JPH0578885A - 電解メツキ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電解メッキ法により高品質のメッキ被膜を高
速で形成する。 【構成】 メッキ槽１に保持されたメッキ液２中に導電
性の被メッキ物３及び電極４を対向させるようにして浸
漬し、被メッキ物３及び電極４をそれぞれ陰極及び陽極
とするようにして被メッキ物３及び電極４に直流電源６
を接続し、被メッキ物３の近傍に磁場Ｈを印加させるた
めの磁場発生装置８を設ける。この磁場Ｈによって金属
イオン５が被メッキ物３の近傍にトラップされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電解メッキ装置に関す
る。具体的にいうと、本発明は、メッキ液中に浸漬され
た被メッキ物と電極間に電圧を印加することにより被メ
ッキ物にメッキを施す電解メッキ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図３は従来の電解メッキ装置Ｂの概略構
成を示す。この電解メッキ装置Ｂにあっては、メッキ槽
１内に保持されたメッキ液２中に導電性の被メッキ物３
及び電極４を浸漬し、被メッキ物３が陰極となり、電極
４が陽極となるよう被メッキ物３及び電極４に外部から
直流電源６を接続している。

【０００３】しかして、直流電源６から電流を供給する
と、メッキ液２中の金属イオン５は被メッキ物３に引か
れて移動し、被メッキ物３の表面で金属イオン５と直流
電源６から供給された電子が結合してメッキ金属が析出
する。

【０００４】しかしながら、このような電解メッキ装置
Ｂにあっては、金属イオン５が被メッキ物３の表面に析
出して金属イオン５が消費されるに従い、被メッキ物３
の近傍における金属イオン濃度が低下し、メッキ速度を
低下させる原因となっていた。

【０００５】図４は従来の別な電解メッキ装置Ｃの概略
構成を示す。この電解メッキ装置Ｃは、メッキ液２を噴
流によって攪拌するための攪拌翼等の噴流発生装置７を
メッキ槽１内に設けたものである。

【０００６】しかして、噴流によってメッキ液２を攪拌
し、被メッキ物３の近傍の金属イオン５が希薄となった
領域へ金属イオン５を豊富に含んだメッキ液２を常に供
給し、被メッキ物３の近傍における金属イオン濃度の低
下を防止している。

【０００７】しかしながら、この噴流式の電解メッキ装
置Ｃにあっては、メッキ液２を攪拌しているため、メッ
キ液２の流速分布や渦が発生し、その影響でメッキ被膜
の膜厚や膜質にバラツキが生じたり、メッキ被膜の表面
に条痕等の傷が生じ易かった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は叙上の従来例
の欠点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、金属イオン濃度の低下によるメッキ速度の低下
を防止し、メッキ被膜の膜厚や膜質等のバラツキ等を防
止することができる電解メッキ装置を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の電解メッキ装置
は、メッキ液中に被メッキ物と電極を浸漬し、被メッキ
物と電極間に電圧を印加することにより被メッキ物にメ
ッキを施す電解メッキ装置において、被メッキ物の近傍
に磁場を印加させるための磁場発生装置を備えたことを
特徴としている。

【００１０】

【作用】磁場発生装置により被メッキ物近傍に磁場を印
加すると、金属イオンが被メッキ物の近傍で次々にトラ
ップされ、被メッキ物近傍での金属イオン濃度が高くな
る。従って、被メッキ物近傍における金属イオン濃度を
常に高く保つことができ、メッキ速度の低下を防止する
ことができる。しかも、磁場によって金属イオンのみを
運動させることができ、メッキ液自体は攪拌されないの
で、メッキ液の流速分布や渦等が発生せず、メッキ被膜
の膜厚や膜質を均一にすることができる。

【００１１】

【実施例】図１は本発明の一実施例による電解メッキ装
置Ａの概略構成を示す。１はメッキ液２を保持するメッ
キ槽であって、導電性の被メッキ物３及び電極４は対向
するようにしてメッキ液２内に浸漬され、被メッキ物３
及び電極４はそれぞれ陰極及び陽極となるようにして外
部の直流電源６を接続されている。また、メッキ槽１の
外側には被メッキ物３の近傍においてメッキ液２に磁場
Ｈを印加するための永久磁石や電磁石等の磁場発生装置
８を設けてある。磁場発生装置８によって発生させられ
た磁場Ｈは、被メッキ物３と電極４の間に働く電界の方
向と直交しており、被メッキ物４の表面と平行な方向を
向いている。

【００１２】メッキ液２中においては、金属イオン５は
液中の他の分子やイオンと衝突しながらランダムに移動
（ブラウン運動）している。そして、ランダムに移動し
ている金属イオン５が磁場Ｈ中に入ると、図２に示すよ
うに螺旋運動（サイクロトロン運動）しながら移動す
る。たとえ途中で他の分子やイオンに衝突して方向が変
っても、やはり磁場Ｈ中で螺旋運動しながら移動する。
その結果、一旦磁場Ｈ中に捕獲された金属イオン５は磁
場Ｈ中から出ることが困難になる。こうして、磁場Ｈ中
に次々と金属イオン５が捕獲されてゆくと、磁場Ｈの近
傍、すなわち被メッキ物３の近傍で金属イオン濃度が高
くなり、メッキに十分な金属イオン５が供給される。し
たがって、メッキ液２中の金属イオン５が被メッキ物３
と電極４との間の電界に引かれて被メッキ物３の表面に
析出しても、金属メッキ濃度が低下することがない。ま
た、金属イオン５の螺旋運動によって被メッキ物３の近
傍で金属イオン５が均一に攪拌される。

【００１３】しかして、被メッキ物３の近傍でメッキ液
２の金属イオン濃度が低下しにくくなるので、メッキ速
度の低下が防止され、高速でメッキ被膜を形成すること
ができる。しかも、金属イオン５が磁場Ｈによって運動
させられるだけで、メッキ液２自体は動かないので、メ
ッキ液２の流速分布や渦が発生せず、均一な膜厚及び膜
質のメッキ被膜を形成することができる。

【００１４】なお、上記実施例では、磁場発生装置は磁
場方向が被メッキ物の表面と平行な（電界と垂直な）方
向を向くように配置したが、被メッキ物の近傍に磁場が
印加されていれば、これ以外の方向でも差し支えない。
例えば、磁場方向が被メッキ物の表面と垂直な（電界と
平行な）方向を向くよう磁場発生装置を配置しても良
い。

【００１５】

【発明の効果】本発明によれば、磁場で金属イオンをト
ラップできるので、被メッキ物近傍を常に金属イオンの
豊富な状態とすることができ、メッキ速度の低下を防止
することができる。また、メッキ液を攪拌する方法と異
なり、メッキ液の流速分布や渦等が発生せず、メッキ被
膜の膜厚や膜質のバラツキを低減することができ、条痕
等の傷も発生しない。従って、高速で高品質のメッキ被
膜を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例による電解メッキ装置の概略
構成図である。

【図２】同上の実施例における磁場中の金属イオンの螺
旋運動を示す説明図である。

【図３】従来例による電解メッキ装置の概略構成図であ
る。

【図４】別な従来例による電解メッキ装置の概略構成図
である。

【符号の説明】

２ メッキ液 ３ 被メッキ物 ４ 電極 ８ 磁場発生装置

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 メッキ液中に被メッキ物と電極を浸漬
   し、被メッキ物と電極間に電圧を印加することにより被
   メッキ物にメッキを施す電解メッキ装置において、 被メッキ物の近傍に磁場を印加させるための磁場発生装
   置を備えたことを特徴とする電解メッキ装置。