JPH057819B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH057819B2 JPH057819B2 JP58153285A JP15328583A JPH057819B2 JP H057819 B2 JPH057819 B2 JP H057819B2 JP 58153285 A JP58153285 A JP 58153285A JP 15328583 A JP15328583 A JP 15328583A JP H057819 B2 JPH057819 B2 JP H057819B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- detector
- secondary electrons
- electron beam
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、高分解能像観察に好適な二次電子検
出器を備えた電子線装置に関する。
出器を備えた電子線装置に関する。
電子線をできるだけ細く絞つて高分解能な二次
電子像を得ようとする場合、レンズはできるだけ
短焦点距離で用いる必要がある。そのために、第
１図に示すような構成のものが考えられている。
試料２はレンズ１の内部に配置され、試料から出
てきた二次電子は検出器３で検出する。
電子像を得ようとする場合、レンズはできるだけ
短焦点距離で用いる必要がある。そのために、第
１図に示すような構成のものが考えられている。
試料２はレンズ１の内部に配置され、試料から出
てきた二次電子は検出器３で検出する。
しかし、本構成では、二次電子はレンズ１の磁
場内を通過し、かつエネルギーが入射電子より極
めて弱いために、レンズの磁場に強く束縛され
る。したがつて、検出器３で発生させた電界によ
り二次電子を検出器側に引つぱつても、試料２よ
り発生した二次電子の出射条件（出射角やエネル
ギー等）により、エネルギーの極めて弱い二次電
子７は検出器３に入射するが、比較的高いエネル
ギーの二次電子８は、周辺の部材（例えば、偏向
器４の支持台５）に衝突して検出器３に入射しな
い。特に、検出器３の電界は支持台５やレンズ１
によつて二次電子軌道上まで到達し難いこともも
う一つの原因である。すなわち、本構成の二次電
子収率は、極めて悪いという欠点がある。
場内を通過し、かつエネルギーが入射電子より極
めて弱いために、レンズの磁場に強く束縛され
る。したがつて、検出器３で発生させた電界によ
り二次電子を検出器側に引つぱつても、試料２よ
り発生した二次電子の出射条件（出射角やエネル
ギー等）により、エネルギーの極めて弱い二次電
子７は検出器３に入射するが、比較的高いエネル
ギーの二次電子８は、周辺の部材（例えば、偏向
器４の支持台５）に衝突して検出器３に入射しな
い。特に、検出器３の電界は支持台５やレンズ１
によつて二次電子軌道上まで到達し難いこともも
う一つの原因である。すなわち、本構成の二次電
子収率は、極めて悪いという欠点がある。
本発明の目的は、高分解能二次電子像を得る際
に、高収率な二次電子検出器を具備した電子線装
置を提供することにある。
に、高収率な二次電子検出器を具備した電子線装
置を提供することにある。
高収率化とは、二次電子をできるだけ多く検出
器に入射させることである。収率の悪い原因は、
二次電子がレンズ磁場に強く束縛されることと検
出器の電界が十分に浸透しないことである。
器に入射させることである。収率の悪い原因は、
二次電子がレンズ磁場に強く束縛されることと検
出器の電界が十分に浸透しないことである。
したがつて、本発明では、別手段により二次電
子を検出器に入射させるように構成したものであ
る。
子を検出器に入射させるように構成したものであ
る。
以下、本発明を実施例を用いて説明する。
第２図は、本発明の一実施例を示す図である。
本発明の構成は、従来の検出器３とレンズ１の
間に二次電子を偏向するための偏向器６を挿入し
たものである。この位置でのレンズ磁場は比較的
弱いために二次電子を束縛する力は小さい。ま
た、二次電子は一次電子に比べてエネルギーが極
めて小さい。したがつて、弱い偏向磁場で二次電
子を偏向することができる。このような偏向磁場
に対して一次電子はエネルギーが高いためにほと
んど偏向されない。
間に二次電子を偏向するための偏向器６を挿入し
たものである。この位置でのレンズ磁場は比較的
弱いために二次電子を束縛する力は小さい。ま
た、二次電子は一次電子に比べてエネルギーが極
めて小さい。したがつて、弱い偏向磁場で二次電
子を偏向することができる。このような偏向磁場
に対して一次電子はエネルギーが高いためにほと
んど偏向されない。
すなわち、二次電子のみを検出器３の方向に偏
向させ、従来検出器に入射しなかつた二次電子８
をも検出できるようになる。したがつて、二次電
子収率は向上する効果がある。
向させ、従来検出器に入射しなかつた二次電子８
をも検出できるようになる。したがつて、二次電
子収率は向上する効果がある。
本発明における偏向器６は、磁界型偏向器と静
電型偏向器とを組み合わせることによつて構成さ
れている。
電型偏向器とを組み合わせることによつて構成さ
れている。
第３図のように磁界型、静電型を直交させて配
置し、磁界Ｂと電界Ｅとの関係が、 となるように動作させる。ここで、V1：一次電
子のエネルギー、ｅ：電荷、ｍ：電子の質量、ｉ
＝√−１である。このとき、一次電子は何ら偏向
作用を受けない。このとき、二次電子に対しては となる。ここで、V2は二次電子のエネルギーで
あり、V2≪V1である。すなわち、二次電子に関
しては静電型のみの動作とほとんど変らない作用
を受ける。したがつて、二次電子は検出器３の方
向に偏向される。本構成は、一次電子線が低加速
領域で使用する場合に極めて有効となる。第３図
において、磁界型偏向器は、鞍型コイル１１で示
したが、これに限るものではない。また、静電型
の偏向板１２は平行平板で示したが、例えば円筒
状のものでもよいことは言うまでもない。
置し、磁界Ｂと電界Ｅとの関係が、 となるように動作させる。ここで、V1：一次電
子のエネルギー、ｅ：電荷、ｍ：電子の質量、ｉ
＝√−１である。このとき、一次電子は何ら偏向
作用を受けない。このとき、二次電子に対しては となる。ここで、V2は二次電子のエネルギーで
あり、V2≪V1である。すなわち、二次電子に関
しては静電型のみの動作とほとんど変らない作用
を受ける。したがつて、二次電子は検出器３の方
向に偏向される。本構成は、一次電子線が低加速
領域で使用する場合に極めて有効となる。第３図
において、磁界型偏向器は、鞍型コイル１１で示
したが、これに限るものではない。また、静電型
の偏向板１２は平行平板で示したが、例えば円筒
状のものでもよいことは言うまでもない。
本発明において、レンズ形状、試料位置等は第
３図のものに限るものではない。要は、試料から
の二次電子をレンズの上方の検出器で検出する構
成なら、どのような構成でも適用できる。
３図のものに限るものではない。要は、試料から
の二次電子をレンズの上方の検出器で検出する構
成なら、どのような構成でも適用できる。
本発明によれば、二次電子を効率よく検出でき
るので、高分解能な像観察が容易にできる効果が
ある。
るので、高分解能な像観察が容易にできる効果が
ある。
第１図は、従来の構成を示した断面図、第２図
は本発明の一実施例を示した断面図、第３図は、
本発明における偏向器の一具体例を示した図であ
る。 １……レンズ、２……試料、３……検出器、４
……偏向器、５……支持台、６……二次電子用偏
向器、７，８……二次電子軌道、１１……磁界型
偏向器、１２……静電型偏向器。
は本発明の一実施例を示した断面図、第３図は、
本発明における偏向器の一具体例を示した図であ
る。 １……レンズ、２……試料、３……検出器、４
……偏向器、５……支持台、６……二次電子用偏
向器、７，８……二次電子軌道、１１……磁界型
偏向器、１２……静電型偏向器。
Claims (1)
- １ 電子銃と、階電子銃からの一次電子線を細く
絞つて試料に照射するための電子レンズと、該電
子レンズと上記電子銃との間の上記一次電子線の
通路外に設けられ上記一次電子線の照射によつて
上記試料から放出された二次電子を検出するため
の二次電子検出器と、上記電子レンズの上方に設
けられ上記試料から放出された二次電子を上記二
次電子検出器の方向に偏向させるための偏向手段
とを具備してなる電子線装置において、上記の偏
向手段は、磁界型偏向器と静電型偏向器とを組み
合わせて構成されてなり、かつ上記磁界型偏向器
の偏向磁界が上記一次電子線に及ぼす偏向作用と
上記静電型偏向器の偏向電界が上記一次電子線に
及ぼす偏向作用とが互いに逆方向で打消し合うよ
うに設定されてなることを特徴とする電子線装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153285A JPS6047358A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 電子線装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153285A JPS6047358A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 電子線装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047358A JPS6047358A (ja) | 1985-03-14 |
| JPH057819B2 true JPH057819B2 (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15559127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58153285A Granted JPS6047358A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | 電子線装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047358A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60212953A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-25 | Hitachi Ltd | 電子線装置 |
| GB8604181D0 (en) * | 1986-02-20 | 1986-03-26 | Texas Instruments Ltd | Electron beam apparatus |
| JP2918554B2 (ja) * | 1988-04-08 | 1999-07-12 | 株式会社日立製作所 | 荷電粒子線用電界磁界形分離器 |
-
1983
- 1983-08-24 JP JP58153285A patent/JPS6047358A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6047358A (ja) | 1985-03-14 |
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