JPH057821B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH057821B2 JPH057821B2 JP59067743A JP6774384A JPH057821B2 JP H057821 B2 JPH057821 B2 JP H057821B2 JP 59067743 A JP59067743 A JP 59067743A JP 6774384 A JP6774384 A JP 6774384A JP H057821 B2 JPH057821 B2 JP H057821B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- deflection
- secondary electrons
- electric field
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/244—Detectors; Associated components or circuits therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2448—Secondary particle detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/2449—Detector devices with moving charges in electric or magnetic fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24507—Intensity, dose or other characteristics of particle beams or electromagnetic radiation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は２次電子を効率良く検出すると共に、
該２次電子を検出する際に生ずる電子ビームの軸
ずれが生じない走査電子顕微鏡等の電子線装置の
２次電子検出装置に関する。 〔発明の背景〕 近年、走査電子顕微鏡は高分解能化が計られ、
特に半導体の観察では電子線ダメージを少なくす
るために低加速電圧で使用することが多くなつて
きている。第１図に従来装置の概略断面図を示
す。試料２は電子ビーム５で走査され、それによ
り試料２から２次電子６が放出される。この２次
電子６を検出するために２次電子検出器４が電子
ビーム５に直交する側に配置され、２次電子検出
器４が作る電界７で２次電子６を検出している。 このような構成においては、電子ビーム５が電
界７によつて、電子ビーム５′のように軌道が曲
げられ電子光学的軸ずれが生じ、対物レンズ１の
中心軸からはずれてしまう。特に低加速電圧の電
子ビームになるほど著しく曲げられ、軸ずれおよ
び非点の発生となり、低加速電圧での高性能化の
大きな障害となる。２次電子６を効率良く検出す
るためには、電界７が２次電子６を十分に検出し
２次電子検出器４に誘導するに十分な強度を有す
る必要があり上述した軸ずれ、非点発生は避けら
れない。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、２次電子の検出効率を向上す
る一方、電子ビームに対する軸ずれの影響を簡単
な構成でもつて高精度に防止することのできる走
査形電子顕微鏡等の電子線装置を提供するにあ
る。 〔発明の概要〕 本発明は、電子ビーム及びこの電子ビームと逆
方向の２次電子の双方が通る通路を挾んで偏向板
を対向配置し、この偏向板間に電位差を与えて電
界を形成すると共に、この偏向板の表面上にコイ
ルを配置し、前記電子ビームに対して作用する力
が前記電界と逆向きとなる磁界を当該ビームに与
えるように構成することにより、前記磁界発生用
コイルのコアを前記偏向板で兼ねることにより構
成を簡単にしつつ、前記偏向板及びコイルの位置
合わせ、即ち前記電界及び磁界の軸対称性を容易
にし、電子ビームの軸ずれを高精度に防止すると
同時に２次電子の取り出し効率を向上したところ
にある。更には、対向配置した偏向板と直交する
側にアース電極を配置し、前記磁界及び電界の均
一性及び軸対称性を一層向上したところにある。 〔発明の実施例〕 第２図は本発明の一実施例の概略断面図であ
る。 電子ビーム５は対物レンズ１で収束され、試料
２更にこの試料２が収束された電子ビーム５でも
つて走査されるように偏向コイル３により２次元
的に偏向される。試料２からは２次電子６が放出
され、対物レンズ１の磁場を通過し、上部へらせ
ん運動しながら進行する。偏向器８は電子ビーム
５に対しては全く偏向を与えず、試料２より放出
する２次電子６に対しては２次電子検出器４の側
に偏向するように構成する。 第３図は偏向器８の詳細の平面図である。 偏向器８は偏向板１，８−１、偏向板２，８−
２、アース電極１，８−３、アース電極２，８−
４および偏向コイル１，８−５、偏向コイル２，
８−６によつて構成される。偏向板１，８−１に
は負の電圧を印加し、偏向板２，８−２には正の
電圧を印加する。この正負の電圧とアース電極
１，２によつて電界が構成され、電子ビーム５は
左側の方向に力９を受ける。一方、偏向コイル
１，８−５、偏向コイル２，８−６によつて磁力
線１０を作ると、電子ビーム５は右方向の力１１
を受ける。したがつて、この電界による力９と磁
界による力１１とを等しくしておくと電子ビーム
５に対しては何ら偏向作用を及ぼさない。 この場合に、磁界発生用の偏向コイル１，８−
５及び偏向コイル２，８−６は、偏向板１，８−
１及び偏向板２，８−２の表面上に配置している
ので、偏向板１，８−１及び偏向板２，８−２は
偏向コイル１，８−５及び偏向コイル２，８−６
のコアを兼ねることができ、かつ、両者の関係は
常に同一の中心軸に対して機械的に配置されるの
で、その電界及び磁界の軸対称性を高精度に維持
することができる。加えて、これらの偏向器８の
周辺の磁界及び電界による影響を、アーム電極１
で防止しているので、前記電界及び磁界の均一性
及び軸対称性を一層高精度に維持することができ
る。 一方、試料２より放出される２次電子６に対し
ては電界による力はそのまま同じ方向に力を受け
るが、磁界による力は電子ビーム５が入射した方
向と逆に２次電子６が向かうので、反対側、すな
わち電界によつて受ける力と同方向に作用するこ
とになり第４図に概略断面を示す如く力を受け、
偏向板２，８−２の方向に２次電子検出器４を配
置しておくことにより、２次電子検出器４の方向
に２次電子６を誘導させることが出来る。 このように入射電子ビームに対しては偏向作用
を及ぼさないので軸ずれが生じることがなく、ま
た２次電子６に対しては２次電子検出器側に力を
作用させるので２次電子検出器４の２次電子６を
引き出すための電界７は極めて弱い状態でも、効
率良く２次電子６を検出することが可能になり、
２次電子検出器４による電界７の影響を電子ビー
ム５は受けない。したがつて低い加速電圧でも軸
ずれが生ずることなく、効率の良い２次電子検出
が可能になる。 第５図は偏向板１，２，８−１，８−２、およ
びアース電極１，２，８−３，８−４の具体的な
構成例を示したものである。 第６図は、偏向コイル１，８−５、偏向コイル
２，８−６をフレキシブルプリント板上に形成し
た具体例を示したものである。このコイルを第５
図に示す偏向板に巻きつけることにより第３図の
原理で説明した電場と磁場を形成することができ
る。 いま加速電圧を1kVとし、２次電子の偏向角を
30°（第４図におけるθ）、偏向板の内径を16ミリ
メータ（第４図におけるｄ）、偏向板の長さを14
mm（第４図におけるＬ）、さらに偏向コイルの径
を20mm（第４図におけるＤ）、偏向コイルの長さ
を10mm（第４図におけるｌ）、偏向コイルの中心
からの角度を120°（第３図におけるΨ）とすると
各２次電子のエネルギーの対して各電界、磁界お
よび偏向板の電圧差、磁界の強さが計算でき表１
の如くなる。 すなわち5eVの２次電子を30°2次電子検出器の
方向に曲げる電圧は9.92V、偏向コイルは0.59ア
ンペアターンであれば良いという結果となる。先
述したようにことのような関係を選べば電子ビー
ムに対しては偏向作用がなく、２次電子のみを２
次電子検出器側に軌道を曲げることができる。２
次電子のエネルギーは〜2eVをピークとしてせい
ぜい5eV程度までで２次電子の90％以上であり第
１表に示すように上述したような具体的数値に設
定することにより、２次電子のほとんどを２次電
子検出器に導くことができる。 したがつて、２次電子検出器は電子光学軸より
十分に離れた位置に配置することが出来るので電
子ビームが低加速電圧となつても、軸を曲げるこ
とがない。
該２次電子を検出する際に生ずる電子ビームの軸
ずれが生じない走査電子顕微鏡等の電子線装置の
２次電子検出装置に関する。 〔発明の背景〕 近年、走査電子顕微鏡は高分解能化が計られ、
特に半導体の観察では電子線ダメージを少なくす
るために低加速電圧で使用することが多くなつて
きている。第１図に従来装置の概略断面図を示
す。試料２は電子ビーム５で走査され、それによ
り試料２から２次電子６が放出される。この２次
電子６を検出するために２次電子検出器４が電子
ビーム５に直交する側に配置され、２次電子検出
器４が作る電界７で２次電子６を検出している。 このような構成においては、電子ビーム５が電
界７によつて、電子ビーム５′のように軌道が曲
げられ電子光学的軸ずれが生じ、対物レンズ１の
中心軸からはずれてしまう。特に低加速電圧の電
子ビームになるほど著しく曲げられ、軸ずれおよ
び非点の発生となり、低加速電圧での高性能化の
大きな障害となる。２次電子６を効率良く検出す
るためには、電界７が２次電子６を十分に検出し
２次電子検出器４に誘導するに十分な強度を有す
る必要があり上述した軸ずれ、非点発生は避けら
れない。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、２次電子の検出効率を向上す
る一方、電子ビームに対する軸ずれの影響を簡単
な構成でもつて高精度に防止することのできる走
査形電子顕微鏡等の電子線装置を提供するにあ
る。 〔発明の概要〕 本発明は、電子ビーム及びこの電子ビームと逆
方向の２次電子の双方が通る通路を挾んで偏向板
を対向配置し、この偏向板間に電位差を与えて電
界を形成すると共に、この偏向板の表面上にコイ
ルを配置し、前記電子ビームに対して作用する力
が前記電界と逆向きとなる磁界を当該ビームに与
えるように構成することにより、前記磁界発生用
コイルのコアを前記偏向板で兼ねることにより構
成を簡単にしつつ、前記偏向板及びコイルの位置
合わせ、即ち前記電界及び磁界の軸対称性を容易
にし、電子ビームの軸ずれを高精度に防止すると
同時に２次電子の取り出し効率を向上したところ
にある。更には、対向配置した偏向板と直交する
側にアース電極を配置し、前記磁界及び電界の均
一性及び軸対称性を一層向上したところにある。 〔発明の実施例〕 第２図は本発明の一実施例の概略断面図であ
る。 電子ビーム５は対物レンズ１で収束され、試料
２更にこの試料２が収束された電子ビーム５でも
つて走査されるように偏向コイル３により２次元
的に偏向される。試料２からは２次電子６が放出
され、対物レンズ１の磁場を通過し、上部へらせ
ん運動しながら進行する。偏向器８は電子ビーム
５に対しては全く偏向を与えず、試料２より放出
する２次電子６に対しては２次電子検出器４の側
に偏向するように構成する。 第３図は偏向器８の詳細の平面図である。 偏向器８は偏向板１，８−１、偏向板２，８−
２、アース電極１，８−３、アース電極２，８−
４および偏向コイル１，８−５、偏向コイル２，
８−６によつて構成される。偏向板１，８−１に
は負の電圧を印加し、偏向板２，８−２には正の
電圧を印加する。この正負の電圧とアース電極
１，２によつて電界が構成され、電子ビーム５は
左側の方向に力９を受ける。一方、偏向コイル
１，８−５、偏向コイル２，８−６によつて磁力
線１０を作ると、電子ビーム５は右方向の力１１
を受ける。したがつて、この電界による力９と磁
界による力１１とを等しくしておくと電子ビーム
５に対しては何ら偏向作用を及ぼさない。 この場合に、磁界発生用の偏向コイル１，８−
５及び偏向コイル２，８−６は、偏向板１，８−
１及び偏向板２，８−２の表面上に配置している
ので、偏向板１，８−１及び偏向板２，８−２は
偏向コイル１，８−５及び偏向コイル２，８−６
のコアを兼ねることができ、かつ、両者の関係は
常に同一の中心軸に対して機械的に配置されるの
で、その電界及び磁界の軸対称性を高精度に維持
することができる。加えて、これらの偏向器８の
周辺の磁界及び電界による影響を、アーム電極１
で防止しているので、前記電界及び磁界の均一性
及び軸対称性を一層高精度に維持することができ
る。 一方、試料２より放出される２次電子６に対し
ては電界による力はそのまま同じ方向に力を受け
るが、磁界による力は電子ビーム５が入射した方
向と逆に２次電子６が向かうので、反対側、すな
わち電界によつて受ける力と同方向に作用するこ
とになり第４図に概略断面を示す如く力を受け、
偏向板２，８−２の方向に２次電子検出器４を配
置しておくことにより、２次電子検出器４の方向
に２次電子６を誘導させることが出来る。 このように入射電子ビームに対しては偏向作用
を及ぼさないので軸ずれが生じることがなく、ま
た２次電子６に対しては２次電子検出器側に力を
作用させるので２次電子検出器４の２次電子６を
引き出すための電界７は極めて弱い状態でも、効
率良く２次電子６を検出することが可能になり、
２次電子検出器４による電界７の影響を電子ビー
ム５は受けない。したがつて低い加速電圧でも軸
ずれが生ずることなく、効率の良い２次電子検出
が可能になる。 第５図は偏向板１，２，８−１，８−２、およ
びアース電極１，２，８−３，８−４の具体的な
構成例を示したものである。 第６図は、偏向コイル１，８−５、偏向コイル
２，８−６をフレキシブルプリント板上に形成し
た具体例を示したものである。このコイルを第５
図に示す偏向板に巻きつけることにより第３図の
原理で説明した電場と磁場を形成することができ
る。 いま加速電圧を1kVとし、２次電子の偏向角を
30°（第４図におけるθ）、偏向板の内径を16ミリ
メータ（第４図におけるｄ）、偏向板の長さを14
mm（第４図におけるＬ）、さらに偏向コイルの径
を20mm（第４図におけるＤ）、偏向コイルの長さ
を10mm（第４図におけるｌ）、偏向コイルの中心
からの角度を120°（第３図におけるΨ）とすると
各２次電子のエネルギーの対して各電界、磁界お
よび偏向板の電圧差、磁界の強さが計算でき表１
の如くなる。 すなわち5eVの２次電子を30°2次電子検出器の
方向に曲げる電圧は9.92V、偏向コイルは0.59ア
ンペアターンであれば良いという結果となる。先
述したようにことのような関係を選べば電子ビー
ムに対しては偏向作用がなく、２次電子のみを２
次電子検出器側に軌道を曲げることができる。２
次電子のエネルギーは〜2eVをピークとしてせい
ぜい5eV程度までで２次電子の90％以上であり第
１表に示すように上述したような具体的数値に設
定することにより、２次電子のほとんどを２次電
子検出器に導くことができる。 したがつて、２次電子検出器は電子光学軸より
十分に離れた位置に配置することが出来るので電
子ビームが低加速電圧となつても、軸を曲げるこ
とがない。
以上、本発明によれば、互いに直交する電界及
び磁界を、中心軸に対して互いに対向配置した偏
向板、及びその表面上に夫々設けたコイルにより
形成しているので、その電界及び磁界の軸対称性
を面倒な位置調整を必要とせず高精度に維持でき
る。したがつて、製作が容易であり、かつ電子ビ
ームが低加速電圧となつても、電子ビームの軸ず
れを生ずることなく、２次電子を高効率で検出す
ることができる。
び磁界を、中心軸に対して互いに対向配置した偏
向板、及びその表面上に夫々設けたコイルにより
形成しているので、その電界及び磁界の軸対称性
を面倒な位置調整を必要とせず高精度に維持でき
る。したがつて、製作が容易であり、かつ電子ビ
ームが低加速電圧となつても、電子ビームの軸ず
れを生ずることなく、２次電子を高効率で検出す
ることができる。
第１図は従来装置の概略断面図、第２図は本発
明の概略断面図、第３図は偏向器の原理説明の平
面図、第４図は第３図の断面図、第５図は偏向板
の具体的外観図、第６図は偏向コイルの具体的外
観図である。 １……電子レンズ、２……試料、４……２次電
子検出器、５……電子ビーム、６……２次電子、
７……電界、８……偏向器、８−１，８−２……
偏向板、８−３，８−４……アース電極、８−
５，８−６……偏向コイル。
明の概略断面図、第３図は偏向器の原理説明の平
面図、第４図は第３図の断面図、第５図は偏向板
の具体的外観図、第６図は偏向コイルの具体的外
観図である。 １……電子レンズ、２……試料、４……２次電
子検出器、５……電子ビーム、６……２次電子、
７……電界、８……偏向器、８−１，８−２……
偏向板、８−３，８−４……アース電極、８−
５，８−６……偏向コイル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電子ビームを試料に照射し、当該電子ビーム
を前記試料上で走査する手段と、前記電子ビーム
と逆方向に前記試料から放出される２次電子を検
出する２次電子検出器とを備えた電子線装置にお
いて、前記電子ビーム及びこの電子ビームと逆向
きの前記２次電子の双方が通る通路を挾んで互い
に対向配置された偏向板と、該偏向板間で電界を
形成すべく、互いの偏向板間に電位差を与える直
流電源と、前記対向配置された夫々の偏向板の表
面上に配置され、前記電子ビームに対して作用す
る力が前記電界と逆向きとなる磁界を当該電子ビ
ームに与えるコイルとを備えたことを特徴とする
電子線装置。 ２ 特許請求の範囲第１項において、前記電子ビ
ーム及び前記２次電子の双方が通る通路を中心に
して、前記対向配置れさた偏向板と直交する方向
にアース電極を対向配置したことを特徴とする電
子線装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067743A JPS60212953A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 電子線装置 |
| US06/828,309 US4658136A (en) | 1984-04-06 | 1985-04-05 | Secondary electron detecting apparatus |
| DE3590146A DE3590146C2 (ja) | 1984-04-06 | 1985-04-05 | |
| GB08529033A GB2168839B (en) | 1984-04-06 | 1985-04-05 | Secondary electron detector |
| PCT/JP1985/000170 WO1985004757A1 (fr) | 1984-04-06 | 1985-04-05 | Detecteur d'electrons secondaires |
| DE19853590146 DE3590146T (de) | 1984-04-06 | 1985-04-05 | Vorrichtung zum Nachweis von Sekundärelektronen |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59067743A JPS60212953A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 電子線装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60212953A JPS60212953A (ja) | 1985-10-25 |
| JPH057821B2 true JPH057821B2 (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=13353728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59067743A Granted JPS60212953A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 電子線装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4658136A (ja) |
| JP (1) | JPS60212953A (ja) |
| DE (2) | DE3590146T (ja) |
| GB (1) | GB2168839B (ja) |
| WO (1) | WO1985004757A1 (ja) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3532781A1 (de) * | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Siemens Ag | Anordnung zur detektion von sekundaer- und/oder rueckstreuelektronen in einem elektronenstrahlgeraet |
| EP0236807A3 (de) * | 1986-03-07 | 1990-05-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Spektrometerobjektiv für die Korpuskularstrahl-Messtechnik |
| NL8602177A (nl) * | 1986-08-27 | 1988-03-16 | Philips Nv | Electronen detectie met energie discriminatie. |
| DE3750659T2 (de) * | 1986-11-28 | 1995-02-16 | Nippon Telegraph & Telephone | Beobachtungsvorrichtung, die geladene teilchenstrahlen verwendet und eine solhe vorrichtung verwendendes oberflächenbeobachtungsverfahren. |
| JPS6452370A (en) * | 1987-08-24 | 1989-02-28 | Hitachi Ltd | Potential measuring apparatus |
| JPH01220352A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-09-04 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡及びその類似装置 |
| US4983833A (en) * | 1988-11-21 | 1991-01-08 | Siemens Aktiengesellschaft | Device for the detecting of charged secondary particles |
| CA1317035C (en) * | 1989-01-25 | 1993-04-27 | Matthias Brunner | Method for examining a specimen in a particle beam instrument |
| DE3938660A1 (de) * | 1989-11-21 | 1991-05-23 | Integrated Circuit Testing | Korpuskularstrahlgeraet |
| DE4216730C2 (de) * | 1992-05-20 | 2003-07-24 | Advantest Corp | Rasterelektronenstrahlgerät |
| JP3730263B2 (ja) * | 1992-05-27 | 2005-12-21 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 |
| JP3081393B2 (ja) * | 1992-10-15 | 2000-08-28 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
| JP3291880B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2002-06-17 | 株式会社日立製作所 | 走査形電子顕微鏡 |
| US5475228A (en) * | 1994-11-28 | 1995-12-12 | University Of Puerto Rico | Unipolar blocking method and apparatus for monitoring electrically charged particles |
| US5894124A (en) * | 1995-03-17 | 1999-04-13 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope and its analogous device |
| JP3341226B2 (ja) * | 1995-03-17 | 2002-11-05 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
| EP0769799B1 (en) * | 1995-10-19 | 2010-02-17 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
| JP3514070B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2004-03-31 | 株式会社日立製作所 | 走査電子顕微鏡 |
| US6642520B2 (en) | 1999-04-13 | 2003-11-04 | Kabushiki Kaisha Topcon | Scanning electron microscope |
| US7241993B2 (en) | 2000-06-27 | 2007-07-10 | Ebara Corporation | Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system |
| US6593578B1 (en) * | 2001-11-08 | 2003-07-15 | Schlumberger Technologies, Inc. | Wien filter for use in a scanning electron microscope or the like |
| DE102007045874A1 (de) * | 2007-09-25 | 2009-04-02 | Ceos Corrected Electron Optical Systems Gmbh | Multipolspulen |
| DE102009018210C5 (de) | 2009-04-21 | 2022-08-18 | Khs Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung der Intensität eines Elektronenstrahles |
| US8436317B1 (en) | 2011-11-09 | 2013-05-07 | Hermes-Microvision, Inc. | Wien filter |
| US11532760B2 (en) | 2017-05-22 | 2022-12-20 | Howmedica Osteonics Corp. | Device for in-situ fabrication process monitoring and feedback control of an electron beam additive manufacturing process |
| EP3597333A1 (en) | 2018-07-19 | 2020-01-22 | Howmedica Osteonics Corporation | System and process for in-process electron beam profile and location analyses |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1128107A (en) * | 1965-06-23 | 1968-09-25 | Hitachi Ltd | Scanning electron microscope |
| JPS4936496B1 (ja) * | 1970-04-18 | 1974-10-01 | ||
| AU521225B2 (en) * | 1977-04-19 | 1982-03-25 | Delalande S.A. | Alkylenedioxy phenyl derivatives |
| KR850001390B1 (ko) * | 1980-07-31 | 1985-09-24 | 니혼 덴시 가부시끼 가이샤 | 2차 전자 검출장치 |
| JPS58179375A (ja) * | 1982-04-15 | 1983-10-20 | Jeol Ltd | 荷電粒子線装置用二次電子検出装置 |
| JPS6047358A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-14 | Hitachi Ltd | 電子線装置 |
| JPS6047385A (ja) * | 1983-08-25 | 1985-03-14 | ケル株式会社 | 中間接続コネクタ |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP59067743A patent/JPS60212953A/ja active Granted
-
1985
- 1985-04-05 GB GB08529033A patent/GB2168839B/en not_active Expired
- 1985-04-05 US US06/828,309 patent/US4658136A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-04-05 DE DE19853590146 patent/DE3590146T/de active Pending
- 1985-04-05 WO PCT/JP1985/000170 patent/WO1985004757A1/ja not_active Ceased
- 1985-04-05 DE DE3590146A patent/DE3590146C2/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3590146T (de) | 1986-04-03 |
| GB2168839B (en) | 1988-06-08 |
| US4658136A (en) | 1987-04-14 |
| WO1985004757A1 (fr) | 1985-10-24 |
| GB2168839A (en) | 1986-06-25 |
| JPS60212953A (ja) | 1985-10-25 |
| GB8529033D0 (en) | 1986-01-02 |
| DE3590146C2 (ja) | 1990-06-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH057821B2 (ja) | ||
| KR102903956B1 (ko) | 멀티빔 생성 유닛 및 멀티빔 편향 유닛의 명백한 개선 | |
| US7947964B2 (en) | Charged particle beam orbit corrector and charged particle beam apparatus | |
| US7872240B2 (en) | Corrector for charged-particle beam aberration and charged-particle beam apparatus | |
| CN108807118B (zh) | 一种扫描电子显微镜系统及样品探测方法 | |
| US20050001165A1 (en) | Detector optics for charged particle beam inspection system | |
| JPH0736321B2 (ja) | 定量的電位測定用スペクトロメ−タ−対物レンズ装置 | |
| JP4162343B2 (ja) | 電子線装置 | |
| JPH02718U (ja) | ||
| US20080224063A1 (en) | Charged particle optics with azimuthally-varying third-order aberrations for generation of shaped beams | |
| WO2001009922A1 (en) | Electrostatic alignment of a charged particle beam | |
| JP2632808B2 (ja) | 定量的電位測定用スペクトロメーター対物レンズ装置 | |
| JPS61101944A (ja) | 荷電粒子ビ−ム用集束装置 | |
| CN208208712U (zh) | 一种扫描电子显微镜系统 | |
| US7164139B1 (en) | Wien filter with reduced chromatic aberration | |
| US20140034845A1 (en) | Charged Particle Optics with Azimuthally-Varying Third-Order Aberrations for Generation of Shaped Beams | |
| JP4781211B2 (ja) | 電子線装置及びこれを用いたパターン評価方法 | |
| US6664544B1 (en) | Magnetic immersion lense with detection arrangement | |
| CN112086332B (zh) | 一种静电偏转装置及其偏转方法 | |
| US7394069B1 (en) | Large-field scanning of charged particles | |
| JP3101141B2 (ja) | 電子ビーム装置 | |
| JPH0236207Y2 (ja) | ||
| JP3753048B2 (ja) | 二次電子検出器 | |
| JPH0668832A (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JPS60154441A (ja) | 複数荷電ビ−ム用光学鏡体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |