JPH0575280B2 - - Google Patents

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JPH0575280B2
JPH0575280B2 JP61174037A JP17403786A JPH0575280B2 JP H0575280 B2 JPH0575280 B2 JP H0575280B2 JP 61174037 A JP61174037 A JP 61174037A JP 17403786 A JP17403786 A JP 17403786A JP H0575280 B2 JPH0575280 B2 JP H0575280B2
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JP
Japan
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optical axis
multipole
electrostatic field
ion beam
electromagnetic
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JP61174037A
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Yoshihiro Tamura
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Canon Anelva Corp
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Anelva Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、E×B速度選別器に関する。[Detailed description of the invention] (Industrial application field) The present invention relates to an E×B speed separator.

(従来の技術) 近年、電界放出型イオンソースを用いたイオン
ビーム装置が開発されて、微小プローブの形成が
なされ、半導体基板等の超微細加工に用いられて
いる。ウイーンフイルターとも呼ばれるE×B速
度選別器は、このようなイオンビーム装置に搭載
され、イオンソースから放出されたイオンの電
荷、質量等に応じて様々の速度分布を持つイオン
ビームの中から、所望の速度のみを有するイオン
ビームを取り出す目的に用いられている。
(Prior Art) In recent years, ion beam apparatuses using field emission ion sources have been developed to form microprobes and are used for ultrafine processing of semiconductor substrates and the like. An E×B velocity selector, also called a Wien filter, is installed in such an ion beam device and selects a desired ion beam from among ion beams with various velocity distributions depending on the charge, mass, etc. of the ions emitted from the ion source. It is used for the purpose of extracting an ion beam with only a velocity of .

ところでイオンビームを超微細加工等に用いよ
うとする場合には、当該E×B速度選別器の他、
イオンビームの照射位置を制御するための偏向
器、イオンビームを集束させるためのレンズ等の
構成部材がイオンビーム装置には必要不可欠であ
る。
By the way, when trying to use an ion beam for ultra-fine processing, etc., in addition to the E×B speed selector,
Components such as a deflector for controlling the ion beam irradiation position and a lens for focusing the ion beam are essential to an ion beam apparatus.

そして、イオンビーム装置においては、高品
質、即ち低収差のビームを得ようとすれば、集束
レンズをはじめ、アライナー、偏向器等、装置の
構成部材の中心軸(光軸)は、現密に一致させる
ことが必要であるが、イオンビームのドリフト長
の数10cmに対し、光軸は数μmのオーダーで一致
させなければならないため、理想的な機械的組立
は、現実には非常に困難であり、例えば、非点補
正器と偏向器を双方が軸ズレを起こしていれば、
非点補正が不能となつたり、偏向収差の増大を招
くといつた不具合を生じる。
In an ion beam device, in order to obtain a high-quality beam with low aberrations, the central axis (optical axis) of the device components, such as the focusing lens, aligner, and deflector, must be However, ideal mechanical assembly is extremely difficult in reality, as the optical axis must be matched within a few micrometers compared to the drift length of the ion beam, which is several tens of centimeters. Yes, for example, if both the astigmatism corrector and deflector are misaligned,
This causes problems such as astigmatism correction becoming impossible and deflection aberration increasing.

また、装置の構成部材が多くなると、その分だ
け空間が占領され、イオンビームのドリフト長が
長くなるという欠点が生じる。
Furthermore, when the number of constituent members of the apparatus increases, the space is occupied accordingly, resulting in a disadvantage that the drift length of the ion beam becomes longer.

即ち、ドリフト長が長くなると、外乱の影響
や、イオンビーム自身の有する空間電荷の影響を
受け易く、さらに、集束レンズにおいても長いド
リフ長に見合う焦点距離の長いレンズを要求さ
れ、光学特性にも悪影響を及ぼし、結果的にイオ
ンビームの品質低下をくと招いつた問題を生じ
る。
In other words, as the drift length becomes longer, it becomes more susceptible to the effects of external disturbances and the space charge of the ion beam itself.Furthermore, the focusing lens is required to have a long focal length to match the long drift length, and the optical properties also deteriorate. This has an adverse effect, resulting in a problem that deteriorates the quality of the ion beam.

しかして、構成部材が少なければ、軸ズレの問
題の発生チヤンスも減り、且つ、ドリフト長を短
くすることが出来るので、上述した外乱等の影響
を受け難く、また、光学特性を向上させることが
出来る。
Therefore, if there are fewer components, the chance of axis misalignment occurring is reduced, and the drift length can be shortened, making it less susceptible to the above-mentioned disturbances and improving optical characteristics. I can do it.

従つて構成部材は小数且つ小型であることが強
く望まれる。
Therefore, it is strongly desired that the number of constituent members be small and small.

(発明の目的) 本発明は、上記の問題を解決し、イオンビーム
のドリフト長を短くし、高品質のイオンビームを
提供することを目的とする。
(Objective of the Invention) An object of the present invention is to solve the above problems, shorten the drift length of an ion beam, and provide a high-quality ion beam.

(問題点を解決するための手段) 本願の第1の発明は、相互に対向して配設され
て静電界を形成する電極と:相互に対向して配設
されて前記静電界と交叉する静電界を形成する磁
極と:を具備して四極子以上の電磁多極子を構成
し、かかる電磁多極子の少なくとも2個を光軸お
よび光軸城に配設された絞り孔を共通にして従属
接続的に配置し、かかる電磁多極子の全ての電
極、磁極のそれぞれに各独立に電圧印加が可能で
あり、前記電極多極子の一つは光軸に垂直な平面
内において他の電磁多極子とは逆向きの静電界を
形成することが可能とされているE×B速度選別
器によつて前記目的を達成したものである。
(Means for Solving the Problems) The first invention of the present application provides electrodes that are arranged opposite to each other to form an electrostatic field; An electromagnetic multipole having a quadrupole or more is constituted by magnetic poles that form an electrostatic field, and at least two of the electromagnetic multipoles are subordinated to each other through an optical axis and an aperture hole provided in the optical axis castle. It is possible to independently apply a voltage to each of the electrodes and magnetic poles of such an electromagnetic multipole, and one of the electrode multipoles connects to the other electromagnetic multipole in a plane perpendicular to the optical axis. The above object has been achieved by using an E×B speed selector which is capable of forming an electrostatic field in the opposite direction to that of the E×B speed selector.

また、本願の第2の発明は、相互に対向して配
設されて静電界を形成する電極と:相互に対向し
て配設されて前記静電界と交叉する静磁界を形成
する磁極と:を具備して四極子以上の電磁多極子
を構成し、当該電極多極子の全ての電極、磁極の
それぞれに各独立に電圧印加が可能とされてお
り、更に相互に対向して配設されて静電界を形成
する電極を具備して四極子以上の電気多極子を構
成し、かかる電気多極子を前記電磁多極子と共に
光軸および光軸上に配設された絞り孔を共通にし
て従属接続的に配置するとともに、この電気多極
子と光軸に垂直な平面内において前記電極多極子
とは逆向きの静電界を形成することが可能とされ
ているE×B速度選別器によつて前記目的を達成
したものである。
Further, a second invention of the present application provides: electrodes that are arranged to face each other to form an electrostatic field; and magnetic poles that are arranged to face each other to form a static magnetic field that intersects the electrostatic field: constitutes an electromagnetic multipole of quadrupole or more, and it is possible to apply a voltage independently to each of the electrodes and magnetic poles of the electrode multipole, and furthermore, the electrodes are arranged opposite to each other. An electric multipole of quadrupole or higher is constructed by comprising electrodes that form an electrostatic field, and the electric multipole and the electromagnetic multipole are connected in a subordinate manner through a common optical axis and an aperture hole disposed on the optical axis. The electric multipole is placed in the same direction as the electric multipole, and an E×B velocity selector is capable of forming an electrostatic field in the opposite direction to the electric multipole in a plane perpendicular to the optical axis. The purpose has been achieved.

(実施例) 第1図は本発明の実施例を示したものである。(Example) FIG. 1 shows an embodiment of the present invention.

先ずイオンビーム進行方向(光軸)をZ軸1と
し、光軸を狭むようにして2枚の平行平板非磁性
電極2,3により電極対を構成し、Y軸方向に電
界E1を形成する。さらに光軸を狭むようにし
て、2枚の平行平板磁性電極4,5により磁極対
を構成し、X軸方向に磁界B1を形成する。
First, the ion beam traveling direction (optical axis) is set as the Z-axis 1, and an electrode pair is formed by two parallel plate non-magnetic electrodes 2 and 3 so as to narrow the optical axis, and an electric field E1 is formed in the Y-axis direction. Further narrowing the optical axis, the two parallel plate magnetic electrodes 4 and 5 form a magnetic pole pair to form a magnetic field B1 in the X-axis direction.

この場合、磁界B1は前述の電界E1と直交し
ており、電極対、磁極対により電磁四極子が構成
されている。
In this case, the magnetic field B1 is orthogonal to the electric field E1 described above, and an electromagnetic quadrupole is configured by the electrode pair and the magnetic pole pair.

6は絞り部材であり、60は、絞り部材6が光
軸Z1と交わる位置に配設されて絞り孔である。
6 is a diaphragm member, and 60 is a diaphragm hole disposed at a position where the diaphragm member 6 intersects with the optical axis Z1.

ここで当該電磁四極子と絞り部材6の中間に、
光軸および絞り孔60を共通にして、当該電磁四
極子と同一構成の電磁四極子を配置することで、
従属接続された2段の電磁四極子をによる本発明
のE×B速度選別器が構成されている。
Here, between the electromagnetic quadrupole and the aperture member 6,
By arranging an electromagnetic quadrupole with the same configuration as the electromagnetic quadrupole with the optical axis and aperture hole 60 in common,
The ExB speed selector of the present invention is composed of two stages of electromagnetic quadrupoles connected in cascade.

7,8は2段目の電磁四極子における電極対、
9,10は磁極対であり、電極対7,8により電
界E2がY軸方向に形成され、磁極相9,10に
より磁界B2がX軸方向に形成される。11はイ
オンビームが照射されるべき試料である。
7 and 8 are electrode pairs in the second stage electromagnetic quadrupole,
Reference numerals 9 and 10 indicate a pair of magnetic poles, and the electrode pair 7 and 8 form an electric field E2 in the Y-axis direction, and the magnetic pole phases 9 and 10 form a magnetic field B2 in the X-axis direction. Reference numeral 11 indicates a sample to be irradiated with the ion beam.

また、第2図aは、第1図においてZ軸(光
軸)1を含むYZ平面での、当該E×B速度選別
器の要部の断面を示したものである。
Further, FIG. 2a shows a cross section of the main part of the E×B speed selector on the YZ plane including the Z axis (optical axis) 1 in FIG. 1.

動作原理は次の如くである。 The operating principle is as follows.

第2図bにおいて、−X方向に作用する磁界B
1のため、初段の電磁四極子内でばイオンビーム
,は−Y方向に偏向され、イオンビーム,
の速度の差により図に示す所く軌道に異にして
偏向される。
In Figure 2b, the magnetic field B acting in the -X direction
1, the ion beam is deflected in the -Y direction within the first-stage electromagnetic quadrupole, and the ion beam,
Due to the difference in the speed of

ここで、イオンビームの速度をv、イオン
ビームの速度vとして、v>vであれ
ば、イオンビームが大きく偏向される。さら
に、−Y方向に作用する電界E1が印加されれば、
イオンビーム,はこの電界E1によつて一層
大きく−Y方向に偏向される。
Here, where v is the speed of the ion beam and v is the speed of the ion beam, if v>v, the ion beam is largely deflected. Furthermore, if an electric field E1 acting in the -Y direction is applied,
The ion beam is further deflected in the -Y direction by this electric field E1.

イオンビーム,は初段の電磁四極子により
−Y方向に偏向されたまま2段目の電磁四極子に
入射する。当該電磁四極子において+Y方向に作
用する電界E2が印加されれば、イオンビーム
,は+Y方向に偏向される。
The ion beam enters the second stage electromagnetic quadrupole while being deflected in the −Y direction by the first stage electromagnetic quadrupole. When an electric field E2 acting in the +Y direction is applied to the electromagnetic quadrupole, the ion beam is deflected in the +Y direction.

ここで、−X方向に作用する磁界B2があれば、
さらにイオンビームとの偏向の度合の違いは
大きくなり、イオンビームとを分離し易くな
る。
Here, if there is a magnetic field B2 acting in the -X direction,
Furthermore, the difference in the degree of deflection from the ion beam increases, making it easier to separate the beam from the ion beam.

次に適当なE2を選択すれば、図に示す如く、
イオンビームのみを絞り孔6を通過せしめ、試
料11上を照射することが出来る。
Next, if you select an appropriate E2, as shown in the figure,
Only the ion beam can pass through the aperture hole 6 to irradiate the sample 11.

第2図cにおいては、イオンビームの速度v
が、v=(0、0、E1/B1)=(0、0、E
2/B2)なる関係を満たすとき、イオンビーム
のみが直進して絞り孔60を通過し、試料11
上を照射出来る。
In Fig. 2c, the velocity of the ion beam v
But, v=(0,0,E1/B1)=(0,0,E
2/B2), only the ion beam goes straight and passes through the aperture hole 60, and the sample 11
You can irradiate the top.

第2図dにおいては、初段の電磁四極子の電界
E1が+Y方向に作用し、磁界B1によつて速度
の差によつて分離して、−Y方向に偏向したイオ
ンビーム,が、電界E1により+Y方向に偏
向されている。
In Fig. 2d, the electric field E1 of the first-stage electromagnetic quadrupole acts in the +Y direction, and the ion beam is separated by the difference in velocity due to the magnetic field B1 and deflected in the -Y direction. is deflected in the +Y direction.

この場合も第2図bと同様に考えることが出
来、イオンビーム,は、初段の電磁四極子に
よつて+Y方向に偏向されたまま2段目の電磁四
極子に入射する。2段目の四極子において、−Y
方向に作用する電界E2が印加されれば、イオン
ビーム,は−Yに偏向される。
This case can be considered in the same manner as in FIG. 2b, and the ion beam enters the second stage electromagnetic quadrupole while being deflected in the +Y direction by the first stage electromagnetic quadrupole. In the second stage quadrupole, -Y
When an electric field E2 acting in the direction is applied, the ion beam is deflected in the -Y direction.

ここで適当な電界E2を選択すれば、図に示す
沿くイオンビームのみを絞り孔60を通過せし
め、試料11上を照射することができる。
If an appropriate electric field E2 is selected here, only the ion beam along the line shown in the figure can be passed through the aperture hole 60 and irradiated onto the sample 11.

以上のように、初段の電磁四極子の磁界B1、
または磁界B1と2段目の電磁四極子の磁界B2
の双方を基準として、当該2段の電磁四極子のY
方向の電界E1およびE2を制御することで、所
望の速度を有したイオンビームのみを絞り孔60
を通過せしめ、試料11上をY方向に走査するこ
とができる。
As mentioned above, the magnetic field B1 of the first stage electromagnetic quadrupole,
Or magnetic field B1 and magnetic field B2 of the second stage electromagnetic quadrupole
Y of the two-stage electromagnetic quadrupole with reference to both of
By controlling the electric fields E1 and E2 in the directions, only the ion beam with the desired velocity is directed to the aperture hole 60.
The sample 11 can be scanned in the Y direction.

従つて当該2段の電磁四極子のX方向に位置す
る磁性電極にも電圧を印加してX方向に電界を形
成すれば、同様に試料11上をX方向に走査する
ことができ、双方を組み合わせることで、試料1
1上を所望の速度を有したイオンビームでXY平
面方向に走査することができる。
Therefore, if a voltage is also applied to the magnetic electrodes located in the X direction of the two-stage electromagnetic quadrupole to form an electric field in the X direction, it is possible to scan the sample 11 in the X direction in the same way, and both By combining sample 1
1 can be scanned in the XY plane direction with an ion beam having a desired speed.

本実施例では多極子を四極子として説明してい
るが、八極子でも効果は同様である。また、磁極
が絶縁物であるなどで磁極に対して電圧印加が不
可能である場合には、第3図に示す如く、磁極を
構成する磁性体の前方光軸側に非磁性電極を配置
して、これに電圧を引火することによつて電界を
設けても、その効果は同じである。
In this embodiment, the multipole is described as a quadrupole, but the same effect can be obtained even if the multipole is an octupole. In addition, if it is impossible to apply a voltage to the magnetic pole because the magnetic pole is an insulator, a non-magnetic electrode may be placed in front of the magnetic material that makes up the magnetic pole on the optical axis side, as shown in Figure 3. Even if an electric field is created by applying a voltage to this, the effect is the same.

本願の第2の発明については、その構成が前述
の第2の発明と同様であり、その動作は前述の実
施例の説明にて、第2段の電磁四極子から磁界を
除き、それに関する説明を省けばよいのでその動
作は容易に類推できる。従つて説明を省略する。
尚、第2段の電磁四極子から磁界を除いたものを
電気四極子と呼ぶこととする。
The structure of the second invention of the present application is the same as the second invention described above, and its operation is as described in the description of the above embodiment, except that the magnetic field is removed from the second stage electromagnetic quadrupole. The operation can be easily inferred by omitting . Therefore, the explanation will be omitted.
Note that the second-stage electromagnetic quadrupole from which the magnetic field is removed will be referred to as an electric quadrupole.

この場合電磁四極子と電気四極子の従属接続
の、前、後段が逆に接続されていてもその動作原
理は同じである。
In this case, even if the front and rear stages of the subordinate connection of the electromagnetic quadrupole and the electric quadrupole are reversely connected, the operating principle remains the same.

更に、これらの電磁多極子又は電気多極子を八
極子として電圧印加を制御すれば、非点補正を可
能であるし、かかる多極子を3段以上の従属接続
としてもよい。
Furthermore, if these electromagnetic multipoles or electric multipoles are used as octupole elements to control voltage application, astigmatism correction can be performed, and such multipole elements may be connected in cascade in three or more stages.

(発明の効果) 本発明のE×B速度選別器は、偏向器、非点補
正器、光軸調整用アライナーもしくはそれらの任
意の組合せを兼用一化出来、光学系構成時に空間
が節約でき、光学特性向上の効果がある。
(Effects of the Invention) The E×B speed selector of the present invention can be used as a deflector, astigmatism corrector, aligner for optical axis adjustment, or any combination thereof, and space can be saved when configuring an optical system. It has the effect of improving optical properties.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明のE×B速度選別器の実施例
の説明用斜視図。第2図a,b,c,dは、第1
図の要部断面図で、動作の原理を説明するための
もの。第3図は、本発明のE×B速度選別器の別
の実施例の要部断面図。 1……光軸(Z軸)、2,3,7,8……非磁
性電極、4,5,9,10……磁性電極、6……
絞り孔、11……試料、60……絞り部材。
FIG. 1 is an explanatory perspective view of an embodiment of the E×B speed selector of the present invention. Figure 2 a, b, c, d are the first
A sectional view of the main part of the figure, used to explain the principle of operation. FIG. 3 is a sectional view of a main part of another embodiment of the E×B speed selector of the present invention. 1... Optical axis (Z axis), 2, 3, 7, 8... Non-magnetic electrode, 4, 5, 9, 10... Magnetic electrode, 6...
Aperture hole, 11...sample, 60...aperture member.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 相互に対向して配設されて静電界を形成する
電極と:相互に対向して配設されて前記静電界と
交叉する静電界を形成する磁極と:を具備して四
極子以上の電磁多極子を構成し、かかる電磁多極
子の少なくとも2個を光軸および光軸上に配設さ
れた絞り孔を共通にして従属接続的に配置し、か
かる電磁多極子の全ての電極、磁極のそれぞれに
各独立に電圧印加が可能であり、前記電極多極子
の一つは光軸に垂直な平面内において他の電磁多
極子とは逆向きの静電界を形成することが可能と
されていることを特徴とするE×B速度選別器。 2 相互に対向して配設されて静電界を形成する
電極と:相互に対向して配設されて前記静電界と
交叉する静磁界を形成する磁極と:を具備して四
極子以上の電磁多極子を構成し、当該電極多極子
の全ての電極、磁極のそれぞれに各独立に電圧印
加が可能とされており、更に相互に対向して配設
されて静電界を形成する電極を具備して四極子以
上の電気多極子を構成し、かかる電気多極子を前
記電磁多極子と共に光軸および光軸上に配設され
た絞り孔を共通にして従属接続的に配置するとと
もに、この電気多極子は光軸に垂直な平面内にお
いて前記電極多極子とは逆向きの静電界を形成す
ることが可能とされていることを特徴とするE×
B速度選別器。
[Claims] 1. Electrodes that are arranged to face each other to form an electrostatic field; and magnetic poles that are arranged to face each other to form an electrostatic field that intersects the electrostatic field. constitute an electromagnetic multipole of quadrupole or more, and at least two of the electromagnetic multipoles are arranged in a cascading manner with an optical axis and an aperture hole disposed on the optical axis in common; Voltages can be applied independently to all electrodes and magnetic poles, and one of the electrode multipoles forms an electrostatic field in the opposite direction to the other electromagnetic multipoles in a plane perpendicular to the optical axis. An ExB speed selector characterized by being capable of. 2. An electromagnetic device having a quadrupole or more, comprising: electrodes that are arranged to face each other to form an electrostatic field; and magnetic poles that are arranged to face each other to form a static magnetic field that intersects the electrostatic field. It constitutes a multipole element, and is capable of independently applying a voltage to each of the electrodes and magnetic poles of the electrode multipole element, and further includes electrodes that are arranged to face each other to form an electrostatic field. constitute an electric multipole of quadrupole or more, and the electric multipole and the electromagnetic multipole are arranged in a cascading manner with the optical axis and the aperture hole disposed on the optical axis in common. E× characterized in that the pole is capable of forming an electrostatic field in the opposite direction to the electrode multipole in a plane perpendicular to the optical axis.
B speed sorter.
JP17403786A 1986-07-24 1986-07-24 Exb speed selector Granted JPS6330800A (en)

Priority Applications (1)

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JP17403786A JPS6330800A (en) 1986-07-24 1986-07-24 Exb speed selector

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JPS6330800A JPS6330800A (en) 1988-02-09
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS62172650A (en) * 1986-01-23 1987-07-29 Jeol Ltd Focusing ion beam device

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