、第１導電層の表面に第１電極と間隔
をおいて設けられた第２電極と、前記絶縁層の裏面にイ
オン注入により形成された第２導電層と、第２導電層の
裏面に設けられた第３電極とよりなるものである。
【００１０】この電界効果素子の製造方法は、高分子フ
ィルムよりなる絶縁層の表面にイオン注入により導電層
を形成し、第１導電層の表面に第１電極を設け、第１導
電層の表面に第１電極と間隔をおいて第２電極を設け、
前記絶縁層の裏面に、イオン注入により第２導電層を形
成し、第２導電層の裏面に第３電極を設けるものであ
る。
ィルムよりなる絶縁層の表面にイオン注入により導電層
を形成し、第１導電層の表面に第１電極を設け、第１導
電層の表面に第１電極と間隔をおいて第２電極を設け、
前記絶縁層の裏面に、イオン注入により第２導電層を形
成し、第２導電層の裏面に第３電極を設けるものであ
る。
【００１１】上記構成の電界効果素子であると、第３電
極に電圧を印加することにより、この電圧に比例して、
第１電極及び第２電極間に流れる電流を制御することが
できる。したがって、この電界効果素子は、電流制御素
子及び抵抗制御素子として使用できる。
極に電圧を印加することにより、この電圧に比例して、
第１電極及び第２電極間に流れる電流を制御することが
できる。したがって、この電界効果素子は、電流制御素
子及び抵抗制御素子として使用できる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。
明する。
【００１３】符号１０は、本発明の一実施例を示す電界
効果素子である。
効果素子である。
【００１４】この電界効果素子１０は、絶縁体であるポ
リイミド、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィル
ム等の高分子フィルムの表面層にイオン注入により、導
電層１４を形成する。この導電層の表面に、蒸着または
導電性ペーストで第１電極１６を形成する。そして、こ
の導電層１４の表面に、前記第１電極１６とは間隔を離
して、第２電極１８を、蒸着または導電層ペーストで形
成する。
リイミド、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィル
ム等の高分子フィルムの表面層にイオン注入により、導
電層１４を形成する。この導電層の表面に、蒸着または
導電性ペーストで第１電極１６を形成する。そして、こ
の導電層１４の表面に、前記第１電極１６とは間隔を離
して、第２電極１８を、蒸着または導電層ペーストで形
成する。
【００１５】さらに、高分子フィルム１２の裏面に蒸着
または導電性ペーストで第３電極２０を形成する。この
第３電極２０を形成する箇所は、高分子フィルム１２の
裏面において、表面にある第１電極１６及び第２電極１
８をつなぐ面積部分すべてにわたって相当する位置に形
成する（図１参照）。
または導電性ペーストで第３電極２０を形成する。この
第３電極２０を形成する箇所は、高分子フィルム１２の
裏面において、表面にある第１電極１６及び第２電極１
８をつなぐ面積部分すべてにわたって相当する位置に形
成する（図１参照）。
【００１６】なお、第３電極２０を形成する箇所は、上
記のような第１電極１６及び第２電極１８をつなぐ面積
部分すべてにわたって形成する他に、高分子フィルム１
２の裏面において、第１電極１６及び第２電極１８の略
中央部分に相当する位置に形成してもよい。
記のような第１電極１６及び第２電極１８をつなぐ面積
部分すべてにわたって形成する他に、高分子フィルム１
２の裏面において、第１電極１６及び第２電極１８の略
中央部分に相当する位置に形成してもよい。
【００１７】高分子フィルム１２の厚さとしては、５０
μｍ以下の厚さが好適である。
μｍ以下の厚さが好適である。
【００１８】上記構成の電界効果素子１０であると、第
３電極２０に正または負の電圧を印加することで、第１
電極１６及び第２電極１８間に流れる電流を制御するこ
とができる。すなわち、第３電極２０の印加電圧によっ
て、導電層１４の抵抗を制御する。
３電極２０に正または負の電圧を印加することで、第１
電極１６及び第２電極１８間に流れる電流を制御するこ
とができる。すなわち、第３電極２０の印加電圧によっ
て、導電層１４の抵抗を制御する。
【００１９】次に、本出願人が、上記電界効果素子１０
を用いて実験した結果を図３のグラフに示す。このグラ
フの横軸は、第３電極に印加した電圧であり、縦軸は、
第１電極と第２電極の間に流れた電流である。
を用いて実験した結果を図３のグラフに示す。このグラ
フの横軸は、第３電極に印加した電圧であり、縦軸は、
第１電極と第２電極の間に流れた電流である。
【００２０】第２図は、この実験における回路図であっ
て、第３電極２０に直流の印加電圧をかけ、この時の第
１電極１６と第２電極１８間に流れる電流を電流計で測
定する。
て、第３電極２０に直流の印加電圧をかけ、この時の第
１電極１６と第２電極１８間に流れる電流を電流計で測
定する。
【００２１】使用した高分子フィルム１２は、ポリイミ
ドフィルムであって、その厚さは２０μｍである。そし
て、この高分子フィルム１０の表面における１０×５０
ｍｍの領域に窒素イオン注入を以下の条件の範囲で行っ
た。
ドフィルムであって、その厚さは２０μｍである。そし
て、この高分子フィルム１０の表面における１０×５０
ｍｍの領域に窒素イオン注入を以下の条件の範囲で行っ
た。
【００２２】イオン注入エネルギー； ５０〜９０Ｋｅ
Ｖ イオン注入量 ； ５×１０１６〜２×１０１７
Ｎ／ｃｍ２ 上記条件で電界効果素子の第３電極２０に印加電圧をか
けると、図３に示すように、この印加電圧に比例して、
第１電極１６と第２電極１８の間に流れる電流が変化し
た。
Ｖ イオン注入量 ； ５×１０１６〜２×１０１７
Ｎ／ｃｍ２ 上記条件で電界効果素子の第３電極２０に印加電圧をか
けると、図３に示すように、この印加電圧に比例して、
第１電極１６と第２電極１８の間に流れる電流が変化し
た。
【００２３】なお、上記の実験条件は、電界効果素子１
０の特性の一部分を得るためにした実験であり、そのイ
オン注入エネルギー及びイオン注入量は、これに限定さ
れるものではない。
０の特性の一部分を得るためにした実験であり、そのイ
オン注入エネルギー及びイオン注入量は、これに限定さ
れるものではない。
【００２４】電界効果素子１０の他の実施例としては、
図４に示すように、高分子フィルム１２の裏面にもイオ
ン注入を行って、導電層２２を形成し、その導電層２２
の裏面に第３電極２０を形成する。この場合にも、電界
効果素子１０と同様に、電流制御素子、または抵抗制御
素子として使用できる。
図４に示すように、高分子フィルム１２の裏面にもイオ
ン注入を行って、導電層２２を形成し、その導電層２２
の裏面に第３電極２０を形成する。この場合にも、電界
効果素子１０と同様に、電流制御素子、または抵抗制御
素子として使用できる。
【００２５】
【発明の効果】以上により、本発明の電界効果素子であ
ると、第３電極に電圧を印加することにより、この電圧
に比例して、第１電極及び第２電極間に流れる電流を制
御することができる。したがって、この電界効果素子を
電流制御素子または抵抗制御素子として使用することが
できる。
ると、第３電極に電圧を印加することにより、この電圧
に比例して、第１電極及び第２電極間に流れる電流を制
御することができる。したがって、この電界効果素子を
電流制御素子または抵抗制御素子として使用することが
できる。
【図１】本発明の一実施例を示す電界効果素子の縦断面
図。
図。
【図２】図１の電界効果素子を使用した回路図である。
【図３】横軸を第３電極に印加した電圧、縦軸を第１電
極と第２電極の間に流れた電流とするグラフである。
極と第２電極の間に流れた電流とするグラフである。
【図４】本発明の他の実施例の電界効果素子の縦断面図
である。
である。
１０……電界効果素子 １２……高分子フィルム １４……導電層 １６……第１電極 １８……第２電極 ２０……第３電極
Claims (4)
- 【請求項１】高分子フィルムよりなる絶縁層と、 絶縁層の表面にイオン注入により形成された導電層と、 導電層の表面に設けられた第１電極と、 導電層の表面に第１電極と間隔をおいて設けられた第２
電極と、 前記絶縁層の裏面に設けられた第３電極とよりなること
を特徴とする電界効果素子。 - 【請求項２】高分子フィルムよりなる絶縁層の表面にイ
オン注入により導電層を形成し、 導電層の表面に第１電極を設け、 導電層の表面に第１電極と間隔をおいて第２電極を設
け、 前記絶縁層の裏面に第３電極を設けることを特徴とする
電界効果素子の製造方法。 - 【請求項３】高分子フィルムよりなる絶縁層と、 絶縁層の表面にイオン注入により形成された第１導電層
と、 第１導電層の表面に設けられた第１電極と、 第１導電層の表面に第１電極と間隔をおいて設けられた
第２電極と、 前記絶縁層の裏面にイオン注入により形成された第２導
電層と、 第２導電層の裏面に設けられた第３電極とよりなること
を特徴とする電界効果素子。 - 【請求項４】高分子フィルムよりなる絶縁層の表面にイ
オン注入により導電層を形成し、 第１導電層の表面に第１電極を設け、 第１導電層の表面に第１電極と間隔をおいて第２電極を
設け、 前記絶縁層の裏面にイオン注入により第２導電層を形成
し、 第２導電層の裏面に第３電極を設けることを特徴とする
電界効果素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3231396A JPH0574811A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 電界効果素子とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3231396A JPH0574811A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 電界効果素子とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574811A true JPH0574811A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16922953
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3231396A Withdrawn JPH0574811A (ja) | 1991-09-11 | 1991-09-11 | 電界効果素子とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574811A (ja) |
-
1991
- 1991-09-11 JP JP3231396A patent/JPH0574811A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1116310A (en) | Electric heating device comprising a resistance body of p.t.c. material | |
| WO2004109807A3 (de) | Halbleiterstruktur mit integrierten dotierungskanälen | |
| KR910019241A (ko) | 안티퓨즈를 갖는 집적회로 | |
| JPH10199574A5 (ja) | ||
| EP0671629A3 (en) | Semiconductor acceleration sensor and manufacturing method thereof | |
| US2634322A (en) | Contact for semiconductor devices | |
| FR2359514A1 (fr) | Pile electrique perfectionnee | |
| US4477485A (en) | Process for forming an electrode of an organic cell | |
| JPH0574811A (ja) | 電界効果素子とその製造方法 | |
| US3419760A (en) | Ionic solid state electrochemical capacitor | |
| GB1568744A (en) | Magnetically sensitive field effect sensor | |
| JP3852963B2 (ja) | マイクロ電子デバイス | |
| JPS6165124A (ja) | 温度センサ | |
| JPH072208B2 (ja) | 湿度調整器 | |
| US3321711A (en) | Space charge limited conduction solid state electron device | |
| JPS59143358A (ja) | 半導体薄膜抵抗素子 | |
| EP0962981A3 (en) | Semiconductor device having a metallic capacitor electrode and ohmic contact and method of fabrication | |
| JP2712098B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR930011163A (ko) | 반도체 소자 분리 방법 | |
| Bottom | Invention of the solid‐state amplifier | |
| Jedlička et al. | A Physical Model of Heterostructure Targets for Camera Tubes | |
| JPS5748260A (en) | Interline ccd sensor and driving method thereof | |
| JP2877590B2 (ja) | 絶縁物試料の帯電中和方法、及び二次イオン質量分析装置 | |
| JPH0235769A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59104101A (ja) | チツプ抵抗器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |