JPH0578850A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH0578850A JPH0578850A JP3243869A JP24386991A JPH0578850A JP H0578850 A JPH0578850 A JP H0578850A JP 3243869 A JP3243869 A JP 3243869A JP 24386991 A JP24386991 A JP 24386991A JP H0578850 A JPH0578850 A JP H0578850A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板上に形成される薄膜にダストパーティク
ルが付着したり、混入することを抑制できるプラズマＣ
ＶＤ装置を提供する。 【構成】 基板ホルダ３に予め定めたプラス成分を削除
した高周波電圧を印加する部分Ａを設けたことを特徴と
するプラズマＣＶＤ装置。
ルが付着したり、混入することを抑制できるプラズマＣ
ＶＤ装置を提供する。 【構成】 基板ホルダ３に予め定めたプラス成分を削除
した高周波電圧を印加する部分Ａを設けたことを特徴と
するプラズマＣＶＤ装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイス、液晶表
示装置、ＥＬ表示装置、太陽電池等の各種薄膜デバイス
の製造等に用いるプラズマＣＶＤ装置に関する。
示装置、ＥＬ表示装置、太陽電池等の各種薄膜デバイス
の製造等に用いるプラズマＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマＣＶＤ装置は、通常、図３に示
すように、成膜室５中に高周波電極板１と基板ホルダ３
を平行に配置し、高周波電極１にはマッチングボックス
９を介して高周波電源８を接続し、基板ホルダ３はヒー
タ４にて温度制御できるようにして接地し、成膜室５は
真空ポンプ７にて所定の成膜真空度を維持できるように
するとともに、該室中にガス導入口６から原料ガスを供
給できるように構成してある。
すように、成膜室５中に高周波電極板１と基板ホルダ３
を平行に配置し、高周波電極１にはマッチングボックス
９を介して高周波電源８を接続し、基板ホルダ３はヒー
タ４にて温度制御できるようにして接地し、成膜室５は
真空ポンプ７にて所定の成膜真空度を維持できるように
するとともに、該室中にガス導入口６から原料ガスを供
給できるように構成してある。
【０００３】基板ホルダ３上には成膜すべき基板２、例
えばシリコンウェハを載置し、成膜室５中に導入した原
料ガスに高周波電圧を印加することで、これをプラズマ
化し、基板２上に所定の薄膜を形成する。
えばシリコンウェハを載置し、成膜室５中に導入した原
料ガスに高周波電圧を印加することで、これをプラズマ
化し、基板２上に所定の薄膜を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来プラズマＣＶＤ装置によると、成膜室５の気相
中で発生したダストパーティクルが基板２上に降り注
ぎ、該基板にパーティクルが取り込まれ、欠陥品とな
り、歩留りが低下する。基板が、例えば高集積のパター
ン形成を行ったシリコンウェハ等の場合、特に歩留りが
悪化する。
うな従来プラズマＣＶＤ装置によると、成膜室５の気相
中で発生したダストパーティクルが基板２上に降り注
ぎ、該基板にパーティクルが取り込まれ、欠陥品とな
り、歩留りが低下する。基板が、例えば高集積のパター
ン形成を行ったシリコンウェハ等の場合、特に歩留りが
悪化する。
【０００５】そこで本発明は、基板上に形成される薄膜
にダストパーティクルが付着したり、混入することを抑
制できるプラズマＣＶＤ装置を提供することを課題とす
る。
にダストパーティクルが付着したり、混入することを抑
制できるプラズマＣＶＤ装置を提供することを課題とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は前記課題を解
決するにあたり、次のことに着目した。すなわち、プラ
ズマＣＶＤ装置における成膜室気相中で発生するダスト
パーティクルは負の電荷を帯びており、高周波電極はプ
ラズマが形成されると負ポテンシャルとなり、そのた
め、基板ホルダが正ポテンシャルの場合は、パーティク
ルを引き付け、接地の場合も、高周波電極とのポテンシ
ャル勾配からパーティクルが基板ホルダへ向かう。従っ
て、基板ホルダを負ポテンシャルにするとパーティクル
が基板ホルダへ近づき難くなる。
決するにあたり、次のことに着目した。すなわち、プラ
ズマＣＶＤ装置における成膜室気相中で発生するダスト
パーティクルは負の電荷を帯びており、高周波電極はプ
ラズマが形成されると負ポテンシャルとなり、そのた
め、基板ホルダが正ポテンシャルの場合は、パーティク
ルを引き付け、接地の場合も、高周波電極とのポテンシ
ャル勾配からパーティクルが基板ホルダへ向かう。従っ
て、基板ホルダを負ポテンシャルにするとパーティクル
が基板ホルダへ近づき難くなる。
【０００７】本発明者は前記知見に基づき本発明を完成
した。すなわち、本発明は、基板ホルダに予め定めたプ
ラス成分を削除した高周波電圧を印加する手段を設けた
ことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置を提供するもので
ある。本発明にいうプラズマＣＶＤ装置には、図３に示
したような平行平板型プラズマＣＶＤ装置は勿論のこ
と、ＥＣＲＣＶＤ装置等、要するに基板ホルダに予め定
めたプラス成分を削除した高周波電圧を印加することに
より基板ホルダへのダストパーティクルの移行を抑制で
きる各種プラズマ利用のＣＶＤ装置を含む。
した。すなわち、本発明は、基板ホルダに予め定めたプ
ラス成分を削除した高周波電圧を印加する手段を設けた
ことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置を提供するもので
ある。本発明にいうプラズマＣＶＤ装置には、図３に示
したような平行平板型プラズマＣＶＤ装置は勿論のこ
と、ＥＣＲＣＶＤ装置等、要するに基板ホルダに予め定
めたプラス成分を削除した高周波電圧を印加することに
より基板ホルダへのダストパーティクルの移行を抑制で
きる各種プラズマ利用のＣＶＤ装置を含む。
【０００８】前記プラス成分の削除をどの程度行うか
は、成膜条件等に応じ、形成した膜へのパーティクル付
着、混入をできるだけ防止できるように任意に定めるこ
とができる。
は、成膜条件等に応じ、形成した膜へのパーティクル付
着、混入をできるだけ防止できるように任意に定めるこ
とができる。
【０００９】
【作用】本発明プラズマＣＶＤ装置によると、成膜すべ
き基板を支持する基板ホルダに予め定めたプラス成分を
削除した高周波電圧が印加されることで、基板ホルダが
負ポテンシャルとなり、負電荷を帯びたダストパーティ
クルの該ホルダ方向への移動が抑制され、それだけ、基
板上へのパーティクルの付着、混入が防止される。
き基板を支持する基板ホルダに予め定めたプラス成分を
削除した高周波電圧が印加されることで、基板ホルダが
負ポテンシャルとなり、負電荷を帯びたダストパーティ
クルの該ホルダ方向への移動が抑制され、それだけ、基
板上へのパーティクルの付着、混入が防止される。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１を参照して説明
する。図１は、実施例装置である平行平板型のプラズマ
ＣＶＤ装置の概略構成図である。この装置は、基板ホル
ダ３へ高周波電圧を印加する部分Ａを備えている点で図
３に示す従来装置と異なっているが、他の点は実質上図
３の装置と同構成である。図１中、図３の装置と同一部
品等については、図３と同一符号を付してある。
する。図１は、実施例装置である平行平板型のプラズマ
ＣＶＤ装置の概略構成図である。この装置は、基板ホル
ダ３へ高周波電圧を印加する部分Ａを備えている点で図
３に示す従来装置と異なっているが、他の点は実質上図
３の装置と同構成である。図１中、図３の装置と同一部
品等については、図３と同一符号を付してある。
【００１１】本発明に係る図１の装置において基板ホル
ダ３へ高周波電圧を印加する部分Ａは、基板ホルダ３へ
順次接続されたマッチングボックス９０、高周波波形フ
ィルタ１０及び高周波電源８０を含んでいる。電源８０
にてホルダ３へ印加される高周波電圧は、図２に示すよ
うに、そのプラス成分の全部又は一部がフィルタ１０に
より削除される。
ダ３へ高周波電圧を印加する部分Ａは、基板ホルダ３へ
順次接続されたマッチングボックス９０、高周波波形フ
ィルタ１０及び高周波電源８０を含んでいる。電源８０
にてホルダ３へ印加される高周波電圧は、図２に示すよ
うに、そのプラス成分の全部又は一部がフィルタ１０に
より削除される。
【００１２】この装置によると、従来装置と同様、ヒー
タ４にて所定温度に維持された基板ホルダ３上に成膜す
べき基板２０が設置され、成膜室５中へガス導入口６か
ら原料ガスが供給されるとともに、該成膜室が真空ポン
プ７にて所定の成膜真空度に維持される。そして、高周
波電極１に電源８にて高周波電圧が印加されて、原料ガ
スがプラズマ化され、かくして基板２０上に所定の薄膜
が形成される。
タ４にて所定温度に維持された基板ホルダ３上に成膜す
べき基板２０が設置され、成膜室５中へガス導入口６か
ら原料ガスが供給されるとともに、該成膜室が真空ポン
プ７にて所定の成膜真空度に維持される。そして、高周
波電極１に電源８にて高周波電圧が印加されて、原料ガ
スがプラズマ化され、かくして基板２０上に所定の薄膜
が形成される。
【００１３】しかしこの装置では、この成膜中、基板ホ
ルダ３に高周波電圧印加部Ａにて、図２に示すように、
予め定めたプラス成分を除去した高周波電圧が印加さ
れ、それによってホルダ３が負のポテンシャルとなり、
気相部において発生する負帯電のパーティクルが基板２
０へ近づくことが抑制され、それだけ基板２０上の膜へ
のパーティクルの付着、混入が防止され、歩留りが良く
なる。
ルダ３に高周波電圧印加部Ａにて、図２に示すように、
予め定めたプラス成分を除去した高周波電圧が印加さ
れ、それによってホルダ３が負のポテンシャルとなり、
気相部において発生する負帯電のパーティクルが基板２
０へ近づくことが抑制され、それだけ基板２０上の膜へ
のパーティクルの付着、混入が防止され、歩留りが良く
なる。
【００１４】図１の装置において次の条件で成膜を行っ
たところ、基板ホルダ２０を単に接地しただけの場合に
比べ、基板上へのパーティクル付着、混入が約５分の１
に減少した。 電源８の周波数及び電力：１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗ 原料ガス ： ＳｉＨ4 、１５０ＣＣＭ 成膜真空度： ０．５Ｔｏｒｒ 成膜温度 ： ２５０℃ 成膜時間 ： １０分 高周波電圧印加部Ａによる交流波形：４００Ｈｚで図２
に示すように、プラス成分を僅かに残して殆ど削除した
もの 基板 ： ５インチシリコンウェハ 以上の条件で０．５μｍ以上のパーティクルは２０個／
５インチウェハであった。
たところ、基板ホルダ２０を単に接地しただけの場合に
比べ、基板上へのパーティクル付着、混入が約５分の１
に減少した。 電源８の周波数及び電力：１３．５６ＭＨｚ、２００Ｗ 原料ガス ： ＳｉＨ4 、１５０ＣＣＭ 成膜真空度： ０．５Ｔｏｒｒ 成膜温度 ： ２５０℃ 成膜時間 ： １０分 高周波電圧印加部Ａによる交流波形：４００Ｈｚで図２
に示すように、プラス成分を僅かに残して殆ど削除した
もの 基板 ： ５インチシリコンウェハ 以上の条件で０．５μｍ以上のパーティクルは２０個／
５インチウェハであった。
【００１５】なお、絶縁材料の成膜時や基板がガラス等
の絶縁物の場合、印加部Ａにおけるプラス成分の削除量
でチャージアップをコントロールしてもよい。
の絶縁物の場合、印加部Ａにおけるプラス成分の削除量
でチャージアップをコントロールしてもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によると、基
板上に形成される薄膜にダストパーティクルが付着した
り、混入することを抑制できるプラズマＣＶＤ装置を提
供することができる。
板上に形成される薄膜にダストパーティクルが付着した
り、混入することを抑制できるプラズマＣＶＤ装置を提
供することができる。
【図１】本発明の一実施例の概略構成図である。
【図２】高周波電圧印加部Ａによる交流波形例を示す図
である。
である。
【図３】従来例の概略構成図である。
１ 高周波電極 ２、２０ 基板 ３ 基板ホルダ ４ ヒータ ５ 成膜室 ６ ガス導入口 ７ 真空ポンプ ８ 高周波電源 ９ マッチングボックス Ａ 高周波電圧印加部 ８０ 高周波電源 ９０ マッチングボックス １０ フィルタ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板ホルダに予め定めたプラス成分を削
除した高周波電圧を印加する手段を設けたことを特徴と
するプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24386991A JP2658665B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24386991A JP2658665B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0578850A true JPH0578850A (ja) | 1993-03-30 |
| JP2658665B2 JP2658665B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=17110192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24386991A Expired - Fee Related JP2658665B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2658665B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005055093A1 (de) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Aixtron Ag | CVD-Vorrichtung mit elektrostatischem Substratschutz |
| KR100776831B1 (ko) * | 2005-02-10 | 2007-11-16 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 진공 처리 시스템 및 그 사용 방법 |
| JP2017183488A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| WO2022211073A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | Ａｐｂ株式会社 | 活物質処理装置、電池用電極製造装置、活物質処理方法、及び、電池用電極製造方法 |
| JP2022156105A (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-14 | Ａｐｂ株式会社 | 活物質処理装置、電池用電極製造装置、活物質処理方法、及び、電池用電極製造方法 |
-
1991
- 1991-09-25 JP JP24386991A patent/JP2658665B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100776831B1 (ko) * | 2005-02-10 | 2007-11-16 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 진공 처리 시스템 및 그 사용 방법 |
| DE102005055093A1 (de) * | 2005-11-18 | 2007-05-24 | Aixtron Ag | CVD-Vorrichtung mit elektrostatischem Substratschutz |
| JP2017183488A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム |
| WO2022211073A1 (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-06 | Ａｐｂ株式会社 | 活物質処理装置、電池用電極製造装置、活物質処理方法、及び、電池用電極製造方法 |
| JP2022156105A (ja) * | 2021-03-31 | 2022-10-14 | Ａｐｂ株式会社 | 活物質処理装置、電池用電極製造装置、活物質処理方法、及び、電池用電極製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2658665B2 (ja) | 1997-09-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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