JPH0579178B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0579178B2 JPH0579178B2 JP19655986A JP19655986A JPH0579178B2 JP H0579178 B2 JPH0579178 B2 JP H0579178B2 JP 19655986 A JP19655986 A JP 19655986A JP 19655986 A JP19655986 A JP 19655986A JP H0579178 B2 JPH0579178 B2 JP H0579178B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor pattern
- wiring board
- fixed
- terminal
- lid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はパワートランジスタ、サイリスタ、ダ
イオードなどの複数の半導体素子を一つの容器に
収納してなるモジユールとしての半導体装置に関
する。
イオードなどの複数の半導体素子を一つの容器に
収納してなるモジユールとしての半導体装置に関
する。
上述のような半導体装置は一般に第６図に示す
ような外観を呈する。半導体素子は放熱に役立つ
銅板、アルミニウム板などの熱良導性基板３と絶
縁性材料からなる側壁１０と蓋体１とからなる容
器中に収納されており、外部導出端子導体５，
６，７，８は蓋体１を貫通している。この容器の
内部の基板３の上に、例えばセラミツクの絶縁板
上に導体パターンが設けられた配線基板が固着さ
れ、この導体パターンは複数のチツプ載置導体パ
ターンとこれらを接続する端子導体パターンから
なり、そのチツプ載置導体パターン上に半導体素
子が搭載固着され、端子導体パターンには所要の
外部端子のための電気的接続がなされている。
ような外観を呈する。半導体素子は放熱に役立つ
銅板、アルミニウム板などの熱良導性基板３と絶
縁性材料からなる側壁１０と蓋体１とからなる容
器中に収納されており、外部導出端子導体５，
６，７，８は蓋体１を貫通している。この容器の
内部の基板３の上に、例えばセラミツクの絶縁板
上に導体パターンが設けられた配線基板が固着さ
れ、この導体パターンは複数のチツプ載置導体パ
ターンとこれらを接続する端子導体パターンから
なり、そのチツプ載置導体パターン上に半導体素
子が搭載固着され、端子導体パターンには所要の
外部端子のための電気的接続がなされている。
このような容器に複数の半導体素子を収納する
場合には、半導体素子をおのおの別個の配線基板
に固着し、それを容器の内部の熱良導性基板に固
着し、所要の電気的接続を行う。例えば、第５図
に基本的な等価回路を示すようなダーリントント
ランジスタ１２とそれに逆並列接続された高速ダ
イオード１３からなるものを２個直列接続した半
導体装置においては、第３図（なお第３図におい
てＢ２，Ｅ２，Ｅ１，Ｂ１，Ｃ１，Ｃ２，Ｅ１，
Ｂ１０，Ｂ２０は第５図に示す外部端子記号と同
じものを示す）に示すように１個の配線基板４の
チツプ載置導体パターン１１上にダーリントント
ランジスタ１２とそれに逆並列接続される高速ダ
イオード１３を固着し、これらの半導体素子１
２，１３と端子導体パターン１４との間をアルミ
ニウムワイヤ１５などの導線のボンデイングによ
り接続したものを銅板などの熱良導性基板３の上
に並列に２個固着し、各配線基板４の端子導体パ
ターン間を導線のボンデイング１６あるいは接続
片のはんだ付けなどで接続し、さらに、端子導体
パターンと蓋体に貫通固着している外部導出端子
導体の先端とを接続していた。ところが、電力用
半導体装置など電力容量の大きいものにおいては
半導体素子すなわち半導体チツプが大きくなる。
第３図に示した例ではラーリントントランジスタ
は内蔵された６個の並列接続トランジスタにより
構成されている例であるが、このように半導体チ
ツプが大きくなると導体パターンのうちチツプ載
置導体パターンの占める面積を大きくしなければ
ならず配線基板が大きくなり、半導体装置が大き
くなつてしまう。また、複数のトランジスタの間
の電流バランスをとる必要があり、そのためのス
ペース分だけチツプ載置導体パターンの面積を減
少させるか配線基板を大きくしなければならなく
なる。これらの欠点を除くために、第４図に一例
を示すように、各配線基板毎に端子導体パターン
の配線の本数および形状面積を必要最小限にして
その分チツプ載置導体パターンの面積を大きく
し、配線基板の大きさをできるだけ大きくしない
ようにすることは可能であるが、この場合は隣接
する２枚の配線基板の導体パターンが互いに相異
なつてしまうことになる。そうすると明らかに配
線基板の種類が増すことになり、それに従い、同
一導体パターンの配線基板を使用する場合よりも
組立部品点数が多くなり組立工程も複雑になつて
工数が増加するという欠点が生じてくる。
場合には、半導体素子をおのおの別個の配線基板
に固着し、それを容器の内部の熱良導性基板に固
着し、所要の電気的接続を行う。例えば、第５図
に基本的な等価回路を示すようなダーリントント
ランジスタ１２とそれに逆並列接続された高速ダ
イオード１３からなるものを２個直列接続した半
導体装置においては、第３図（なお第３図におい
てＢ２，Ｅ２，Ｅ１，Ｂ１，Ｃ１，Ｃ２，Ｅ１，
Ｂ１０，Ｂ２０は第５図に示す外部端子記号と同
じものを示す）に示すように１個の配線基板４の
チツプ載置導体パターン１１上にダーリントント
ランジスタ１２とそれに逆並列接続される高速ダ
イオード１３を固着し、これらの半導体素子１
２，１３と端子導体パターン１４との間をアルミ
ニウムワイヤ１５などの導線のボンデイングによ
り接続したものを銅板などの熱良導性基板３の上
に並列に２個固着し、各配線基板４の端子導体パ
ターン間を導線のボンデイング１６あるいは接続
片のはんだ付けなどで接続し、さらに、端子導体
パターンと蓋体に貫通固着している外部導出端子
導体の先端とを接続していた。ところが、電力用
半導体装置など電力容量の大きいものにおいては
半導体素子すなわち半導体チツプが大きくなる。
第３図に示した例ではラーリントントランジスタ
は内蔵された６個の並列接続トランジスタにより
構成されている例であるが、このように半導体チ
ツプが大きくなると導体パターンのうちチツプ載
置導体パターンの占める面積を大きくしなければ
ならず配線基板が大きくなり、半導体装置が大き
くなつてしまう。また、複数のトランジスタの間
の電流バランスをとる必要があり、そのためのス
ペース分だけチツプ載置導体パターンの面積を減
少させるか配線基板を大きくしなければならなく
なる。これらの欠点を除くために、第４図に一例
を示すように、各配線基板毎に端子導体パターン
の配線の本数および形状面積を必要最小限にして
その分チツプ載置導体パターンの面積を大きく
し、配線基板の大きさをできるだけ大きくしない
ようにすることは可能であるが、この場合は隣接
する２枚の配線基板の導体パターンが互いに相異
なつてしまうことになる。そうすると明らかに配
線基板の種類が増すことになり、それに従い、同
一導体パターンの配線基板を使用する場合よりも
組立部品点数が多くなり組立工程も複雑になつて
工数が増加するという欠点が生じてくる。
本発明は、上述の欠点を除去して、配線基板上
に設けられる端子導体パターンの占める面積を低
減させ、チツプ載置導体パターンの占める面積を
増大させ、しかも、組立部品点数および組立工数
を低減できる半導体装置を提供することを目的と
する。
に設けられる端子導体パターンの占める面積を低
減させ、チツプ載置導体パターンの占める面積を
増大させ、しかも、組立部品点数および組立工数
を低減できる半導体装置を提供することを目的と
する。
本発明の目的は、容器の基板上に固着された同
一導体パターンの設けられた複数個の配線基板に
対応してそれぞれ少なくとも１個ずつの接続短絡
片の一端が前記蓋体に固定され、他端が、各配線
基板の導体パターン内で互いに隣接する複数の端
子導体パターン端部の所要の２個を短絡すること
により達成される。
一導体パターンの設けられた複数個の配線基板に
対応してそれぞれ少なくとも１個ずつの接続短絡
片の一端が前記蓋体に固定され、他端が、各配線
基板の導体パターン内で互いに隣接する複数の端
子導体パターン端部の所要の２個を短絡すること
により達成される。
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説
明する。各図において、共通する対応部分には同
一の符号が付されている。
明する。各図において、共通する対応部分には同
一の符号が付されている。
第１図は本発明の一実施例の容器内の要部を示
す模式図であり、第２図はそのＡ−Ａ断面図であ
る。絶縁性材料からなる蓋体１には、これを貫通
する、外部取付部のみを図示した端子導体５，
６，７および端子導体８，９と、短く直角に曲が
つた先端２ａを有する接続短絡片２とが固定され
ている。接続短絡片２は配線基板４ごとに設けら
れている。このような端子導体および接続短絡片
の固定は、蓋体の成型時に埋め込むかあるいは成
型された蓋体の穴もしくは溝に圧入することによ
つて行われる。銅板からなる熱良導性基板３に例
えばはんだ付けで固着される２枚の配線基板４に
は、第２図に示すように同一の導体パターンが設
けられている。第２図の各配線基板４の中央のチ
ツプ載置導体パターン２０には第３図と同様の半
導体チツプ（図示せず）が搭載されて各端子導体
パターン２１との間に例えばアルミニウムワイヤ
をワイヤボンデイングして第３図と同様の電気的
回路配線接続がなされるが、それらは本発明には
直接係らないので第２図には示してない。
す模式図であり、第２図はそのＡ−Ａ断面図であ
る。絶縁性材料からなる蓋体１には、これを貫通
する、外部取付部のみを図示した端子導体５，
６，７および端子導体８，９と、短く直角に曲が
つた先端２ａを有する接続短絡片２とが固定され
ている。接続短絡片２は配線基板４ごとに設けら
れている。このような端子導体および接続短絡片
の固定は、蓋体の成型時に埋め込むかあるいは成
型された蓋体の穴もしくは溝に圧入することによ
つて行われる。銅板からなる熱良導性基板３に例
えばはんだ付けで固着される２枚の配線基板４に
は、第２図に示すように同一の導体パターンが設
けられている。第２図の各配線基板４の中央のチ
ツプ載置導体パターン２０には第３図と同様の半
導体チツプ（図示せず）が搭載されて各端子導体
パターン２１との間に例えばアルミニウムワイヤ
をワイヤボンデイングして第３図と同様の電気的
回路配線接続がなされるが、それらは本発明には
直接係らないので第２図には示してない。
本発明の実施例の第２図と従来例の第３図とを
比較すると、第３図で同一配線基板上で互いに隣
接して設けられ、かつ、同一配線基板上では同時
に使用されない端子導体パターン２２，２３を第
２図の端子導体パターン２１ｂ，２１ｃに示すよ
うに２つに分離して、外部導出端子導体の接続さ
れる端子接続部Ｂ１，Ｂ２０は個別に残し、並行
して設けられている第３図のリード導体部２４は
１個（第２図の２１ｃ）だけにして、２本の平行
リード導体２４を１本のリード導体部２１ｃにし
た分だけチツプ載置導体パターン２０の面積が大
きくなつている。そして、配線基板４によつて異
なる端子接続部２１ａ，２１ｂとリード部２１ｃ
との接続は接続短絡片２の先端２ａによつてなさ
れ得るように、蓋体の所要の位置に接続短絡片２
が固定されている。第１図の熱良導性基板３上に
は、この第２図に示した２個の配線基板４が並置
して固着されており、その上には、図示はされて
いないが半導体チツプが固着され、端子導体パタ
ーンとの所定の接続がなされており、各配線基板
に対応して蓋体１の所定の位置に固定された接続
短絡片２の先端２ａが端子導体パターン２１の分
離された端子接続部２１ａ，２１ｂのうちの１個
のリード導体部２１ｃとを配線基板ごとに所要の
回路を形成するように接続あるいは分離し、ま
た、端子導体５，６，７の基板側先端（図示せ
ず）および端子導体８，９の基板側先端が所定の
端子導体パターン（図示されてはいない）に接続
されて半導体装置を形成することになる。
比較すると、第３図で同一配線基板上で互いに隣
接して設けられ、かつ、同一配線基板上では同時
に使用されない端子導体パターン２２，２３を第
２図の端子導体パターン２１ｂ，２１ｃに示すよ
うに２つに分離して、外部導出端子導体の接続さ
れる端子接続部Ｂ１，Ｂ２０は個別に残し、並行
して設けられている第３図のリード導体部２４は
１個（第２図の２１ｃ）だけにして、２本の平行
リード導体２４を１本のリード導体部２１ｃにし
た分だけチツプ載置導体パターン２０の面積が大
きくなつている。そして、配線基板４によつて異
なる端子接続部２１ａ，２１ｂとリード部２１ｃ
との接続は接続短絡片２の先端２ａによつてなさ
れ得るように、蓋体の所要の位置に接続短絡片２
が固定されている。第１図の熱良導性基板３上に
は、この第２図に示した２個の配線基板４が並置
して固着されており、その上には、図示はされて
いないが半導体チツプが固着され、端子導体パタ
ーンとの所定の接続がなされており、各配線基板
に対応して蓋体１の所定の位置に固定された接続
短絡片２の先端２ａが端子導体パターン２１の分
離された端子接続部２１ａ，２１ｂのうちの１個
のリード導体部２１ｃとを配線基板ごとに所要の
回路を形成するように接続あるいは分離し、ま
た、端子導体５，６，７の基板側先端（図示せ
ず）および端子導体８，９の基板側先端が所定の
端子導体パターン（図示されてはいない）に接続
されて半導体装置を形成することになる。
本発明によれば、一つの半導体装置に使用する
同一導体パターンの複数の配線基板において、一
つの配線基板では同時に使用しない隣接している
端子導体パターンを端子接続部とリード部とに分
離し、端子接続部の個数はそのままにしてリード
部の個数を減らし、各配線基板で異なつた回路を
形成する場合にもリード部は共通にし、それに接
続する端子接続部を変えて対処できるようにし、
しかもこのリード部と端子接続部との回路に対応
した所要の接続は蓋体に固定した接続短絡片によ
り行われる。かくして、複数の半導体素子のモジ
ユールとしての半導体装置を、配線基板の面積を
大きくすることなく端子導体パターンの占める面
積を低減してチツプ載置導体パターンの占める面
積を増大させた同一導体パターンの複数個の配線
基板を用いて組み立てることができ、しかも、そ
の際必要な端子導体パターン間の回路に対応した
接続は蓋体に固定された接続短絡片によりなされ
るので、組立部品点数を節減でき、組立も簡単で
工数を短縮でき、複数の半導体素子からなる半導
体装置を低コストで製造することが可能となる。
同一導体パターンの複数の配線基板において、一
つの配線基板では同時に使用しない隣接している
端子導体パターンを端子接続部とリード部とに分
離し、端子接続部の個数はそのままにしてリード
部の個数を減らし、各配線基板で異なつた回路を
形成する場合にもリード部は共通にし、それに接
続する端子接続部を変えて対処できるようにし、
しかもこのリード部と端子接続部との回路に対応
した所要の接続は蓋体に固定した接続短絡片によ
り行われる。かくして、複数の半導体素子のモジ
ユールとしての半導体装置を、配線基板の面積を
大きくすることなく端子導体パターンの占める面
積を低減してチツプ載置導体パターンの占める面
積を増大させた同一導体パターンの複数個の配線
基板を用いて組み立てることができ、しかも、そ
の際必要な端子導体パターン間の回路に対応した
接続は蓋体に固定された接続短絡片によりなされ
るので、組立部品点数を節減でき、組立も簡単で
工数を短縮でき、複数の半導体素子からなる半導
体装置を低コストで製造することが可能となる。
第１図は本発明の一実施例の要部側面図、第２
図は第１図のＡ−Ａ断面図、第３図は従来の半導
体装置の一例の容器内部の配線基板面の上面図、
第４図は従来の半導体装置の他の例の容器内部の
配線基板の導体パターンを示す要部上面図、第５
図は本発明の実施例および従来例の一例の等価回
路、第６図は従来の半導体装置の一例の外観斜視
図である。 １……蓋体、２……接続短絡片、２ａ……接続
短絡片先端、３……熱良導性基板、４……配線基
板、５，６，７，８，９……外部導出端子導体、
１０……側壁。
図は第１図のＡ−Ａ断面図、第３図は従来の半導
体装置の一例の容器内部の配線基板面の上面図、
第４図は従来の半導体装置の他の例の容器内部の
配線基板の導体パターンを示す要部上面図、第５
図は本発明の実施例および従来例の一例の等価回
路、第６図は従来の半導体装置の一例の外観斜視
図である。 １……蓋体、２……接続短絡片、２ａ……接続
短絡片先端、３……熱良導性基板、４……配線基
板、５，６，７，８，９……外部導出端子導体、
１０……側壁。
Claims (1)
- １ 熱良導性材料からなる基板と主として絶縁性
材料からなる側壁および蓋体とによつて構成され
る容器の前記基板上に、絶縁板上に同一導体パタ
ーンを設けてなる複数個の配線基板が固着され、
この導体パターンはチツプ載置導体パターンと端
子導体パターンを備えており、各配線基板のチツ
プ載置導体パターン上にそれぞれ半導体チツプが
搭載固着され、蓋体を貫通しかつ蓋体に固定され
ている外部導出端子導体の容器内側の先端が、前
記半導体チツプの電極と接続された配線基板上の
端子導体パターンに接続され、さらに１個の配線
基板に対応してそれぞれ少なくとも１個ずつの接
続短絡片の一端が前記蓋体に固定され、他端が、
各配線基板の導体パターン内で互いに隣接する複
数の端子導体パターン端部の所要の２個を短絡し
てなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19655986A JPS6353961A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19655986A JPS6353961A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6353961A JPS6353961A (ja) | 1988-03-08 |
| JPH0579178B2 true JPH0579178B2 (ja) | 1993-11-01 |
Family
ID=16359745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19655986A Granted JPS6353961A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6353961A (ja) |
-
1986
- 1986-08-22 JP JP19655986A patent/JPS6353961A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6353961A (ja) | 1988-03-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |