JPH0576809B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、表面に沿つて表面音響波を伝搬する
圧電基板と、該基板表面に取付けられ表面音響波
エネルギーを第１トラツクに沿つて送波すると共
に該第１トラツクと略々平行で重なり合わない別
のトラツクに沿つて伝搬してくる表面音響波エネ
ルギーを電気信号に変換するトランスジユーサ装
置と、該トランスジユーサ装置により前記第１ト
ラツクに沿つて送波された表面音響波エネルギー
を受波し、受波した表面音響波エネルギーの少く
とも一部を前記別のトラツクに沿つて当該トラン
スジユーサ装置に向け再送波するマルチストリツ
プ反射カプラ装置とを具え、前記トランスジユー
サ装置は互に隣接して配置された広開口の送波ト
ランスジユーサ及び受波トランスジユーサを具
え、各トランスジユーサは対応する隣接辺（内側
辺）及び反対側辺（外側辺）に沿つて延在する内
側バスバー及び外側バスバーを構成する一対の導
電ストリツプの各々に接続された平行ストリツプ
電極を具えるインタデイジタル電極パターンとし
て形成して成る表面音響波デバイスに関するもの
である。

斯る表面音響波デバイスの一般的な構成は例え
ばEP−Ａ−0098661号に開示されており、このデ
バイスは例えば増幅器や受信機におけるバンドパ
スフイルタとして使用することができる。トラツ
クチエンジ処理は、表面音響波フイルターにおい
て、送波トランスジユーサから受波トランスジユ
ーサへのエネルギーの転送が種々のバルク音響波
モード（通常使用されているインタデイジタルト
ランスジユーサによつても送波及び受波され、所
望の表面音響波の伝搬速度と異なる伝搬速度を有
する）により行なわれるの低減するために一般に
使用されている。従来斯るデバイスは例えば英国
特許第1372235号明細書に開示されている順方向
転送マルチストリツプカプラの構成を一般に使用
している。この構成のカプラは、適切に設計及び
配置すると、表面音響波エネルギーを別のトラツ
クに、第１トラツクに沿つて送波された入射波と
同一の方向に比較的効率良く、即ち所望の低転送
損失で転送することができる。しかし、慣例のイ
ンタデイジタルトランスジユーサは表面音響波エ
ネルギーを両端から互に反対方向に等しく送波す
るのに対し、順方向マルチストリツプカプラは送
波（入力）トランスジユーサの一端を受波（出
力）トランスジユーサの一端に結合して得るのみ
である。この結果、送波トランスジユーサの他端
から送波される音響波エネルギーは吸収又は散乱
させる必要があり、損失になるため、斯るデバイ
スの挿入損はかなり大きい。斯る損失は、デバイ
スが動作する信号レベルが高レベル増幅器の場合
のように回路雑音と比較して高い場合には許容で
きる。しかし、デバイスを例えば放送受信機の初
段に使用するときは挿入損をできるだけ低減して
満足な信号対雑音比を与えることが重要である。
例えば区画無線システムに使用されるポータブル
トランスシーバ用の送受切換器のフイルタにおい
ても損失を低減して所定の実効放射電力に必要と
される送信機のサイズ及び消費電力を低減するこ
とが重要である。

上述のEP−Ａ−0098661号に開示されているコ
ンパクで効率の良い反射マルチストリツプカプラ
は送波トランスジユーサの各端を関連する受波ト
ランスジユーサの対応する端に結合する好適な手
段を提供し、これを用いて送波トランスジユーサ
の両端から送波された表面音響波エネルギーを受
波トランスジユーサに転送して、得られるデバイ
スの総合挿入損を大きく低減することができる。
しかし、この場合には送波及び受波トランスジユ
ーサを並べて配置する必要があるため、各カプラ
による挿入損が順方向結合装置により達成し得る
値より後述の理由のために大きくなることが確か
められている。

上述の欧州特許出願に開示されている種類の反
射マルチストリツプカプラを用いるデバイスを示
す第１図において、均一な広開口送波トランスジ
ユーサ２を使用すると、これにより送波される表
面音響波エネルギーは互に反対信号極性の２個の
隣接するインタデイジタル電極の最大交叉幅によ
り決まるトランスジユーサの音響開口、即ち破線
３^*及び３^**間に制限される。同様に、均一な広
開口受波トランスジユーサ４を使用するとトラン
スジユーサの音響開口、即ち破線５^*及び５^**間
に入射する表面音響波エネルギーのみが電気信号
に変換される。しかし、反射マルチストリツプカ
プラ６の受波及び再送波アレー７，８の実効入力
及び出力音響開口をこれら送波及び受波トランス
ジユーサの開口にマツチさせることは困難であ
る。受波アレー７の開口が小さすぎる場合には、
入力エネルギーはアレーの側部を通過して失なわ
れ、開口が広すぎる場合にはカプラに誘起される
電位が最適な場合より低くなると共に一部のエネ
ルギーがアレー７の入力トラツク３^*，３^**とオ
ーバラツプしない部分により再送波されてしま
う。同様に、出力アレー８の実効音響開口が受波
トランスジユーサ４の音響開口と一致しない場合
にも表面音響波エネルギーの損失が生ずる。エネ
ルギーの損失は反射マルチストリツプカプラの中
心部における相互接続導体部分１１によつても生
じ、これはアレー７及び８の実効開口は相互接続
領域内へ拡がろうとする傾向があるため、及び相
互接続導体自体が抵抗損を生ずると共に中心領域
１２において表面波とバルク波を送波して損失を
生ずるためである。この後者の損失は送波及び受
波トランスジユーサ２及び４の音響開口間の間隔
を減少させることにより低減し得るが、これは結
局は送波及び受波トランスジユーサ２及び４の隣
接（内側）バスバーの幅を減少させることが必要
となり、このバスバーをある幅以下にすると、こ
れらインタデイジタルアレーに沿う信号電流損失
が増大することになる。しかも、内側バスバーの
長手方向抵抗損失が目立ち始める前でも各内側バ
スバーの幅は著しく小さくなるため装置の製造中
にこれに信頼できるワイヤボンド接続を設けるこ
とが困難になり、従つて、トランスジユーサの両
端に反射カプラを配置するいわゆる低損失表面音
響波デバイスの場合には各トランスジユーサに非
伝達端がないため、各トランスジユーサを越えた
ところで各内側バスバーに拡大接続領域を設けて
デバイスの所望の表面音響波伝搬通路を乱さない
ようにする、即ちデバイスの信号伝達特性に不所
望な影響を与えないようにすることができないと
いう問題を生ずる。

本発明の目的はこれらの問題のいくつか又は全
てを解消することにある。

本発明は表面に沿つて表面音響波を伝搬する圧
電基板と、該基板表面に取付けられ表面音響波エ
ネルギーを第１トラツクに沿つて送波すると共に
該第１トラツクと略々平行で重なり合わない別の
トラツクに沿つて伝搬してくる表面音響波エネル
ギーを電気信号に変換するトランスジユーサ装置
と、該トランスジユーサ装置により前記第１トラ
ツクに沿つて送波された表面音響波エネルギーを
受波し、受波した表面音響波エネルギーの少くと
も一部を前記別のトラツクに沿つて当該トランス
ジユーサ装置に向け再送波するマルチストリツプ
反射カプラ装置とを具え、前記トランスジユーサ
装置は隣接して配置された広開口の送波トランス
ジユーサ及び受波トランスジユーサを具え、各ト
ランスジユーサは対応する隣接辺（内側辺）及び
反対側辺（外側辺）に沿つて延在する内側バスバ
ー及び外側バスバーを構成する一対の導電ストリ
ツプの各々に接続され、且つトランスジユーサの
音響開口の全幅に亘つて延在するストリツプ電極
を具える間引き重み付け（withdrawal
weighted）インタデイジタル電極アレーとして
形成して成る表面音響波デバイスにおいて、前記
送波及び受波トランスジユーサの対応する音響開
口間の間隔を低減するために、送波及び受波トラ
ンスジユーサの隣接内側バスバーの幅を該バスバ
ーに沿つて流れる信号電流に対する抵抗損が外側
バスバーに沿つて流れる信号電流に対する抵抗損
よりも著しく大きくなる程度まで減少させてあ
り、且つ対応するトランスジユーサ電極アレーの
外縁に沿つて間隔を置いて複数個の導電接続領域
を設けてあり、各接続領域は内側バスバーにも電
気的に接続されている該アレーの一群のストリツ
プ電極に電気的に接続してあると共に、所定のト
ランスジユーサに関連するこれらの導電接続領域
は前記内側バスバーのための端子接続部に一緒に
電気的に接続してあることを特徴とする。

本発明の実施に当つては、別のバスバーを通常
信号電位が与えられない各外側バスバーの外側に
設け、前記各導電接続領域をこの別のバスバーに
ワイヤボンド接続により、或は前記外側バスバー
上に絶縁層を介してこのバーを横切るよう設けら
れた導電層により接続することができる。通常、
この別のバスバー及びこれに接続された内側バス
バーは信号周波数に対し接地電位に接続する。

本発明は、更に、表面に沿つて音響波を伝搬し
得る圧電基板と、該基板表面にて伝搬トラツクに
沿つて音響波エネルギーを送波するよう配置され
た入力変換手段と、前記基板表面にて前記第１ト
ラツクに略々平行で互に重なり合わない別の伝搬
トラツクからの音響波エネルギーを受波するよう
配置された出力変換手段と、前記入力変換手段の
各端からの音響波エネルギーを受波し該エネルギ
ーの少くとも一部を音響波エネルギーとして前記
出力変換手段の対応する端に向け共働変換関係で
再送波する電気反射マルチストリツプ結合手段と
を具え、前記入力及び出力変換手段は互に隣接し
て位置する対応する広開口のトランスジユーサで
構成し、各トランスジユーサは対応する隣接辺
（内側辺）及び反対側辺（外側辺）に沿つて延在
する内側バスバー及び外側バスバーをそれぞれ構
成する一対の導電ストリツプの各々に接続された
平行ストリツプ電極を具えるインタデイジタル電
極アレーとして形成され、且つ前記反射結合手段
は各別の反射マルチストリツプカプラから成り、
各カプラは入力及び出力伝搬トラツクをそれぞれ
横切るよう配列された第１及び第２の平行導電ス
トリツプアレーを具え、各アレーは互に絶縁され
た交互に大間隔及び小間隔のストリツプの第１セ
ツトと電気的に相互接続されたストリツプの第２
のセツトとから成り、第２セツトからの少くとも
１個のストリツプが第１セツトの大間隔のストリ
ツプ対毎にその間に位置するよう配置され、一方
のアレーの第１セツトの大間隔対を構成する各ス
トリツプが他方のアレーの第１セツトの小間隔対
を構成する対応するストリツプにそれぞれ接続さ
れ、両アレーの第２セツトのストリツプが相互接
続されている低損失表面音響波バンドパスフイル
タにおいて前記の各トランスジユーサの少くとも
一端に該トランスジユーサの音響開口の全幅を横
切つて延在する導電ストリツプ状表面層を設けて
あり、該導電ストリツプ状表面層は内側端が前記
内側バスバーと電気的に連続させてあると共に外
側端がトランスジユーサのストリツプ電極アレー
の外側境界線の外側に位置する関連する導電接続
領域と電気的に連続させてあり、該関連する導電
接続領域は前記内側バスバーのための端子接続部
に電気的に接続してあることを特徴とする。関連
するトランスジユーサの音響開口の全幅を横切つ
て延在する前記導電ストリツプ状表面層の各々は
隣接トランスジユーサの電極と同一のマーク対ス
ペース比を有する複数個の平行導電ストリツプで
形成することができ、各ストリツプは隣接トラン
スジユーサアレーを構成するストリツプ電極と同
一の幅を有するものとすることができる。

本発明は、上述の特定の種類の音響波デバイス
において送波及び受波トランスジユーサの隣接内
側バスバー幅を低減して各トランスジユーサの音
響開口を互に近接させて反射マルチストリツプカ
プラにおける損失を低減或は最低にするとき、内
側バスバーの金属化パターンが狭くなりすぎて装
置の製造中にこのバスバーに外部ワイヤボンド接
続をすることができなくなるが、この問題は内側
バスバーを導電層又は一群のストリツプ電極によ
り音響波伝搬通路を横切つて伝搬路の外縁を越え
たところに位置する大導電領域に電気接続するこ
とにより克服することができること及び間引き重
み付けインタデイジタルトランスジユーサの場合
には各内側バスバーの幅をバスバーの信号電流に
対する抵抗値が著しく大きくなるまで減少させる
場合、発生する抵抗損を重み付けパタヘーンのヌ
ル点に位置するダミー電極群を用いて幅狭バスバ
ーを複数点においてトランスジユーサの外縁の近
傍に位置する１個以上の導電接続領域に接続し、
これら導電接続領域を低抵抗の導体で電気的に相
互接続することにより有効に低減し得ることを確
かめ、斯る認識に基づいて為したものである。

以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に
説明する。

第２図は本発明の一例の表面音響波フイルタデ
バイスを示し、本例デバイスは圧電基板１を具え
その表面上に間引き重み付け（withdrawal
weighted）インタデイジタル送波トランスジユ
ーサ２０と、同様の受波トランスジユーサ４０
と、EP−Ａ−0098661号に開示されている種類の
２個の反射マルチストリツプカプラ６及び６^*を
具えている。トランスジユーサ２０及び４０は広
開口トランスジユーサであり、広開口トランスジ
ユーサとは各アレーの幅が約6λ以上のものを意
味し、本例では約30λ〜100λ又はそれ以上のもの
とすることができる。インタデイジタルアレーを
構成するストリツプ電極は通常λ／８間隔のλ／
８幅の二重電極であるため、第２図では個々の電
極を描くのは実際上不可能であるので、これらア
レーの種々の部分は概略領域で示してある。

第２図のデバイスは所望の通過帯域における挿
入損をできるだけ低くしたフイルタを構成しよう
とするものである。この理由のために、反射マル
チストリツブカプラ６，６^*をトランスジユーサ
の両端に配置してインタデイジタルトランスジユ
ーサ２０，４０の双方向特性を完全に利用し得る
ようにする。反射マルチストリツプカプラはλ／
３間隔の電極で形成するのが好適である。その理
由は、この場合には満足な低損失、第３高調波の
抑圧及び良好な通過帯域特性が得られることが実
験により確かめられているためである。トランス
ジユーサ２０，４０は均等長さのインタデイジタ
ル電極を有し、間引き重み付け法により重み付け
するものとして所望の周波数応答特性を追加の損
失を生ずることなく達成するのに必要な所要の設
計フレキシビリテイを与えるようにする（周波数
応答設計のためにアポダイズ法を使用する場合に
は追加の損失が発生し得る）。

インタデイジタルアレー２０又は４０は２個の
信号バスバー２１及び２２又は４０及び４２の一
方又は他方に交互に接続された２重電極の平行配
置で構成されて送波又は受波素子を形成する。最
大変換作用が例えばそれぞれのアレーの中心領域
３１，５１（一般にメインローブと称されてい
る）において必要とされる場合にはこの領域の順
次の二重電極を互に反対極性のバスバーに接続す
る。小さい変換作用が必要とされる場合には、反
対極性に接続された二重電極の隣接対を好適には
ダミー（二重）電極、即ち同一のバスバーに接続
された電極により離間させてアレーに沿う伝搬速
度が均等に維持されるようにする。この活性電極
対の間引きはメインローブ３１，５１の両端で使
用できると共に２個のトランスジユーサの第１及
び第２マイナーローブ３２，３２^*；５２，５２^*
及び３３，３３^*；５３，５３^*において異なる程
度に行うことができる。一般に第１マイナーロー
ブ３２，３２^*及び５２，５２^*はメインローブ３
１，５１及び第２マイナーローブ３３，３３^*及
び５３，５３^*の変換極性と逆の変換極性を有す
る。種々のローブは変換作用を持たない領域（一
般にヌル領域と称されている）にり分離される。

反射マルチストリツプカプラ６，６^*のデツド
中心スペース１２の幅による損失を低減するため
及びしたがつてデバイスの挿入損をできるだけ低
減するために、送波及び受波トランスジユーサ２
０，４０の開口３^*，３^**及び５^*，５^**を、本発
明では各別のトランスジユーサ２０及び４０の内
側バスバー２１及び４１の幅をバスバー２１及び
４１に沿つて流れる信号電流に対する抵抗損失が
慣例の幅の対応する外側バスバー２２，４２に沿
つて流れる対応する電流にたいする抵抗損失より
著しく大きくなるような寸法に低減することによ
り互に近接させると共に、対応するトランスジユ
ーサ電極アレー２０，４０の外縁に沿つて複数個
の導電接続領域２４を間隔をおいて設け、各導電
接続領域を対応する内側バスバー２１，４１にも
電気的に接続されている前記アレーのストリツプ
電極群２５に電気的に接続し、更に所定のトラン
スジユーサ２０，４０に関連する全ての導電領域
２４を内側バスバー２１，４１のための対応する
端子接続導体３８，５８に一緒に電気的に接続す
る。

第２図に示す実施例においては、慣例の幅の別
のバスバー２３，４３を対応する外側バスバー２
２，４２の外側に設け、その一部をもつて端子接
続導体３８，５８を構成すると共にワイヤ接続２
８により導電接続領域２４に接続する。内側バス
バー２１，４１に接続されたストリツプ電極の終
端群２５^*は金属化ストリツプ３６，５６により
対応する別のバスバー２３，４３に接続すること
ができること明らかである。アレーの他端の対応
する群２５^**はワイヤ接続２８により接続するよ
う示してあるが、これも他方のバスバーの端子接
続導体３７，５７を迂回する金属化ストリツプに
より別のバスバー２３，４３及び対応する端子接
続導体３８，５８に接続することもできる。

第３ａ図はインタデイジタルアレー２０の中間
接続領域の近傍におけるストリツプ電極の配置を
示す詳細図である。アレーの変換領域（ローブ）
を構成する二重電極１４はバスバー２１，２２の
一方又は他方に接続されて反対接続対又は反対接
続対の群を構成し、一般に必要に応じ一以上のダ
ミー電極を介挿して間引き重み付けを行う。ヌル
変換領域においては内側バスバー２１に接続され
ているダミー（二重）電極１４^*の群２５を外側
バスバー２２から分離され電気的に絶縁されてい
る導電接続領域２４にも接続し、領域２４を第２
図に示すように別のバスバー２３にワイヤ接続す
る。

第３ｂ図は反射マルチストリツプカプラ６の構
成を示す詳細図である。このカプラは前記欧州特
許出願に開示されているため、その受波及び再送
波ストリツプアレーをその中心接続領域１２の幅
が送波及び受波トランスジユーサ２０，４０の開
口３，３^**および５^*，５^**にマツチするよう注
意深く設計すること以外の詳細については説明を
省略する。

第２及び第３図に示すデバイスの変形例を第４
ａ及び４ｂ図に詳細に示す。このように各接続領
域２４を別のバスバー２３にワイヤ接続する代わ
りに、この接続は外側バスバー２２の一部上に絶
縁層部４６を堆積し、次いでその上に接続ブリツ
ジを設けて領域２４を別のバスバー２３に接続す
ることにより達成することもできる。本例は通常
の製造工程に加えて追加の工程例えば写真食刻工
程が必要になり、どちらの接続方法を使用すべき
かは相対的な製造コストが問題になる。

第５図は本発明を具現したいわゆる低損失デバ
イスを示し、本例では内側バスバー２１，４１の
幅を、反射カプラ６，６^*の結合領域のながさに
よる損失を低減するために、流れる信号電流を著
しい抵抗損失を生ずることなくこれらバスバーに
沿つて流すに十分であるが通常の製造中に内側バ
スバーへのワイヤ接続を信頼度高く再現可能に行
うことができない程度に低減してある。斯かるデ
バイスでは各別の反射マルチストリツプカプラ
６，６^*はトランスジユーサ６２，６４の各端に
隣接して配置して入力トランスジユーサ６２の関
連する各端からの音響波エネルギーを受波し、そ
のエネルギーの少なくとも一部を音響波エネルギ
ーとして出力トランスジユーサ６４の対応する端
に向け協働変換関係に再送波して、反対方向に伝
搬する変換された信号を適当に合成してトランス
ジユーサの両信号が電気信号出力において通過帯
域内で互に増強し合うようにする。ダブルエンデ
ツド構成の結果として各トランスジユーサには非
伝達端が存在せず、従つて内側バスバーをトラン
スジユーサを越えたところで拡げて表面波伝搬通
路の後方に接続用の拡大突部を形成することがで
きない。

これがため、第５図のデバイスにおいて、本発
明では各トランスジユーサ６２，６４に対し、ト
ランスジユーサ６２，６４の少なくとも一端及び
好適にみ第５図に示すように両端において音響開
口３，３^**及び５^*及び５^**の全幅を横切つて延
在するすくなくとも一個の導電ストリツプ状表面
層６５を設ける。各ストリツプ状導電層６５はそ
の内側端部が各トランスジユーサ６２，６４の対
応す内側バスバー２１，４１と電気的に連続する
よう配置すると共にその外側端がトランスジユー
サ６２，６４のストリツプ電極アレーの外側境界
線の外側、即ち対応するトランスジユーサの音響
開口の外側境界線３^**，５^**の外側に位置する関
連する導電領域７３，８３と電気的に連続するよ
う配置する。各導電接続領域７３，８３は対応す
るワイヤボンド接続７４，８４により関連する内
側バスバーのための端子接続部（図示せず）に電
気的に接続する。この接続は入力及び出力トラン
スジユーサ６２，６４の近接配置による電気的ブ
レークスルーを低減するために接地接続とするの
が好適である。

基板１の表面音響波伝搬表面上のストリツプ状
導電層６５は均一な導電材料層として形成し得る
が、この層の表面密度を他の導体パターンの表面
密度の約半分以下にしないと、表面音響波伝搬通
路に沿う音響インピーダンスのミスマツチングが
生じ、音響エネルギーの不所望な反射を生ずる。
これがため、ストリツプ６５は隣室トランスジユ
ーサアレーの電極と同一の幅及び間隔を有する複
数個の並列接続導電ストリツプをもつて構成する
のが好適である。これを第６図に示す。第６図は
インタデイジタルトランスジユーサアレー６２の
一端におけるストリツプ電極１４とストリツプ状
導電層６５の一部を構成する並列接続導電ストリ
ツプ１４^*を示し、図から明らかなようにストリ
ツプ１４^*はトランスジユーサストリツプ１４と
同一の幅および間隔、即ちλ／８に配置され、こ
れにより表面音響波伝搬通路に沿うストリツプの
平均表面密度は一定に維持され、不所望な反射は
生じなくなる。

第６図に示すように、全てのストリツプ１４^*
の下端を内側バスバー２１と電気的に連続させる
と共に、上端をワイヤボンド接続７４により信号
接地用端子接続部に接続された関連する導電接続
領域７３と電気的に連続させる。

接地ストリツプ１４^*に隣接する次の１対のト
ランスジユーサ電極１４はトランスジユーサ６２
の信号端子に接続されたバスバー２２に接続す
る。この場合この１対の電極は接地ストリツプ１
４^*と相俟て当該トランスジユーサの１つの変換
素子を構成し、この素子はトランスジユーサアレ
ーの設計において考慮し、これに含める必要があ
る。図示の特定の例では間引き重み付けしたトラ
ンスジユーサ６２は比較的小さな変換作用を有す
る端末変換素子を有し、その電極対１４は次いで
接地バスバー２１に接続された多数対の電極１４
を介して第５図の右側部分に連なるよう構成して
ある。アレーの端部に大きな変換作用を有する素
子群を与える必要がある場合にはこの区域におい
て対応する個数の電極対をバスバー２１，２２の
一方又は他方に交互に接続すればよい。

ストリツプ状導電領域６５の幅、即ちストリツ
プ１４^*の集合の幅は内側バスバー２１へ流入及
び流出する信号の通路に大きな抵抗損を生じない
ようにする必要があると共に、領域６５を構成す
個々のストリツプのマーク対スペース比が本例で
は１であることを考慮すると、その全幅は好適に
は内側バスバー２１の幅の２倍以下にすべきでな
い。

本発明デテバイスは通過帯域内における信号エ
ネルギーの損失を最低にする必要のある受信機の
初段用のフイルタとして有利であり、特に区画無
線システムのポータブルトランスシーバ用の送受
切換器のフイルタとして有利であり、これは本発
明デバイスによればアンテナから所定の実放射電
力を得るのに必要な送信電力を最低にでき、従つ
て電源の重量を最低にすることができるためであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は欧州特許出願第0098661号に開示され
ている表面音響波デバイスを示す図、第２図は本
発明表面音響波デバイスの一実施例を示す概略
図、第３ａ及び３ｂ図は第２図に示すデバイスに
使用されるトランスジユーサの一部と反射マルチ
ストリツプカプラの構造を示す詳細図、第４ａ及
び４ｂ図は本発明デバイスの変形例のトランスジ
ユーサの一部の構造を示す詳細図、第５図は本発
明表面音響波デバイスの他の例を示す概略図、第
６図は第５図のデバイスの一部の詳細図である。 １……圧電基板、２０……送波トランスジユー
サ、４０……受波トランスジユーサ、３^*，３^*
＊；５^*，５^**……音響開口、６，６^*……反射マ
ルチストリツプカプラ、２１，４１……内側バス
バー、２２，４２……外側バスバー、２４……導
電接続領域、２５……ダミー電極群、２８……ワ
イヤボンド接続、２３，４３……別のバスバー、
３７，３８，５７，５８……端子接続導体、４６
……絶縁層、４７……接続ブリツジ、６２，６４
……トランスジユーサ、６５……導電ストリツプ
状表面層。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 表面に沿つて表面音響波を伝搬する圧電基板
   と、該基板表面に取付けられ表面音響波エネルギ
   ーを第１トラツクに沿つて送波すると共に該トラ
   ツクと略々平行で重なり合わない別のトラツクに
   沿つて伝搬してくる表面音響波エネルギーを電気
   信号に変換するトランスジユーサ装置と、該トラ
   ンスジユーサ装置により前記第１トラツクに沿つ
   て送波された表面音響波エネルギーを受波し、受
   波した表面音響波エネルギーの少くとも一部を、
   前記別のトラツクに沿つて当該トランスジユーサ
   装置に向け再送波するマルチストリツプ反射カプ
   ラ装置とを具え、前記トランスジユーサ装置は互
   に隣接して配置された広開口の送波トランスジユ
   ーサ及び受波トランスジユーサを具え、各トラン
   スジユーサは対応する隣接辺（内側辺）及び反対
   側辺（外側辺）に沿つて延在する内側バスバー及
   び外側バスバーを構成する一対の導電ストリツプ
   の各々に接続され、且つトランスジユーサの音響
   開口の全幅に亘つて延在するストリツプ電極を具
   える間引き重み付け（withdrawal weighted）
   インタデイジタル電極アレーとして形成して成る
   表面音響波デバイスにおいて、前記送波及び受波
   トランスジユーサの対応する音響開口間の間隔を
   低減するために、送波及び受波トランスジユーサ
   の隣接内側バスバーの幅を該バスバーに沿つて流
   れる信号電流に対する抵抗損が外側バスバーに沿
   つて流れる信号電流に対する抵抗損よりも著しく
   大きくなる程度まで減少させてあり、且つ対応す
   るトランスジユーサ電極アレーの外縁に沿つて間
   隔を置いて複数個の導電接続領域を設けてあり、
   各接続領域は内側バスバーにも電気的に接続され
   ている該アレーの一群のストリツプ電極に電気的
   に接続してあると共に、所定のトランスジユーサ
   に関連するこれらの導電接続領域は前記内側バス
   バーのための端子接続部に一緒に電気的に接続し
   てあることを特徴とする表面音響波デバイス。 ２ 特許請求の範囲１記載のデバイスにおいて、
   前記外側バスバーの外側に別のバスバーを具え、
   前記各導電接続領域を前記別のバスバーにワイヤ
   ボンド接続により接続してあることを特徴とする
   表面音響波デバイス。 ３ 特許請求の範囲１記載のデバイスにおいて、
   前記外側バスバーの外側に別のバスバーを具え、
   前記各導電接続領域を前記外側バスバー上に絶縁
   層を介して該バーを横切るよう設けた導電層によ
   り前記別のバスバーに接続してあることを特徴と
   する表面音響波デバイス。 ４ 表面に沿つて音響波を伝搬し得る圧電基板
   と、該基板表面にて伝搬トラツクに沿つて音響波
   エネルギーを送波するよう配置された入力変換手
   段と、前記基板表面にて前記第１トラツクに略々
   平行で互に重なり合わない別の伝搬トラツクから
   の音響波エネルギーを受波するよう配置された出
   力変換手段と、前記入力変換手段の各端からの音
   響波エネルギーを受波し該エネルギーの少くとも
   一部を音響波エネルギーとして前記出力変換手段
   の対応する端に向け共働変換関係で再送波する電
   気反射マルチストリツプ結合手段とを具え、前記
   入力及び出力変換手段は互に隣接して位置する対
   応する広開口のトランスジユーサで構成し、各ト
   ランスジユーサは対応する隣接辺（内側辺）及び
   反対側辺（外側辺）に沿つて延在する内側バスバ
   ー及び外側バスバーをそれぞれ構成する一対の導
   電ストリツプの各々に接続された平行ストリツプ
   電極を具えるインタデイジタル電極アレーとして
   形成され、且つ前記反射結合手段は各別の反射マ
   ルチストリツプカプラから成り、各カプラは入力
   及び出力伝搬トラツクをそれぞれ横切るよう配列
   された第１及び第２の平行導電ストリツプアレー
   を具え、各アレーは互に絶縁された交互に大間隔
   及び小間隔のストリツプの第１セツトと電気的に
   相互接続されたストリツプの第２のセツトとから
   成り、第２セツトからの少くとも１個のストリツ
   プが第１セツトの大間隔のストリツプ対毎にその
   間に位置するよう配置され、一方のアレーの第１
   セツトの大間隔対を構成する各ストリツプが他方
   のアレーの第１セツトの小間隔対を構成する対応
   するストリツプにそれぞれ接続され、両アレーの
   第２セツトのストリツプが相互接続されている低
   損失表面音響波デバイスにおいて、前記の各トラ
   ンスジユーサの少くとも一端に該トランスジユー
   サの音響開口の全幅を横切つて延在する導電スト
   リツプ状表面層を設けてあり、該導電ストリツプ
   状表面層は内側端が前記内側バスバーと電気的に
   連続させてあると共に外側端がトランスジユーサ
   のストリツプ電極アレーの外側境界線の外側に位
   置する関連する導電接続領域と電気的に連続させ
   てあり、該関連する導電接続領域は前記内側バス
   バーのための端子接続部に電気的に接続してある
   ことを特徴とする低損失表面音響波デバイス。 ５ 特許請求の範囲４記載のデバイスにおいて、
   関連するトランスジユーサの開口を横切つて延在
   する前記各別の導電ストリツプ状表面層は隣接ト
   ランスジユーサの電極と同一のマーク対スペース
   比を有する複数個の平行導電ストリツプで構成し
   てあることを特徴とする表面音響波デバイス。 ６ 特許請求の範囲５記載のデバイスにおいて、
   前記導電ストリツプ状表面層を構成する導電スト
   リツプは隣接トランスジユーサアレーを構成する
   ストリツプと同一の幅であることを特徴とする表
   面音響波デバイス。