JPH0578849A - 有磁場マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 マイクロ波を高磁場側から導入して、真空容
器内に電子サイクロトン共鳴条件を成立させてプラズマ
処理する有磁場マイクロ波プラズマ処理装置において、
マイクロ波電力が大きい場合でも安定してＥＣＲ放電が
維持でき、かつ、イオンのエネルギーをコントロールす
るために印加するＲＦ電場の勾配を小さくでき、更には
マイクロ波の波長による制約をも軽減できて、大面積の
均一処理が行えるものとする。 【構成】 真空容器(1) 内にマイクロ波を導入する導波
管(8) を偏平角筒状に形成して高磁場側に配置すると共
に、この導波管(8) の開口(18a) の出側に、試料(4) と
対向する板状に形成され、その一部にマイクロ波を通過
させる貫通穴(9a)を有する導電体(9) を配設して、試料
(4) にＲＦを印加した場合でも、ＲＦ電流を導電体(9)
の方向、すなわち磁場に平行な方向に流す構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、有磁場マイクロ波プラ
ズマにより発生したたイオン、ラジカル等により、ＣＶ
Ｄ（Chemical Vapor Deposition ）、エッチング、スパ
ッタリング等のプラズマ処理を行う有磁場マイクロ波プ
ラズマ処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】有磁場マイクロ波プラズマ処理装置にお
いては、磁界と電界との相互作用で電離を行い、電子の
みに電場のエネルギーが吸収されるため電離のためのエ
ネルギーが直接イオンを加速せず、イオンの入射エネル
ギーを低くすることができる。従って、ウェハ等の試料
を真空容器から電気的に絶縁した場合、電子とイオンの
移動速度の差により、試料のシース部に発生するシース
電圧のみにより加速された低エネルギー（十数ｅＶ）の
イオンを得ることができる。また、ＲＦバイアスをウェ
ハに印加した場合でも、イオンの入射エネルギーが揃っ
た最小限の入射イオンエネルギーで、下地に損傷を与え
る事なく処理を行うことができ、近年注目されている。

【０００３】一方、高集積化のためにウェハの大口径化
が進められている集積回路等のプラズマ処理において
は、高密度プラズマを大面積にわたり均一に閉じ込め、
この高密度プラズマ中に試料を配置して、方向性の制御
されたイオン流もしくはプラズマにより発生したラジカ
ルにより均一な処理を行う必要がある。また、その処理
は、プラズマ中の比較的寿命の短い荷電粒子であるイオ
ンによる反応が支配的な場合では、試料は、処理速度を
向上させるために、イオン密度が高いＥＣＲプラズマの
近傍で処理する必要があり、等方的な処理を行う場合で
は、イオン密度を低下させてラジカル主体の反応を行わ
せるために、ＥＣＲプラズマより離れたところで処理す
ることが要求される。例えばＣＶＤ処理の場合には、高
密度プラズマを大面積にわたり均一に閉じ込め、この高
密度プラズマ中のイオンまたはラジカルにより、下地を
損傷させることなく目的の形状に成膜することが求めら
れる。また、例えばスパッタリング処理の場合には、高
密度プラズマを大面積にわたり均一に閉じ込め、この高
密度プラズマ中のイオンによりターゲットをスパッタ
し、ターゲットの材質を目的に応じて試料に再付着させ
てスパッタデポジションを均一に行うか、または、この
高密度プラズマ中に試料を置いてスパッタエッチングを
均一に行うことが求められる。また、例えばエッチング
処理の場合には、高密度プラズマを大面積にわたり均一
に閉じ込め、この閉じ込められた高密度プラズマ中の方
向性が制御されたイオンもしくはプラズマにより発生し
たラジカルにより、下地を損傷させることなく、目的の
形状に成膜することが求められる。なお、一般に均一磁
界中では、方向の制御されたイオン流により異方性の高
い処理を行うことができ、発散磁界中では、イオンの方
向が乱れ、プラズマにより発生したラジカルが主体な反
応により等方性の高い処理を行うことができ、またエッ
チング形状は試料の位置により連続的に変化できる。

【０００４】このように、大面積のウェハ等の試料を高
品位に処理しようとした場合には、高密度プラズマを大
面積にわたり均一に閉じ込め、閉じ込められた高密度プ
ラズマの近くに試料を配置して、方向性の制御されたイ
オン流もしくはプラズマにより発生したラジカルにより
均一な処理を行う必要がある。そして、このような処理
を行うには、例えば、特開昭53-96398号公報に開示され
たプラズマ装置のように、磁場コイルより作られた磁界
の高磁場側からマイクロ波を真空容器内に導入する構成
が有利とされている。この例の従来のプラズマ装置で
は、空心コイルにより作られた磁界により、磁力線と直
角な平面にて一定の角周波数で円運動（サイクロトロン
運動）をしている電子の角周波数と同期した電磁波（マ
イクロ波）を、高磁場側から真空容器内に導入して、励
起された電子にて有磁場マイクロ波プラズマ（ＥＣＲプ
ラズマ）を形成し、高いイオン密度のイオンをそのまま
処理に活用できて、ＲＦの印加に生ずる自己バイアス電
圧によりイオンを加速しなくても高速度の処理ができる
ので、高速かつ低ダメージの処理を行える。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】磁場中のプラズマは、
その模式説明図である〔図８〕に示すように、電子(42)
が磁力線(41)に強く束縛され、自らは磁力線(41)を中心
にサイクロトロン運動を行いながら、この磁力線(41)に
沿って運動するため、磁力線(41)に平行な方向では移動
度が高いが、これに直交する方向への移動度が小さくな
る。このため、磁力線(41)に直交する方向の電子(82)の
移動が少なくなる。なお、〔図８〕において、(43)はイ
オン、(44)は中性粒子である。また、磁場コイルで形成
された発散磁場は、その模式説明図である〔図９〕に示
すように、磁力線(51)の発散が緩やかであり、また、試
料（ウェハ）面でも高い磁場が残っている。従って、発
散磁場に沿って移動する間に、イオン(53)は、該イオン
(53)より高い移動度の電子(52)により引き起こされる電
荷の不均一性を中和するように運動するので、あたかも
磁力線(51)に沿って運動する電子(52)を追いかけるよう
な挙動を示し、その方向性を乱して異方的な処理が行え
なくなるという問題がある。なお、〔図９〕において、
(54)は中性粒子である。

【０００６】しかし、上記従来のプラズマ装置のよう
に、高磁場側からマイクロ波を真空容器内に導入する構
成を採るタイプの装置では通常、その説明図である〔図
１０〕に示すように、円筒形の導波管(64)から石英ガラ
ス(63)等の絶縁体を通して真空容器(61)内に導入してい
るため、ＲＦ電流(I) は磁力線(B) に対して直交する方
向に流れる。そして前述のように、磁場に直交する方向
では、電子の移動度が小さくなるため、ＲＦ電流(I) に
対して抵抗が高くなり、ＲＦ電場の勾配を形成して、試
料(65)の処理が不均一になるという問題がある。また、
ＲＦを印加しない場合でも、マイクロ波の波長が十数cm
と試料（ウェハ）と同程度の大きさであることから、そ
の処理が不均一になるという問題がある。なお、〔図１
０〕において、(62)は電極、(67)は空心コイル、(67)は
ＲＦ電源である。このように、高磁場側からマイクロ波
を真空容器内に導入する従来のプラズマ装置では、高い
イオン密度のイオンによって高速度かつ低ダメージの処
理を行えるものの、イオンのエネルギーをコントロール
するためにＲＦを印加した場合、ＲＦ電流が磁力線に対
して直交する方向に流れるため、ＲＦ電場の勾配が発生
して、試料（ウェハ）の処理が不均一になるという問題
がある。

【０００７】本発明は、上述した従来技術の問題点を解
決するためになされたものであって、マイクロ波電力が
大きい場合でも安定してＥＣＲ放電が維持でき、かつ、
イオンのエネルギーをコントロールするために印加する
ＲＦ電場の勾配を小さくでき、更にはマイクロ波の波長
による制約をも軽減できて、大面積の均一処理が行える
有磁場マイクロ波プラズマ処理装置を提供することを目
的とするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成とされている。すなわち、本
発明に係る有磁場マイクロ波プラズマ処理装置は、内部
に処理ガスを導入すると共に試料を収納する真空容器
と、この真空容器内の試料表面に垂直に磁力線が交わる
ように磁界を形成する磁界発生手段と、この磁界発生手
段が形成する磁界の高磁場側から、マイクロ波を真空容
器内に導入する導波管を有するマイクロ波導入手段とを
備えてなり、真空容器内に電子サイクロトン共鳴条件を
成立させて処理ガスをプラズマ化することにより、試料
にエッチング、スパッタリング、ＣＶＤ等のプラズマ処
理を行う有磁場マイクロ波プラズマ処理装置において、
真空容器内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入手段
の導波管の出側に、試料と対向する板状に形成され、そ
の一部にマイクロ波を通過させる貫通穴ないしは絶縁材
置換部を有する導電体を配設したことを特徴とする。

【０００９】

【作用】本発明装置においては、真空容器内の試料表面
に垂直に磁力線が交わるように磁界を形成する磁界発生
手段と、この磁界発生手段が形成する磁界の高磁場側か
ら、マイクロ波を真空容器内に導入する導波管を有する
マイクロ波導入手段とを備えるので、その磁界発生手段
により作られた磁界によって、磁力線と同方向にマイク
ロ波（電磁波）を導入して、励起された電子にて有磁場
マイクロ波プラズマ（ＥＣＲプラズマ）を形成し、この
ＥＣＲプラズマの発生場所の近傍でプラズマ処理するこ
とができる。また、形成したＥＣＲプラズマ中で生成さ
れたイオンが短時間の内に被処理場所に到達するので、
例えば、低磁場側からマイクロ波を真空容器内に導入す
る場合のように、移動中に電子とイオンが衝突して再結
合してイオンが消滅したり、拡散によってプラズマが薄
められたりすることがなく、高いイオン密度のイオンを
そのまま処理に活用でき、ＲＦの印加に生ずる自己バイ
アス電圧によりイオンを加速しなくても高速度の処理が
できるので、高速かつ低ダメージの処理を行える。ま
た、その磁界発生手段が形成する磁界の高磁場側から、
マイクロ波を真空容器内に導入するマイクロ波導入手段
の導波管出側に、試料と対向する板状に形成され、その
一部にマイクロ波を通過させる貫通穴ないしは絶縁材置
換部を有する導電体を配設するので、真空容器内にマイ
クロ波を導入してＥＣＲプラズマを形成させる一方で、
イオンのエネルギーをコントロールするためのＲＦ印加
によって生じるＲＦ電流を、試料と対向して配設された
導電体に向けて流し、すなわち磁力線に対して平行な方
向に流し、ＲＦ電場の勾配を小さく抑制して、大口径の
処理物についても均一に処理することができる。

【００１０】

【実施例】以下に、本発明に係る有磁場マイクロ波プラ
ズマ処理装置の実施例を、その概要説明図である〔図
１〕〜〔図７〕を用いて説明する。

【００１１】〔図１〕は本発明の第１の実施例のプラズ
マ処理装置の概要説明図であって、(a)図は要部正断面
図、(b) 図は(a) 図のＡ−Ａ断面図である。〔図１〕に
おいて、(1) は真空容器であって、この真空容器(1)
は、側壁に処理ガスを導入するガス導入口(1a)と排気口
(1b)とを設けた円筒状の本体部の上部に、マイクロ波を
通過させる円盤状の石英板(2) を配すると共に、その下
部に試料(4) を載置する円盤状の電極(3) を配して圧力
容器に形成されてあり、図外の真空脱気装置によってそ
の内部を真空引き可能とされている。

【００１２】また、電極(3) は、絶縁部材(5) の介装に
より、真空容器(1) 本体部とは電気絶縁される一方で、
高周波電源(6) に接続されてあり、この高周波電源(6)
からＲＦを印加される。また、この電極(3) は、図示を
省略した冷却水路を内設すると共に、図外の冷却水供給
手段に連結されて、温度制御が可能とされている。

【００１３】(7) と(7')は対の永久磁石であって、これ
ら対の永久磁石(7),(7')は、上下面に磁極をもつ円盤状
のもので、互いに異なる磁極を対向させて平行に、真空
容器(1) の上下に配設され、真空容器(1) 内の試料(4)
の表面に対して垂直に磁力線が交わるように磁界を形成
する。

【００１４】(8) は導波管であって、この導波管(8)
は、偏平角筒状に形成され、上部の永久磁石(7) との間
の石英板(2) 上に位置して配されてあり、図外のマイク
ロ波電源からのマイクロ波（電磁波）を、永久磁石(7)
により形成された高磁場側に導き、その先端部下面に設
けた矩形状の開口(8a)、いわゆるスロットアンテナか
ら、石英板(2) を通して真空容器(1) 内に導入する。

【００１５】(9) は導電体であって、この導電体(9)
は、その外郭形状を石英板(2) の下面を覆う平円盤状に
形成され、石英板(2) の直下に位置して、かつ真空容器
(1) と電気的に接続されて配設されてある。また、この
導電体(9) の導波管(8) の開口(8a)の位置に対応する中
央部には、この開口(8a)から導入されるマイクロ波を通
過させるため、該開口(8a)と同形の矩形状の貫通穴(9a)
が設けられている。

【００１６】上記構成の本実施例のプラズマ装置では、
試料(4) を電極(3) 上に載置して真空容器(1) 内に配置
し、この真空容器(1) 内を脱気すると共に、ガス導入口
(1a)から処理ガスとしての塩素ガス等を導入した後、高
周波電源(6) により電極(3)にＲＦを印加することで電
界を供給すると共に、導波管(8) を介してマイクロ波を
導入し、対の永久磁石(7),(7')により付加された875Gau
ssの磁界との相互作用により試料(4) の上にＥＣＲ条件
を形成して処理ガスをプラズマ化し、対の永久磁石(7),
(7')が形成する磁場により閉じ込められた均一なプラズ
マ中のイオン、ラジカル等によって、ＣＶＤ、エッチン
グ、スパッタリング等のプラズマ処理を行うのである。

【００１７】ところで、一般的に用いられているＴＥ₁₀
モードの角型導波管では、その模式説明図である〔図
２〕の (a)図に示すようにマイクロ波Ｍを導入すると、
(b)図に示すように、導波管の内面を流れる表面電流Ｓ
と、この電流Ｓに直交する磁力線Ｂが発生する。従って
角型導波管では、その幅方向の寸法ｗは小さくするのに
限界があり、カットオフ波長より短くすることができな
い（工業的に用いられている長さは95mmである）。しか
し一方、厚さ方向の寸法ｔは、 (c)図に示すように、こ
の導波管の対向する内面間に発生する電界Ｅの強さが、
空気中の放電開始電圧に達するまで短くできる。また、
一般的なプラズマ処理に用いられるマイクロ波電力は高
々数ｋＷであるので、この厚さ方向の寸法ｔは１cm程度
まで短くすることができる。また、幅方向の寸法ｗがカ
ットオフ波長より短くても、短い距離であればマイクロ
波の伝搬が可能である。そして、このように偏平角筒状
に形成された導波管の一部に穴をあけた場合、この穴に
遮られ、遮られた両端の間に(d)図および (e)図に示す
ように電界Ｅ’が発生する。また、発生した電界Ｅ’
は、マイクロ波の周期に同期して、その方向が変化する
ため、例えばダイポールアンテナのように、マイクロ波
を放射することができる。従って、偏平角筒状の導波管
(8) を用いる本実施例のプラズマ装置では、この導波管
(8) を永久磁石(7) と石英板(2) との間に配してもな
お、真空容器(1) 内にＥＣＲ条件を成立させることがで
きるのである。

【００１８】また、本実施例のプラズマ装置では、試料
(4) に対向する上部に導電体(9) が配置され、マイクロ
波を導入するための貫通穴(9a)以外の部分は、導電性を
もつため、試料(4) にＲＦを印加した場合でも、その説
明図である〔図３〕の (b)図に示す従来技術の装置のよ
うにＲＦ電流(I) が磁力線(B) に直交する方向に流れる
ことを抑制し、 (a)図に示すように、ＲＦ電流(I) を容
易に導電体(9) に向かう方向、すなわち磁力線(G) に平
行な方向に流し、これにより磁場に平行な方向にＲＦ電
流(I) を流すことができる。前述したように、磁場に平
行な方向では電子の移動度が高く抵抗が低いので、ＲＦ
電場の分布が小さく、プラズマ(P) が安定し、大面積の
均一処理を行うことができるのである。

【００１９】次に、〔図４〕を用いて本発明の第２の実
施例を説明する。〔図４〕は、本発明の第２の実施例の
プラズマ処理装置の概要説明図であって、(a)図は要部
正断面図、(b) 図は(a) 図のＡ−Ａ断面図である。な
お、同図と〔図１〕とで同符号を付したものは実質的に
均等であるので、ここでは説明を省略するものとする。
本実施例では、〔図１〕に示した例と同構成の２個の偏
平角筒状の導波管(8),(8')を、上部の永久磁石(7) と石
英板(2) の間に両側方から対向して配する一方で、石英
板(2) 下方に配される導電体(9) に、２個の導波管(8),
(8')それぞれの開口(8a),(8a')に対応する２個の矩形状
の貫通穴(9a),(9b) を設けている。

【００２０】上記構成の本実施例のプラズマ装置では、
２個の導波管により複数のマイクロ波電源からのマイク
ロ波を導入することによって、マイクロ波の波長に関係
なく真空容器内の電界分布をより均一化させることがで
きる。なお、本実施例では、２個の導波管を対向し配置
させたが、２個以上の導波管を同様に対向配置して、２
個以上のマイクロ波電源からのマイクロ波を導入するこ
ともできる。

【００２１】次に、〔図５〕を用いて本発明の第３の実
施例を説明する。〔図５〕は、本発明の第３の実施例の
プラズマ処理装置の概要説明図であって、(a)図は要部
正断面図、(b) 図は(a) 図のＡ−Ａ断面図である。な
お、同図と〔図１〕とで同符号を付したものは実質的に
均等であるので、ここでは説明を省略するものとする。
本実施例では、偏平角筒状の導波管(18)の先端部下面に
円形の開口(18a) 、いわゆる丸穴アンテナを設ける一方
で、石英板(2) 下方に配される導電体(19)をメッシュ状
に形成している。

【００２２】上記構成の本実施例のプラズマ装置では、
導入するマイクロ波の相互の干渉等により、マイクロ波
の波長による制約を軽減することができる。

【００２３】次に、〔図６〕を用いて本発明の第４の実
施例を説明する。〔図６〕は、本発明の第４の実施例の
プラズマ処理装置の概要説明図であって、(a)図は要部
正断面図、(b) 図は(a) 図のＡ−Ａ断面図である。な
お、同図と〔図１〕とで同符号を付したものは実質的に
均等であるので、ここでは説明を省略するものとする。
本実施例では、円盤状の導電体(29)の中央部に、マイク
ロ波を通過させる２個の矩形状の石英板(22)を埋め込ん
で、これらを一体化させた上で、真空容器(1)の上部を
気密に閉塞する上蓋の役割を果たさせると共に、この導
電体(29)に偏平角筒状の導波管(28)を直接的に連結させ
た構成としている。

【００２４】上記構成の本実施例のプラズマ装置では、
簡易化した構成のもとで、〔図１〕の例と同等の効果を
得ることができる。なお、本実施例では、上蓋の役割を
果す導電体(29)に、２個の矩形状の石英板(22)を埋め込
んだが、この数および形状は、その用途および目的に応
じて選定されれば良く、例えば、丸型のものとされても
良く、その数は１個ないしは２個以上の複数とされても
良い。

【００２５】以上に述べた第１〜第４の実施例では、試
料(4) の表面に対して垂直に磁力線が交わるように磁界
を形成するために、対の永久磁石(7),(7')を真空容器
(1) の上下に配設したが、この磁石はマイクロ波導入側
の永久磁石(7) のみでも良く、また、〔図７〕に示す第
５の実施例のように、空心コイルによって同様な磁界を
形成することもできる。〔図７〕は、本発明の第５の実
施例のプラズマ処理装置の概要説明図であって、 (a)図
は要部正断面図、(b) 図は(a) 図のＡ−Ａ断面図であ
る。なお、同図と〔図４〕とで同符号を付したものは実
質的に均等であるので、ここでは説明を省略するものと
する。

【００２６】本実施例では、真空容器(1) の上部と、こ
の真空容器(1) を囲撓する外側とに空心コイル(37),(3
7')を配置し、これら上下の空心コイル(37),(37')によ
って試料(4) の表面に対して垂直に磁力線が交わるよう
に磁界を形成する。なお、〔図７〕に示す本実施例のプ
ラズマ装置では、導波管および導電体の配置構成を〔図
４〕の例と同様にしたが、これら導波管および導電体の
配置構成は、前述した第１および第３〜第４の実施例の
ものと同構成を採ることができる。また、下方の空心コ
イル(37') は省略することもできる。

【００２７】

【発明の効果】以上に述べたように、本発明に係る有磁
場マイクロ波プラズマ処理装置では、マイクロ波を導入
する導波管の出側に、マイクロ波を通過させる貫通穴な
いしは絶縁材置換部を有する導電体を配設するという実
施が極容易な構成のもとで、マイクロ波電力が大きい場
合でも安定してＥＣＲ放電が維持でき、かつ、イオンの
エネルギーをコントロールするために印加するＲＦ電場
の勾配を小さくでき、更にはマイクロ波の波長による制
約をも軽減できて、大面積の均一処理を行えるという大
きな効果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例のプラズマ処理装置の概
要説明図であって、 (a)図は要部正断面図、(b) 図は
(a) 図のＡ−Ａ断面図である。

【図２】本発明の第１の実施例に関わる導波管の模式説
明図である。

【図３】本発明の第１の実施例に関わるＲＦ電流の磁力
線に対する流れの方向の説明図である。

【図４】本発明の第２の実施例のプラズマ処理装置の概
要説明図であって、 (a)図は要部正断面図、(b) 図は
(a) 図のＡ−Ａ断面図である。

【図５】本発明の第３の実施例のプラズマ処理装置の概
要説明図であって、 (a)図は要部正断面図、(b) 図は
(a) 図のＡ−Ａ断面図である。

【図６】本発明の第４の実施例のプラズマ処理装置の概
要説明図であって、 (a)図は要部正断面図、(b) 図は
(a) 図のＡ−Ａ断面図である。

【図７】本発明の第５の実施例のプラズマ処理装置の概
要説明図であって、 (a)図は要部正断面図、(b) 図は
(a) 図のＡ−Ａ断面図である。

【図８】磁場中でのプラズマの挙動の模式説明図であ
る。

【図９】発散磁場中でのプラズマの挙動の模式説明図で
ある。

【図１０】従来の高磁場側からマイクロ波を真空容器内
に導入する構成のプラズマ装置の説明図である。

【符号の説明】

(1) --真空容器 (1a)--ガス導入口 (1b)--排気口 (2) --石英板 (3) --電極 (4) --試料 (5) --絶縁部材 (6) --高周波電源 (7) --永久磁石 (7')--永久磁石 (8) --導波管 (8a)--開口 (9) --導電体 (9a)--貫通穴

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｈ 1/46 9014−2Ｇ // Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ 8518−4Ｍ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内部に処理ガスを導入すると共に試料を
   収納する真空容器と、この真空容器内の試料表面に垂直
   に磁力線が交わるように磁界を形成する磁界発生手段
   と、この磁界発生手段が形成する磁界の高磁場側から、
   マイクロ波を真空容器内に導入する導波管を有するマイ
   クロ波導入手段とを備えてなり、真空容器内に電子サイ
   クロトン共鳴条件を成立させて処理ガスをプラズマ化す
   ることにより、試料にエッチング、スパッタリング、Ｃ
   ＶＤ等のプラズマ処理を行う有磁場マイクロ波プラズマ
   処理装置において、真空容器内にマイクロ波を導入する
   マイクロ波導入手段の導波管の出側に、試料と対向する
   板状に形成され、その一部にマイクロ波を通過させる貫
   通穴ないしは絶縁材置換部を有する導電体を配設したこ
   とを特徴とする有磁場マイクロ波プラズマ処理装置