JPH0575576B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0575576B2 JPH0575576B2 JP60064254A JP6425485A JPH0575576B2 JP H0575576 B2 JPH0575576 B2 JP H0575576B2 JP 60064254 A JP60064254 A JP 60064254A JP 6425485 A JP6425485 A JP 6425485A JP H0575576 B2 JPH0575576 B2 JP H0575576B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper plate
- circuit board
- ceramic circuit
- copper
- adhesive strength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明はアルミナ製基板と銅板とを直接接合し
た接着強度の大きなセラミツクス回路基板に関す
る。
た接着強度の大きなセラミツクス回路基板に関す
る。
［発明の技術的背景とその問題点］
近年、トランスジスタ・モジユール用基板など
として使用されるセラミツクス回路基板の製造方
法として、アルミナ製基板等のセラミツクス基板
の所定位置に導体回路を構成する銅板を配置し、
銅の融点（1083℃）以下、銅−酸化銅の共晶温度
（1065℃）以上に加熱して接合面に形成された銅
の共晶融体により両者を直接接合させる方法が検
討されている。
として使用されるセラミツクス回路基板の製造方
法として、アルミナ製基板等のセラミツクス基板
の所定位置に導体回路を構成する銅板を配置し、
銅の融点（1083℃）以下、銅−酸化銅の共晶温度
（1065℃）以上に加熱して接合面に形成された銅
の共晶融体により両者を直接接合させる方法が検
討されている。
この方法において銅板との接着強度が不充分な
ことがあり、また回路基板の銅板表面にふくれや
はがれが生じることがあつて、製造歩留りが低い
という問題点があつた。
ことがあり、また回路基板の銅板表面にふくれや
はがれが生じることがあつて、製造歩留りが低い
という問題点があつた。
［発明の目的］
本発明者らはセラミツクス基板として従来より
粒子が細かく表面粗さ（中心線平均粗さ）の小さ
いアルミナ製基板を使用することにより、銅板と
の接合面積が大きくなつて接着強度が増大するこ
とを見い出した。
粒子が細かく表面粗さ（中心線平均粗さ）の小さ
いアルミナ製基板を使用することにより、銅板と
の接合面積が大きくなつて接着強度が増大するこ
とを見い出した。
本発明はこのような知見にもとずいてなされた
もので、接着強度が大きく、製造歩留りを向上さ
せたセラミツクス回路基板を提供することを目的
とする。
もので、接着強度が大きく、製造歩留りを向上さ
せたセラミツクス回路基板を提供することを目的
とする。
［発明の概要］
すなわち本発明のセラミツクス回路基板は表面
粗さ（中心線平均粗さ）が0.1〜0.6μｍ栄ａのア
ルミナ製基板の片面または両面に、銅版を加熱に
より直接接合してなることを特徴としている。
粗さ（中心線平均粗さ）が0.1〜0.6μｍ栄ａのア
ルミナ製基板の片面または両面に、銅版を加熱に
より直接接合してなることを特徴としている。
本発明においてアルミナ製基板の表面粗さ（中
心線平均粗さ）を0.1〜0.6μｍRaと限定した理由
は、0.1μｍRaより小さいと銅の共晶融体が漏れ
にくくなるとともに機械的な食い込みが小さくな
るので接着強度が弱くなり、0.6μｍRaより大き
いとポアーが多くなつて銅板と接合する面積が小
さくなるので接着強度が１充分になるとともに、
銅板中の酸素が酸素ガスとなつてふくれやはがれ
の原因となることによる。アルミナ製基板の密度
は3.65〜3.90ｇ／cm3が好ましく、これにより小さ
いとポアーが多くなつて接着強度が小さくなる。
心線平均粗さ）を0.1〜0.6μｍRaと限定した理由
は、0.1μｍRaより小さいと銅の共晶融体が漏れ
にくくなるとともに機械的な食い込みが小さくな
るので接着強度が弱くなり、0.6μｍRaより大き
いとポアーが多くなつて銅板と接合する面積が小
さくなるので接着強度が１充分になるとともに、
銅板中の酸素が酸素ガスとなつてふくれやはがれ
の原因となることによる。アルミナ製基板の密度
は3.65〜3.90ｇ／cm3が好ましく、これにより小さ
いとポアーが多くなつて接着強度が小さくなる。
本発明のセラミツクス回路基板はたとえば次の
ようにして製造される。
ようにして製造される。
アルミナ製基板の片面または両面に酸素を100
〜2000ppm、好ましくは300〜500ppm含有する、
たとえばタフピツチ電解銅板を配置し、窒素ガス
等の不活性雰囲気中、1065〜1083℃で１〜30分間
加熱する。
〜2000ppm、好ましくは300〜500ppm含有する、
たとえばタフピツチ電解銅板を配置し、窒素ガス
等の不活性雰囲気中、1065〜1083℃で１〜30分間
加熱する。
あるいは酸素をほとんど含有しない銅板を使用
する場合は酸化性雰囲気中で加熱する。
する場合は酸化性雰囲気中で加熱する。
［発明の実施例］
次に本発明の実施例について説明する。
実施例
表面粗さ（中心線平均粗さ）が0.3〜0.5μｍRa、
密度3.70〜3.86ｇ／cm3、大きさ54mm×33mm×0.635
mmのアルミナ製基板の両面に酸素含有量400ppm、
厚さ0.3mmの銅板を配置し、この状態で1075℃に
保持した連続炉に装入し、炉内に窒素ガスを流し
ながら、試料を200mm／分の速度で搬送して加熱
した。出口から試料を取り出し、銅板の接着状態
を調べたところ、接着強度は15〜18Kg／cmで液体
浸透深傷試験による不良率は約10％であつた。
密度3.70〜3.86ｇ／cm3、大きさ54mm×33mm×0.635
mmのアルミナ製基板の両面に酸素含有量400ppm、
厚さ0.3mmの銅板を配置し、この状態で1075℃に
保持した連続炉に装入し、炉内に窒素ガスを流し
ながら、試料を200mm／分の速度で搬送して加熱
した。出口から試料を取り出し、銅板の接着状態
を調べたところ、接着強度は15〜18Kg／cmで液体
浸透深傷試験による不良率は約10％であつた。
一方表面粗さ（中心線平均粗さ）が0.7μｍRa、
密度が3.55〜3.64ｇ／cm3のアルミナ製基板を使用
したセラミツクス回路基板は、接着強度が10〜14
Kg／cm、液体浸透深傷試験による不良率は約20％
であつた。
密度が3.55〜3.64ｇ／cm3のアルミナ製基板を使用
したセラミツクス回路基板は、接着強度が10〜14
Kg／cm、液体浸透深傷試験による不良率は約20％
であつた。
［発明の効果］
以上の実施例からも明らかなように本発明方法
によれば接着強度のセラミツクス回路基板が得ら
れ、また不良率が低下して製造歩留りが向上す
る。
によれば接着強度のセラミツクス回路基板が得ら
れ、また不良率が低下して製造歩留りが向上す
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面粗さ（中心線平均粗さ）が0.1〜0.6μｍ
Raのアルミナ製基板の片面または両面に、銅板
を加熱により直接接合してなることを特徴とする
セラミツクス回路基板。 ２ アルミナ製基板の密度が3.65〜3.90ｇ／cm3で
ある特許請求の範囲第１項記載のセラミツクス回
路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6425485A JPS61220836A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | セラミツクス回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6425485A JPS61220836A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | セラミツクス回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220836A JPS61220836A (ja) | 1986-10-01 |
| JPH0575576B2 true JPH0575576B2 (ja) | 1993-10-20 |
Family
ID=13252851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6425485A Granted JPS61220836A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | セラミツクス回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220836A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63166774A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-09 | 同和鉱業株式会社 | 銅板とアルミナ基板との接合体の製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4129243A (en) * | 1975-07-30 | 1978-12-12 | General Electric Company | Double side cooled, pressure mounted semiconductor package and process for the manufacture thereof |
| JPS5649588A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-06 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of forming thin film for ceramic substrate |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP6425485A patent/JPS61220836A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61220836A (ja) | 1986-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10834823B2 (en) | Producing metal/ceramic circuit board by removing residual silver | |
| EP0681322A2 (en) | Bonded ceramic metal composite substrates and circuit boards constructed therewith | |
| JPS6230638A (ja) | ガラス−セラミツク複合基板の製造方法 | |
| JPH0525397B2 (ja) | ||
| JPS60173900A (ja) | セラミツクス回路基板 | |
| JPS6227393A (ja) | セラミツク基材に銅膜を形成する方法 | |
| US4737416A (en) | Formation of copper electrode on aluminum nitride | |
| CN110843272B (zh) | 陶瓷覆铜板及其制备工艺和应用 | |
| JPH0575576B2 (ja) | ||
| JP2598872B2 (ja) | ガラスセラミックス多層基板 | |
| WO2017133613A1 (zh) | 高导通夹胶透明玻璃 | |
| JP3385752B2 (ja) | セラミックプリント配線板及びその製造方法 | |
| JPH0328825B2 (ja) | ||
| JP2730794B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板用導体ペースト | |
| JPS61227035A (ja) | セラミツクス回路基板 | |
| JPS6261549B2 (ja) | ||
| JPH03112874A (ja) | セラミック基体と銅の接合方法 | |
| JPS6117475A (ja) | 金属部材とセラミツク部材の直接結合方法 | |
| JPS6389477A (ja) | Ｃｕ系部材をセラミツクス基体に直接接合する方法 | |
| JPS60107845A (ja) | 半導体用回路基板 | |
| JPH0257711B2 (ja) | ||
| JPS62237605A (ja) | 厚膜ペ−スト | |
| JPH01249669A (ja) | セラミックス回路基板 | |
| JPH02100347A (ja) | 半導体装置用基板 | |
| JPS63239175A (ja) | セラミツクス−金属接合体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |