JPH0578340B2 - - Google Patents

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JPH0578340B2
JPH0578340B2 JP8826788A JP2678888A JPH0578340B2 JP H0578340 B2 JPH0578340 B2 JP H0578340B2 JP 8826788 A JP8826788 A JP 8826788A JP 2678888 A JP2678888 A JP 2678888A JP H0578340 B2 JPH0578340 B2 JP H0578340B2
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voltage
impedance
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imaginary part
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Motoji Harato
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38Impedance-matching networks
    • H03H7/40Automatic matching of load impedance to source impedance
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/20Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
    • G01R33/28Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
    • G01R33/32Excitation or detection systems, e.g. using radio frequency signals
    • G01R33/36Electrical details, e.g. matching or coupling of the coil to the receiver
    • G01R33/3628Tuning/matching of the transmit/receive coil

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  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
[発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、磁気共鳴(MR:magnetic
resonance)現象を利用して生体の診断情報を得
るMRI装置(磁気共鳴診断装置)におけるプロ
ーブヘツドの入力側からみたインピーダンスZiを
特性インピーダンスZcに等しく調整するインピ
ーダンス自動調整装置に関する。 (従来の技術) 磁気共鳴現象は、静磁場中に置かれた零でない
スピン及び磁気モーメントを持つ原子核が特定の
周波数の電磁波のみを共鳴的に吸収・放出する現
象であり、γを原子核の種類に固有の磁気回転
比、またH0を静磁場強度とすると、この原子核
は下記式に示す角周波数ω0で共鳴する。 ω0=γH0 以上の原理を利用して生体診断を行う方法は、
上述の共鳴吸収の後に誘起される上記と同じ周波
数の電磁波を信号処理して例えば被検体の断層像
等を得るようにしている。 この場合、磁気共鳴による診断情報の収集は、
静磁場中に配置した被検体の全部位を励起し且つ
信号収集することができるものであるが、装置構
成上の制約やイメージング像の臨床上の要請か
ら、実際は特定のスライス面に対する励起とその
信号収集を行うようにしている。 また、MRI装置では被検体から送られるMR信
号を受信するためのアンテナとしてプローブヘツ
ドが用いられる。第23図はこのプローブヘツド
の等価回路の一例を示すもので、このプローブヘ
ツドには給電線(特性インピーダンスZc、多く
の場合50Ω)が接続され診断態様に応じて引き回
される。ここで、C1はチユーニング用の可変コ
ンデンサ、C2はマツチング用の可変コンデンサ、
Lはコイル、Rはコイルの等価的並列抵抗、Ziは
入力側からみたインピーダンスである。 ところでこのプローブヘツドを用いる場合は次
の2つの理由により、その入力側からみたインピ
ーダンス(以下単にインピーダンスと称する)Zi
を特性インピーダンスZcに等しく調整する必要
がある。 Zi≠Zcの場合は給電線でMR信号の伝送損失
が生じるので、S/N特性が劣化する。 MRI装置で使用される低雑音アンプは多く
の場合入力インピーダンスがZcで設計されて
いるので、Zi≠Zcの場合即ちZc以外の信号源
インピーダンスを持つ信号源と接続した場合
は、ノイズフイギユアマツチングを犠牲にする
ことになるため必ずしも低雑音が保証されな
い。 第23図の等価回路において、可変コンデンサ
C2,C1とインピーダンスZiとの関係は次式のよ
うに示される。 C2=2/ω√Zi(R−Zi)[F] …(1)
【化】 (但しR、Ziは実数) 上記(1)、(2)式から明らかなように、Ziを大きく
するとC2は小さくなり、C1は大きくなる。即ち、
R、Lが一定の基ではC2を小さくすれば(勿論
C1もそれに合わせて少し大きくする)、純抵抗に
なるように合わせたプローブヘツドのインピーダ
ンスZiは大きくすることができる。 次に第23図における点線内の回路部分のイン
ピーダンスZxを計算すると次式のようになる。
【化】 また、2つのC2の回路部分のインピーダンス
ZYは次式で示される。
【化】 即ち、上記式(3)、(4)から明らかなように、Zi
は、C1、R、Lによつて形成されるZxと、2つ
のC2によつて形成されるZYとから構成されてお
り、従つて、Ziを純抵抗にするためには、(3)式に
おける虚部(インダクテイブなリアクタンス分)
を、(4)式で示される虚部(キヤパシテイブなリア
クタンス分)によつて相殺して零にすればよいこ
とがわかる。 以上の事実に基き、前記したようにZi=Zcの
条件を満足させるためには、Zi<Zcの関係にあ
る場合はC2を小さく調整し且つそのとき生じた
虚部を相殺するようにC1を大きく調整すること
により、Ziを大きくなるように調整すればよい。 また、Zi>Zcの場合は逆にC2を大きく且つC1
を小さく調整することにより、Ziを小さくするよ
うに調整すればよい。 ところで、プローブヘツド単体ではQが高いこ
とが要求され、かつ撮影時には被検体がプローブ
ヘツドに接近するために、実際の撮影時のプロー
ブヘツドの第1次近似としての等価回路は第23
図と異なつて第24図のように示される。ここ
で、Cs,Cs′は人体とコイル間の浮遊容量、Rpは
人体の等価的抵抗である。従つて、インピーダン
スZiもZi′に変化してしまうようになる。第24
図は第25図のように等価変換することができ、
さらに第26図のように簡略化することもでき
る。第25図でCs″はCs,Cs′,Rpを並列変換し
たときの等価的容量、Rp′はCs″と同様に変換し
たときの等価的容量である。但し、 R≒Rp′R/Rp′+R;C1′=Cs″+C1 である。このような第26図の等価回路におい
て、Zi′=Zcの条件から可変コンデンサC2,C1′と
インピーダンスZcとの関係は、前記(1)、(2)式に
準じて次式のように示される。 C2=2/ω√Zc(R′−Zc)[F] …(1)′
【化】 (ω=2π;(Hz)はMR信号の共鳴周波数) 従つて、第23図の場合と同様にC1′,C2を調
整することによりZi=Zcの条件を満足させるこ
とができる。 従来、この調整は、出力インピーダンスがZc
(純抵抗)の発振器を用意し、これとプローブヘ
ツド間に方向性結合器を挿入することにより、反
射電力が零になるところを試行錯誤で見つけるよ
うにして行われていた。 (発明が解決しようとする課題) ところで従来の調整方法としては、一般に撮影
に先だつて手作業により2つの可変コンデンサを
同時に調整するようにしている。しかし乍、2つ
の可変コンデンサを、手作業により同時に調整し
Zi=Zcとすることは勘や経験に頼るところが大
きく、極めて効率が悪いという問題がある。 そこで本発明の目的は、効率良くインピーダン
ス調整を行なえるMRI装置のインピーダンス自
動調整装置を提供することにある。 [発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明は上記課題を解決し且つ目的を達成する
ために次のような手段を講じた構成としている。
すなわち、本発明は、プローブヘツドに信号を供
給する出力インピーダンスがZcの発振器と前記
プローブヘツドとの間に設けられ前記プローブヘ
ツドのインピーダンスZiを実部と虚部とに分けて
電圧として検出する検出部と、虚部の電圧が零を
示すコンデンサC1,C2の組合せの初期値を見つ
け出すためのイニシヤル・ルーチンとこのイニシ
ヤル・ルーチンにより設定されたコンデンサC1
C2の組合せの初期値及び前記検出部により検出
した実部及び虚部の電圧により各電圧を零に調整
するためのコンデンサ制御信号を得るマツチン
グ・ルーチンとが実行されるコントロール部とを
具備したことを特徴とする。 (作 用) このような構成によれば、プローブヘツドのイ
ンピーダンスが実部と虚部とに分けて電圧として
検出され、この各電圧が零となるような制御が行
なわれて、プローブヘツドのインピーダンスZiが
特性インピーダンスZcに等しくなるように調整
される。従つて、調整が手作業によることなく自
動的に行なわれるので、効率のよい調整が行なわ
れる。 (実施例) 先ず本発明の原理を説明する。 “RF expo east(Nov.10−12、1986、
Boston,Massachusetts”で紹介されている論
文“A Complex Impedance Meter(Carl G.
Lodstroem,Dowkey Microwave Corporation
1110 Mark Avenue Carprinteria,CA 93013−
2918)”によると、第17図に示すように発振器
1(出力インピーダンスZc)と負荷2(インピ
ーダンスZL)間にλ/8ケーブルを接続すること
により(このλ/8ケーブルについては後述す
る。)、負荷2のインピーダンスが実部(Re:
Real Part)と虚部(Im:Imaginary part)と
に分けて電圧に対応した形で容易に検出できるこ
とが示されている。尚、D1,D2,D3,D4はダイ
オード、R1,R2は可変抵抗、3は実部に対応し
た直流電圧計、4は虚部に対応した直流電圧計、
5は減衰器(発振器1の出力インピーダンスを正
確にZc(=50Ω)にするためのもの)である。 λ/8ケーブルが正確にケーブル長に合つてい
る場合、負荷2としてZL=Zcの値のものを接続
し電圧計3,4の指示がどちらも0(V)となるよう
に、予め可変抵抗器(トリムポツト型)R1,R2
を調整して初期状態を設定しておくものとする。
この状態で例えば実部(Re)がZcより小さい場
合は実部電圧計3は正の電圧を示し、Zcより大
きい場合は負の電圧を示す。また、虚部(Im)
がインダクテイブな場合は虚部電圧計4は正の電
圧を示し、キヤパシテイブな場合は負の電圧を示
す。従つて、実部電圧計3及び虚部電圧計4の指
示を観察することにより、負荷のインピーダンス
Zcの値が大小のいずれの方向にずれているかを
把握することができる。なお、λは発振器1の周
波数によつて決定される。 上述の検出器、つまりλ/8検出器について更
に詳細に説明する。すなわち、第18図に示す回
路を考えた場合、一般に、点Pでの電圧V0(Z)は
下記の式のようになる。 V0(Z)=Vlcosβ(l−Z)+jZcIlsinβ(l−Z) ここで、β=2π/λ、Zl=Vl/Ilより、V0(Z)
は下記式(5)式のようになる。 V0(Z)=Vl{cos2π(l−Z)/λ+jZc/Zlsin 2π(l−Z)/λ} …(5) よつて、λ/8ケーブルによるComplex
Impedance Meterの原理図は、第19図のよう
になる。 第19図の点P1,P2,P3,P4における電圧を
V1,V2,V3,V4とする。そして、信号源インピ
ーダンスは、λ/8ケーブルの特性インピーダン
スZcと一致しているものと仮定する。 点P1,P2,P3,P4の位置は、λ/8の整数倍
のところであることから、 l−Z=λ/8,2λ/8,3λ/8,4λ/8且
つβ=2π/λ ∴β(l−Z)=π/4,π/2,3/4π,πとなる
。こ れを上記(5)式に代入すると、V1,V2,V3,V4
次のようになる。 V1=Vl(cosπ/4+jZl/Zcsinπ/4) =Vl/√2Zc(Zc+jZl) V2=Vl(cosπ/2+jZl/Zcsinπ/2) =Vl/Zc(jZl) V3=Vl/√2Zc(−Zc+jZl) V4=Vl 上記第19図における点P1,P3(もしくはP2
P4)をi,jで代表させると、第19図は第2
0図のように表わすことができる。また、第20
図は等価的に第21図a、さらには第21図bの
ように置き換えられる。 ここで、 R1I1+R2(I1−I2)=E1−E2 +)R2(I2−I1)+R0I2=E2 …(6) ∴ R1I1+R0I2=E1 …(7) 上記(6)式より、 ∴ (R1+R2)I1−R2I2=E1−E2 …(6)′ 上記(7)、(6)′式をI2について解く。
【化】 E0=R0I2=R0・R2E1+R1E2/R1R2+R0(R1+R2) 原理的にR1=R1とでき、これにより、E0は下
記式のようになる。 E0=(E1+E2)R0/R1+2R0 今、R1(=R2)≪R0とすると、E0は次のように
なる。 E0=E1+E2/2=|Vi|−|Vj|/2 ただし、Vi,Vjの電圧は、それぞれダイオー
ドDi,Djで整流後、Ci,Cjで平滑されるため、
Vi,Vjの最大値つまり振幅電圧E1,E2となる。 そして、未知のインピーダンスZl=Rx+jNx
と表現すると、 (i) 虚数部分で検出される電圧をVInとすると、
下記(8)式のようになる。 VInΔ = |V1|−|V3|/2 |V1|=|Vl|/√2Zc・√(−)22
|V3| =|V1|/N22c・√(+)22 代入により、 VIn=|Vl|/2√2Zc (Zc/\2−2NxZc+Nx//2
+Rx/2)−(Z/\c+2NxZc+Nx//2+Rx
2)/√(Zc−Nx)2+Rx2+√(Zc+Nx)2+Rx2 ∴VIn=−√2|Vl|{Nx/√(Zc−Nx)2+Rx2+√(Z
c+Nx)2+Rx2}…(8) 以上により、Nxの正負を反映した電圧が発生
する。 (ii) 実数部分で検出される電圧をVReとすると、
下記(9)式のようになる。 VReΔ = |V2|−|V4|/2 |V2|=|Vl|/Zc√22 |V4|=|Vl| VRe=|Vl|/2Zc・(√22−Zc) ∴ VRe=|Vl|/2Zc・(Rx2−Zc2)+Nx2/√Rx2+Nx
2+Zc 仮に、Zl=Rx(Nx≡0)とすれば、 VRe=|Vl|/2Zc・(Rx−Zc) …(9) 以上によれば、未知のインピーダンスZl=Rx
+jNxの虚数部Nxを反映した電圧VInが得られ
る。次に、この電圧VIn≡0になるように、負荷
インピーダンスを調整する。つまりNx=0とな
るようにすると、実数部RxとZcの差を反映した
電圧VReが得られる。 次に、検出部と負荷(プローブヘツド)との間
にλ/2長の整数倍のケーブルが接続されていて
も、上述の電圧VRe,VInの検出には支障がない
ことを説明する。 第22図に示すように、プローブヘツドのイン
ピーダンスをZlとし、伝送線路の長さをl(特性
インピーダンスをZcとする。)、検出器からみた
インピーダンスをZ(0)とする。このとき、無
損失線路の場合は下記(10)式が成立する。 Z(0)=ZcZl+jZctanβl/Zc+jZltanβl …(10) ただし、β=2π/λ位相定数であり、λは伝
送線路の1波長である。今、一定の周波数の場合
(β=一定)を考えると、Z(0)≡Zlが成立する
ことが、検出器〜プローブヘツドの伝送線路に要
求される条件である。この理由は次のように説明
される。すなわち、プローブヘツドのインピーダ
ンスを直接みたインピーダンスZlが、長さlの伝
送線路を通してみたインピーダンスZ(0)に等
しければ、遠方からプローブヘツドのインピーダ
ンスを観測できるからである。 Z(0)≡Zl …(11) (10)、(11)より、 Zl≡ZcZl+jZctanβl/Zc+jZltanβl ∴(Zl−Zc)(Zl+Zc)tanβl≡0 ここで、Zlは任意であるから、恒等的に成立す
るためにはtanβl≡0であればよい。 ∴βl=nπ(nは整数) β=2π/λより、2π///λ・l=nπ/ ∴l=n・(λ/2) 以上によれば、周波数が一定の場合、プローブ
ヘツド〜検出器間の伝送線路の長さlが半波長の
整数倍であれば、直接測定したインピーダンス
も、伝送線路を通して測定したインピーダンスも
同一にみえることが理解される。 本発明はこのような原理を基になされたもので
以下図面を参照して説明する。 第1図は本発明の一実施例のMRI装置のイン
ピーダンス自動調整装置を示すブロツク図で、出
力インピーダンスがZcの発振器1とプローブヘ
ツド6との間に検出部7が接続され、この検出部
7とプローブヘツド6間にコントロール部8が接
続される。検出部7の構成は第16図と同様に
λ/8ケーブルを用いることにより、プローブヘ
ツド6のインピーダンスZiを実部(Re)と虚部
(Im)とに分けて各々の電圧計によつて電圧とし
て検出するようになつている。 また、コントロール部8は、例えば後述の第2
図のような構成になつており、前記検出部7によ
つて検出された実部電圧(Re側電圧)と虚部電
圧(Im側電圧)に応じて各電圧を零に調整する
ための制御信号をプローブヘツド6のコンデンサ
C1,C2又はそのアクチユエータに供給するよう
になつている。 第2図に示すように、コントロール部8は、
Re側電圧とIm側電圧とを、サンプルホールド回
路8a1,8a2、A/D変換回路8b1,8b2、ラツ
チ回路8c1,8c2によりデイジタル信号化し、こ
れらをマイクロプロセツサからなるデイジタル・
コントロール部8dに導き、ここで詳細は後述す
るイニシヤル・ルーチン及びマツチング・ルーチ
ンを実行し、その結果をD/A変換回路8e1,8
e2、コンデンサ・ドライバ8f1,8f2にて制御信
号(C1コントロール信号、C2コントロール信号)
を得るようになつている。 ここで、デイジタル・コントロール部8dが実
行されるイニシヤル・ルーチンは、Im側電圧が
0VとなるようなコンデンサC1,C2の組合せの初
期値を見つけるためのものであり、マツチング・
ルーチンは、前記イニシヤル・ルーチンで見つけ
出したコンデンサの初期値と、Re側電圧及びIm
側電圧とを用いて、両電圧が零つまりZi=Zcと
なるC1,C2を決定するものである。 以下、理解を容易とするために、イニシヤル・
ルーチンの説明に先だち、適正なる初期値が設定
された基でのコンデンサマツチングを行なうマツ
チング・ルーチンの説明を行なう。すなわち、
Re側電圧が正の場合、負の場合、またIm側電圧
が正の場合、負の場合の4つのケースにより、
C1,C2を適宜調整するものである。 第1図の検出部7によつて検出された実部電圧
(Re側電圧)が正の場合、前記本発明の原理から
Zi<Zcと判定できるので、プローブヘツド6の
C2を小さくするような(前記(1)式に基き)制御
信号を供給する。これによつてZiはZcより大と
なる方向に向かうので、実部電圧が0(V)になつた
とき、C2に対する制御信号の供給を停止する。 検出部7によつて検出された実部電圧が負の場
合、前記と逆にZi>Zcと判定できるので、C2
大きくするような制御信号を供給する。これによ
つてZiはZcより小となる方向に向かうので、実
部電圧を0(V)にすることができる。 検出部7によつて検出された虚部電圧(Im側
電圧)が正の場合、前記本発明の原理からインダ
クテイブと判定できるので、C1を小さくするよ
うな制御信号を供給する。これによつて虚部は相
殺されてキヤパシテイブな方向へ向かうので、虚
部電圧が0(V)になつたときC1に対する制御信号
の供給を停止する。 検出部7によつて検出された虚部電圧が負の場
合、前記と逆にキヤパシテイブを判定できるの
で、C1を大きくするような制御信号を供給する。
これによつて虚部はインダクテイブな方向へ向か
うので、虚部電圧を0(V)にすることができる。 このように、マツチング・ルーチンでは、検出
部7によつて検出された実部電圧と虚部電圧とに
応じて、各々を零にするような制御信号すなわち
負帰還(NFB)信号をプローブヘツド6のC2
はC1に供給するように動作するので、最終的にZi
=Zcの条件を満足するように調整される。この
とき、非収束を極力抑えるため虚部電圧を0Vに
コントロールするNFBの応答性を、実部電圧を
0Vにコントロールする方より十分に速くしてお
くことが望ましい。 以上が、マツチング・ルーチンの処理内容であ
るが、初期値の選定の如何によつては、ZiがZc
に収束しないで振動もしくは収束しない可能性が
ある。例えば、被検体が大幅に変化することによ
り、Ziも大幅に変化するような場合には、経験的
に設定したC1,C2の初期値では収束しないこと
がある。 イニシヤル・ルーチンは、上述の非収束を防止
するC1,C2の初期値を設定するためのものであ
る。 先づ、イニシヤル・ルーチンでの前提条件は、
C1,C2の可変範囲内で必ずZl=Zcとなつてイン
ピーダンス整合が可能であることが確認されてい
るものとし、次の2つのケースに大きく分類する
ことができる。 <ケース 1> Im側電圧を常に保つように、C1,C2を変化さ
せるとき、プローブヘツドの可変容量コンデンサ
が(インピーダンス整合のとれるC1,C2の組合
せ近くで)、C1を増加させたときC2が減少する傾
向(ΔC2/ΔC1<0)を示す場合。 このケース1のフローチヤートを第3図に示
す。第3図に示すように、スタートし、ステツプ
3S1でC1をmin.(最小値)、C2をmin.(最小値)と
する。ステツプ3S2にてC2をmin.からmax.(最大
値)に向つて増加させる。この場合、C1はmin.
に固定とする。このC2の増加に伴つて、ステツ
プ3S3にてIm側電圧が零(0(V))となつている
かどうかを判定する。Im側電圧=0(V)であれば、
イニシヤル・ルーチンを終了し、ここでC1,C2
の初期値は、前述の如くC1=min.、C2はステツ
プ3S2での値となり、設定完了となる。一方、
Im側電圧≠0(V)であれば、ステツプ3S4にてC2
をmax.に固定して、C1をmin.からmax.に向つて
増加させる。そして、このC1の増加に伴つて、
ステツプ3S5にてIm側電圧が(0(V))になつて
いるかどうかを判定する。Im側電圧=0(V)であ
れば、イニシヤル・ルーチンを終了し、ここで、
C1,C2の初期値は、前述の如く、C2=max.、C1
はステツプ3S4での値となり、設定完了となる。
ステツプ3S5にてIm側電圧≠0(V)のときはステ
ツプ3S4に戻つて同様の手順を繰返すことにな
る。 以上によりC1,C2の初期値が設定完了した基
で、前述したマツチング・ルーチンをステツプ3
S6で実行する。そして、ステツプ3S7にてIm側
電圧=0(V)且つRe側電圧=0(V)の条件を判定し、
この場合、負帰還(NFB)の制御を、このステ
ツプ3S6と3S5とで実行する。上述のステツプ3
S7の条件が成立したときのC1,C2はZi=Zcを満
足するものとなるので、このC1,C2に調整する
べく、第2図のC1,C2コントロール信号が発生
し、第23図の可変コンデンサC1,C2が調整さ
れ、インピーダンス整合が行なわれる。 <ケース 2> Im側電圧を常に0(V)に保つようにC1,C2を変
化させるとき、プローブヘツドの可変容量コンデ
ンサが(インピーダンス整合のとれるC1,C2
組合せの近くで)C1を少し増加したときC2が増
加する傾向(ΔC2/ΔC1≧0)を示す場合。 Im側電圧を常に0(V)に保つようなC1,C2の組
合せを示す曲線が第4図のようになることがわか
つている。第4図において、点Aは(C1)の極
小値であつて、その座標は (1/ω2L) − 1/ωR,2/ωR)である。 C1座標 C2/2座標 また、点Pはインピーダンス整合Zl=Zcとな
る点である。 先ず、C1の最小値(min.)の初期設定値を、
点Aと点Pの間に実験的に決めておくものとし、
これをC0 1min.とする。このような前提の基で第
5図のフローチヤートを実行する。第5図に示す
ように、スタートし、ステツプ5S1でC1=C0 1
min.とし、C2を最大値(max.)とする。次に、
ステツプ5S2にてC2をmax.からmin.に向かつて
減少させる。この場合、C1はC0 1min.に固定して
おく。このとき、ステツプ5S3でIm側電圧が零
(0(V))であるか否かを判定する。 ステツプ5S3でIm側電圧=0(V)であれば、イ
ニシヤル・ルーチンを終了し、ここで、C1,C2
の初期値は、前述の如くC1=C0 1min.、C2はステ
ツプ5S2での値となり、設定完了となる。ステツ
プ5S3にてIm側電圧≠0(V)のときはステツプ5
S4に進む。ステツプ5S4では、前述とは逆に、
C2をmin.に固定として、C1を、C0 1min.からmax.
に向かつて増加させる。そして、ステツプ5S5
てIm側電圧が零(0(V))であるか否かを判定す
る。Im側電圧=0であれば、イニシヤル・ルー
チンを終了し、ここで、C1,C2の初期値は、C2
=min.、C1はステツプ5S3での値となり、設定
完了となる。Im側電圧≠0であればステツプ5
S4に戻つて上述の手順を繰返すことになる。 以上により、C1,C2の初期値が設定完了とな
り、上述の<ケース1>と同様にステツプ5S6
5S7にてマツチング・ルーチンを実行し、C1
C2のコントロール信号を得る。このC1,C2コン
トロール信号により第23図の可変コンデンサ
C1,C2は調整され、インピーダンス整合が行な
われる。 以上のイニシヤル・ルーチンにおける<ケース
1>、<ケース2>及びマツチング・ルーチンを
まとめると次のようになる。 先づ、イニシヤル・ルーチンが必要である理由
として、被検体が変化した場合におけるC1,C2
の初期値設定に関し、その変化が小さい場合は、
マツチング・ルーチンから実行し、その変化が大
きい場合は、マツチング・ルーチンの実行に先立
ちイニシヤル・ルーチンを実行するものである。
そして、イニシヤル・ルーチンによれば、im側
電圧が零となる(プローブヘツドのインピーダン
スZl=Rl+jXlのリアクタンス分Xlが零になる。)
C1,C2の組合せを見つけることができるように
なる。そして、引続きマツチング・ルーチンによ
れば、Im側電圧が常に零となるように保ちなが
ら、Re側電圧が零となる(Zl=Rl+jXlの抵抗分
Rlが特性インピーダンスZcに一致することに対
応する。)C1,C2の組合せを見つけることができ
るようになる。よつて、イニシヤル・ルーチンを
実行した後にマツチング・ルーチンを実行するこ
とにより、インピーダンス整合Zi=Zcが行なわ
れるようになる。 次に上述したイニシヤル・ルーチン(ケース
1、ケース2)及びマツチング・ルーチンの動作
原理について説明する。すなわち、第23図に示
すプローブヘツドの等価回路において、Zl=Zc
(特性インピーダンスZcは通常50Ωである。)の
場合、C1,C2は次のようになる。
【化】 C2=2/ω√Zc(R−Zc) Zl=1/1/jωL+1/R+jωC1+1/jω(C2/2
)となり、 これを整理すると、 =ω2L2R/R2(1−ω2LC12+ω2L2 +j{1−ω2LC1)ωLR2/R2(1−ω2LC1+ω2L2
2/ωC2} ここで、Im側電圧=0(V)となる条件により、
C1とC2との関係を求めると、 (1−ω2LC1)ωLR2/R2(1−ω2LC12+ω2L2
2/ωC2≡0 ∴C2/2=−C1+1/ω2L−1/ω2R2(C1
−1/ω2L)(C1)…(14) C2/2=(C1)をプロツトすると第6図のよう になる。 第5図において、点Aは(C1)の極小値で、
C1座標、C2/2座標は(1/ω2L−1/ωR,2/ωR)
で ある。 また、点Pは、求めようとするインピーダンス
整合点(Zl=Zc)とする。この点Pは、必ず
C2/2=(C1)上に存在する。 なぜならば、(12)を(14)に代入すると、
【化】 となり、(13)と一致することからわかる。 ここで、C1,C2を調整することにより、必ず
インピーダンス整合が可能な点Pが存在すると仮
定する。つまり、C1,C2の可変範囲内で必ずZl
=Zcとなる場合が存在するものとする。この仮
定において、点A,PのC1座標の関係及びC1
C2の関係に着目したプローブヘツドの特性から、
イニシヤル・ルーチンは分類される。これが<ケ
ース1>、<ケース2>である。 <ケース1>の説明 このケース1は、第7図に示すように、点Pが
点Aより左側にある場合、つまり、
【化】 の場合である。 このとき、点Pの近傍で負の傾き(ΔC2/ΔC1<0) より判定できる。すなわち、これは、Im側電圧
=0(V)に保ち続けながら、C1を少し増すと、C2
を減少させなければならないという特性を示して
いる。このとき、C1,C2の可変範囲と、点Pと
の関係は、次の第8図〜第10図の場合が考えら
れる。ここで、斜線図は、可変コンデンサC1
C2の可変範囲を示している。以上が第3図のフ
ローチヤートである。 <ケース2>の説明 このケース2は、第11図に示すように、点P
が点Aより右側にある場合、つまり、
【化】 の場合である。 このとき、点Pの近傍で正の傾き(ΔC2/〓C1≧ 0)より判定できる。すなわち、これはIm側電
圧=0(V)に保ち続けながら、C1を少し増すと、
C2を増さなければならないという特性を示して
いる。このケース2の特性を示す場合、イニシヤ
ル・ルーチンを簡単にするために、実験的にC1
のmin.値の初期値としてC0 1min.を決めておくも
のとする。ここで、C0 1min.は、第12図に示す
ようにC1座標が点AとPとの間の任意の値とす
る。すなわち、
【化】 このとき、C1,C2の可変範囲と点Pとの関係
は、次の第13図〜第15図に示す場合が考えら
れる。以上が第5図に示すフローチヤートであ
る。 なお、可変コンデンサC1,C2の調整には、第
2図の制御信号によりコンデンサの容量を変える
アクチユエータを介して動作させるように構成し
たり、第16図に示すように可変容量ダイオード
C1,C2を直接調整する構成としてもよい。 本発明は上記実施例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形し
て実施できるものである。 [発明の効果] 以上のように本発明では、プローブヘツドに信
号を供給する出力インピーダンスZcの発振器と
前記プローブヘツドとの間に設けられ前記プロー
ブヘツドのインピーダンスZiを実部と虚部とに分
けて電圧として検出する検出部と、虚部の電圧が
零を示すコンデンサC1,C2の組合せの初期値を
見つけ出すためのイニシヤル・ルーチンとこのイ
ニシヤル・ルーチンにより設定されたコンデンサ
C1,C2の組合せの初期値及び前記検出部により
検出した実部及び虚部の電圧により各電圧を零に
調整するためのコンデンサ制御信号を得るマツチ
ング・ルーチンとが実行されるコントロール部と
を具備したことにより、プローブヘツドのインピ
ーダンスが実部と虚部とに分けて電圧として検出
され、この各電圧が零となるような制御が行なわ
れて、プローブヘツドのインピーダンスZiが特性
インピーダンスZcに等しくなるように調整され
る。従つて、調整が手作業によることなく自動的
に行なわれるので、効率のよい調整が行なわれる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のMRI装置のインピーダンス
自動調整装置の一実施例の構成を示すブロツク
図、第2図は同実施例におけるコントロール部の
詳細なブロツク図、第3図及び第5図は同コント
ロール部で実行されるイニシヤル・ルーチン及び
マツチング・ルーチンを示すフローチヤート、第
4図は第5図のフローチヤートのアルゴリズムを
適用する必要のあるプローブヘツドの特性を示す
図、第6図はC2/2=(C1)の関係を示す図、
第7図は第3図のフローチヤートのアルゴリズム
を適用する必要のあるプローブヘツドの特性を示
す図、第8図〜第10図は第3図のフローチヤー
トにおける3つの例を説明する図、第11図及び
第12図は第5図のフローチヤートの場合の例を
示す図、第13図〜第15図は第5図のフローチ
ヤートにおける3つの例を説明する図、第16図
はプローブヘツドの詳細な例を示す回路図、第1
7図はλ/8ケーブル検出器を説明する回路図、
第18図〜第21図はλ/8ケーブル検出器の原
理を説明する図、第22図は検出器とプローブヘ
ツド間にλ/2長の整数倍のケーブル又は等価回
路が挿入されてもプローブヘツドのインピーダン
スを直接測定できることを示す回路図、第23図
はプローブヘツドの等価回路、第24図は被検体
負荷時のプローブヘツドの等価回路、第25図は
第24図の変換等価回路図、第26図は第25図
の変換等価回路図である。 1…発振器、3…実部電圧計、4…虚部電圧
計、6…プローブヘツド、7…検出部、8…コン
トロール部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 磁気共鳴信号を受信するコイル、該コイルに
    並列に接続される第1のコンデンサ、及び該コイ
    ルに直列に接続される第2のコンデンサを有する
    プローブヘツドと、 前記プローブヘツドに接続される発振器と、 前記プローブヘツドと発振器との間に設けら
    れ、前記プローブヘツドの入力インピーダンスを
    実部と虚部とに分けて電圧として検出する検出部
    と、 前記検出部の出力に応じて虚部の電圧が零とな
    るように前記第1、第2のコンデンサの値を調整
    するイニシヤル・ルーチンと、該イニシヤルルー
    チンで調整された第1、第2のコンデンサの値及
    び前記検出部の出力に応じて実部と虚部の電圧が
    それぞれ零となるように前記第1、第2のコンデ
    ンサの値をさらに調整するマツチング・ルーチン
    とを実行するコントローラ部とを具備し、 プローブヘツドの入力インピーダンスを発振器
    の出力インピーダンスに等しく調整することを特
    徴とするMRI装置のインピーダンス自動調整装
    置。
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