JPH0580712A - 放射性デイスプレイ - Google Patents
放射性デイスプレイInfo
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- JPH0580712A JPH0580712A JP4065028A JP6502892A JPH0580712A JP H0580712 A JPH0580712 A JP H0580712A JP 4065028 A JP4065028 A JP 4065028A JP 6502892 A JP6502892 A JP 6502892A JP H0580712 A JPH0580712 A JP H0580712A
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
-
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- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
-
- G—PHYSICS
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- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/08—Fault-tolerant or redundant circuits, or circuits in which repair of defects is prepared
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- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 １つの列電極の短絡の影響を局所化する改良
された放射性ディスプレイの提供。 【構成】 マトリックス形アドレス可能真空蛍光性ディ
スプレイ（１０）は、各行毎の電極（１４）と、画素
（１２）の列毎の２組の列電極（１８Ｌ，１８Ｒ）と、
所与の画素に対する蛍光体素子（２６）をオンにするた
めに行及び列電極（１４，１８Ｌ，１８Ｒ）に個別に接
続された２組のＦＥＴ（４４−４６）とを有し、ＦＥＴ
（４４−４６）の各組が蛍光体作動電流の一部分を供給
する冗長回路を備える。１つの列電極（１８Ｌ，１８
Ｒ）または１組のトランジスタ（４４−４６）が故障し
ても、残りの組（４４−４６）は、少なくともある適切
な強度で蛍光体（２６）を発光させるように作用する。
された放射性ディスプレイの提供。 【構成】 マトリックス形アドレス可能真空蛍光性ディ
スプレイ（１０）は、各行毎の電極（１４）と、画素
（１２）の列毎の２組の列電極（１８Ｌ，１８Ｒ）と、
所与の画素に対する蛍光体素子（２６）をオンにするた
めに行及び列電極（１４，１８Ｌ，１８Ｒ）に個別に接
続された２組のＦＥＴ（４４−４６）とを有し、ＦＥＴ
（４４−４６）の各組が蛍光体作動電流の一部分を供給
する冗長回路を備える。１つの列電極（１８Ｌ，１８
Ｒ）または１組のトランジスタ（４４−４６）が故障し
ても、残りの組（４４−４６）は、少なくともある適切
な強度で蛍光体（２６）を発光させるように作用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放射性（ｅｍｉｓｓｉ
ｖｅ）ディスプレイに関し、回路の一部が非動作である
ときにディスプレイの各画素の動作を許容するための冗
長性を有する放射性ディスプレイの画素駆動回路に関す
る。
ｖｅ）ディスプレイに関し、回路の一部が非動作である
ときにディスプレイの各画素の動作を許容するための冗
長性を有する放射性ディスプレイの画素駆動回路に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】大きい領域のフラットパネルディスプレ
イの製造の際、ディスプレイを外観上受け入れることが
できなくする欠陥が生じることがある。インターレベル
の短絡及び開放ラインが画素中に起こり、その画素は作
動することができなくなる。列及び行電極のような交差
導電体の製造及びトランジスタの製造は、１つの導電体
上に絶縁層を設け、その絶縁層上に別の導電体を設け
る。絶縁層のピンホールは、２つの導電体の間の短絡の
原因になる。通常、特定の行のアドレス指定の際を除い
て、接地電位が列電極上に維持される。１カ所における
このような接地行電極への列電極の短絡は、列電極信号
の抑圧によって、同じ列の多数の画素の非動作を生じ
る。もちろん、開放列電極並びに短絡したトランジスタ
も、画素の動作を失わせる。このような欠陥によって拒
絶されたディスプレイパネルの数を最小にし、ディスプ
レイの生産性を上げるために、所与の画素に対する他の
回路が故障しても、その画素の動作をおこなうことがで
きる冗長回路を備えることが望ましい。
イの製造の際、ディスプレイを外観上受け入れることが
できなくする欠陥が生じることがある。インターレベル
の短絡及び開放ラインが画素中に起こり、その画素は作
動することができなくなる。列及び行電極のような交差
導電体の製造及びトランジスタの製造は、１つの導電体
上に絶縁層を設け、その絶縁層上に別の導電体を設け
る。絶縁層のピンホールは、２つの導電体の間の短絡の
原因になる。通常、特定の行のアドレス指定の際を除い
て、接地電位が列電極上に維持される。１カ所における
このような接地行電極への列電極の短絡は、列電極信号
の抑圧によって、同じ列の多数の画素の非動作を生じ
る。もちろん、開放列電極並びに短絡したトランジスタ
も、画素の動作を失わせる。このような欠陥によって拒
絶されたディスプレイパネルの数を最小にし、ディスプ
レイの生産性を上げるために、所与の画素に対する他の
回路が故障しても、その画素の動作をおこなうことがで
きる冗長回路を備えることが望ましい。
【０００３】このような冗長回路を設けるための１つの
提案は、米国特許第４，８２０，２２２号に述べられて
おり、その特許は、各列に対して２つの列電極、各列に
対して２つ列電極を使用し、各画素を通常同時にオンオ
フする４つのサブ画素に分割し、１つのサブ画素が非動
作であっても、いくつかの他の画素が、画素の表示にお
ける欠陥を最小にするために作用することができるよう
にすることを提案している。この方法は、粗い表示には
有益であるが、精細な解像度を有するディスプレイには
適用し得ない。この提案は、１つのタスクを実列するた
めに４つの画素を使用することと等価である。特に高品
質の明るいディスプレイにおいては、画素となる蛍光体
の密度に実際上の制限があるから、提案されたサブ画素
方法には、通常の画素制限の１／４の密度制限がある。
この特許に開示された回路は、液晶（電界効果）ディス
プレイ装置に対してのみ有効であり、一方、放射性ディ
スプレイは電流駆動であり、したがって画素が発光を行
う限り電流を保持するために有効な各画素ごとの回路を
必要とする。
提案は、米国特許第４，８２０，２２２号に述べられて
おり、その特許は、各列に対して２つの列電極、各列に
対して２つ列電極を使用し、各画素を通常同時にオンオ
フする４つのサブ画素に分割し、１つのサブ画素が非動
作であっても、いくつかの他の画素が、画素の表示にお
ける欠陥を最小にするために作用することができるよう
にすることを提案している。この方法は、粗い表示には
有益であるが、精細な解像度を有するディスプレイには
適用し得ない。この提案は、１つのタスクを実列するた
めに４つの画素を使用することと等価である。特に高品
質の明るいディスプレイにおいては、画素となる蛍光体
の密度に実際上の制限があるから、提案されたサブ画素
方法には、通常の画素制限の１／４の密度制限がある。
この特許に開示された回路は、液晶（電界効果）ディス
プレイ装置に対してのみ有効であり、一方、放射性ディ
スプレイは電流駆動であり、したがって画素が発光を行
う限り電流を保持するために有効な各画素ごとの回路を
必要とする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、改良された
放射性ディスプレイを提供することを目的とする。
放射性ディスプレイを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の観点によれば、
特許請求の範囲第１項に特定した放射性ディスプレイが
提供される。
特許請求の範囲第１項に特定した放射性ディスプレイが
提供される。
【０００６】本発明は、ディスプレイの解像度と実質的
に妥協することなく放射性ディスプレイにおける回路の
故障の影響を最小化するための回路を提供する。
に妥協することなく放射性ディスプレイにおける回路の
故障の影響を最小化するための回路を提供する。
【０００７】実際的な実施例においては、画素電流が供
給されたときに光を放射する手段をそれぞれ有し、行及
び列に配列された画素のマトリックスと、画素の行毎の
行電極と、画素の列毎の複数の列電極であって、各画素
が、対応する行電極及び対応する列電極を有する複数の
列電極と、選択された画素の行に対応する行電極及び選
択された画素の列に対応するすべての列電極を選択的に
付勢するための駆動手段と、共同して画素電流を供給す
るために各画素に結合された冗長な組のトランジスタ手
段とを具備し、トランジスタ手段の各組は、対応する行
電極及び対応する列電極の一つに接続され、それによっ
て、画素は、トランジスタ手段の任意の組がそれに接続
された電極によって活性化されるときにはいつでも画素
電流によって活性化されるようになっているフラットな
パネル放射性ディスプレイが提供される。
給されたときに光を放射する手段をそれぞれ有し、行及
び列に配列された画素のマトリックスと、画素の行毎の
行電極と、画素の列毎の複数の列電極であって、各画素
が、対応する行電極及び対応する列電極を有する複数の
列電極と、選択された画素の行に対応する行電極及び選
択された画素の列に対応するすべての列電極を選択的に
付勢するための駆動手段と、共同して画素電流を供給す
るために各画素に結合された冗長な組のトランジスタ手
段とを具備し、トランジスタ手段の各組は、対応する行
電極及び対応する列電極の一つに接続され、それによっ
て、画素は、トランジスタ手段の任意の組がそれに接続
された電極によって活性化されるときにはいつでも画素
電流によって活性化されるようになっているフラットな
パネル放射性ディスプレイが提供される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を一例としてのみ図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【０００９】次の説明は、真空蛍光性ディスプレイに向
けるが、本発明は、一般には画素の発光のために画素電
流を必要とする放射性ディスプレイに関するものである
ことが認識されるであろう。いくつかのフラットなパネ
ルディスプレイは、電流の光への変換に基づいて作動す
る。これらは、真空蛍光ディスプレイ、薄膜電界発光デ
ィスプレイ、及びプラズマディスプレイを含む。これら
の放射性ディスプレイにおいて、光出力は、ディスプレ
イの特定の領域に供給された電流に関係する。この電流
を複数の駆動トランジスタから供給することによって、
大きな冗長性を装置に形成することができる。
けるが、本発明は、一般には画素の発光のために画素電
流を必要とする放射性ディスプレイに関するものである
ことが認識されるであろう。いくつかのフラットなパネ
ルディスプレイは、電流の光への変換に基づいて作動す
る。これらは、真空蛍光ディスプレイ、薄膜電界発光デ
ィスプレイ、及びプラズマディスプレイを含む。これら
の放射性ディスプレイにおいて、光出力は、ディスプレ
イの特定の領域に供給された電流に関係する。この電流
を複数の駆動トランジスタから供給することによって、
大きな冗長性を装置に形成することができる。
【００１０】図１は、４行及び４列のマトリクスの形で
１６個のアクティブな画素セル１２を有するフラットパ
ネル放射性ディスプレイ１０を示す。画素へのアドレス
ラインは、各画素行毎の行電極１４と、各列の各側に１
つづつ設けられた、各画素列毎の複数の列電極（ここで
は２つ）１８Ｌ及び１８Ｒとを有する。（セルの右側ま
たは左側の間の区別が重要である場合には、参照数字は
サフィックスＬまたはＲ含むが、他の場合にはサフィッ
クスは省略する。）列電極１８Ｒ及び１８Ｌは、一端ま
たは両端で接続されて同じ信号を搬送し、したがって、
基本的には同じ導電体である。接地ライン２０は、各ア
クティブ画素セル１２を接地する。各アクティブな画素
セル１２は、行電極１４、隣接する列電極１８Ｌ及び１
８Ｒの各々及び接地ライン２０に接続されている。
１６個のアクティブな画素セル１２を有するフラットパ
ネル放射性ディスプレイ１０を示す。画素へのアドレス
ラインは、各画素行毎の行電極１４と、各列の各側に１
つづつ設けられた、各画素列毎の複数の列電極（ここで
は２つ）１８Ｌ及び１８Ｒとを有する。（セルの右側ま
たは左側の間の区別が重要である場合には、参照数字は
サフィックスＬまたはＲ含むが、他の場合にはサフィッ
クスは省略する。）列電極１８Ｒ及び１８Ｌは、一端ま
たは両端で接続されて同じ信号を搬送し、したがって、
基本的には同じ導電体である。接地ライン２０は、各ア
クティブ画素セル１２を接地する。各アクティブな画素
セル１２は、行電極１４、隣接する列電極１８Ｌ及び１
８Ｒの各々及び接地ライン２０に接続されている。
【００１１】図２は、真空蛍光体性ディスプレイ装置１
０の作動を示す。各アクティブな画素セル１２は、蛍光
体２６で被覆されたアノード２４を含む蛍光体素子２２
と、アノードを接地ライン２０に選択的に接続するため
のスイッチ２８とを有する。電源３２によって負の電圧
に保持されるカソードフィラメント３０は、接地電位の
蛍光体素子２２へ引かれる電子３４を放出する。光３６
は、電子が蛍光体２６に当たった時に蛍光体２６から放
射される。ディスプレイから放射される光のパターン
は、スイッチ２８を選択的に開閉することによって決定
される。このスイッチは、マトリクス内のアクティブセ
ル１２を適当にアドレスすることによって制御される。
０の作動を示す。各アクティブな画素セル１２は、蛍光
体２６で被覆されたアノード２４を含む蛍光体素子２２
と、アノードを接地ライン２０に選択的に接続するため
のスイッチ２８とを有する。電源３２によって負の電圧
に保持されるカソードフィラメント３０は、接地電位の
蛍光体素子２２へ引かれる電子３４を放出する。光３６
は、電子が蛍光体２６に当たった時に蛍光体２６から放
射される。ディスプレイから放射される光のパターン
は、スイッチ２８を選択的に開閉することによって決定
される。このスイッチは、マトリクス内のアクティブセ
ル１２を適当にアドレスすることによって制御される。
【００１２】再び図１を参照すると、マイクロプロセッ
サをベースとする論理回路を有するディスプレイドライ
バ３８は、列電極１８Ｒ及び１８Ｌの各対に接続された
列出力ライン４０と、行電極１４に接続された行出力ラ
イン４２とを有する。電源４４は、各出力ラインに対し
て適当な電圧を供給する。
サをベースとする論理回路を有するディスプレイドライ
バ３８は、列電極１８Ｒ及び１８Ｌの各対に接続された
列出力ライン４０と、行電極１４に接続された行出力ラ
イン４２とを有する。電源４４は、各出力ラインに対し
て適当な電圧を供給する。
【００１３】図３は、ディスプレイの同じ列の隣接した
行にあり、行電極１４及び列電極１８Ｌ及び１８Ｒによ
ってアドレスされる２つのアクティブセルを示す。各蛍
光体素子は、２つのスイッチ２８Ｌ及び２８Ｒによって
制御され、各スイッチは、一組の２つのＭＯＳＦＥＴを
有する。ＦＥＴ４４Ｌは、選択トランジスタであり、列
電極１８Ｌに接続されたソースと行電極１４に接続され
たゲートとを有する。ＦＥＴ４４Ｌのドレインは、駆動
トランジスタ４６Ｌのゲートに接続されており、そのド
レイン及びソースは、蛍光体素子２２と接地ライン２０
との間に接続されている。他方のスイッチ２８Ｒはスイ
ッチ２８Ｌと同じ構成であり、行電極１４及び列電極１
８Ｒによって制御される選択ＦＥＴ４４Ｒと、ＦＥＴ４
６Ｌのソース及びドレインと並列なソース及びドレイン
を有する駆動ＦＥＴ４６Ｒとを有する。正常の動作にお
いて、発光すべき画素に対して行電極１４を付勢し、列
電極１８Ｒ及び１８Ｌの双方を作動させて全てのＦＥＴ
４６をオンにする。これによって、駆動ＦＥＴ４６の双
方が蛍光体素子と接地との間に画素電流を流すことがで
きる。駆動ＦＥＴ４６の電流の和であるこの正常の電流
は、蛍光体をその完全な輝度で発光させるのに十分であ
る。列電極の一つまたはＦＥＴの一つにおいて短絡が生
じた場合に、スイッチ２８Ｌまたはスイッチ２８Ｒのい
ずれかが非動作状態になり、他方のスイッチは導通状態
にある。そこで電流は半分の大きさになり、光強度は減
少するが、人の目は光強度に対数的な応答性を有するか
ら、輝度はわずかに減少するだけである。
行にあり、行電極１４及び列電極１８Ｌ及び１８Ｒによ
ってアドレスされる２つのアクティブセルを示す。各蛍
光体素子は、２つのスイッチ２８Ｌ及び２８Ｒによって
制御され、各スイッチは、一組の２つのＭＯＳＦＥＴを
有する。ＦＥＴ４４Ｌは、選択トランジスタであり、列
電極１８Ｌに接続されたソースと行電極１４に接続され
たゲートとを有する。ＦＥＴ４４Ｌのドレインは、駆動
トランジスタ４６Ｌのゲートに接続されており、そのド
レイン及びソースは、蛍光体素子２２と接地ライン２０
との間に接続されている。他方のスイッチ２８Ｒはスイ
ッチ２８Ｌと同じ構成であり、行電極１４及び列電極１
８Ｒによって制御される選択ＦＥＴ４４Ｒと、ＦＥＴ４
６Ｌのソース及びドレインと並列なソース及びドレイン
を有する駆動ＦＥＴ４６Ｒとを有する。正常の動作にお
いて、発光すべき画素に対して行電極１４を付勢し、列
電極１８Ｒ及び１８Ｌの双方を作動させて全てのＦＥＴ
４６をオンにする。これによって、駆動ＦＥＴ４６の双
方が蛍光体素子と接地との間に画素電流を流すことがで
きる。駆動ＦＥＴ４６の電流の和であるこの正常の電流
は、蛍光体をその完全な輝度で発光させるのに十分であ
る。列電極の一つまたはＦＥＴの一つにおいて短絡が生
じた場合に、スイッチ２８Ｌまたはスイッチ２８Ｒのい
ずれかが非動作状態になり、他方のスイッチは導通状態
にある。そこで電流は半分の大きさになり、光強度は減
少するが、人の目は光強度に対数的な応答性を有するか
ら、輝度はわずかに減少するだけである。
【００１４】ディスプレイは、従来のアドレス指定法を
使用し、行電極１４は、一度に一個ずつ作動され、各行
毎に、選択された列電極は、１つの行の所与の画素に対
するスイッチをオンにするために付勢される。各スイッ
チの２つのＦＥＴは、スイッチが一旦オンになったとき
に電流を維持するためにサンプル・アンド・ホールド構
成で使用される。選択ＦＥＴ４４を通る電流は、駆動Ｆ
ＥＴ４６のゲートを帯電させ、その帯電が後のアドレス
指定サイクル期間中に取り除かれるまでＦＥＴ４６をオ
ンに保持する。したがって、画素電流は１００％デュー
ティサイクルの間オンである。
使用し、行電極１４は、一度に一個ずつ作動され、各行
毎に、選択された列電極は、１つの行の所与の画素に対
するスイッチをオンにするために付勢される。各スイッ
チの２つのＦＥＴは、スイッチが一旦オンになったとき
に電流を維持するためにサンプル・アンド・ホールド構
成で使用される。選択ＦＥＴ４４を通る電流は、駆動Ｆ
ＥＴ４６のゲートを帯電させ、その帯電が後のアドレス
指定サイクル期間中に取り除かれるまでＦＥＴ４６をオ
ンに保持する。したがって、画素電流は１００％デュー
ティサイクルの間オンである。
【００１５】ＦＥＴは、ＦＥＴ４６のゲートに必要な電
荷を蓄積し、ＦＥＴ４６を通る必要な電流を提供するよ
うに設計されている。例えば、トランジスタは、ｐチャ
ンネルの多結晶シリコンの薄膜トランジスタ装置であ
り、ＦＥＴ４４は長さが３０μｍで幅が１０μｍのチャ
ンネルを有する。駆動トランジスタ４６は長さが１０μ
ｍで幅が４５０μｍのチャンネルを有する。駆動ＦＥＴ
４６のチャンネル幅は、両ＦＥＴが導通しているときに
所望の蛍光体輝度を得るのに十分な電流を通すように選
択される。これらのｐチャンネル装置において、選択Ｆ
ＥＴは、対応する行及び列電極に加えられるー２０ボル
トによって導通する。
荷を蓄積し、ＦＥＴ４６を通る必要な電流を提供するよ
うに設計されている。例えば、トランジスタは、ｐチャ
ンネルの多結晶シリコンの薄膜トランジスタ装置であ
り、ＦＥＴ４４は長さが３０μｍで幅が１０μｍのチャ
ンネルを有する。駆動トランジスタ４６は長さが１０μ
ｍで幅が４５０μｍのチャンネルを有する。駆動ＦＥＴ
４６のチャンネル幅は、両ＦＥＴが導通しているときに
所望の蛍光体輝度を得るのに十分な電流を通すように選
択される。これらのｐチャンネル装置において、選択Ｆ
ＥＴは、対応する行及び列電極に加えられるー２０ボル
トによって導通する。
【００１６】多数の材料選択は、行電極１４及び列電極
１８の製造において利用可能である。材料の選択は、処
理の容易性及び電極の抵抗に影響を与える。行電極１４
に対してはアルミニウムのような金属を、列電極１８に
対しては（ボロンまたは燐をドープした）重くドープさ
れたポリシリコンのような抵抗性導体を使用することが
好ましい。アルミニウムの固有抵抗は、１オーム／スク
エアより小さく、ボロンまたは燐を重くドープしたポリ
シリコンの固有抵抗は約１００オーム／スクエアであ
る。電極に対して使用する薄膜ストリップは、典型的に
は幅が３０μｍであり、その結果、１ｃｍの長さのポリ
シリコンの電極は、約３３，０００オームの抵抗を有す
る。この高抵抗は列電極の動作上重要である。なぜなら
ば、接地された行電極への短絡は、短絡箇所の局所的な
範囲においてのみ列電圧をプルダウンし、それによっ
て、特に列電極の両端が接合されている場合ほんの少数
の駆動ＦＥＴ４６Ｒまたは４６Ｌをディスエイブルする
からである。設計事項として、２つの列電極の接合点と
第１のまたは頂部の行電極とのクロスオーバーとの間の
各列電極が、十分な抵抗を有する場合、頂部の行電極と
列電極との間の短絡は、他の列電極での適切な動作電圧
を妨げず、したがって等外列内の画素はすべて作動可能
である。設計上の問題として、その抵抗が十分でなく、
第２の列が損傷された最悪の場合においても、回路は、
ディスプレイの頂部の行だけでの接地障害が拒絶の原因
を与えるにすぎないから、非冗長性の設計に比較して、
このようなディスプレイの歩留まりを大幅に改良するこ
とができる。他方、列電極１８に対して金属等の低抵抗
材料を使用するならば、両電極１８Ｒ，１８Ｌは、１つ
でも接地への短絡があるとディスエイブルとされ、冗長
な回路の利益を無効にしてしまう。しかしながら、冗長
性の若干の利益は、開放列電極の場合に低抵抗の列電極
によって得ることができ、その場合、冗長性構造によ
り、影響された画素は減少した強さで発光することがで
きる。
１８の製造において利用可能である。材料の選択は、処
理の容易性及び電極の抵抗に影響を与える。行電極１４
に対してはアルミニウムのような金属を、列電極１８に
対しては（ボロンまたは燐をドープした）重くドープさ
れたポリシリコンのような抵抗性導体を使用することが
好ましい。アルミニウムの固有抵抗は、１オーム／スク
エアより小さく、ボロンまたは燐を重くドープしたポリ
シリコンの固有抵抗は約１００オーム／スクエアであ
る。電極に対して使用する薄膜ストリップは、典型的に
は幅が３０μｍであり、その結果、１ｃｍの長さのポリ
シリコンの電極は、約３３，０００オームの抵抗を有す
る。この高抵抗は列電極の動作上重要である。なぜなら
ば、接地された行電極への短絡は、短絡箇所の局所的な
範囲においてのみ列電圧をプルダウンし、それによっ
て、特に列電極の両端が接合されている場合ほんの少数
の駆動ＦＥＴ４６Ｒまたは４６Ｌをディスエイブルする
からである。設計事項として、２つの列電極の接合点と
第１のまたは頂部の行電極とのクロスオーバーとの間の
各列電極が、十分な抵抗を有する場合、頂部の行電極と
列電極との間の短絡は、他の列電極での適切な動作電圧
を妨げず、したがって等外列内の画素はすべて作動可能
である。設計上の問題として、その抵抗が十分でなく、
第２の列が損傷された最悪の場合においても、回路は、
ディスプレイの頂部の行だけでの接地障害が拒絶の原因
を与えるにすぎないから、非冗長性の設計に比較して、
このようなディスプレイの歩留まりを大幅に改良するこ
とができる。他方、列電極１８に対して金属等の低抵抗
材料を使用するならば、両電極１８Ｒ，１８Ｌは、１つ
でも接地への短絡があるとディスエイブルとされ、冗長
な回路の利益を無効にしてしまう。しかしながら、冗長
性の若干の利益は、開放列電極の場合に低抵抗の列電極
によって得ることができ、その場合、冗長性構造によ
り、影響された画素は減少した強さで発光することがで
きる。
【図１】本発明の実施例によるフラットなパネルディス
プレイ装置の概略回路図である。
プレイ装置の概略回路図である。
【図２】図１のディスプレイ装置とともに使用されるタ
イプの真空蛍光性ディスプレイを表す概略図である。
イプの真空蛍光性ディスプレイを表す概略図である。
【図３】本発明の実施例による典型的なディスプレイセ
ルの詳細な回路図である。
ルの詳細な回路図である。
１０…フラットパネル放射性ディスプレイ １２…アクティブな画素セル １４…行電極 １８…列電極 ２２…蛍光体素子 ２４…アノード ２６…蛍光体 ２８…スイッチ ３０…カソードフィラメント ３２…電源 ３４…電極 ３６…光
Claims (6)
- 【請求項１】 電流が供給されたときに光を放射する手
段をそれぞれ有し、行及び列に配列された画素（１２）
のマトリックスと、 画素の行毎に接続された１つの行電極（１４）と、 画素の各列に接続された複数の列電極（１８Ｌ，１８
Ｒ）であって、各画素が、対応する行電極及び複数の対
応する列電極に接続される複数の列電極と、 選択された画素の行に対応する行電極及び選択された画
素の列に対応する複数の列電極を選択的に付勢するため
の駆動手段（３８）と、 各画素に結合され電流を供給する複数のトランジスタ手
段（２８Ｌ，２８Ｒ）とを具備し、各トランジスタ手段
は、関連する画素の行電極と列電極の一つとに接続さ
れ、該関連する画素は、複数のトランジスタ手段のうち
の１つがその各電極によって活性化されるときに光を放
射するように活性化される放射性ディスプレイ。 - 【請求項２】画素の各列に接続された第１及び第２の列
電極（１８Ｌ，１８Ｒ）と、各画素に接続された第１及
び第２のトランジスタ手段（２８Ｌ，２８Ｒ）とを有
し、第１のトランジスタ手段（２８Ｌ）は、第１の列電
極（１８Ｌ）及びその関連する行電極（１４）に接続さ
れ、第２のトランジスタ手段（２８Ｒ）は、第２の列電
極（１８Ｒ）及びその関連する行電極（１４）に接続さ
れている請求項１に記載の放射性ディスプレイ。 - 【請求項３】各トランジスタ手段は、選択及び駆動トラ
ンジスタとして作動可能な一対の電界効果トランジスタ
を有し、各選択トランジスタ（４４Ｌ，４４Ｒ）は、関
連する行及び列電極に結合され、前記関連する電極の双
方が付勢されたときに活性化され、各駆動トランジスタ
（４６Ｌ，４６Ｒ）は、対応する選択トランジスタ及び
その関連する画素に結合されており、対応する選択トラ
ンジスタが活性化されるとき、その関連する画素を活性
化するために導通するように切り換えられる請求項１又
は２に記載の放射性ディスプレイ。 - 【請求項４】ディスプレイ（１０）は真空蛍光性ディス
プレイであり、各画素は、接地への電流を確立すること
によって発光するようになっている蛍光体素子（２４）
を有し、各トランジスタ手段（２８Ｌ，２８Ｒ）は、行
及び列電極が付勢されたときに蛍光体素子を発光させる
ように駆動トランジスタを活性化するために行電極と列
電極と駆動トランジスタとに接続された選択トランジス
タ（４４Ｌ，４４Ｒ）と、選択的に蛍光体素子を接地す
るために蛍光体素子に接続された駆動トランジスタ（４
６Ｌ，４６Ｒ）とを有する請求項１、２又は３に記載の
放射性ディスプレイ。 - 【請求項５】トランジスタ手段の双方または全てによっ
て供給された電流は、各トランジスタが活性化されたと
き画素の第１の発光レベルを提供し、１つのトランジス
タ手段のみが活性化されたときに第１の発光レベルより
低い第２の発光レベルを提供するようになっている請求
項１から４のいずれか１つに記載の放射性ディスプレ
イ。 - 【請求項６】各列電極は、１つの列電極での短絡回路が
その関連する他の列電極を損なわないように、接地への
短絡回路の影響を局所化する抵抗を有する導電体から形
成されている請求項１から５のいずれか１つに記載の放
射性ディスプレイ。
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|---|---|---|---|
| US07/673,611 US5151632A (en) | 1991-03-22 | 1991-03-22 | Flat panel emissive display with redundant circuit |
| US673611 | 1991-03-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0580712A true JPH0580712A (ja) | 1993-04-02 |
| JP2739795B2 JP2739795B2 (ja) | 1998-04-15 |
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Family Applications (1)
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|---|---|
| US (1) | US5151632A (ja) |
| JP (1) | JP2739795B2 (ja) |
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| JP2001242827A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-09-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電子装置 |
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1991
- 1991-03-22 US US07/673,611 patent/US5151632A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-03-23 JP JP4065028A patent/JP2739795B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US5151632A (en) | 1992-09-29 |
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