JPH0576765B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0576765B2 JPH0576765B2 JP59190670A JP19067084A JPH0576765B2 JP H0576765 B2 JPH0576765 B2 JP H0576765B2 JP 59190670 A JP59190670 A JP 59190670A JP 19067084 A JP19067084 A JP 19067084A JP H0576765 B2 JPH0576765 B2 JP H0576765B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- mark
- reticle
- microscope
- marks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7069—Alignment mark illumination, e.g. darkfield, dual focus
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の分野］
本発明は、半導体の焼付装置に関し、特にレチ
クルとウエハをその位置関係をオフアクシス光学
系で検出することにより位置合せする半導体焼付
用投影露光装置の基準距離補正方法に関する。
クルとウエハをその位置関係をオフアクシス光学
系で検出することにより位置合せする半導体焼付
用投影露光装置の基準距離補正方法に関する。
［従来技術の説明］
従来、この種の装置として、第１図に示す様な
方式の装置が提案されている。
方式の装置が提案されている。
第１図において、１は移動ステージ、２は投影
レンズ、３はレチクル、４は焼付用照明装置、５
はウエハ、６，７はモータ、１４は制御回路の入
つたコントロールボツクスである。
レンズ、３はレチクル、４は焼付用照明装置、５
はウエハ、６，７はモータ、１４は制御回路の入
つたコントロールボツクスである。
レチクル３上の回路パターンａは、投影レンズ
２によつてウエハ５上に縮小して、例えば第２図
のｂ１の様に焼付けられる。続いて、モータ７及
び６を駆動してウエハ５を移動しながら、第２図
のｂ２、さらにはｂ３、……と焼いてゆくわけで
ある。この時、ｂ，ｂ１，ｂ２，ｂ３、……に
は、レチクル３上の回路パターンａの例えば1/5
に縮小された寸法の回路パターンが転写される。
２によつてウエハ５上に縮小して、例えば第２図
のｂ１の様に焼付けられる。続いて、モータ７及
び６を駆動してウエハ５を移動しながら、第２図
のｂ２、さらにはｂ３、……と焼いてゆくわけで
ある。この時、ｂ，ｂ１，ｂ２，ｂ３、……に
は、レチクル３上の回路パターンａの例えば1/5
に縮小された寸法の回路パターンが転写される。
しかし、このような焼付装置においては、各焼
付に先立つてウエハとレチクルとが正確に位置合
せされている必要がある。このため、第１図の方
式の装置においては、移動ステージ１の移動方向
（Ｘ、Ｙ方向）別にその座標を検出するレーザ干
渉計１６，１７を配置してある。１９はレーザ干
渉計にレーザ光を送るレーザチユーブである。移
動ステージ１の移動に伴い、Ｘ方向のレーザ干渉
計１６及びＹ方向の干渉計１７からそれぞれパル
スが出力される。コントロールボツクス１４内の
制御回路（不図示）では、このパルスを積算カウ
ントして移動ステージ１の移動量を求め、現在の
移動ステージ１の座標を正確に認識することがで
きる。前記レーザ干渉計１６，１７のパルスの分
解能及びリニアリテイは、要求される位置合せ精
度に対し、十分な精度例えば（0.05μ／１パルス）
を有しており、ある露光域例えば第２図bnから
次の露光域bn＋１へ移動する時は、その移動量
（ウエハ上のbnとbn＋１との間の距離）を前記レ
ーザ干渉計によつて正確にカウントし、カウント
値が正しい移動量を示すまで移動ステージを駆動
する。
付に先立つてウエハとレチクルとが正確に位置合
せされている必要がある。このため、第１図の方
式の装置においては、移動ステージ１の移動方向
（Ｘ、Ｙ方向）別にその座標を検出するレーザ干
渉計１６，１７を配置してある。１９はレーザ干
渉計にレーザ光を送るレーザチユーブである。移
動ステージ１の移動に伴い、Ｘ方向のレーザ干渉
計１６及びＹ方向の干渉計１７からそれぞれパル
スが出力される。コントロールボツクス１４内の
制御回路（不図示）では、このパルスを積算カウ
ントして移動ステージ１の移動量を求め、現在の
移動ステージ１の座標を正確に認識することがで
きる。前記レーザ干渉計１６，１７のパルスの分
解能及びリニアリテイは、要求される位置合せ精
度に対し、十分な精度例えば（0.05μ／１パルス）
を有しており、ある露光域例えば第２図bnから
次の露光域bn＋１へ移動する時は、その移動量
（ウエハ上のbnとbn＋１との間の距離）を前記レ
ーザ干渉計によつて正確にカウントし、カウント
値が正しい移動量を示すまで移動ステージを駆動
する。
１８は、投影レンズ２の光軸外に設けられた顕
微鏡であり、移動ステージ１上にウエハを積載し
たときの積載位置の誤差（載置誤差）を検出する
ものである。
微鏡であり、移動ステージ１上にウエハを積載し
たときの積載位置の誤差（載置誤差）を検出する
ものである。
この装置では、例えば第３図ｅの位置をウエハ
の基準載置位置、ｆをチツプｂ１を露光するため
の第１露光位置とすると、ウエハが正しく載置さ
れている場合、ｅ−ｆ間の距離x0、y0をレーザ干
渉計１６及び１７によつて測定しながら移動ステ
ージ１を駆動すれば、ウエハ５を正しくｆの位置
へ移動することができる。
の基準載置位置、ｆをチツプｂ１を露光するため
の第１露光位置とすると、ウエハが正しく載置さ
れている場合、ｅ−ｆ間の距離x0、y0をレーザ干
渉計１６及び１７によつて測定しながら移動ステ
ージ１を駆動すれば、ウエハ５を正しくｆの位置
へ移動することができる。
しかし、ウエハ５が積載時正しくｅの位置へ置
かれることは稀であり、一般には、第３図に点線
で示す様に、Δx及びΔyずれたe′の位置でさらに
Δθ回転して載置されている。このため、このウ
エハ積載時の誤差を前記顕微鏡１８によつて測定
すべく、ウエハ５上に例えば第４図ｃ及びｄの様
なマークを設けてある。
かれることは稀であり、一般には、第３図に点線
で示す様に、Δx及びΔyずれたe′の位置でさらに
Δθ回転して載置されている。このため、このウ
エハ積載時の誤差を前記顕微鏡１８によつて測定
すべく、ウエハ５上に例えば第４図ｃ及びｄの様
なマークを設けてある。
第５図ａにおいて、ウエハが正しい位置ｇに対
してΔx、Δy、Δθだけずれてｈの様に置かれたと
する。前記顕微鏡１８は、ウエハが積層装置（不
図示）のメカニカルな最大の誤差で積載された場
合でも例えばマークｄをその視野内に収めるだけ
の視野２３を有しており、このマークｄのずれ量
Δx1、Δy1を例えばTVカメラ等の様な撮像手段
によつて検出する。次に予め規定されているマー
ク間隔l0（第４図）だけ移動ステージを移動して
マークｃを観察する。第５図ｂはステージ移動後
のマークｃと顕微鏡１８の視野２３の関係を示
す。そして、同様にウエハが正しく置かれた時に
マークｃの見えるべき位置（点線）と実際に観察
されるマークｃ（実線）の位置とのずれΔx2、
Δy2を測定する。
してΔx、Δy、Δθだけずれてｈの様に置かれたと
する。前記顕微鏡１８は、ウエハが積層装置（不
図示）のメカニカルな最大の誤差で積載された場
合でも例えばマークｄをその視野内に収めるだけ
の視野２３を有しており、このマークｄのずれ量
Δx1、Δy1を例えばTVカメラ等の様な撮像手段
によつて検出する。次に予め規定されているマー
ク間隔l0（第４図）だけ移動ステージを移動して
マークｃを観察する。第５図ｂはステージ移動後
のマークｃと顕微鏡１８の視野２３の関係を示
す。そして、同様にウエハが正しく置かれた時に
マークｃの見えるべき位置（点線）と実際に観察
されるマークｃ（実線）の位置とのずれΔx2、
Δy2を測定する。
次に測定したΔx1、Δy1、Δx2、Δy2及びマー
ク間隔l0からウエハの載置誤差Δx、Δy、Δθを算
出し、移動ステージ１を第１露光位置ｆへ移動す
る時に前記ｅ−ｆ間の距離x0、y0をこの載置誤差
Δx、Δy、Δθだけ補正して移動する。なお、θ方
向については、通常、移動ステージ１のウエハ積
載用チヤツク（不図示）の回転機構によつて補正
する。
ク間隔l0からウエハの載置誤差Δx、Δy、Δθを算
出し、移動ステージ１を第１露光位置ｆへ移動す
る時に前記ｅ−ｆ間の距離x0、y0をこの載置誤差
Δx、Δy、Δθだけ補正して移動する。なお、θ方
向については、通常、移動ステージ１のウエハ積
載用チヤツク（不図示）の回転機構によつて補正
する。
この様な構成の装置においては、顕微鏡１８の
取付は、非常に高精度かつ長時間に及ぶ安定性が
要求される。例えば、各露光ごとの位置合せ精度
の要求が0.1μであれば、前記顕微鏡１８は、0.1μ
以下の精度で取付けられていなければならず、こ
れは装置の組立てや保守等に対し大きな障害とな
つていた。例えばこの程度のオーダ（0.1μ以下）
では組立て、取付時の精度はおろか、温度も厳し
くコントロールされていなければならず、例えば
一旦装置の電源を切ると、装置全体の温度が低下
して、次に電源を投入した時、装置全体の温度が
安定するまで長時間に渡つて使用できないといつ
た様な問題があつた。
取付は、非常に高精度かつ長時間に及ぶ安定性が
要求される。例えば、各露光ごとの位置合せ精度
の要求が0.1μであれば、前記顕微鏡１８は、0.1μ
以下の精度で取付けられていなければならず、こ
れは装置の組立てや保守等に対し大きな障害とな
つていた。例えばこの程度のオーダ（0.1μ以下）
では組立て、取付時の精度はおろか、温度も厳し
くコントロールされていなければならず、例えば
一旦装置の電源を切ると、装置全体の温度が低下
して、次に電源を投入した時、装置全体の温度が
安定するまで長時間に渡つて使用できないといつ
た様な問題があつた。
［発明の目的］
本発明は、オフアクシスの顕微鏡を用いてウエ
ハとレチクルの位置合せを行なう投影露光装置に
おいて、オフアクシスの顕微鏡の取付位置精度要
求を大幅に緩和し、装置の組立て保守を容易にす
るとともに電源のオン／オフに伴う装置が使用で
きない時間（ダウンタイム）の短縮を図ることを
目的とする。
ハとレチクルの位置合せを行なう投影露光装置に
おいて、オフアクシスの顕微鏡の取付位置精度要
求を大幅に緩和し、装置の組立て保守を容易にす
るとともに電源のオン／オフに伴う装置が使用で
きない時間（ダウンタイム）の短縮を図ることを
目的とする。
［実施例の説明］
第６図は本発明を実施するための装置の構成の
一例であり、第１図の方式の装置に、投影レンズ
２を介してウエハを観察するオンアクシスの光学
及びレーザビームスキヤンによるウエハとレチク
ル上のアライメントマークの検出システムを付加
したものである。
一例であり、第１図の方式の装置に、投影レンズ
２を介してウエハを観察するオンアクシスの光学
及びレーザビームスキヤンによるウエハとレチク
ル上のアライメントマークの検出システムを付加
したものである。
第６図におけるオンアクシスのアライメントマ
ーク検出システムは、レーザチユーブ１３によつ
てレーザビームを発振させ、このビームをポリゴ
ンミラー１２、ハーフミラー１０、対物レンズ
９、ミラー８を介して投影レンズ２内に入れ、こ
れによつてレチクル３及びウエハ５上に設けたア
ライメントマーク（不図示）をスキヤンする。レ
チクル３及びウエハ５上のアライメントマークか
らの散乱光は、ミラー８、対物レンズ９及びハー
フミラー１０を通つて光電検出器１１によつて検
出される。コントロールボツクス１４内の制御回
路（不図示）では、この光電検出器１１の出力信
号からウエハとレチクルのアライメントマークの
位置、すなわち移動ステージ１が第１露光位置へ
移動した時のウエハの正規の位置（第３図のｆ）
からのずれ量を求めることができる。なお、以下
においては、この観察系をTTLを称する。
ーク検出システムは、レーザチユーブ１３によつ
てレーザビームを発振させ、このビームをポリゴ
ンミラー１２、ハーフミラー１０、対物レンズ
９、ミラー８を介して投影レンズ２内に入れ、こ
れによつてレチクル３及びウエハ５上に設けたア
ライメントマーク（不図示）をスキヤンする。レ
チクル３及びウエハ５上のアライメントマークか
らの散乱光は、ミラー８、対物レンズ９及びハー
フミラー１０を通つて光電検出器１１によつて検
出される。コントロールボツクス１４内の制御回
路（不図示）では、この光電検出器１１の出力信
号からウエハとレチクルのアライメントマークの
位置、すなわち移動ステージ１が第１露光位置へ
移動した時のウエハの正規の位置（第３図のｆ）
からのずれ量を求めることができる。なお、以下
においては、この観察系をTTLを称する。
上記構成において、装置電源投入後、ロツトの
最初のウエハを流す前に、先ず、第７図に示す様
なテスト用ウエハを装置に供給する。この時、コ
ントロールボツクス１４内の制御回路（不図示）
の動作モード（制御プログラム）は、入出力ター
ミナル２１からの入力によつて調整モード（また
は顕微鏡位置計測モード）に切換えておく。
最初のウエハを流す前に、先ず、第７図に示す様
なテスト用ウエハを装置に供給する。この時、コ
ントロールボツクス１４内の制御回路（不図示）
の動作モード（制御プログラム）は、入出力ター
ミナル２１からの入力によつて調整モード（また
は顕微鏡位置計測モード）に切換えておく。
この調整モードにおいて、制御回路は、先ず、
ウエハ上のマークｃ及びｄがそれぞれ顕微鏡１８
の視野２３内に来るべく移動ステージ１を駆動
し、各々のマークのずれ量Δx1、Δy1及びΔx2、
Δy2を測定する。そして、従来装置の場合と全く
同様にウエハの載置誤差Δx、Δy、Δθを求め、こ
の載置誤差Δx、Δy、Δθを補正しつつ、移動ステ
ージ１を第１露光位置ｆへ移動する。
ウエハ上のマークｃ及びｄがそれぞれ顕微鏡１８
の視野２３内に来るべく移動ステージ１を駆動
し、各々のマークのずれ量Δx1、Δy1及びΔx2、
Δy2を測定する。そして、従来装置の場合と全く
同様にウエハの載置誤差Δx、Δy、Δθを求め、こ
の載置誤差Δx、Δy、Δθを補正しつつ、移動ステ
ージ１を第１露光位置ｆへ移動する。
前記テスト用のウエハ２５は、例えばガラスウ
エハの様な平面度の良い安定したものが用いられ
ており、第７図ａに示す様に、第１露光領域２６
の近傍には第７図しの様なTTLの観察系のため
のマークｉが設けられている。また、第７図ｂに
２７で示すレチクルは、回路パターンのためのエ
リアｋの近傍でウエハ上のマークｉに対応する場
所にやはりTTLの観察系のために第７図ｄの様
なマークｊが設けられている。
エハの様な平面度の良い安定したものが用いられ
ており、第７図ａに示す様に、第１露光領域２６
の近傍には第７図しの様なTTLの観察系のため
のマークｉが設けられている。また、第７図ｂに
２７で示すレチクルは、回路パターンのためのエ
リアｋの近傍でウエハ上のマークｉに対応する場
所にやはりTTLの観察系のために第７図ｄの様
なマークｊが設けられている。
さて、前記制御回路は、移動ステージ１を第１
露光位置へ駆動した後、前記TTLの観察系を駆
動し、レチクル２７上のマークｊとウエハ２５上
のマークｉの上をレーザビームでスキヤンする。
マークｉ及びｊはTTLの観察系に対して第７図
ｅの様に重なつて観察され、レーザビームは２８
で示す様にこれらのマーク上をスキヤし、各マー
クの間隔Δl１〜Δl４が測定される。顕微鏡１８
が正しい位置にあれば、前記マークは正しく整合
されている（Δl１＝Δl２＝Δl３＝Δl４）が、顕
微鏡１８が温度、経時変化、取付誤差等によつて
正規の位置から例えばΔx′、Δy′ずれていると、
前記TTLの観察系における各マークの間隔Δl１
〜Δl４もそれに各観察系の倍率を乗じた分だけ
ずれる。前記制御回路は、この誤差を記憶装置
（不図示）に格納し、調整モードを終了する。
露光位置へ駆動した後、前記TTLの観察系を駆
動し、レチクル２７上のマークｊとウエハ２５上
のマークｉの上をレーザビームでスキヤンする。
マークｉ及びｊはTTLの観察系に対して第７図
ｅの様に重なつて観察され、レーザビームは２８
で示す様にこれらのマーク上をスキヤし、各マー
クの間隔Δl１〜Δl４が測定される。顕微鏡１８
が正しい位置にあれば、前記マークは正しく整合
されている（Δl１＝Δl２＝Δl３＝Δl４）が、顕
微鏡１８が温度、経時変化、取付誤差等によつて
正規の位置から例えばΔx′、Δy′ずれていると、
前記TTLの観察系における各マークの間隔Δl１
〜Δl４もそれに各観察系の倍率を乗じた分だけ
ずれる。前記制御回路は、この誤差を記憶装置
（不図示）に格納し、調整モードを終了する。
次にロツトのウエハを流すわけであるが、調整
モート終了以後は、顕微鏡１８でウエハのマーク
ｃ及びｄを観察してウエハの載置誤差Δx、Δy、
Δθを求め、この載置誤差Δx、Δy、Δθを補正し
つつ移動ステージ１を第１露光位置ｆへ移動する
際に、前記記憶回路に格納されているずれ量
Δx′、Δy′を加味して移動ステージ１を駆動する。
モート終了以後は、顕微鏡１８でウエハのマーク
ｃ及びｄを観察してウエハの載置誤差Δx、Δy、
Δθを求め、この載置誤差Δx、Δy、Δθを補正し
つつ移動ステージ１を第１露光位置ｆへ移動する
際に、前記記憶回路に格納されているずれ量
Δx′、Δy′を加味して移動ステージ１を駆動する。
［実施例の変形例］
前記実施例では、顕微鏡１８の位置計測のため
のTTLの観察系としてレーザビームでスキヤン
する方式を用いたが、他の手段例えばTVカメラ
を用い、そのビデオ信号からアライメントマーク
を読み取る様な方式でもかまわない。
のTTLの観察系としてレーザビームでスキヤン
する方式を用いたが、他の手段例えばTVカメラ
を用い、そのビデオ信号からアライメントマーク
を読み取る様な方式でもかまわない。
また、前記実施例のレチクルは、通常の焼付時
にはレチクルのマスキング機構によつてマークｊ
のエリアをマスクする様にすれば、特にテスト専
用のレチクルを用意する必要はなく、通常焼付用
のレチクルにマークｊを設けてそのまま使用する
ことができ、この場合、レチクルの交換が不要と
なる。
にはレチクルのマスキング機構によつてマークｊ
のエリアをマスクする様にすれば、特にテスト専
用のレチクルを用意する必要はなく、通常焼付用
のレチクルにマークｊを設けてそのまま使用する
ことができ、この場合、レチクルの交換が不要と
なる。
また、前記実施例では、TTLの観察系が１眼
であるが、これを２眼とし、レチクル及びウエハ
上のマークを２眼用とすれば、回転方向の誤差も
精度よく求めることができる。
であるが、これを２眼とし、レチクル及びウエハ
上のマークを２眼用とすれば、回転方向の誤差も
精度よく求めることができる。
また、上述においては、TTLの観察系の駆動
時にテスト用のウエハを使用しているが、各ウエ
ハまたはロツトの最初のウエハの第１露光領域近
傍に前記TTLの観察用のマークを設け、これに
よつて顕微鏡１８の位置ずれを計測するようにし
てもよい。
時にテスト用のウエハを使用しているが、各ウエ
ハまたはロツトの最初のウエハの第１露光領域近
傍に前記TTLの観察用のマークを設け、これに
よつて顕微鏡１８の位置ずれを計測するようにし
てもよい。
また、TTLの観察系の位置が安定しておれば、
レチクル上のマークは必要でない。すなわち、こ
の場合、TTLの観察系に対するウエハ上のマー
ク位置だけを観察しても顕微鏡１８の位置ずれは
計測することができる。一般に、この種の装置
は、レチクルのパターンをウエハ上に（例えば1/
５に）縮小焼付するため、レチクル側の許容誤差
はウエハ面側より大きくてもよい。
レチクル上のマークは必要でない。すなわち、こ
の場合、TTLの観察系に対するウエハ上のマー
ク位置だけを観察しても顕微鏡１８の位置ずれは
計測することができる。一般に、この種の装置
は、レチクルのパターンをウエハ上に（例えば1/
５に）縮小焼付するため、レチクル側の許容誤差
はウエハ面側より大きくてもよい。
［発明の効果］
以上説明した様に、本発明によれば、オフアク
シスの顕微鏡の温度、経時、取付等による位置誤
差をウエハ上に設けたTTLの観察系によつて測
定し、以後の第１露光位置または第１露光位置へ
送り込み量を補正するといつた手段を講じること
により、オフアクシスの顕微鏡の位置精度を緩和
することができ、装置の組立て、調整及び保守を
容易にし、さらには、電源のオン／オフによるダ
ウンタイムを少なくすることができる。
シスの顕微鏡の温度、経時、取付等による位置誤
差をウエハ上に設けたTTLの観察系によつて測
定し、以後の第１露光位置または第１露光位置へ
送り込み量を補正するといつた手段を講じること
により、オフアクシスの顕微鏡の位置精度を緩和
することができ、装置の組立て、調整及び保守を
容易にし、さらには、電源のオン／オフによるダ
ウンタイムを少なくすることができる。
第１図はオフアクシスの観察系により位置合せ
を行なう従来の投影露光装置の一例を示す図、第
２図は第１図の装置におけるウエハ上への焼付方
を示す図、第３図は第１図の装置におけるオフア
クシスの観察とウエハの送り方を説明するための
図、第４図は第１図の装置で用いられるウエハの
位置検出用マークの例を示す図、第５図は第４図
のウエハ位置検出用マークの検出を説明するため
の図、第６図は本発明の一実施例に係る投影露光
装置を示す概略構成図、第７図は第６図の装置で
用いられるウエハ及びレチクル上に形成されたパ
ターンの概略図である。 図中、１は移動ステージ、２は投影レンズ、３
はレチクル、４は焼付用照明装置、５はウエハ、
６，７はモータ、８はミラー、９は対物レンズ、
１０，１５はハーフミラー、１１は光電検出器、
１２ポリゴンミラー、１３はレーザチユーブ、１
４はコントロールボツクス、１６，１７はレーザ
干渉計、１８は顕微鏡、２１は入出力ターミナル
である。
を行なう従来の投影露光装置の一例を示す図、第
２図は第１図の装置におけるウエハ上への焼付方
を示す図、第３図は第１図の装置におけるオフア
クシスの観察とウエハの送り方を説明するための
図、第４図は第１図の装置で用いられるウエハの
位置検出用マークの例を示す図、第５図は第４図
のウエハ位置検出用マークの検出を説明するため
の図、第６図は本発明の一実施例に係る投影露光
装置を示す概略構成図、第７図は第６図の装置で
用いられるウエハ及びレチクル上に形成されたパ
ターンの概略図である。 図中、１は移動ステージ、２は投影レンズ、３
はレチクル、４は焼付用照明装置、５はウエハ、
６，７はモータ、８はミラー、９は対物レンズ、
１０，１５はハーフミラー、１１は光電検出器、
１２ポリゴンミラー、１３はレーザチユーブ、１
４はコントロールボツクス、１６，１７はレーザ
干渉計、１８は顕微鏡、２１は入出力ターミナル
である。
Claims (1)
- １ 原板のパターンを基板に投影する投影光学系
の光軸外に設けられたオフアクシス顕微鏡を利用
して位置誤差を測定するステツプと、測定された
位置誤差と予め記憶されている基準距離に基づい
て前記基板を搭載するステージを前記投影光学系
のパターン投影位置に向けて移動するステツプ
と、前記パターン投影位置に向けて前記ステージ
を移動させた後に前記原板側のマークと前記基板
側のマーク間の位置誤差を前記投影光学系を介し
て測定するステツプと、測定された前記マーク間
の位置誤差の分だけ前記基準距離を補正するステ
ツプを有することを特徴とする投影露光装置の基
準距離補正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59190670A JPS6169127A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 投影露光装置の基準距離補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59190670A JPS6169127A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 投影露光装置の基準距離補正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6169127A JPS6169127A (ja) | 1986-04-09 |
| JPH0576765B2 true JPH0576765B2 (ja) | 1993-10-25 |
Family
ID=16261936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59190670A Granted JPS6169127A (ja) | 1984-09-13 | 1984-09-13 | 投影露光装置の基準距離補正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6169127A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI240849B (en) * | 2000-02-10 | 2005-10-01 | Asml Netherlands Bv | Object positioning method for a lithographic projection apparatus |
| JP2007170919A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Toshiba Corp | 熱交換器の振動測定方法 |
-
1984
- 1984-09-13 JP JP59190670A patent/JPS6169127A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6169127A (ja) | 1986-04-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |