JPH0579679B2 - - Google Patents
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- JPH0579679B2 JPH0579679B2 JP1303460A JP30346089A JPH0579679B2 JP H0579679 B2 JPH0579679 B2 JP H0579679B2 JP 1303460 A JP1303460 A JP 1303460A JP 30346089 A JP30346089 A JP 30346089A JP H0579679 B2 JPH0579679 B2 JP H0579679B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
- C07F9/38—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)]
- C07F9/44—Amides thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
- C07F9/38—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)]
- C07F9/3804—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)] not used, see subgroups
- C07F9/3808—Acyclic saturated acids which can have further substituents on alkyl
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic Table
- C07F9/02—Phosphorus compounds
- C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
- C07F9/38—Phosphonic acids [RP(=O)(OH)2]; Thiophosphonic acids ; [RP(=X1)(X2H)2(X1, X2 are each independently O, S or Se)]
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Agricultural Chemicals And Associated Chemicals (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アミノメチルホスホネートの製造方
法に関する。特に、N−アシル−アミノメチルホ
スホン酸の製造方法に関する。 N−置換アミノメチルホスホン酸は、金属イオ
ン封鎖剤、及び除草剤を含む種々の化学物質の製
造において有用な中間体である。 したがつて、例えば、N−イソプロピル−N−
ホスホノメチルグリシンのような、N−アルキル
−N−ホスホノメチルグリシンは、EPO特許出
願第86 870047.7号に開示された方法を用いてア
ルカリ性条件下で脱アルカリ化されて対応するN
−ホスホノメチルグリシンとなる。 一般名グリホセートとして知られているN−ホ
スホノメチルグリシンは、非常に有効かつ商業的
に重要な植物毒物であり、幅広い雑草の防除に有
用である。 これは多種類の一年生及び多年生イネ科植物及
び広葉植物の茎葉部に施用される。 産業的な使用分野としては、道端、水路、変電
所敷地中、及び他の非農業的領域での雑草防除が
ある。 通常、N−ホスホノメチルグリシンは、好まし
くは水である溶液にその種々の塩を溶液好ましく
は水溶液のかたちに調製して除草剤組成物とす
る。 本発明の製造方法は、N−ホスホノメチルグリ
シンの合成に有用なN−アシル−アミノメチルホ
スホン酸の製造に使用される。アミドのホスホノ
メチル化の種々の方法が当業者に公知である。 例えば、ミラー等の米国特許第4657705号には
置換アミドを水性酸性媒体中で亜リン酸及びホル
ムアルデヒドと反応させてN−置換アミノメチル
ホスホン酸の製造方法が開示されている。 これらの条件下ではアミドは、容易に加水分解
されて、ホスホノメチル化に先立つて遊離のアミ
ンとなる。 本発明のN−アシル−アミノメチルホスホン酸
は、これらの方法では単離又は形成されない。プ
ルワとバルサザ著Synthetic Communications,
16(7),733−739,(1986)には、N−ヒドロキシ
メチルベンズアミドをホスホラストリクロライド
及びトリメチル亜リン酸塩の混合物と処理するこ
とによつてN−ベンゾイルアミノメチルホスホン
酸のジメチルエステルを製造する新規の処理方法
が報告されている。酸によるこのエステルの加水
分解によつてアミノメチルホスホン酸が生じる。
米国特許第2304156号は、メチロル化合物をホス
ホラストリハライドと処理し、その後密閉容器中
に長時間静置した後、中間体エステル化合物を水
処理してホスホン酸に変換することによつてN−
アシル−アミノメチルホスホン酸を製造する方法
を開示している。ベイル等は、ジヤナルオブオガ
ニツクケミストリ,27,pp2067−2070(1962年6
月)で一般的に多くのアミド型のN−メチロル誘
導体は、加熱によつてホルムアルデヒドを遊離す
る不安定な物質であるが、これらの誘導体のエス
テルは、もつと安定であると報告している。ポー
ランド特許出願第117780号にはホスホラストリク
ロライドをメチロルアミド溶液と酢酸中で反応さ
せ、反応混合物を加水分解することによつてアミ
ノメチルホスホン酸を製造する方法が開示されて
いる。 これには、メチロルアミド溶液をホスホラスト
リクロライドに添加して反応を行うことが報告さ
れている。 反応系を変えることはメチロルアミドの完全な
反応を来し、加水分解後のアミノメチルホスホン
酸の収率の低下を来す。 オレクシスジン等は、シンセシス(1978年6
月)p.479とp.480で、アミノアルカンホスホン酸
が、ホスホラストリクロライド又はジクロロホス
フイン、カルボニル化合物(アルデヒド又はケト
ン)及びアルキルカルバメートから直接製造され
る方法を報告している。 この文献はカルボニル化合物を対応するアセタ
ールに置き換えることは、カルバメトをアミド
(例えば、アセタミド又はベンズアミド)と置き
換えるのと同様低収率の結果を来すことが開示さ
れている。 先行技術からは低収率が予想され又不安定なメ
チロル誘導体を取り扱う問題を考慮するにもかか
わらず、本出願人は、N−アシル−アミノメチル
ホスホン酸が、アセタミド及びベンズアミドから
メチロル誘導体を事前形成することなしに本方法
によつて高収率及び高純度で製造され得ることを
見いだした。 式:【式】 (ここで、Rは、メチル、及びアリールからな
る群から選ばれる。) で示すN−アシル−アミノメチルホスホン酸にお
いて、 (a) 実質的に無水反応条件下で 式:【式】 (ここで、Rは、前記したとうりである。) で表されるアミドとパラホルムアルデヒドとを
接触させ、その後 (b) ホスホラストリハライドをこの反応混合物に
添加する ことを特徴とする N−アシル−アミノメチルホスホン酸の製造方
法をここに開示する。 メチル及びアリールの語は、当業者に知られて
いる通常の意味を有する。 アリール基は、置換されていてもいなくても良
い。 適当なアリール基は、 式:【式】 (ここで、Xは、水素、炭素数1から6を有す
るアルキル、ハロ、炭素数1から6を有するアル
コキシ、ニトロ、又はこの反応の妨げとならない
他のすべての基から選ばれる。) で表される。 満足すべき結果は、より少ない価のフエニル基
を使用して得られる。 本発明製造方法の有用な出発物質であるアセタ
ミド及びベンズアミドは、当業者に公知の技術に
よつて製造する。 例えば、アセチルクロライド又はベンジルクロ
ライドをアンモニアと反応させて対応するアミド
を形成する事ができる。 一方、酢酸又は安息香酸をアンモニア又は適当
な塩と縮合させて対応するアミドを形成すること
ができる。 本発明の製造方法によれば、実質的に無水反応
条件下でアセトアミド又はベンズアミドとパラホ
ルムアルデヒドとを接触させる。 これは、出発物質をギ酸、氷酢酸のような無水
有機酸中で接触させることによつて達成させられ
る。 氷酢酸が好ましい。 アセトアミド又はベンズアミドをパラホルムア
ルデヒドと実質的に等モル量無水有機酸溶媒中で
接触させた後、通常この混合物を短時間加熱し
て、溶液とすることが必要である。 一般的には、混合物を50℃から100℃で30分間
の加熱で十分である。溶液を形成するのに必要な
時間と温度は、当業者であれば容易に決定するこ
とができる。 パラホルムアルデヒドとアミドの溶液を30℃未
満に冷却した後、やや過剰モルのホスホラストリ
ハライドを混合物に添加する。 典型的なホスホラストリハライドは、ホスホラ
ストリクロライド、ホスホラストリブロマイド、
及びホヒホラストリイオダイド又はこれらハライ
ドの混合物である。 利用し易いためホスホラトリクロライドが好ま
しい。 ホスホラストリハライドの添加の後、この溶液
を約80℃から約150℃で2から4時間加熱し、ホ
スホノメチル化を完成した。 約80℃から約120℃の温度が好ましい。 もし、温度が溶液の還流温度を越える場合は、
当業者が行うように、圧力を加えることが必要か
もしれない。 N−アシル基は、必要ならN−アシル−アミノ
メチルホスホン酸から硫酸又は塩酸のような強鉱
酸を用いて容易に分離させることができる。 酸加水分解には塩酸が好ましい。 一方、このアシル基は、アルカリ金属水酸化
物、炭酸塩のような強塩基を用いて分離させるこ
とができる。 水酸化ナトリウムが塩基加水分解として好まし
い。 塩基加水分解の後、生成物を塩酸又は硫酸のよ
うな強鉱酸を用いて酸性化する。 単離すれば高収率のアミノメチルホスホン酸が
得られる。 本発明を下記の実施例によつて詳細に述べる
が、しかしこれに限定されるものではない。 実施例 1 100mlフラスコにアセトアミド(2.95g,0.05モ
ル)、パラホルムアルデヒド(1.65g,0.55モル)、
及び氷酢酸(35ml)を入れた。 この混合物を加熱して約100℃にし、溶液とし
た。 この溶液を冷却して室温とし、ホスホラストリ
クロライド(7.9g,0.058モル)を5分間以上に
わたつて添加した。 そして、この溶液を加熱して110℃とし、この
温度で約1時間維持した。 そして、この混合物を冷却して室温とし、水
(100ml)を加えた。 それから混合物を真空下60℃で蒸発させて油を
得た。 31P NMR分析は、N−アセチルアミノメチル
ホスホン酸の存在を示した。 この生成物質を水酸化ナトリウム(22g,0.275
モル)の50%水溶液を添加し、室温で72時間攪拌
することによつてアミノメチルホスホン酸に変換
した。 この溶液を濃縮塩酸で酸性化し、蒸発させて白
色固体を得た。 この残渣を取つて、濃塩酸(50ml)に入れ沈殿
した塩化ナトリウムを濾過して取り除いた。 濾過を蒸発させて白色固体を得、溶離液として
水を用いイオン交換クロマトグラフイー
(Dowex 50x8−400)で精製し、アミノメチルホ
スホン酸(4.71g,84.9%収率)を得た。 実施例 2 N−アセチルアミノメチルホスホン酸を製造す
るため実施例1の手順を反復した。 水を加え、反応混合物を蒸発させて油にした
後、水(25ml)を加えた。そして残渣のホルムア
ルデヒド及びギ酸を取り除くため溶液を再び蒸発
させた。残留の油に濃塩酸(60ml)を加え、この
混合物を還流器で約16時間過熱した。 冷却後、この溶液を蒸発させて油とし、イオン
交換クロマトグラフイで精製し、アミノメチルス
ルホン酸(3.8g、収率68.6%)を得た。 実施例 3 250mlフラスコにベンズアミド(12.2g,0.10モ
ル)、パラホルムアルデヒド(3.2g,0.11モル)
及び氷酢酸(60ml)を入れた。 この混合物を90℃より高い温度で1時間加熱し
て溶液とした。 この溶液を室温まで冷却し、ホスホラス トリ
クロライド(16.4g,0.12モル)を一部分に加え
た。 そして、この溶液を110℃に加熱して、2時間
この温度に保つた。 この溶液を室温まで冷却後、水(50ml)をその
混合物に加えた。これはその後蒸発させて油状固
体とした。 31P NMR分析は、N−ベンゾイルアミノメチ
ルホスホン酸の存在を示した。 この生成物を、濃塩酸(100ml)を加え、還流
器で約16時間加熱してアミノメチルホスホン酸に
変換した。 イオン交換クロマトグラフイで精製後、アミノ
メチルホスホン酸(9.2g、収率82.9%)を得た。 実施例 4 この実施例は、カルバメトを使用して得られた
低収率の実施例である。 50mlフラスコにメチルカルバメト(1.98g,
0.025モル)、パラホルムアルデヒド(0.79g,
0.026モル)及び氷酢酸(20ml)を入れた。 この混合物を85℃に加熱して溶液とし、それか
ら氷浴中で約150℃に冷却した。 その後、ホスホラストリクロライド(4.11g,
0.03モル)を添加し、この溶液を1時間以上107
℃に加熱した。この温度で約1時間加熱後60℃真
空下で溶液を蒸発させ油を得た。それから、濃塩
酸(50ml)をこの溶液に加え、これを還流器で約
14時間加熱した。 この混合物を再び真空下60℃で蒸発させて重質
の油を得た。 イオン交換精製によつて、アミノメチルホスホ
ン酸(1.0g、収率36%)を得た。 この発明を特定の実施例に従つてここに詳細に
開示したけれども、これは例示の手段として示し
たのであつて、この代替的実施態様及び操作は、
上記開示から当業者にとつて自明のことである。 従つて、本発明の精神から逸脱しない限り変更
はなし得るものである。
法に関する。特に、N−アシル−アミノメチルホ
スホン酸の製造方法に関する。 N−置換アミノメチルホスホン酸は、金属イオ
ン封鎖剤、及び除草剤を含む種々の化学物質の製
造において有用な中間体である。 したがつて、例えば、N−イソプロピル−N−
ホスホノメチルグリシンのような、N−アルキル
−N−ホスホノメチルグリシンは、EPO特許出
願第86 870047.7号に開示された方法を用いてア
ルカリ性条件下で脱アルカリ化されて対応するN
−ホスホノメチルグリシンとなる。 一般名グリホセートとして知られているN−ホ
スホノメチルグリシンは、非常に有効かつ商業的
に重要な植物毒物であり、幅広い雑草の防除に有
用である。 これは多種類の一年生及び多年生イネ科植物及
び広葉植物の茎葉部に施用される。 産業的な使用分野としては、道端、水路、変電
所敷地中、及び他の非農業的領域での雑草防除が
ある。 通常、N−ホスホノメチルグリシンは、好まし
くは水である溶液にその種々の塩を溶液好ましく
は水溶液のかたちに調製して除草剤組成物とす
る。 本発明の製造方法は、N−ホスホノメチルグリ
シンの合成に有用なN−アシル−アミノメチルホ
スホン酸の製造に使用される。アミドのホスホノ
メチル化の種々の方法が当業者に公知である。 例えば、ミラー等の米国特許第4657705号には
置換アミドを水性酸性媒体中で亜リン酸及びホル
ムアルデヒドと反応させてN−置換アミノメチル
ホスホン酸の製造方法が開示されている。 これらの条件下ではアミドは、容易に加水分解
されて、ホスホノメチル化に先立つて遊離のアミ
ンとなる。 本発明のN−アシル−アミノメチルホスホン酸
は、これらの方法では単離又は形成されない。プ
ルワとバルサザ著Synthetic Communications,
16(7),733−739,(1986)には、N−ヒドロキシ
メチルベンズアミドをホスホラストリクロライド
及びトリメチル亜リン酸塩の混合物と処理するこ
とによつてN−ベンゾイルアミノメチルホスホン
酸のジメチルエステルを製造する新規の処理方法
が報告されている。酸によるこのエステルの加水
分解によつてアミノメチルホスホン酸が生じる。
米国特許第2304156号は、メチロル化合物をホス
ホラストリハライドと処理し、その後密閉容器中
に長時間静置した後、中間体エステル化合物を水
処理してホスホン酸に変換することによつてN−
アシル−アミノメチルホスホン酸を製造する方法
を開示している。ベイル等は、ジヤナルオブオガ
ニツクケミストリ,27,pp2067−2070(1962年6
月)で一般的に多くのアミド型のN−メチロル誘
導体は、加熱によつてホルムアルデヒドを遊離す
る不安定な物質であるが、これらの誘導体のエス
テルは、もつと安定であると報告している。ポー
ランド特許出願第117780号にはホスホラストリク
ロライドをメチロルアミド溶液と酢酸中で反応さ
せ、反応混合物を加水分解することによつてアミ
ノメチルホスホン酸を製造する方法が開示されて
いる。 これには、メチロルアミド溶液をホスホラスト
リクロライドに添加して反応を行うことが報告さ
れている。 反応系を変えることはメチロルアミドの完全な
反応を来し、加水分解後のアミノメチルホスホン
酸の収率の低下を来す。 オレクシスジン等は、シンセシス(1978年6
月)p.479とp.480で、アミノアルカンホスホン酸
が、ホスホラストリクロライド又はジクロロホス
フイン、カルボニル化合物(アルデヒド又はケト
ン)及びアルキルカルバメートから直接製造され
る方法を報告している。 この文献はカルボニル化合物を対応するアセタ
ールに置き換えることは、カルバメトをアミド
(例えば、アセタミド又はベンズアミド)と置き
換えるのと同様低収率の結果を来すことが開示さ
れている。 先行技術からは低収率が予想され又不安定なメ
チロル誘導体を取り扱う問題を考慮するにもかか
わらず、本出願人は、N−アシル−アミノメチル
ホスホン酸が、アセタミド及びベンズアミドから
メチロル誘導体を事前形成することなしに本方法
によつて高収率及び高純度で製造され得ることを
見いだした。 式:【式】 (ここで、Rは、メチル、及びアリールからな
る群から選ばれる。) で示すN−アシル−アミノメチルホスホン酸にお
いて、 (a) 実質的に無水反応条件下で 式:【式】 (ここで、Rは、前記したとうりである。) で表されるアミドとパラホルムアルデヒドとを
接触させ、その後 (b) ホスホラストリハライドをこの反応混合物に
添加する ことを特徴とする N−アシル−アミノメチルホスホン酸の製造方
法をここに開示する。 メチル及びアリールの語は、当業者に知られて
いる通常の意味を有する。 アリール基は、置換されていてもいなくても良
い。 適当なアリール基は、 式:【式】 (ここで、Xは、水素、炭素数1から6を有す
るアルキル、ハロ、炭素数1から6を有するアル
コキシ、ニトロ、又はこの反応の妨げとならない
他のすべての基から選ばれる。) で表される。 満足すべき結果は、より少ない価のフエニル基
を使用して得られる。 本発明製造方法の有用な出発物質であるアセタ
ミド及びベンズアミドは、当業者に公知の技術に
よつて製造する。 例えば、アセチルクロライド又はベンジルクロ
ライドをアンモニアと反応させて対応するアミド
を形成する事ができる。 一方、酢酸又は安息香酸をアンモニア又は適当
な塩と縮合させて対応するアミドを形成すること
ができる。 本発明の製造方法によれば、実質的に無水反応
条件下でアセトアミド又はベンズアミドとパラホ
ルムアルデヒドとを接触させる。 これは、出発物質をギ酸、氷酢酸のような無水
有機酸中で接触させることによつて達成させられ
る。 氷酢酸が好ましい。 アセトアミド又はベンズアミドをパラホルムア
ルデヒドと実質的に等モル量無水有機酸溶媒中で
接触させた後、通常この混合物を短時間加熱し
て、溶液とすることが必要である。 一般的には、混合物を50℃から100℃で30分間
の加熱で十分である。溶液を形成するのに必要な
時間と温度は、当業者であれば容易に決定するこ
とができる。 パラホルムアルデヒドとアミドの溶液を30℃未
満に冷却した後、やや過剰モルのホスホラストリ
ハライドを混合物に添加する。 典型的なホスホラストリハライドは、ホスホラ
ストリクロライド、ホスホラストリブロマイド、
及びホヒホラストリイオダイド又はこれらハライ
ドの混合物である。 利用し易いためホスホラトリクロライドが好ま
しい。 ホスホラストリハライドの添加の後、この溶液
を約80℃から約150℃で2から4時間加熱し、ホ
スホノメチル化を完成した。 約80℃から約120℃の温度が好ましい。 もし、温度が溶液の還流温度を越える場合は、
当業者が行うように、圧力を加えることが必要か
もしれない。 N−アシル基は、必要ならN−アシル−アミノ
メチルホスホン酸から硫酸又は塩酸のような強鉱
酸を用いて容易に分離させることができる。 酸加水分解には塩酸が好ましい。 一方、このアシル基は、アルカリ金属水酸化
物、炭酸塩のような強塩基を用いて分離させるこ
とができる。 水酸化ナトリウムが塩基加水分解として好まし
い。 塩基加水分解の後、生成物を塩酸又は硫酸のよ
うな強鉱酸を用いて酸性化する。 単離すれば高収率のアミノメチルホスホン酸が
得られる。 本発明を下記の実施例によつて詳細に述べる
が、しかしこれに限定されるものではない。 実施例 1 100mlフラスコにアセトアミド(2.95g,0.05モ
ル)、パラホルムアルデヒド(1.65g,0.55モル)、
及び氷酢酸(35ml)を入れた。 この混合物を加熱して約100℃にし、溶液とし
た。 この溶液を冷却して室温とし、ホスホラストリ
クロライド(7.9g,0.058モル)を5分間以上に
わたつて添加した。 そして、この溶液を加熱して110℃とし、この
温度で約1時間維持した。 そして、この混合物を冷却して室温とし、水
(100ml)を加えた。 それから混合物を真空下60℃で蒸発させて油を
得た。 31P NMR分析は、N−アセチルアミノメチル
ホスホン酸の存在を示した。 この生成物質を水酸化ナトリウム(22g,0.275
モル)の50%水溶液を添加し、室温で72時間攪拌
することによつてアミノメチルホスホン酸に変換
した。 この溶液を濃縮塩酸で酸性化し、蒸発させて白
色固体を得た。 この残渣を取つて、濃塩酸(50ml)に入れ沈殿
した塩化ナトリウムを濾過して取り除いた。 濾過を蒸発させて白色固体を得、溶離液として
水を用いイオン交換クロマトグラフイー
(Dowex 50x8−400)で精製し、アミノメチルホ
スホン酸(4.71g,84.9%収率)を得た。 実施例 2 N−アセチルアミノメチルホスホン酸を製造す
るため実施例1の手順を反復した。 水を加え、反応混合物を蒸発させて油にした
後、水(25ml)を加えた。そして残渣のホルムア
ルデヒド及びギ酸を取り除くため溶液を再び蒸発
させた。残留の油に濃塩酸(60ml)を加え、この
混合物を還流器で約16時間過熱した。 冷却後、この溶液を蒸発させて油とし、イオン
交換クロマトグラフイで精製し、アミノメチルス
ルホン酸(3.8g、収率68.6%)を得た。 実施例 3 250mlフラスコにベンズアミド(12.2g,0.10モ
ル)、パラホルムアルデヒド(3.2g,0.11モル)
及び氷酢酸(60ml)を入れた。 この混合物を90℃より高い温度で1時間加熱し
て溶液とした。 この溶液を室温まで冷却し、ホスホラス トリ
クロライド(16.4g,0.12モル)を一部分に加え
た。 そして、この溶液を110℃に加熱して、2時間
この温度に保つた。 この溶液を室温まで冷却後、水(50ml)をその
混合物に加えた。これはその後蒸発させて油状固
体とした。 31P NMR分析は、N−ベンゾイルアミノメチ
ルホスホン酸の存在を示した。 この生成物を、濃塩酸(100ml)を加え、還流
器で約16時間加熱してアミノメチルホスホン酸に
変換した。 イオン交換クロマトグラフイで精製後、アミノ
メチルホスホン酸(9.2g、収率82.9%)を得た。 実施例 4 この実施例は、カルバメトを使用して得られた
低収率の実施例である。 50mlフラスコにメチルカルバメト(1.98g,
0.025モル)、パラホルムアルデヒド(0.79g,
0.026モル)及び氷酢酸(20ml)を入れた。 この混合物を85℃に加熱して溶液とし、それか
ら氷浴中で約150℃に冷却した。 その後、ホスホラストリクロライド(4.11g,
0.03モル)を添加し、この溶液を1時間以上107
℃に加熱した。この温度で約1時間加熱後60℃真
空下で溶液を蒸発させ油を得た。それから、濃塩
酸(50ml)をこの溶液に加え、これを還流器で約
14時間加熱した。 この混合物を再び真空下60℃で蒸発させて重質
の油を得た。 イオン交換精製によつて、アミノメチルホスホ
ン酸(1.0g、収率36%)を得た。 この発明を特定の実施例に従つてここに詳細に
開示したけれども、これは例示の手段として示し
たのであつて、この代替的実施態様及び操作は、
上記開示から当業者にとつて自明のことである。 従つて、本発明の精神から逸脱しない限り変更
はなし得るものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 式:【式】 (ここで、Rは、メチル、及びアリールからな
る群から選ばれる) で示すN−アシル−アミノメチルホスホン酸の製
造方法において、 (a) 式:【式】 (ここで、Rは、前記したとおりのもの及び
パラホルムアルデヒドである。) で表されるアミドと無水有機酸とを接触させ、
その後 (b) ホスホラストリハライドをその反応混合物に
添加する ことを特徴とするN−アシルアミノメチルホスホ
ン酸の製造方法。 2 上記アミド、上記パラホルムアルデヒド及び
上記ホスホラストリハライドを80℃から150℃の
あいだの温度で加熱する特許請求の範囲第1項記
載の製造方法。 3 上記アミド、上記パラホルムアルデヒド及び
上記ホスホラストリハライドを80℃から120℃の
あいだの温度で加熱する工程を更に含む特許請求
の範囲第2項記載の製造方法。 4 上記無水有機酸が、氷酢酸又はギ酸である特
許請求の範囲第1項記載の製造方法。 5 上記N−アシルアミノメチルホスホン酸を加
水分解してアミノメチルホスホン酸を形成する工
程を更に含む特許請求の範囲第1項記載の製造方
法。 6 上記加水分解に水性アルカリ金属水酸化物を
使用する特許請求の範囲第5項記載の製造方法。 7 上記アルカリ金属水酸化物が水酸化ナトリウ
ムである特許請求の範囲第6項記載の製造方法。 8 上記加水分解に水性強鉱酸を使用する特許請
求の範囲第5項記載の製造方法。 9 上記鉱酸が塩酸又は硫酸である特許請求の範
囲第8項記載の製造方法。 10 式:【式】 (ここで、Rは、メチル、及びアリールからな
る群から選ばれる。) で示すN−アシルアミノメチルホスホン酸の製造
方法において、 (a) パラホルムアルデヒドと 式:【式】 (ここで、Rは、前記したとおりのもの及び
パラホルムアルデヒドである。) で表されるアミドとを氷酢酸に添加し、 (b) 上記アミドと上記パラホルムアルデヒドを含
む上記氷酢酸を加熱して溶液を形成し、 (c) ホスホラストリハライドをこの反応混合物に
添加し、 (d) 上記溶液をホスホラストリクロライドととも
に80℃から120℃に加熱する ことを特徴とするN−アシルアミノメチルホスホ
ン酸の製造方法。 11 上記N−アシルアミノメチルホスホン酸を
水性アルカリ金属水酸化物で加水分解してアミノ
メチルホスホン酸とする工程を更に含む特許請求
の範囲第10項記載の製造方法。 12 上記N−アシルアミノメチルホスホン酸を
水性強鉱酸で加水分解する工程を更に含む特許請
求の範囲第10項記載の製造方法。
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