JPH0580171B2 - - Google Patents
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- JPH0580171B2 JPH0580171B2 JP1306335A JP30633589A JPH0580171B2 JP H0580171 B2 JPH0580171 B2 JP H0580171B2 JP 1306335 A JP1306335 A JP 1306335A JP 30633589 A JP30633589 A JP 30633589A JP H0580171 B2 JPH0580171 B2 JP H0580171B2
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- crystal
- crystal element
- degrees
- piezoelectric
- plane
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02015—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles
- H03H9/02039—Characteristics of piezoelectric layers, e.g. cutting angles consisting of a material from the crystal group 32, e.g. langasite, langatate, langanite
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、上下面が平行平面、又は平面と凸
面、又は両凸面のいずれかであると共に、平坦な
上面に平行に又は凸面の一つに対称に位置してい
る主平面を備えた、共振子等に用いられる
GaPO4を基体とする圧電素子に関する。
面、又は両凸面のいずれかであると共に、平坦な
上面に平行に又は凸面の一つに対称に位置してい
る主平面を備えた、共振子等に用いられる
GaPO4を基体とする圧電素子に関する。
既に欧州特許Ａ−069112号に記載されているよ
うに、特にGaAsO4，GaPO4，AlAsO4，
FeAsO4，FePO4，MnPO4そしてMnAsO4などの
圧電結晶体に代表される化学一般式ABO4をもつ
点対称属３２の水晶同種型の結晶体は結晶の重要
な物理特性、特に圧電パラメータや弾性パラメー
タに関する優れた温度特性を有していることが知
られており、このことは圧電共振子への利用にお
いて好都合である。この結晶の好ましい特性はフ
オノンスペクトルの特別な特性と結びついてお
り、トータルシンメトリフオノン−モードの低周
波で20から500℃の温度領域において周波数シフ
トは最高で15％が観察される。
うに、特にGaAsO4，GaPO4，AlAsO4，
FeAsO4，FePO4，MnPO4そしてMnAsO4などの
圧電結晶体に代表される化学一般式ABO4をもつ
点対称属３２の水晶同種型の結晶体は結晶の重要
な物理特性、特に圧電パラメータや弾性パラメー
タに関する優れた温度特性を有していることが知
られており、このことは圧電共振子への利用にお
いて好都合である。この結晶の好ましい特性はフ
オノンスペクトルの特別な特性と結びついてお
り、トータルシンメトリフオノン−モードの低周
波で20から500℃の温度領域において周波数シフ
トは最高で15％が観察される。
この結晶素子の多様な利用可能性が示される
が、第１にはGaPO4が挙げられる。
が、第１にはGaPO4が挙げられる。
上述の結晶体は熱水法で人工的に製造可能であ
ることが知られており、このことは例えばオース
トリア特許379831号に記載されている。
ることが知られており、このことは例えばオース
トリア特許379831号に記載されている。
三方晶形対称の結晶−たとえばLiNbO3−を有
する圧電共振子ではごく一般的に厚さ−剪断−振
動が利用される。特にそのような利用分野ではα
−水晶やα−AlPO4に対してもそのような利用が
知られており、その際この結晶は、例えば
GaPO4と同様な方法では高温安定性が期待され
ず、また上記に説明したフオノンスペクトルの特
徴も現われないことが指摘される。
する圧電共振子ではごく一般的に厚さ−剪断−振
動が利用される。特にそのような利用分野ではα
−水晶やα−AlPO4に対してもそのような利用が
知られており、その際この結晶は、例えば
GaPO4と同様な方法では高温安定性が期待され
ず、また上記に説明したフオノンスペクトルの特
徴も現われないことが指摘される。
水晶からなる共振子の製作に関する数多くの方
法と概説の一覧が、例えば、“水晶振動子とその
応用”、P.Vigoureux、ロンドン、1950、に揚載
されている。
法と概説の一覧が、例えば、“水晶振動子とその
応用”、P.Vigoureux、ロンドン、1950、に揚載
されている。
前記した厚さ−剪断−振動の応用では、水晶及
びAlPO4のための文献に特に好ましい切断角、す
なわち回転されたＹ−断面が示されており、これ
は結晶原塊からの結晶体の切断の際に重要であ
る。この切断角は水晶のためには前記“水晶振動
子とその応用”に、そしてAlPO4のためには、例
えば、J.C.Jumasほかによる“結晶成長”、
Vol.80，1987，の133頁から148頁に記載されてい
る。
びAlPO4のための文献に特に好ましい切断角、す
なわち回転されたＹ−断面が示されており、これ
は結晶原塊からの結晶体の切断の際に重要であ
る。この切断角は水晶のためには前記“水晶振動
子とその応用”に、そしてAlPO4のためには、例
えば、J.C.Jumasほかによる“結晶成長”、
Vol.80，1987，の133頁から148頁に記載されてい
る。
驚くべきことは、−同様な結晶構造体にもかか
わらず−GaPO4からの結晶においてこの切断角
つまりは切断面が実現可能であるが、しかしなが
ら最適ではないと判明した。一方ではこの公知の
切断面は、成長面と結晶学的軸との間の結晶原塊
に巨視的に検知される角度値に対してむしろ悪い
関係になつており、他方ではこの切断面によつて
理論的に可能な電気機械結合が十分に利用できな
く、その際その他共振周波数の低い温度係数が現
われる。
わらず−GaPO4からの結晶においてこの切断角
つまりは切断面が実現可能であるが、しかしなが
ら最適ではないと判明した。一方ではこの公知の
切断面は、成長面と結晶学的軸との間の結晶原塊
に巨視的に検知される角度値に対してむしろ悪い
関係になつており、他方ではこの切断面によつて
理論的に可能な電気機械結合が十分に利用できな
く、その際その他共振周波数の低い温度係数が現
われる。
本発明の課題は、一方においてGaPO4を基体
とする圧電結晶素子のために第１に現在の成長法
で得られる結晶原塊を用いて比較的簡単に決定可
能で第２に室温において共振周波数のわずかに正
の温度係数及び低い副次波長非抵抗性を有する切
断面を提示し、他方において同じ切断角領域にお
いて上記の特性が実質的に備えられている
GaPO4を基体とする新しい結晶を提供すること
である。
とする圧電結晶素子のために第１に現在の成長法
で得られる結晶原塊を用いて比較的簡単に決定可
能で第２に室温において共振周波数のわずかに正
の温度係数及び低い副次波長非抵抗性を有する切
断面を提示し、他方において同じ切断角領域にお
いて上記の特性が実質的に備えられている
GaPO4を基体とする新しい結晶を提供すること
である。
この課題は、本発明によれば、結晶素子の主平
面が、光学軸に対して平行に位置する結晶原塊の
六方晶系プリズム面から二回結晶学的対称軸の一
つの軸周りに−５度から−22度の間の角度：θを
回転させることで得られる切断面に平行に延びる
ようにすることで解決される。
面が、光学軸に対して平行に位置する結晶原塊の
六方晶系プリズム面から二回結晶学的対称軸の一
つの軸周りに−５度から−22度の間の角度：θを
回転させることで得られる切断面に平行に延びる
ようにすることで解決される。
二回結晶学的対称軸aiの一つがＸ−軸に平行
に、そして三回結晶学的対称軸（光学軸）がＺ−
軸に平行に延びるように軸Ｘ，Ｙ，Ｚを有する直
交座標系にその結晶原塊をはめ込んでみると、全
ての六方晶プリズム面がＺ−軸に平行に位置す
る。切断されるべき結晶素子の上面を切断面に回
転するために、六方晶プリズム面の１つを始点と
して結晶原塊がＸ−軸周りに−５と−22度の間の
角度θだけ傾けられる。
に、そして三回結晶学的対称軸（光学軸）がＺ−
軸に平行に延びるように軸Ｘ，Ｙ，Ｚを有する直
交座標系にその結晶原塊をはめ込んでみると、全
ての六方晶プリズム面がＺ−軸に平行に位置す
る。切断されるべき結晶素子の上面を切断面に回
転するために、六方晶プリズム面の１つを始点と
して結晶原塊がＸ−軸周りに−５と−22度の間の
角度θだけ傾けられる。
これによつて、従来欠点を解決した新規な圧電
結晶素子を得ることができた。
結晶素子を得ることができた。
特に利点を生みだす本発明の実施形態として、
前記角度：θが−13度と−17度の間とすることが
できる。
前記角度：θが−13度と−17度の間とすることが
できる。
本発明により、前記結晶素子の主平面に対して
平行に延びている切断面のために、二回結晶学的
対称軸の一つの軸周りの回転に先立つて光学軸周
りに−５度と５度との間の角度：βの回転が許さ
れる場合には、圧電結晶素子の優れた特性が得ら
れる。特に切断の前のその決定を行なうために単
に回転軸をわずかに傾けるとよい。
平行に延びている切断面のために、二回結晶学的
対称軸の一つの軸周りの回転に先立つて光学軸周
りに−５度と５度との間の角度：βの回転が許さ
れる場合には、圧電結晶素子の優れた特性が得ら
れる。特に切断の前のその決定を行なうために単
に回転軸をわずかに傾けるとよい。
提案された切断面ないしは切断角は純物質
GaPO4に有効なだけではなく、本発明の別な実
施形態としての、前記結晶素子が一般式Ga1−
xMxPO4の結晶から構成され、ここでＭは３価
元素であり、０≦ｘ＜0.5であるものにも有効で
あることが驚くべきことに示された。したがつ
て、Ga−原子の半分が３価元素によつて置換さ
れることにより純物質から生じる混合結晶も利用
することができる。アルミニウムははるかに安価
なものであり、提示された混合比でGaPO4の優
れた特性を保つことができるので、ガリウムを部
分的にアルミニウムで置換すると好都合である。
GaPO4に有効なだけではなく、本発明の別な実
施形態としての、前記結晶素子が一般式Ga1−
xMxPO4の結晶から構成され、ここでＭは３価
元素であり、０≦ｘ＜0.5であるものにも有効で
あることが驚くべきことに示された。したがつ
て、Ga−原子の半分が３価元素によつて置換さ
れることにより純物質から生じる混合結晶も利用
することができる。アルミニウムははるかに安価
なものであり、提示された混合比でGaPO4の優
れた特性を保つことができるので、ガリウムを部
分的にアルミニウムで置換すると好都合である。
GaPO4を基体とした結晶の普通の成長技術に
より、三方晶斜方六面対面２、六方晶プリズム面
３及び卓面４を備えた結晶原塊１から得られる。
これは第１図と第２図で明らかなように、典型的
な結晶原塊を示している。切断角ないしは切断面
Ｅの定義を簡単化するために、以下のように二回
結晶学対称軸ai（ｉ＝１−３）と光学軸Ｃ（三回結
晶学的対称軸）と関係付けられた直交座標系の軸
が、図示されている。Ｘは軸aiの１つに平行であ
り、その方向は圧電効果によつて生じるチヤージ
の正符号により与えられ、その際光学的に左回転
している結晶で圧縮が、光学的に右回転している
結晶で引つ張りが利用される。Ｚ−軸は光学軸Ｃ
に対して平行であり、軸の右周りが形成されるよ
うにＹはＺに直角となつている。X*でさらに可
能なＸ−軸が記されている。小板状圧電結晶素子
６の平行平面な上面５は主平面Ｈに対して平行で
かつ、Ｚ−軸に平行な六方晶プリズム面３と−５
と−22度の間の角度θをなす切断面Ｅに対して平
行に位置している。第２図からは、結晶素子６の
平たい上面５を含む主平面Ｈが切断面Ｅに平行に
位置していることは明確である。結晶素子が平凸
に形成される場合主平面は平たい上面に対して平
行に位置しており、両凸に形成されている場合主
平面は対称面に一致する。
より、三方晶斜方六面対面２、六方晶プリズム面
３及び卓面４を備えた結晶原塊１から得られる。
これは第１図と第２図で明らかなように、典型的
な結晶原塊を示している。切断角ないしは切断面
Ｅの定義を簡単化するために、以下のように二回
結晶学対称軸ai（ｉ＝１−３）と光学軸Ｃ（三回結
晶学的対称軸）と関係付けられた直交座標系の軸
が、図示されている。Ｘは軸aiの１つに平行であ
り、その方向は圧電効果によつて生じるチヤージ
の正符号により与えられ、その際光学的に左回転
している結晶で圧縮が、光学的に右回転している
結晶で引つ張りが利用される。Ｚ−軸は光学軸Ｃ
に対して平行であり、軸の右周りが形成されるよ
うにＹはＺに直角となつている。X*でさらに可
能なＸ−軸が記されている。小板状圧電結晶素子
６の平行平面な上面５は主平面Ｈに対して平行で
かつ、Ｚ−軸に平行な六方晶プリズム面３と−５
と−22度の間の角度θをなす切断面Ｅに対して平
行に位置している。第２図からは、結晶素子６の
平たい上面５を含む主平面Ｈが切断面Ｅに平行に
位置していることは明確である。結晶素子が平凸
に形成される場合主平面は平たい上面に対して平
行に位置しており、両凸に形成されている場合主
平面は対称面に一致する。
Ｙ−軸方向に厚さ方向（厚さｄは最小寸法とし
て定義される）を有する結晶断片はＹ−断片と呼
ばれる。そのようなＹ−断片をＸ−軸周りに角
度：θだけ時計方向に回転させると、回転された
Ｙ−断片となる。この種の断片は三方晶系対称を
有する結晶から作られる共振子にとつて、３つの
可能な音響共振波の１つだけが励起されるので、
大変重要である。
て定義される）を有する結晶断片はＹ−断片と呼
ばれる。そのようなＹ−断片をＸ−軸周りに角
度：θだけ時計方向に回転させると、回転された
Ｙ−断片となる。この種の断片は三方晶系対称を
有する結晶から作られる共振子にとつて、３つの
可能な音響共振波の１つだけが励起されるので、
大変重要である。
よく知られた例として、水晶やベルリニツト
（Berlinit）（α−SiO2とα−AlPO4）が挙げられ
る；前者ではいわゆる約θ＝−35度でのAT−断
片とθ＝−38度でのCT−断片であり、後者は同
様にθ＝−30度でのAT−断片として表される。
（Berlinit）（α−SiO2とα−AlPO4）が挙げられ
る；前者ではいわゆる約θ＝−35度でのAT−断
片とθ＝−38度でのCT−断片であり、後者は同
様にθ＝−30度でのAT−断片として表される。
同じ結晶構造であることから、約−30〜−40度
の範囲でのGaPO4の相応な結晶断片を利用する
ことは当然であるだろう。しかしながら、そのよ
うな結晶断面の共振周波数の温度係数は約−15〜
−30ppm／Ｋとなり、このことは値からみても、
その符号からみても不都合なものである。そのほ
かに、第１図に示されている典型的な外見的特徴
のため、まず小さな結晶原塊（例えば10ｇ以下の
重量）では切り屑に対する取り分の割合が不適当
であるし、結晶加工時の前もつての方向調整のた
めの助けになるものもなく、さらには約1100KHz
mmの低い周波数定数を持つている。
の範囲でのGaPO4の相応な結晶断片を利用する
ことは当然であるだろう。しかしながら、そのよ
うな結晶断面の共振周波数の温度係数は約−15〜
−30ppm／Ｋとなり、このことは値からみても、
その符号からみても不都合なものである。そのほ
かに、第１図に示されている典型的な外見的特徴
のため、まず小さな結晶原塊（例えば10ｇ以下の
重量）では切り屑に対する取り分の割合が不適当
であるし、結晶加工時の前もつての方向調整のた
めの助けになるものもなく、さらには約1100KHz
mmの低い周波数定数を持つている。
これに対して、わずかに正の温度係数またはほ
ぼ零の温度係数を持ち、現在の成長技術で得られ
る結晶体から切り屑に対する適切な割合で切り取
られることができ、さらに結晶加工時の結晶の方
向調整において何等かの助けが与えられ、しかも
大きな周波数定数を有する結晶素子が望まれてい
る。
ぼ零の温度係数を持ち、現在の成長技術で得られ
る結晶体から切り屑に対する適切な割合で切り取
られることができ、さらに結晶加工時の結晶の方
向調整において何等かの助けが与えられ、しかも
大きな周波数定数を有する結晶素子が望まれてい
る。
特許請求の範囲の請求項１に記載されたように
回転されたＹ−断片を選択するとこれらの要求が
満たされる。共振周波数の温度係数は参照温度と
して周囲温度において零線の両端に位置する。
回転されたＹ−断片を選択するとこれらの要求が
満たされる。共振周波数の温度係数は参照温度と
して周囲温度において零線の両端に位置する。
第２図から明らかなように、六方晶系プリズム
面３の仮想延長線に対する斜方六面体面２の角度
は20.02度であるので、結晶素子の切取り分は、
特に−20度と−22度の間の切断の場合向上する。
このことは、この面に結晶加工の際の第１の調整
がなされることができ、好ましい角度への回し戻
しのための六方晶系プリズム面が基準として用い
られることができるので、明らかに方向決めの際
の助けとなる。さらに周波数定数は約1240〜
1440KHzmmの範囲であり、このことは材料の高い
密度を考えると全く注目すべきことである。
面３の仮想延長線に対する斜方六面体面２の角度
は20.02度であるので、結晶素子の切取り分は、
特に−20度と−22度の間の切断の場合向上する。
このことは、この面に結晶加工の際の第１の調整
がなされることができ、好ましい角度への回し戻
しのための六方晶系プリズム面が基準として用い
られることができるので、明らかに方向決めの際
の助けとなる。さらに周波数定数は約1240〜
1440KHzmmの範囲であり、このことは材料の高い
密度を考えると全く注目すべきことである。
また導線電極の下側の領域の生成ゾーン境界は
振動特性に不都合な影響を与えることになるの
で、ゾーンを決めて結晶材料が利用される。ゾー
ン境界には、第１には直線的な結晶欠陥がよく生
じ、第２にはゾーン境界によつて分割された領域
の結晶軸のわずかな傾斜可能性があり、このこと
は双方とも弾性的かつ音響的特性に不都合な影響
を与える。基本的には各成長ゾーンを用いること
ができ、好都合なものはＺ−ゾーン（卓面４の成
長）又はＲ−ゾーン（斜方六面体面２の成長）で
ある。さらに波長領域3μmの結晶原塊の赤外線吸
収αが0.8cm-1以下の値を備えている場合、より
好ましいものとなる。この場合、結晶の加工性、
切断、ラツプ仕上げ、バニシ仕上げが十分によい
ものが得られ、さらに共振性能は主な部分だけで
はなく結晶のダンピングにより定まり、このこと
は、特に叙述されたα−境界値に対して十分に大
きい値にも有効である。αは結晶中の水トレース
の異成分に比例するので、この水成分は結晶の粘
弾性ダンピングの大きさを決定する。
振動特性に不都合な影響を与えることになるの
で、ゾーンを決めて結晶材料が利用される。ゾー
ン境界には、第１には直線的な結晶欠陥がよく生
じ、第２にはゾーン境界によつて分割された領域
の結晶軸のわずかな傾斜可能性があり、このこと
は双方とも弾性的かつ音響的特性に不都合な影響
を与える。基本的には各成長ゾーンを用いること
ができ、好都合なものはＺ−ゾーン（卓面４の成
長）又はＲ−ゾーン（斜方六面体面２の成長）で
ある。さらに波長領域3μmの結晶原塊の赤外線吸
収αが0.8cm-1以下の値を備えている場合、より
好ましいものとなる。この場合、結晶の加工性、
切断、ラツプ仕上げ、バニシ仕上げが十分によい
ものが得られ、さらに共振性能は主な部分だけで
はなく結晶のダンピングにより定まり、このこと
は、特に叙述されたα−境界値に対して十分に大
きい値にも有効である。αは結晶中の水トレース
の異成分に比例するので、この水成分は結晶の粘
弾性ダンピングの大きさを決定する。
さらに表面の高い品質も注目に値する。結晶素
子のラツプ仕上げされた面は十分なものであり、
最高の品質はバニシ仕上げにより得られる。前者
では電極付着が良好であり、後者では一般的に共
振性能が向上する。
子のラツプ仕上げされた面は十分なものであり、
最高の品質はバニシ仕上げにより得られる。前者
では電極付着が良好であり、後者では一般的に共
振性能が向上する。
もう一度第１図に戻るが、幾何学的な誤差範囲
に関して、Ｘ軸とその対応する二回結晶学的対称
軸aiは正確には一致する必要はなく、その本質的
な特徴を変えることなしに、Ｘ−Ｙ平面における
状態X′でのβ＝−５〜＋５度程度の傾きのわず
かな遊びは十分に可能であると言える。尚、第１
図のＹ−Ｚ面に沿つた断面を示す第２図にも見ら
れるように、角度θだけ傾斜させた座標系がY′，
Z′で示されている。
に関して、Ｘ軸とその対応する二回結晶学的対称
軸aiは正確には一致する必要はなく、その本質的
な特徴を変えることなしに、Ｘ−Ｙ平面における
状態X′でのβ＝−５〜＋５度程度の傾きのわず
かな遊びは十分に可能であると言える。尚、第１
図のＹ−Ｚ面に沿つた断面を示す第２図にも見ら
れるように、角度θだけ傾斜させた座標系がY′，
Z′で示されている。
本発明によるGaPO4からの結晶素子の温度Ｔ
（℃）に従属する相対周波数変化Δ／は第３図
に示されている。特に良い値は25〜75℃の範囲に
ある。
（℃）に従属する相対周波数変化Δ／は第３図
に示されている。特に良い値は25〜75℃の範囲に
ある。
第４図は温度範囲25〜75℃の温度範囲での切断
角θと温度係数の求められた関係を示しており、
第５図はGaPO4を基体とするGaPO4の結晶原塊
から得られた結晶素子のための切断面の角度θと
ＫHzmmでの周波数定数Ｎの関係を示している。
角θと温度係数の求められた関係を示しており、
第５図はGaPO4を基体とするGaPO4の結晶原塊
から得られた結晶素子のための切断面の角度θと
ＫHzmmでの周波数定数Ｎの関係を示している。
導線電極８の電極接続片７が共振子の振動特性
に影響を与えることをできるだけ避けるため第６
図に示しているものでは、Z′軸に沿つて配設され
ている。
に影響を与えることをできるだけ避けるため第６
図に示しているものでは、Z′軸に沿つて配設され
ている。
尚、特許請求の範囲の項に図面との対照を便利
にする為に符号を記すが、該記入により本発明は
添付図面の構造に限定されるものではない。
にする為に符号を記すが、該記入により本発明は
添付図面の構造に限定されるものではない。
図面は本発明に係わるGaPO4を基体とする圧
電結晶素子の実施例を示し、第１図は結晶原塊を
含む結晶素子の説明図、第２図は第１図のＹ−Ｚ
面に沿つた断面図、第３，４，５図は圧電結晶素
子の測定曲線を示すグラフ図、第６図は結晶学的
軸に相対的は導線電極の好ましい構造図である。 １……結晶原塊、３……六方晶系プリズム面、
６……結晶素子、Ｃ……光学軸、Ｅ……切断面、
Ｈ……主平面、a1，a2，a3……結晶学的対称軸。
電結晶素子の実施例を示し、第１図は結晶原塊を
含む結晶素子の説明図、第２図は第１図のＹ−Ｚ
面に沿つた断面図、第３，４，５図は圧電結晶素
子の測定曲線を示すグラフ図、第６図は結晶学的
軸に相対的は導線電極の好ましい構造図である。 １……結晶原塊、３……六方晶系プリズム面、
６……結晶素子、Ｃ……光学軸、Ｅ……切断面、
Ｈ……主平面、a1，a2，a3……結晶学的対称軸。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 上下面が平行平面、又は平面と凸面、又は両
凸面のいずれかであると共に、平坦な上面に平行
に又は凸面の一つに対称に位置している主平面を
備えた、共振子等に用いられるGaPO4の結晶原
塊から得られた圧電素子において、 前記結晶素子６の主平面Ｈが、光学軸Ｃに対し
て平行に位置する結晶原塊１の六方晶系プリズム
面３から二回結晶学的対称軸a1，a2，又はa3の
一つの軸周りに−５度から−22度の間の角度：θ
を回転させることで得られる切断面Ｅに平行に延
びていることを特徴とする圧電結晶素子。 ２ 前記角度：θが−13度と−17度の間の角度で
ある請求項１に記載の圧電結晶素子。 ３ 前記結晶素子６の主平面Ｈに対して平行に延
びている切断面Ｅのために、二回結晶学対称軸
a1，a2，又はa3の一つの軸周りの回転に先だつて
光学軸Ｃ周りに−５度と５度との間の角度：βの
回転が許される請求項１又は２に記載の圧電結晶
素子。 ４ 前記結晶素子６が一般式Ga1−xMxPO4の結
晶から構成され、ここで、 Ｍは３価元素であり、０≦ｘ＜0.5である請求
項１〜３のいずれか１に記載の圧電結晶素子。 ５ 前記Ｍがアルミニウムである請求項４に記載
の圧電結晶素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT2909/88 | 1988-11-25 | ||
| AT0290988A AT390853B (de) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | Piezoelektrisches kristallelement auf der basis von gapo4 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02188975A JPH02188975A (ja) | 1990-07-25 |
| JPH0580171B2 true JPH0580171B2 (ja) | 1993-11-08 |
Family
ID=3542236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1306335A Granted JPH02188975A (ja) | 1988-11-25 | 1989-11-24 | ＧａＰＯ↓４を基体とする圧電結晶素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPH02188975A (ja) |
| AT (1) | AT390853B (ja) |
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Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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