JPH0581175B2 - - Google Patents
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- JPH0581175B2 JPH0581175B2 JP63108304A JP10830488A JPH0581175B2 JP H0581175 B2 JPH0581175 B2 JP H0581175B2 JP 63108304 A JP63108304 A JP 63108304A JP 10830488 A JP10830488 A JP 10830488A JP H0581175 B2 JPH0581175 B2 JP H0581175B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- tested
- probe card
- temperature
- storage chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
<産業上の利用分野>
本発明は、半導体ウエハーの低温における特性
を試験する装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION <Industrial Application Field> The present invention relates to an apparatus for testing the characteristics of semiconductor wafers at low temperatures.
<従来の技術>
最近、例えばコンピユータの計算速度をより高
速化する目的で、低温で動作する半導体素子の開
発が盛んである。しかし、そのために必要な低温
における半導体素子の特性をテストするに際し、
半導体ウエハー上に形成されたチツプを個々に切
り出し、各チツプ毎に液体窒素等の寒剤に浸けて
その電気的特性を調べるのでは、当然のことなが
ら膨大な時間と労力および経費が必要となる。こ
のような欠点を排除する目的で、特公昭62−
36387に開示されたような低温でウエハーのテス
トを行う、半導体ウエハーの試験装置が知られて
いる。<Prior Art> Recently, there has been active development of semiconductor devices that operate at low temperatures, for example, for the purpose of increasing the calculation speed of computers. However, when testing the characteristics of semiconductor devices at the necessary low temperatures,
It goes without saying that cutting out individual chips formed on a semiconductor wafer and immersing each chip in a cryogen such as liquid nitrogen to examine its electrical characteristics requires an enormous amount of time, effort, and expense. In order to eliminate such shortcomings, the special public
36387 is known, which tests a wafer at a low temperature.
この装置は、内部にテストすべきウエハーを保
持するウエハー保持台を設けた金属性のデユワー
瓶と、その上面に同デユワー瓶の開口部を取り囲
んで設けられたベローズと、このベローズの上部
にプローブ・カードを載置する手段と、プロー
ブ・カードの上にかぶせて、デユワー瓶内部と上
記ベローズで構成される空間を大気に対して気密
に保つためのギヤツプと、デユワー瓶を所定の範
囲内で2次元方向に変位させることのできる位置
決め機構を有するデユワー瓶載置架台と、ベロー
ズとキヤツプの間に位置する上記のベローズ・カ
ードをベローズの伸縮可能範囲内で上下に変位さ
せるプローブ・カード高さ調節機構で構成されて
いる。以上の全体構成において、最上部に位置す
る上記のキヤツプには、デユワー瓶内に液体窒素
等の寒剤を注入し、また、そこから寒剤を排出す
るための配管と、プローブ・カードの開口部に対
応して、デユワー瓶の内部を視認するための、透
明板より成る窓が設けられている。 This device consists of a metal dewar bottle with a wafer holder inside that holds the wafer to be tested, a bellows surrounding the opening of the dewar bottle on the top surface, and a probe on the top of the bellows.・A means for placing the card, a gap for covering the probe card and keeping the space formed by the inside of the dewar bottle and the bellows airtight from the atmosphere, and a gap for keeping the dewar bottle within a predetermined range. A dewar bottle mounting stand having a positioning mechanism that can be displaced in two dimensions, and a probe card height that allows the above-mentioned bellows card located between the bellows and the cap to be vertically displaced within the extendable range of the bellows. It consists of an adjustment mechanism. In the above overall configuration, the cap located at the top has piping for injecting a cryogen such as liquid nitrogen into the dewar bottle and discharging the cryogen from there, as well as a pipe for discharging the cryogen from there. Correspondingly, a window made of a transparent plate is provided for viewing the interior of the dewar bottle.
上記の構成を有する装置において、ウエハー保
持台上にテストすべきウエハーを載せ、プロー
ブ・カードをセツトし、キヤツプをかぶせた後、
所定のプロセス(詳細は省く)を経てデユワー瓶
内に、ウエハー保持台の上面に達することのない
所定の高さまで液体窒素等の寒剤を注入する。ウ
エハー保持台の熱伝導を通じてウエハーが所定の
低温に達すると、キヤツプに設けた上記の窓を通
じて、顕微鏡により、ウエハー保持台に載せられ
たウエハーの上面を観測しながら、プローブ・カ
ード高さ調整機構と、デユワー瓶載置架台に設け
られた位置決め機構とを操作して、プローブ・カ
ードよりウエハーに延びる探針を、ウエハー上に
構成されている所定のチツプの所定の端子に電気
接触させ、テストに必要な電気的測定を行なう。
このように方法によれば、一度ウエハーを装置内
にセツトすれば、上記の位置決め機構とプロー
ブ・カード高さ調節機構を操作するだけで、ウエ
ハー上に構成されたすべてのチツプの所定の端子
に、プローブ・カードの探針を順次接触させるこ
とができる。従つて、個々のチツプをテスト測定
のたび毎に低温槽に出し入れする方法にくらべ、
一連の回路テストに要する時間と労力は、この特
公昭62−36387の装置より大幅に改善された。 In the apparatus having the above configuration, after placing the wafer to be tested on the wafer holder, setting the probe card, and covering the wafer with the cap,
Through a predetermined process (details are omitted), a cryogen such as liquid nitrogen is injected into the dewar bottle to a predetermined height that does not reach the top surface of the wafer holding table. When the wafer reaches a predetermined low temperature through heat conduction on the wafer holder, the top surface of the wafer placed on the wafer holder is observed through the window provided in the cap using a microscope, and the probe card height adjustment mechanism is activated. and a positioning mechanism provided on the dewar bottle mounting stand to electrically contact the probe extending from the probe card to the wafer with a predetermined terminal of a predetermined chip configured on the wafer, and perform the test. Perform the necessary electrical measurements.
According to this method, once the wafer is set in the device, all the chips configured on the wafer can be connected to the predetermined terminals by simply operating the positioning mechanism and probe card height adjustment mechanism. , the tips of the probe card can be brought into contact sequentially. Therefore, compared to the method of putting individual chips in and out of a cryostat for each test measurement,
The time and effort required for a series of circuit tests was significantly improved compared to the device of this Japanese Patent Publication No. 62-36387.
<発明が解決しようとする課題>
しかし、上に説明した従来技術による装置にお
いては、当然のことながら低温槽内のウエハー保
持台に載せることのできるウエハーの面積、従つ
て、チツプの数には一定の限度がある。従つて、
多数のウエハーについてテストを継続する必要の
あるのが普通である。そのため1枚のウエハー上
のすべてのチツプに対するテストが完了すれば、
その都度テスト済ウエハーを新しい次のウエハー
と取り換えねばならない。ウエハーの取り換えに
は、先ず、テスト済ウエハーと取り出しに先立つ
て、デユワー瓶内の液体窒素を外部に準備した液
体窒素貯蔵容器に完全に移送した後、デユワー瓶
内部に残る低温の窒素ガスを、デユワー瓶の急激
な温度上昇を避けながら、室温の乾燥ガス(普通
窒素ガスを用いる)で置換し、デユワー瓶の内
部、特にウエハー保持台とその上に保持されてい
るテスト済ウエハーの温度が室温にまで上昇する
のを待つて、キヤツプとプローブ・カーを取りは
ずすというプロセスを実行する必要がある。次に
ウエハーを取り換え、プローブ・カードとキヤツ
プを所定の位置にセツトし、デユワー瓶内部の空
気を真空排気した後、そこへ徐々に液体窒素を再
注入する。ウエハーの取り換え毎に必要な以上の
作業は、長時間にわたる多大の労力を必要とする
ことは勿論である。このような欠点に加え、プロ
ーブ・カードに設けられている探針は、特にその
上部は、寒剤の液面より非常に高い位置にあり、
しかも周囲はデユワー瓶の外でベローズとキヤツ
プで囲まれているだけであるから、事実上室温に
近い温度にある。従つて低温に保たれたウエハー
との温度差が大きく、ウエハーの収縮の度合によ
つては、ウエハーに形成された各チツプのテスト
用端子の位置と、探針先端の配列パターンの間に
ずれが生じ、探針をチツプの所定の端子に正しく
接触させ得なくなることもある。<Problems to be Solved by the Invention> However, in the apparatus according to the prior art described above, it goes without saying that the area of the wafer that can be placed on the wafer holder in the cryostat, and therefore the number of chips, is limited. There are certain limits. Therefore,
It is typically necessary to continue testing on a large number of wafers. Therefore, once all the chips on one wafer have been tested,
Each time the tested wafer must be replaced with a new next wafer. To replace a wafer, first, before taking out the tested wafer, the liquid nitrogen in the dewar bottle is completely transferred to a liquid nitrogen storage container prepared outside, and then the low-temperature nitrogen gas remaining inside the deuwar bottle is removed. While avoiding a rapid temperature rise in the dewar bottle, replace it with room temperature drying gas (usually nitrogen gas) so that the temperature inside the dewar bottle, especially the wafer holder and the tested wafers held on it, is at room temperature. The process of removing the cap and probe car must be carried out after the vehicle has risen to a certain level. Next, the wafer is replaced, the probe card and cap are set in place, the air inside the dewar bottle is evacuated, and liquid nitrogen is gradually reinjected into it. Needless to say, performing more work than is necessary each time a wafer is replaced requires a large amount of labor over a long period of time. In addition to these drawbacks, the probes on the probe card, especially the top, are located very high above the cryogen liquid level.
Moreover, since the surrounding area is only surrounded by bellows and a cap outside the dewar bottle, the temperature is practically close to room temperature. Therefore, there is a large temperature difference between the wafer and the wafer, which is kept at a low temperature, and depending on the degree of shrinkage of the wafer, there may be a shift between the position of the test terminal of each chip formed on the wafer and the array pattern of the tip of the probe. This may result in the probe not being able to properly contact a predetermined terminal of the chip.
<課題を解決するための手段>
上記のような欠点を排除するため、本発明によ
る半導体ウエハー低温試験装置の主要部は、寒剤
を収容する空間と温度調節用ヒータとを有し上面
にテストすべき半導体ウエハーを保持するよう構
成されたウエハー低温保持台と、上記ウエハー低
温保持台を所定の範囲内で3次元的に変位させる
ウエハー台位置調節手段と、半導体ウエハーをテ
ストするためのプローブ・カードを保持すると共
に同プローブ・カードの探針を冷却する手段であ
つて、寒剤による被冷却手段と寒剤の温度をプロ
ーブ・カードの探針に伝える熱伝達手段とを有す
るプローブ・カード低温保持板と、このプロー
ブ・カード低温保持板を支持するためのプロー
ブ・カード低温保持板支持手段と、テストすべき
半導体ウエハーを予冷するためのウエハー予冷台
と、テスト済半導体ウエハーの温度を事実上室温
に上昇させるためのウエハー与熱台と、半導体ウ
エハーを取り込み、上記ウエハー予冷台と、上記
ウエハー低温保持台と、上記ウエハー与熱台に順
次移送した後外部に送出するためのウエハー移送
手段と、上記ウエハー低温保持台、上記ウエハー
台位置調節手段、上記プローブ・カード低温保持
板、上記プローブ・カード低温保持板支持手段、
上記ウエハー予冷台、上記ウエハー与熱台、およ
び上記ウエハー移送手段を外部環境より断熱・収
容するための断熱室と、テストすべき複数個の半
導体ウエハーを収容し、開閉自在な気密のウエハ
ー取り込みドアを介して上記断熱室に併設された
被検体ウエハー収容室と、テスト済半導体ウエハ
ーを収容し、開閉自在な気密のウエハーを送り出
しドアを介して上記断熱室に併設されたテスト済
ウエハー収容室で構成されている。装置のこのよ
うな構成のもとに、テストすべきウエハーが被検
体ウエウハー収容室に残存している間は、断熱容
器、被検体ウエハー収容室およびテスト済ウエハ
ー収容室を共に真空に保ち、ウエハー取り込みド
アとウエハー送り出しドアを開放した状態で、ウ
エハー支持台上に置かれたウエハーのテストが完
了する毎に、ウエハー移送手段が、ウエハー与熱
台上のテスト済ウエハーをテスト済ウエハー収容
室に送り出した後、ウエハー低温保持台上にある
テスト完了直後のウエハーをウエハー与熱台1
へ、ウエハー予冷台上のウエハーをウエハー低温
保持台上へ準侍移送し、そのあとで被検体ウエハ
ー収容室より1枚のウエハーを取り込み、ウエハ
ー予冷台上に載せる。<Means for Solving the Problems> In order to eliminate the above-mentioned drawbacks, the main part of the semiconductor wafer low-temperature testing apparatus according to the present invention has a space for accommodating a cryogen and a heater for temperature adjustment, and a test device on the top surface. a wafer low temperature holding table configured to hold a semiconductor wafer to be processed, a wafer stand position adjusting means for three-dimensionally displacing the wafer low temperature holding table within a predetermined range, and a probe card for testing the semiconductor wafer. a probe card low temperature holding plate, which is a means for holding the temperature of the probe card and cooling the probe of the probe card, and has a means to be cooled by a cryogen and a heat transfer means for transmitting the temperature of the cryogen to the probe of the probe card; , a probe card cryostat support means for supporting the probe card cryostat, a wafer precooling table for precooling the semiconductor wafer to be tested, and a means for raising the temperature of the tested semiconductor wafer to substantially room temperature; a wafer heating table for taking in the semiconductor wafer, the wafer pre-cooling table, the wafer low-temperature holding table, a wafer transfer means for sequentially transferring the semiconductor wafer to the wafer heating table and then sending the wafer to the outside; a low temperature holding table, the wafer table position adjustment means, the probe card low temperature holding plate, the probe card low temperature holding plate supporting means,
an insulating chamber for insulating and accommodating the wafer precooling table, the wafer heating table, and the wafer transfer means from the outside environment; and an airtight wafer loading door that accommodates a plurality of semiconductor wafers to be tested and that can be opened and closed. A test wafer storage chamber attached to the above-mentioned heat insulation chamber and a tested semiconductor wafer are stored in the test wafer storage chamber attached to the heat insulation chamber through a door, and airtight wafers that can be opened and closed are delivered to the tested wafer storage chamber attached to the heat insulation chamber. It is configured. With this configuration of the apparatus, while the wafer to be tested remains in the test wafer storage chamber, the insulating container, the test wafer storage chamber, and the tested wafer storage chamber are kept in a vacuum, and the wafer is removed. With the take-in door and the wafer feed-out door open, each time the test of the wafer placed on the wafer support table is completed, the wafer transfer means transfers the tested wafer on the wafer heating table to the tested wafer storage chamber. After sending the wafer out, the wafer immediately after the test on the wafer low temperature holding table is transferred to the wafer heating table 1.
Then, the wafer on the wafer pre-cooling table is transferred to the wafer low-temperature holding table, and then one wafer is taken from the subject wafer storage chamber and placed on the wafer pre-cooling table.
被検体ウエハー収容室のウエハーがなくなれ
ば、ウエハー取込ドアを閉じて被検体ウエハー収
容室を断熱室より孤立させ、同収容室の蓋をあけ
て新しいウエハーを追加する。次に蓋を閉じて内
部を真空排気した後ウエハー取り込みドアを開
く。またテスト済ウエハー収容室内に蓄積された
テスト済ウエハーを取り出す場合には、ウエハー
送り出しドアを利用してテスト済ウエハー収容室
を一旦残熱室より孤立させてからウエハー取り出
し、その和内部を蓋浴び真空排気し、ウエハー送
り出しドアを開く。 When there are no more wafers in the test object wafer storage chamber, the wafer intake door is closed to isolate the test object wafer storage chamber from the heat insulation chamber, and a new wafer is added by opening the lid of the storage chamber. Next, close the lid, evacuate the inside, and then open the wafer loading door. In addition, when taking out the tested wafers accumulated in the tested wafer storage chamber, the wafer delivery door is used to isolate the tested wafer storage chamber from the residual heat chamber, and then the wafers are taken out, and the inside of the chamber is covered with a lid. Evacuate and open the wafer delivery door.
<作用>
以上の説明より明らかなように、被検体ウエハ
ーの貯蔵、ウエハーのテストおよびテスト済ウエ
ハーの送り出しすべて共通の真空空間内で行わ
れ、しかも、被検体ウエハーの追加やテスト済ウ
エハーの取り出しも、残熱率を真空状態に孤立さ
せた状態で行われるので、低温部を室温に戻すだ
めに要する無駄な時間と労力を要しない。長時間
にわたり多数のウエハーをテストする場合には途
中でウエハー保持台に寒剤追加の必要はあるもの
の、原理的には永久に、事実上連続して多数のウ
エハーをテストすることが可能となつている。<Function> As is clear from the above explanation, storage of test wafers, wafer testing, and delivery of tested wafers are all performed in a common vacuum space, and addition of test wafers and removal of tested wafers are Since the residual heat rate is also carried out in a vacuum state, there is no need for wasted time and labor required to return the low-temperature part to room temperature. When testing a large number of wafers over a long period of time, it may be necessary to add cryogen to the wafer holder, but in principle it is now possible to test a large number of wafers virtually indefinitely. There is.
また、ウエハーの探針は、低温に保たれたプロ
ーブ・カード保持板と熱接触を有して、事実上、
テスト中のウエハーと同じ温度に保たれているの
で、ウエハー上のテスト用端子の配置と探針の配
列パターンの間に不整合を生じることはない。 Additionally, the wafer probe has thermal contact with the probe card holder plate, which is kept at a low temperature, in effect
Since the temperature is maintained at the same temperature as the wafer under test, there will be no mismatch between the arrangement of the test terminals on the wafer and the probe arrangement pattern.
<実施例>
以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。<Example> Examples of the present invention will be described below based on the drawings.
第1図は本発明の実施例におけるウエハー低温
保持台1とその周辺要素が断熱室8の内部に設け
られている様相を示す断面図で、ウエハー低温保
持台1の上面にテストすべきウエハーWがおさえ
バネ1cで固定保持されている状態を示してい
る。断熱室8の側壁には同室内を真空排気するた
めの排気バルブ8aが設けられている。ウエハー
低温保持台1には液体窒素の液溜1aが設けられ
ており、配管1eを通じてそこに断熱室8の外部
から液体窒素が供給される。蒸発窒素ガスは配管
1fを通じて断熱室8の外へ放出される。液体窒
素により低温に冷却されたウエハー低温保持台1
の温度コントロールは、ヒータ1bの電流を調節
することによつて行われる。ウエハー低温保持台
1の上方にはプローブ・カード低温保持板3に保
持されてプローブ・カード11が位置し、同プロ
ーブ・カードより探針11aが、ウエハー低温保
持台1の上に置かれたウエハーWに接している。
プローブ・カード低温保持板3には液体窒素を貫
流させるパイプ3aが設けられており、液体窒素
の寒冷は、プローブ・カード低温保持板3にプロ
ーブ・カード11を結合している熱伝導板3bを
通してプローブ・カード11とその探針11aに
伝えられる。このようにしてプローブ・カード1
1と探針11aは、ウエハー低温保持台に保持さ
れたテストすべきウエハーWと事実上同じ低温に
保たれるので、室温において調整された、探針の
配置とウエハー上のテスト端子の配置との間の対
応関係は、低温においても損われることはない。
なお、ウエハー低温保持台1およびプローブ・カ
ード低温保持板3には、それぞれ、温度調節用の
ヒータ1bおよび3cと、温度センサ1gおよび
3dが設けられており、液体窒素温度より高い温
度においてもウエハーの試験ができるようになつ
ている。 FIG. 1 is a sectional view showing a state in which a wafer cryogenic holding table 1 and its peripheral elements are provided inside a heat insulating chamber 8 in an embodiment of the present invention. is shown fixedly held by a presser spring 1c. An exhaust valve 8a is provided on the side wall of the heat insulating chamber 8 to evacuate the inside of the chamber. The wafer cryogenic holding table 1 is provided with a liquid nitrogen reservoir 1a, to which liquid nitrogen is supplied from outside the heat insulating chamber 8 through a pipe 1e. The evaporated nitrogen gas is released to the outside of the heat insulating chamber 8 through the pipe 1f. Wafer cryogenic holding table 1 cooled to low temperature with liquid nitrogen
The temperature control is performed by adjusting the current of the heater 1b. A probe card 11 is located above the wafer low temperature holding table 1 and is held by a probe card low temperature holding plate 3, and the probe 11a is directed from the probe card to the wafer placed on the wafer low temperature holding table 1. It is in contact with W.
The probe card cryogenic plate 3 is provided with a pipe 3a through which liquid nitrogen flows, and the liquid nitrogen is cooled through a heat conductive plate 3b connecting the probe card 11 to the probe card cryogenic plate 3. The signal is transmitted to the probe card 11 and its probe 11a. In this way probe card 1
1 and the probe 11a are kept at virtually the same low temperature as the wafer W to be tested held on the wafer cryogenic stand, so the arrangement of the probe and the arrangement of the test terminals on the wafer are adjusted at room temperature. The correspondence between them remains intact even at low temperatures.
Note that the wafer low temperature holding table 1 and the probe card low temperature holding plate 3 are provided with heaters 1b and 3c for temperature adjustment and temperature sensors 1g and 3d, respectively, so that the wafer can be maintained even at temperatures higher than the liquid nitrogen temperature. It is now possible to test for
また、ウエハー低温保持台1は熱絶縁体1dを
介してウエハー台位置調節機構2の上に固定さ
れ、同機構によりその位置が調節されるようにな
つている。このウエハー台位置調節機構2はウア
ーム・アンド・ギア・ラツク・アンド・ピニオン
等の組み合わせから成り、モータ2a,2b,2
c,2dによつて駆動されて所定の範囲内でウエ
ハー低温保持台1に、水平面内での回軸と、上下
左右の直線変位を与えるが、既知の機構でありそ
の詳細は省く。 Further, the wafer low temperature holding table 1 is fixed on a wafer table position adjustment mechanism 2 via a thermal insulator 1d, and its position is adjusted by the same mechanism. This wafer table position adjustment mechanism 2 consists of a combination of arm and gear, rack and pinion, etc., and motors 2a, 2b, 2
c and 2d to give the wafer cryogenic holding table 1 a rotational axis in a horizontal plane and a linear displacement vertically and horizontally within a predetermined range, but this is a known mechanism and its details will be omitted.
次に第2図は、第1図の断面線A−Aに沿つた
切断面を表した図である。断熱室8にはウエハー
低温保持台1のほかにそれを挟んで同一円周上に
ウエハー予冷台5とウエハー与熱台6が配設さ
れ、中心には伸縮自在でかつ、回転自在なウエハ
ー移送手段7が設けられている。ウエハー予冷台
5は、テストすべき被検体ウエハーをウエハー低
温保持台1に載せる前に予冷するための冷却台で
あつて、ウエハー低温保持台1と同様な液体窒素
用液溜を独自に設けるか、あるいは、フレキシブ
ルな熱伝導体(銅線または銅網の束等)を介して
ウエハー低温保持台1に熱接触させる等の方法に
より低温に保持されるが、図の複雑化を避けるた
め、そのような寒冷手段の図示は省略する。ま
た、ウエハー与熱台6は、テスト済ウエハーの温
度を室温に戻すための加熱台であり、必要に応じ
てヒータ(図示せず)が設けられている。またウ
エハー移送手段7はパンタグラフ7aの先端にウ
エハーをつかむトングズ7bを設けた構造を有す
るが、その回転、伸縮およびトングズ開閉の具体
的な機構は既知の技術分野に属するものであり詳
細な説明は省略する。なお、トングズには、ウエ
ハ表面に損傷を与えないよう、柔軟物質をコーテ
イングしておく。以上の各構成要素を内包する断
熱室8には、開閉自在な気密のウエハー取り込み
ドア9bとウエハー送り出しドア10bを介し
て、それぞれ被検体ウエハー収容室9とテスト済
ウエハー収容室10が付属している。なお、ウエ
ハー取り込みドア9bとウエハー送り出しドア1
0bは、いづれもスライド式で外部より電動操作
される(ドア開閉機構は図示せず)。被検体ウエ
ハー収容室9とテスト済ウエハー収容室10には
それぞれ多数のウエハーを収容できる多段式のラ
ツク12および13が、それぞれのガイド9cお
よび10cに沿つて上下方向に滑動自在に収容さ
れている。被検体ウエハー収容室9およびテスト
済ウエハー収容室10は、共に上面に気密な蓋
(図示せず)が設けてあり、それをあけることに
より、それぞれのラツク12,13は外部に取り
出すことができるようになつている。 Next, FIG. 2 is a diagram showing a cross section taken along the cross-sectional line AA in FIG. 1. In addition to the wafer low temperature holding table 1, the heat insulating chamber 8 is equipped with a wafer precooling table 5 and a wafer heating table 6 on the same circumference, with a wafer precooling table 5 and a wafer heating table 6 arranged on the same circumference, with a wafer transfer table that is expandable and rotatable at the center. Means 7 are provided. The wafer pre-cooling table 5 is a cooling table for pre-cooling the wafer to be tested before it is placed on the wafer cryo-holding table 1, and may be provided with its own liquid nitrogen reservoir similar to the wafer cryo-holding table 1. Alternatively, the wafer is maintained at a low temperature by a method such as thermally contacting the wafer cryostat 1 via a flexible thermal conductor (such as a bundle of copper wire or copper mesh), but in order to avoid complicating the diagram, Illustration of such cooling means is omitted. Further, the wafer heating table 6 is a heating table for returning the temperature of the tested wafer to room temperature, and is provided with a heater (not shown) as required. Further, the wafer transfer means 7 has a structure in which tongs 7b for grasping the wafer are provided at the tip of a pantograph 7a, but the specific mechanisms for rotation, expansion and contraction, and opening/closing of the tongs belong to the known technical field, and a detailed explanation is not provided. Omitted. Note that the tongs are coated with a soft material so as not to damage the wafer surface. The heat insulating chamber 8 containing the above-mentioned components includes a test wafer storage chamber 9 and a tested wafer storage chamber 10, respectively, via an airtight wafer intake door 9b and a wafer delivery door 10b, which can be opened and closed. There is. Note that the wafer take-in door 9b and the wafer feed-out door 1
All doors 0b are sliding type and electrically operated from the outside (the door opening/closing mechanism is not shown). Multistage racks 12 and 13 capable of accommodating a large number of wafers are housed in the subject wafer storage chamber 9 and the tested wafer storage chamber 10, respectively, so as to be slidable vertically along respective guides 9c and 10c. . Both the subject wafer storage chamber 9 and the tested wafer storage chamber 10 are provided with airtight lids (not shown) on their upper surfaces, and by opening the lids, the respective racks 12 and 13 can be taken out. It's becoming like that.
なお、第1図および第2図において、第1図に
限りウエハー低温保持台1の液体窒素溜1aに係
わる配管1eと1fは図示したが、プローブ・カ
ード低温保持台3の液体窒素貫流パイプ3aへの
配管やプローブ・カードに係わる配線、並びにヒ
ータ3c,1b、温度センサ3d,1g、モータ
2a,2b,2c,2dおよび上記各種の電動機
構へ配線等は、図の複雑化を避けるため図示を省
略した。これらの配管と配線は適当な気密ブツシ
ングやハーメチツク・シールを用い、断熱容器8
ないしは被検体ウエハー収容室9およびテスト済
ウエハー収容室10の側壁を貫いて外部に導かれ
ている。 In FIGS. 1 and 2, the pipes 1e and 1f related to the liquid nitrogen reservoir 1a of the wafer cryostat 1 are shown only in FIG. 1, but the liquid nitrogen flow pipe 3a of the probe card cryostat 3 is shown Piping to and wiring related to the probe card, heaters 3c, 1b, temperature sensors 3d, 1g, motors 2a, 2b, 2c, 2d, and wiring to the various electric mechanisms mentioned above are not shown to avoid complicating the diagram. was omitted. These piping and wiring should be secured in an insulated container 8 using appropriate airtight bushings or hermetic seals.
Alternatively, it passes through the side walls of the subject wafer storage chamber 9 and the tested wafer storage chamber 10 and is guided to the outside.
次のこの実施例の装置により一連のウエハー試
験を行なう方法を説明する。先ず被検体ウエハー
用のラツク12の全段にテストすべきウエハーを
充填して同ラツクを被検体ウエハー収容室9に挿
入し、テスト済ウエハー収容室10には空のテス
ト済ウエハー用ラツク13を挿入しておく。両ウ
エハー収容室9および10の蓋(図示せず)を閉
じ、両ウエハー収容室9,10と断熱率8を隔て
ているウエハー取り込みドア9bとウエハー送り
出しドア10bを全開する(共に外部よりの電動
操作による)。次に断熱室8、被検体ウエハー収
容室9およびテスト済ウエハー収容室10を排気
するためのそれぞれの排気バルブ8a,9aおよ
び10aの全部または一部を通じて(全バルブを
使用することが望ましい)断熱室8と両ウエハー
収容室9および10を同時に真空排気する。真空
度が所定の値に達すると、ウエハー低温保持台の
液体窒素溜め1aと、プローブ・カード低温保持
板3の液体窒素還流用のパイプに液体窒素を供給
する。(ウエハー予冷台5が液体窒素による直接
冷却型の場合には勿論そこにも供給する。)温度
計1gを観視しながら、液体窒素供給量とヒータ
1bへの電流供給量をコントロールしてウエハー
低温保持台の温度を所定の値に調整する。 Next, a method of conducting a series of wafer tests using the apparatus of this embodiment will be explained. First, all stages of the rack 12 for test wafers are filled with wafers to be tested, and the rack is inserted into the test wafer storage chamber 9, and the empty rack 13 for tested wafers is placed in the tested wafer storage chamber 10. Insert it. Close the lids (not shown) of both wafer storage chambers 9 and 10, and fully open the wafer intake door 9b and wafer delivery door 10b that separate both wafer storage chambers 9 and 10 from the thermal insulation rate 8 (both are electrically operated from the outside). (by operation). The insulation chamber 8, the test wafer storage chamber 9 and the tested wafer storage chamber 10 are then insulated through all or part of the respective exhaust valves 8a, 9a and 10a (preferably using all valves). Chamber 8 and both wafer storage chambers 9 and 10 are evacuated simultaneously. When the degree of vacuum reaches a predetermined value, liquid nitrogen is supplied to the liquid nitrogen reservoir 1a of the wafer cryogenic holding table and the liquid nitrogen reflux pipe of the probe card cryogenic holding plate 3. (If the wafer pre-cooling table 5 is a direct cooling type using liquid nitrogen, supply is also supplied there.) While observing the thermometer 1g, the amount of liquid nitrogen supplied and the amount of current supplied to the heater 1b are controlled to cool the wafer. Adjust the temperature of the low temperature holding table to a predetermined value.
ウエハー低温保持台の温度が所定の値に安定す
れば、ウエハー移送手段7を操作し(外部よりの
電動操作による)、被検体ウエハー収容室9のラ
ツク12よりウエハーを取り出し、ウエハー予冷
台5に載せる。現在は一連のウエハーテスト過程
開始の段階にあるので、経験より得られたウエハ
ーの予冷に必要な時間経過したのち、ウエハー予
冷台上のウエハーをウエハー低温保持台1に移す
と共に、被検体ウエハー収容室9のラツクより次
のウエハーを取り出しウエハー予冷台5に載せ
る。(ラツク12よりウエハーを取り出す毎にラ
ツクが1段づつ上方または下方に移動させ、常に
ウエハー移送手段7によるウエハーの取り出しが
可能な状態にしておく。)
次に、断熱容器8の透明な天窓8bを通して、
顕微鏡M(第1図)でウエハー面をみながら、ウ
エハー台位置調節機構2を操作して(外部より電
気的にモータ2a,2b,2c,2dを操作す
る)、ウエハー上の所定のチツプに設けられたテ
スト用端子とプローブ・カード11の探針11a
間に電気的接触を行わせ、チツプの電気特性をテ
ストする。この操作がウエハー上のすべてのチツ
プについて完了すれば、このテスト済ウエハーを
ウエハー与熱台6に移送した後、直ちにウエハー
予冷台5のチツプをウエハー低温保持台1に移送
し(先行のウエハーのテスト期間中にウエハー予
冷台上のチツプは予冷完了している)、次のチツ
プを被検体ウエハー収容室9より取り出しウエハ
ー予冷台5に載せる。次にウエハー低温保持台上
のウエハーに対するテスト操作を開始する。テス
トが完了すれば、ウエハー与熱台上のチツプをテ
スト済チツプ収容室10のラツク13へ送り出
す。(ラツク13はチツプが送り込まれる毎に1
段づつ上方また下方に移動させ、常にテスト済チ
ツプの受け入れができるようにしておく。)以後、
ウエハーのテストが完了する毎に上記の過程を、
被検体チツプ収容室のラツク12が空になるまで
継続する。 When the temperature of the wafer low-temperature holding table stabilizes to a predetermined value, the wafer transfer means 7 is operated (by electric operation from the outside), the wafer is taken out from the rack 12 of the specimen wafer storage chamber 9, and the wafer is transferred to the wafer pre-cooling table 5. I'll put it on. Currently, we are at the stage of starting a series of wafer test processes, so after the time necessary for pre-cooling the wafers, which has been determined from experience, has elapsed, the wafers on the wafer pre-cooling table are transferred to the wafer cryogenic holding table 1, and the wafers to be tested are accommodated. The next wafer is taken out from the rack in chamber 9 and placed on wafer precooling table 5. (Each time a wafer is taken out from the rack 12, the rack is moved up or down one step at a time, so that the wafer can always be taken out by the wafer transfer means 7.) Next, the transparent skylight 8b of the heat insulating container 8 through,
While viewing the wafer surface with a microscope M (Fig. 1), operate the wafer stand position adjustment mechanism 2 (operate the motors 2a, 2b, 2c, and 2d electrically from the outside) to place a predetermined chip on the wafer. The test terminal provided and the probe 11a of the probe card 11
Test the electrical characteristics of the chip by making electrical contact between them. When this operation is completed for all chips on the wafer, the tested wafer is transferred to the wafer heating table 6, and then the chips on the wafer pre-cooling table 5 are immediately transferred to the wafer cryogenic holding table 1 (the chips of the previous wafer are transferred to the wafer pre-cooling table 5). (During the test period, the chips on the wafer pre-cooling table have been pre-cooled completely), the next chip is taken out from the wafer storage chamber 9 and placed on the wafer pre-cooling table 5. Next, a test operation is started on the wafer on the wafer low temperature holding table. When the test is completed, the chips on the wafer heating table are delivered to the rack 13 of the tested chip receiving chamber 10. (Rack 13 is 1 each time a chip is fed.)
Move up and down step by step so that tested chips can always be accepted. ) henceforth,
The above process is repeated every time the wafer test is completed.
This continues until the rack 12 in the subject chip storage chamber is empty.
被検体ウエハー収容室9のラツク12が空にな
れば、ウエハー取り出しドア9bを閉じ、バルブ
9aを通じて内部に大気を導入、ラツク12を取
り出して新たにウエハーを供給する。ラツク12
を再び被検体ウエハー収容室9に挿入して後バル
ブ9aを通じて再び内部を真空排気し、それが完
了すればウエハー取り出しドア9bを開き、ウエ
ハーのテスト作業を再開する。テスト済ウエハー
収容室10のラツク13が満杯になつた場合も、
ウエハー送り出しドア10bとバルブ10aに関
して上と全く同様な一連の操作を行なう。 When the rack 12 in the subject wafer storage chamber 9 is empty, the wafer take-out door 9b is closed, the atmosphere is introduced into the rack through the valve 9a, the rack 12 is taken out, and a new wafer is supplied. Rack 12
After inserting the wafer into the test object wafer storage chamber 9 again, the inside is evacuated again through the valve 9a, and when this is completed, the wafer removal door 9b is opened and the wafer test operation is resumed. Even when the rack 13 of the tested wafer storage chamber 10 is full,
The same series of operations as above are performed regarding the wafer delivery door 10b and the valve 10a.
本発明はまた次のように変形実施することもで
きる。この変形実施例では、ウエハー与熱台6
に、加熱用ヒータだけでなく、ウエハー低温保持
台1と同様な液体窒素による寒冷化手段を設ける
と共に、テスト済ウエハー収容室10に赤外線等
によるウエハー加熱装置が設けられている。この
ように構成された変形実施例においても、上記の
寒冷手段に液体窒素を供給せず、また、赤外線に
よるウエハー加熱装置を作動させない状態では、
その機能は先に述べた実施例の場合と全く同様で
ある。しかし、この変形実施例によれば、ウエハ
ーの試験項目が少なく、テストのためにウエハー
をウエハー低温保持台1に保持して所定のテスト
を行なうに要する時間が非常に高いために、ウエ
ハー予冷台5に待機中の次の被検体ウエハーが充
分冷却されないというような場合でも、与熱台6
を(ヒータが設けられている場合にはヒータの通
電を止めて)、そこに液体窒素を供給することに
より第2の予冷台に転用してウエハーを充分に冷
却することが可能になる。即ち、被検体ウエハー
を本来の予冷台5と、与熱台6を転用した第2の
予冷台の2つの予冷台を経てウエハー低温保持台
1に移送させることにより、ウエハーの検査時間
が短くなつても、被検体ウエハーは充分予冷され
ることになる。また、テスト済ウエハーはウエハ
ー低温保持台1よりテスト済ウエハー収容室10
に直接送り出され、上記の赤外線による加熱装置
により、同室内で室温に加熱される。 The present invention can also be modified as follows. In this modified embodiment, the wafer heating table 6
In addition to a heater, cooling means using liquid nitrogen similar to the wafer low temperature holding table 1 is provided, and the tested wafer storage chamber 10 is provided with a wafer heating device using infrared rays or the like. Even in the modified embodiment configured in this way, when liquid nitrogen is not supplied to the cooling means and the infrared wafer heating device is not operated,
Its function is exactly the same as in the previously described embodiment. However, according to this modified embodiment, the number of wafer test items is small, and the time required to hold the wafer on the wafer cryogenic holding table 1 for testing and perform a predetermined test is very long. Even if the next specimen wafer waiting in step 5 is not sufficiently cooled, the heating stage 6
By supplying liquid nitrogen thereto (if a heater is provided, turn off the heater), the wafer can be sufficiently cooled by being diverted to the second pre-cooling table. That is, by transferring the subject wafer to the wafer low-temperature holding table 1 through two pre-cooling tables, the original pre-cooling table 5 and the second pre-cooling table which is a repurposed heating table 6, the wafer inspection time can be shortened. However, the wafer to be tested will be sufficiently pre-cooled. Also, the tested wafers are transferred from the wafer low temperature holding table 1 to the tested wafer storage chamber 10.
and is heated to room temperature in the same room by the infrared heating device mentioned above.
なお、上記いずれの実施例における操作も、そ
の一部また全部を既知の自動化技術を応用して自
動化できることは勿論である。 Note that it goes without saying that some or all of the operations in any of the above embodiments can be automated by applying known automation techniques.
<発明の効果>
以上の説明から明らかなように、本発明によれ
ば多数のウエハーをテストするに際して、ウエハ
ーの供給、移送、取り出しのいづれの段階におい
ても、途中で低温領域の真空を破り、同領域の温
度をいつたん室温に戻す必要がないので、無駄な
待時間と労力が事実上完全に排除されるだけでな
く、寒剤の消費が削減され、従つて大幅なエネル
ギー節約の効果が得られる。<Effects of the Invention> As is clear from the above description, according to the present invention, when testing a large number of wafers, the vacuum in the low temperature region is broken midway through any stage of wafer supply, transfer, or removal. Since there is no need to bring the temperature of the area back to room temperature, wasted waiting time and effort are virtually completely eliminated, as well as cryogen consumption is reduced and therefore significant energy savings are achieved. It will be done.
第1図は本発明の実施例の一断面図である。第
2図は、第1図に示した断面線A−Aに沿つた断
面の俯瞰図である。
1……ウエハー低温保持台、2……ウエハー台
位置調節機構、3……プローブ・カード低温保持
板、4……プローブ・カード低温保持板支持体、
5……ウエハー予冷台、6……ウエハー与熱台、
7……ウエハー移送手段、8……断熱室、9……
被検体ウエハー収容室、10……テスト済ウエハ
ー収容室。
FIG. 1 is a sectional view of an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an overhead view of a cross section taken along the cross-sectional line AA shown in FIG. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Wafer low temperature holding table, 2... Wafer stand position adjustment mechanism, 3... Probe card low temperature holding plate, 4... Probe card low temperature holding plate support,
5...Wafer pre-cooling table, 6...Wafer heating table,
7... Wafer transfer means, 8... Heat insulation chamber, 9...
Subject wafer storage chamber, 10...Tested wafer storage chamber.
Claims (1)
有し上面にテストすべき半導体ウエハーを保持す
るよう構成されたウエハー低温保持台と、上記ウ
エハー低温保持台を所定の範囲内で3次元的に変
位させるウエハー台位置調節手段と、半導体ウエ
ハーをテストするためのプローブ・カードを保持
すると共に同プローブ・カードの探針を冷却する
手段であつて、寒剤による被冷却手段と寒剤の温
度をプローブ・カードの探針に伝える熱伝達手段
とを有するプローブ・カード低温保持板と、この
プローブ・カード低温保持板を支持するためのプ
ローブ・カード低温保持板支持手段と、テストす
べき半導体ウエハーを予冷するための寒剤を収容
する空間を有するウエハー予冷台と、テスト済半
導体ウエハーの温度を事実上室温に上昇させるた
めのウエハー与熱台と、半導体ウエハーを取り込
み、上記ウエハー予冷台と、上記ウエハー低温保
持台と、上記ウエハー与熱台に順次移送した後外
部に送出するためのウエハー移送手段と、上記ウ
エハー低温保持台、上記ウエハー台位置調節手
段、上記プローブ・カード低温保持板、上記プロ
ーブ・カード低温保持板支持手段、上記ウエハー
予冷台、上記ウエハー与熱台、および上記ウエハ
ー移送手段を外部環境より断熱・収容するための
断熱室と、テストすべき複数個の半導体ウエハー
を収容し、開閉自在な気密のウエハー取り込みド
アを介して上記断熱室に併設された被検体ウエハ
ー収容室と、テスト済半導体ウエハーを収容し、
開閉自在な気密のウエハー送り出しドアを介して
上記断熱室に併設されたテスト済ウエハー収容室
とを有し、上記断熱室だけでなく、上記被検体ウ
エハー収容室と上記テスト済ウエハー収容室にも
真空排気手段が設けられて成る、半導体ウエハー
低温試験装置。 2 上記プローブ・カード低温保持板に温度調節
用のヒータが設けられていることを特徴とする、
特許請求の範囲第1項記載の半導体ウエハー低温
試験装置。 3 上記ウエハー与熱台に温度調節用ヒータを設
けたことを特徴とする、特許請求の範囲第1項ま
たは第2項記載の半導体ウエハー低温試験装置。 4 上記ウエハー与熱台に加熱用ヒータと寒剤を
収容するための空間を設けると共に、上記テスト
済ウエハー収容室にテスト済ウエハーの温度を室
温に上昇させるための加熱手段を設けたことを特
徴とする、特許請求の範囲第1項、第2項または
第3項記載の半導体ウエハー低温試験装置。 5 上記ウエハー移送手段が、回転自在で、か
つ、伸縮自在なアームと、このアームの先端に設
けられたトングズより成ることを特徴とする、特
許請求の範囲第1項、第2項、第3項、または第
4項記載の半導体ウエハー低温試験装置。[Scope of Claims] 1. A wafer low temperature holding table having a space for accommodating a cryogen and a temperature control heater and configured to hold a semiconductor wafer to be tested on its upper surface; a wafer table position adjusting means for three-dimensionally displacing the wafer within the wafer table; a means for holding a probe card for testing semiconductor wafers and cooling the probe of the probe card; a probe card cryostat having a heat transfer means for transmitting the temperature of the cryogen to the probe of the probe card; a probe card cryostat supporting means for supporting the probe card cryostat; a wafer pre-cooling table having a space for accommodating a cryogen for pre-cooling the semiconductor wafer to be tested; a wafer heating table for raising the temperature of the tested semiconductor wafer to virtually room temperature; and a wafer pre-cooling table for taking in the semiconductor wafer. , the wafer low temperature holding table, a wafer transfer means for sequentially transferring the wafer to the wafer heating table and then sending it outside, the wafer low temperature holding table, the wafer stand position adjustment means, and the probe card low temperature holding plate. , an insulating chamber for insulating and accommodating the probe card low temperature holding plate supporting means, the wafer precooling table, the wafer heating table, and the wafer transfer means from the external environment, and a plurality of semiconductor wafers to be tested. A test wafer storage chamber attached to the heat insulation chamber and a tested semiconductor wafer are accommodated through an airtight wafer intake door that can be opened and closed;
A tested wafer storage chamber is attached to the insulation chamber through an airtight wafer delivery door that can be opened and closed, and the test wafer storage chamber is connected not only to the insulation chamber, but also to the subject wafer storage chamber and the tested wafer storage chamber. A semiconductor wafer low-temperature testing device equipped with vacuum evacuation means. 2. The probe card low temperature holding plate is provided with a heater for temperature adjustment,
A semiconductor wafer low temperature testing apparatus according to claim 1. 3. The semiconductor wafer low temperature testing apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that the wafer heating table is provided with a temperature adjusting heater. 4. The wafer heating table is provided with a space for accommodating a heating heater and a cryogen, and the tested wafer storage chamber is provided with heating means for raising the temperature of the tested wafer to room temperature. A semiconductor wafer low-temperature testing apparatus according to claim 1, 2, or 3. 5. Claims 1, 2, and 3, characterized in that the wafer transfer means comprises a rotatable and extendable arm, and tongs provided at the tip of the arm. or 4. The semiconductor wafer low-temperature testing apparatus according to item 4.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63108304A JPH01278739A (en) | 1988-04-30 | 1988-04-30 | Semiconductor wafer low temperature test equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63108304A JPH01278739A (en) | 1988-04-30 | 1988-04-30 | Semiconductor wafer low temperature test equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01278739A JPH01278739A (en) | 1989-11-09 |
| JPH0581175B2 true JPH0581175B2 (en) | 1993-11-11 |
Family
ID=14481305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63108304A Granted JPH01278739A (en) | 1988-04-30 | 1988-04-30 | Semiconductor wafer low temperature test equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01278739A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004128509A (en) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Suss Microtec Test Systems Gmbh | Prober for testing substrates at low temperatures |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0671037B2 (en) * | 1990-09-27 | 1994-09-07 | 長瀬産業株式会社 | Continuous wafer cooling device |
| JP2004150999A (en) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Advantest Corp | Probe card |
| JP4744383B2 (en) * | 2006-07-21 | 2011-08-10 | 株式会社東京精密 | Prober |
-
1988
- 1988-04-30 JP JP63108304A patent/JPH01278739A/en active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004128509A (en) * | 2002-10-02 | 2004-04-22 | Suss Microtec Test Systems Gmbh | Prober for testing substrates at low temperatures |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01278739A (en) | 1989-11-09 |
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