JPH0581630A - 記録再生素子の位置検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 広範囲な環境温度の変化でも正確な位置信号
を得る。 【構成】 同一な光電変換特性をもつ第１，第２の受光
素子と対向配置させた発光素子から放射された光の一部
を、記録再生素子の位置の変化とは無関係に第１の受光
素子に入射させておき、また発光素子と第１の受光素子
との間の光路を負帰還路として第１の受光素子における
電気的な出力側と発光素子における電気入力側との間に
構成させた自動光量制御系で前記した第１の受光素子か
らの出力が常に一定の状態となるように発光素子からの
放射光量を自動制御し、前記した発光素子からの放射光
の一部を記録再生素子の位置の変化に応じて光量が変化
している状態で第２の受光素子に入射させて、環境温度
の変化とは無関係に記録再生素子の位置と対応して大き
さが変化している信号を第２の受光素子から出力させ
る。また、前記した構成の２組のものの出力の差信号を
出力させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は記録再生素子の位置検出
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】回転磁気ヘッドを用いて磁気テープに情
報信号の記録再生を行なうようにした磁気記録再生装置
の代表例としてはビデオ・テープ・レコーダ(ＶＴＲ)を
挙げることができる。そして現在のＶＴＲは開発されて
から現在までの間の飛躍的な進歩によって画質や機能が
大幅に向上したものになっていることは周知のとおりで
あり、さらにデジタル信号を記録の対象にするデジタル
ＶＴＲについての開発が進められている現状にある。一
方、磁気テープに回転磁気ヘッドを用いて情報信号の記
録再生を行なうようにしたＶＴＲはテレビジョン放送番
組内容の録画や、テレビジョンカメラで撮像した映像信
号の録画などのように、連続的な画像の記録のために用
いられるのが一般的であったが、ＶＴＲにおける磁気テ
ープが大きな記憶容量を有していることに着目して、Ｖ
ＴＲを例えばデジタル情報処理装置における記憶装置、
その他の構成部材の一つとして使用する等の試みもなさ
れるようになった。

【０００３】ところでＶＴＲをデジタル情報処理装置に
おける構成部材として、例えば「コンピュータの外部補
助記憶装置」や、「コンピュータグラフィックスの画像
を計算終了時に順次に記録し、それを連続的に再生する
ことにより動画とする装置」などに使用する場合には、
磁気テープに対する情報信号の記録が、１本の記録跡
(１トラック）〜数トラックを単位とするような記録態
様でなされることがあるために、ＶＴＲがデジタル情報
処理装置の構成部材として使用されるためには、前記の
ように例えば１トラック〜数トラックを単位として行な
われる情報の記録動作も高安定度、かつ高信頼性で実現
されるようにすることが必要とされる。磁気テープに回
転磁気ヘッドを用いて情報信号の記録再生が行なわれる
ＶＴＲにおいて、磁気テープにおける特定なトラックに
対して記録を行なったり、あるいは磁気テープにおける
特定なトラックの記録内容の書換えを行なったりするよ
うな場合には、プリロールにより記録開始予定位置よ
り前に磁気テープを巻戻しておき、記録時に前記の巻戻
された位置から磁気テープを移送して記録開始予定位置
を所定のテープ送り速度で通過させ、その記録開始予定
位置から所定のトラック数の記録が行なわれるようにす
る。コントロールパルスとキャプスタンモータの回転
位置制御によって、記録が行なわれるべき位置に磁気テ
ープを停止させ、停止状態の磁気テープに回転磁気ヘッ
ドによって記録を行なう。という前記した，のよう
な２つの方法が従来から行なわれて来ている。

【０００４】そして、前記したの方法は、ＶＴＲの編
集機能におけるアセッンブリ記録・インサート記録のモ
ードで実施されている方法であるが、このの方法では
磁気テープに記録が行なわれる度毎に、磁気テープの巻
戻しと順方向への送りとを繰返すことが必要であるため
に、テープ走行系のメカニズムと磁気テープとに負担が
掛かるから頻繁に記録動作が行なわれるような場合には
適していないし、また、記録が行なわれるトラックの位
置は、走行する磁気テープと回転磁気ヘッドとの相対運
動によって定まるので高い精度でトラックの位置を設定
すること困難であり、さらにプリロール等に時間が掛か
るために記録時間間隔を短縮できない等の諸点が問題に
なり、また、前記したの方法は前記したの方法で必
要とされていたような巻戻し動作が不要な他に、記録動
作が磁気テープの停止している状態で行なわれるため
に、テープ走行系のメカニズムと磁気テープとに大きな
負担を掛けることもなく、さらに、高い精度でトラック
の位置を設定することも容易であるという利点が得られ
るが、記録動作が停止している状態の磁気テープに対し
て回転磁気ヘッドによって行なわれるために、磁気テー
プに記録形成されるトラックパターンが、予め定められ
た走行速度で走行する磁気テープに回転磁気ヘッドの回
転軌跡と対応して記録形成されるトラックパターンとは
異なったものになるから、このの方法によって情報信
号が記録された磁気テープを、予め定められた走行速度
で走行させた状態で再生した場合には、回転磁気ヘッド
によってトラックを正確に追跡することができないし、
またこのの方法によって記録させたトラックと、予め
定められた走行速度で走行させた状態で磁気テープに記
録形成させたトラックとを同一の磁気テープに混在する
ような状態で記録して使用することは困難である。

【０００５】，として既述した従来技術における問
題点を解決するために、従来、例えば予め定められた走
行速度で走行する磁気テープに回転磁気ヘッドの回転軌
跡と対応して記録形成される情報信号の記録跡と同様な
情報信号の記録跡が、前記したテープ走行方向において
間欠的に所定の距離ずつ移動した後に停止した状態の磁
気テープに対する回転磁気ヘッドの回転軌跡によって記
録形成されるように、前記した磁気テープにおけるテー
プ基準縁を基準とする回転磁気ヘッドの絶対位置と対応
して発生させた回転磁気ヘッドの位置信号に基づいて間
欠記録動作時における回転磁気ヘッドの回転軌跡を制御
するアクチュエータを備えさせたＶＴＲが提案されてい
る。ところで、前記のように磁気テープにおけるテープ
基準縁を基準とする回転磁気ヘッドの絶対位置と対応し
て発生させた回転磁気ヘッドの位置信号に基づいて間欠
記録動作時における回転磁気ヘッドの回転軌跡を制御す
るアクチュエータを備えて構成されているＶＴＲにおい
ては、回転磁気ヘッドの正確な位置を安定に検出するこ
とが必要とされるが、従来、電歪物質を用いて構成した
電気ー機械変換素子によるアクチュエータにおいて、例
えば特開昭５２ー１１７１０５号公報に記載の装置のよ
うに、回転ヘッドの動きの検出のために、電歪物質を用
いて構成した電気ー機械変換素子に接着させたストレィ
ンゲージによってアクチュエータの変位を検出するよう
にしたものが知られている。しかし、前記の既提案では
検出されたアクチュエータの変位を微分してアクチュエ
ータの速度信号を発生し、その速度信号を駆動回路にフ
ィードバックさせることによりアクチュエータの自由振
動を抑圧することはできても、回転磁気ヘッドの位置を
検出することはできなかった。すなわち、前記の公報に
記載の装置のように電気ー機械変換素子を構成している
電歪物質の反り量の検出を行なうようにしたものでは、
電歪物質の反り量がヒステリシス特性を示すこと、及び
電歪物質の反りの状態が温度の変化によって変化する、
等のために、電歪物質の反り量によっては回転磁気ヘッ
ドの位置を知ることができないからである。それで、本
出願人会社では前記した既提案の問題点のない記録再生
素子の位置検出方式として、先に、記録再生素子の位置
の変化と対応してそれぞれの位置検出素子に生じる出力
が互に相補的に変化するように設けられた同一入出力特
性を有する２個の位置検出素子と、前記した２個の位置
検出素子からの出力信号の差信号を得る手段とを備えて
なる記録再生素子の位置検出方式を提案した。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前記した本出願人会社
による記録再生素子の位置検出方式は、記録再生素子の
位置決め精度が向上できるとともに、記録再生素子の定
常位置ではドリフトを完全に打消すことができ、また、
信号成分の加算とランダムノイズ成分の引算とによって
Ｓ／Ｎの良好な位置検出信号を得ることができる他、外
乱光等の外部から混入するノイズが引算によって打消さ
れ、さらに環境温度の変化が比較的に狭い場合には簡単
な温度補償回路を付加することにより、温度変化に対し
て生じる信号の変化も近似的に補償できたのであるが、
環境温度が広範囲に変化した場合に発光ダイオードに生
じる発光量の変化やフォトダイオードに生じる光電流の
変化による信号の変化は、近似的な補償を行なうだけの
前記した温度補償回路では補償しきれないために誤差が
大きくなり、そのために環境温度が広く変化する場所に
おいては記録再生素子の位置検出を高い精度で行なうこ
とができず、それの改善策が求められた。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は同一な光電変換
特性を有する第１，第２の受光素子と、前記した第１，
第２の受光素子と対向して配置された１個の発光素子
と、前記した発光素子から放射された光の一部を記録再
生素子の位置の変化とは無関係に第１の受光素子に入射
させるようにする手段と、前記した発光素子から放射さ
れた光の一部を記録再生素子の位置の変化に応じて光量
が変化している状態で第２の受光素子に入射させるよう
にする手段と、前記した第１の受光素子からの出力が常
に一定の状態になされるように発光素子の発光量を制御
する手段とを備えてなる記録再生素子の位置検出装置、
及び同一な光電変換特性を有する第１，第２の受光素子
と、前記した第１，第２の受光素子と対向して配置され
た１個の発光素子と、前記した発光素子から放射された
光の一部を記録再生素子の位置の変化とは無関係に第１
の受光素子に入射させるようにする手段と、前記した発
光素子から放射された光の一部を記録再生素子の位置の
変化に応じて光量が変化している状態で第２の受光素子
に入射させるようにする手段と、前記した第１の受光素
子からの出力が常に一定の状態になされるように発光素
子の発光量を制御する手段とを含んで構成させた記録再
生素子の位置検出装置の２組のものを、前記した記録再
生素子の位置の変化と対応して前記した各位置検出装置
における各第２の受光素子からの出力が互に相補的に変
化するように設けるとともに、前記した各位置検出装置
における各第２の受光素子からの出力信号の差信号を得
る手段とを備えてなる記録再生素子の位置検出装置を提
供する。

【０００８】

【作用】同一な光電変換特性を有する２個の受光素子
（第１，第２の受光素子）と対向して配置させた１個の
発光素子から放射された光の一部を、記録再生素子の位
置の変化とは無関係に第１の受光素子に入射させるよう
にし、発光素子と第１の受光素子との間の光路を負帰還
路として第１の受光素子における電気的な出力側と発光
素子における電気入力側との間に構成させた自動光量制
御系により、前記した第１の受光素子からの出力が常に
一定の状態となされるように発光素子から放射される光
の光量を自動制御する。前記した発光素子から放射され
た光の一部を記録再生素子の位置の変化に応じて光量が
変化している状態で第２の受光素子に入射させるように
すると、この第２の受光素子からの出力は記録再生素子
の位置と対応して大きさが変化している信号となるが、
この信号は環境温度の変化とは無関係の信号となされ
る。また前記のように第２の受光素子からの出力信号が
記録再生素子の位置と対応して信号の大きさが変化して
いる状態の信号となされるように、同一な光電変換特性
を有する第１，第２の２個の受光素子と、１個の発光素
子と、前記した２個の受光素子における第１の受光素子
と１個の発光素子との間に自動光量制御系を構成させて
ある記録再生素子の位置検出装置を２組用いて、各位置
検出装置における各第２の受光素子からの出力が互に相
補的に変化するように配置して、前記した各位置検出装
置における各第２の受光素子からの出力信号の差信号を
得るようにすると、この差信号として得られた記録再生
素子の位置検出信号は、記録再生素子の定常位置におい
てドリフトが完全に打消されたものになり、またＳ／Ｎ
の良好な位置検出信号を得ることができるから、記録再
生素子の位置決め精度が向上される。

【０００９】

【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の記録再生
素子の位置検出装置の具体的な内容について詳細に説明
する。図１は本発明の記録再生素子の位置検出装置を実
施した記録再生素子の駆動装置の斜視図、図２は図１に
示してある記録再生素子の駆動装置の平面図｛図２の
（ａ）｝と側面図｛図２の（ｂ）｝と正面図｛図２の
（ｃ）｝であり、図３は本発明の記録再生素子の位置検
出装置における記録再生素子の位置検出部の側面図｛図
３の（ａ）｝と斜視図｛図３の（ｂ）｝、図４は本発明
の記録再生素子の位置検出装置における記録再生素子の
位置検出部の平面図｛図４の（ａ）｝と断面図｛図４の
（ｂ）｝、図５は位置検出装置の一例回路図である。図
１乃至図４等の各図において、１はベース部、１ａ，１
ｂは部材取付用突起部、２は電気ー機械変換素子として
使用される電歪物質のバイモルフであって、前記のバイ
モルフ２はそれの基部２ａが、ベース部１の部材取付用
突起部１ａの上面に載置された後に、それの上部に抑え
板３をのせて、前記の抑え板３とバイモルフ２とをねじ
４，５によって前記したベース部１の部材取付用突起部
１ａに固着される。

【００１０】前記したバイモルフ２の先端部２ｂには位
置検出部の作動板６が固着されており、前記の位置検出
部の作動板６の両端にはそれぞれ突起部６ａ，６ｂが構
成されている。位置検出部の作動板６の突起部６ａ，６
ｂは、図４の(ａ)に示す一部の拡大平断面図で明らかな
ように、位置検出部の作動板６の突起部６ａは、位置検
出素子として用いられているフォトインタラプタ８にお
ける発光部ＬＳＤ8と受光部ＰＤＤ8との間の光路中に突
出している状態になされており、また、前記の位置検出
部の作動板６の突起部６ｂは、位置検出素子として用い
られているフォトインタラプタ９における発光部ＬＳＤ
9と受光部ＰＤＤ9との間の光路中に突出している状態に
なされている。すなわち位置検出部において位置検出素
子として用いられている前記した２つのフォトインタラ
プタ８，９において、一方のフォトインタラプタ８は１
個の発光素子ＬＳ8を備えている発光部ＬＳＤ8と、同一
の光電変換特性を有する２個の受光素子ＰＤm8，ＰＤs8
を備えている受光部ＰＤＤ8とが空隙を介して対向配置
されている構成態様のものとなされており、また、他方
のフォトインタラプタ９は１個の発光素子ＬＳ9を備え
ている発光部ＬＳＤ9と、同一の光電変換特性を有する
２個の受光素子ＰＤm9，ＰＤs9を備えている受光部ＰＤ
Ｄ9とが空隙を介して対向配置されている受光部ＰＤＤ9
とが空隙を介して対向配置されている構成態様のものと
なされている。

【００１１】図３は前記のように１個の発光素子ＬＳ9
を備えている発光部ＬＳＤ9と、同一の光電変換特性を
有する２個の受光素子ＰＤｍ9，ＰＤｓ9を備えている受
光部ＰＤＤ9とが空隙ＳＰ9を介して対向配置されている
構成態様のフォトインタラプタ９の具体的な構成例を示
す斜視図｛図３の（ｂ）｝と構成原理及び動作原理とを
説明するための側面図｛図３の（ａ）｝とを示している
図である。図３ではフォトインタラプタ９を示している
が、図３中における図面符号における添字の数字９を数
字８に変更するとともに、受光素子ＰＤｍと受光素子Ｐ
Ｄｓとの配置を逆にして構成されているものがフォトイ
ンタラプタ８である。以下の説明において前記した２個
のフォトインタラプタ８，９に関する構成原理及び動作
原理の説明等のように、２個のフォトインタラプタ８，
９を区別することなく説明する場合には、図面符号にお
ける添字の数字８，９の記載を省略して、例えば発光部
ＬＳＤ，受光部ＰＤＤ、発光素子ＬＳ、受光素子ＰＤ
ｍ，受光素子ＰＤｓのように記載される。

【００１２】フォトインタラプタの発光部ＬＳＤに設け
られている１個の発光素子ＬＳとしては、例えば発光ダ
イオードを使用することができる。またフォトインタラ
プタの受光部ＰＤＤに近接配置した状態に設けられる２
個の受光素子ＰＤｍ，ＰＤｓとしては、同一の光電変換
特性を有する受光素子、例えば同一の光電変換特性を有
するフォトダイオードまたはフォトトランジスタ等が使
用される。前記のように同一の光電変換特性を有する２
個の受光素子ＰＤｍ，ＰＤｓは、例えば多数の同一規格
のものとして個別に作られた多数の受光素子の内から、
同一の光電変換特性を有するものを選択して使用するよ
うにしてもよいが、例えば、同一の半導体基板上に同時
に作られた２個の受光素子が使用されることは望ましい
実施例である。前記したフォトインタラプタにおける発
光部ＬＳＤと受光部ＰＤＤとは、発光部ＬＳＤに設けら
れている１個の発光素子ＬＳから放射された光は、空隙
ＳＰを介して発光部ＬＳＤに対向して配置されている受
光部ＰＤＤに設けられている２個の受光素子ＰＤｍ，Ｐ
Ｄｓに入射されるように発光部ＬＳＤと受光部ＰＤＤと
が一体的に構成されている。

【００１３】そして、前記のように受光部ＰＤＤに設け
られている同一の光電変換特性を有する２個の受光素子
ＰＤｍ，ＰＤｓの内の一方の受光素子ＰＤｍは、発光部
ＬＳＤと受光部ＰＤＤとの間の空隙ＳＰ内において記録
再生素子７の位置の変化と対応して矢印Ｙ方向に変位す
る位置検出部の作動板６の突起部が、所定の移動範囲Ｚ
｛例えば図３の（ａ)に例示されている領域Ｚ}内で変位
した場合においても、それの受光量が前記した位置検出
部の作動板６の突起部の変位の状態とは無関係な状態で
発光素子ＬＳからの光を受光できるようになされてい
る。また、受光部ＰＤＤに設けられている同一の光電変
換特性を有する２個の受光素子ＰＤｍ，ＰＤｓの内の他
方の受光素子ＰＤｓは、発光部ＬＳＤと受光部ＰＤＤと
の間の空隙ＳＰ内において記録再生素子７の位置の変化
と対応して矢印Ｙ方向に変位する位置検出部の作動板６
の突起部が、所定の移動範囲Ｚ｛例えば図３の（ａ)に
例示されている領域Ｚ}内で変位した状態における受光
量が、前記した位置検出部の作動板６の突起部の変位の
状態、すなわち、記録再生素子７の位置の変化と対応し
て変化している受光量となるように発光素子ＬＳからの
光を受光する。

【００１４】そして、前記のように発光部ＬＳＤと受光
部ＰＤＤとの間の空隙ＳＰ内において、記録再生素子の
位置の変化と対応して矢印Ｙ方向に変位する位置検出部
の作動板６の突起部が、所定の移動範囲Ｚ{例えば図３
の(ａ)に例示されている領域Ｚ}内で変位した場合で
も、それの受光量が前記した位置検出部の作動板６の突
起部の変位の状態とは無関係に発光素子ＬＳからの光を
受光できるようになされている受光素子ＰＤｍは、発光
部ＬＳＤに設けられている１個の発光素子ＬＳとの間の
光路を負帰還路として、前記の受光素子ＰＤｍにおける
電気的な出力側と発光素子ＬＳにおける電気入力側との
間に構成させた自動光量制御系(図５参照)により、前記
した受光素子ＰＤｍからの出力が常に一定の状態となさ
れるように発光素子ＬＳから放射される光の光量を自動
制御する。それにより、発光素子ＬＳから放射された光
の一部が記録再生素子７の位置の変化に応じて光量が変
化している状態で入射されている受光素子ＰＤｓからの
出力は記録再生素子７の位置と対応して大きさが変化し
ている信号となり、この信号は環境温度の変化とは無関
係の信号となされるのである。

【００１５】位置検出部の作動板６の両端に設けられて
いる突起部６ａ，６ｂの内で、一方の突起部６ａは、図
４の(ａ)に示す一部の拡大平断面図で明らかなように、
位置検出部位置検出素子として用いられているフォトイ
ンタラプタ８における発光部ＬＳＤ8と受光部ＰＤＤ8と
の間の光路中に突出している状態になされており、ま
た、前記の位置検出部の作動板６の突起部６ｂは、位置
検出素子として用いられているフォトインタラプタ９に
おける発光部ＬＳＤ9と受光部ＰＤＤ9との間の光路中に
突出している状態になされているが、前記した各フオト
インタラプタ８，９は、既述のように一方のフォトイン
タラプタ８は１個の発光素子ＬＳ8を備えている発光部
ＬＳＤ8と、同一の光電変換特性を有する２個の受光素
子ＰＤm8，ＰＤs8を備えている受光部ＰＤＤ8とが空隙
を介して対向配置されている構成態様のものとなされて
おり、また、他方のフォトインタラプタ９は１個の発光
素子ＬＳ9を備えている発光部ＬＳＤ9と、同一の光電変
換特性を有する２個の受光素子ＰＤm9，ＰＤs9を備えて
いる受光部ＰＤＤ9とが空隙を介して対向配置されてい
る受光部ＰＤＤ9とが空隙を介して対向配置されている
構成態様のものとなされている。前記した２個のフォト
インタラプタ８，９は、同一の入出力特性を示すものが
使用される。

【００１６】そして、前記した２つのフォトインタラプ
タ８，９における一方のフォトインタラプタ８の受光部
ＰＤＤ8に設けられている同一の光電変換特性を有する
２個の受光素子ＰＤｍ8，ＰＤｓ8の内の一方の受光素子
ＰＤｍ8は、発光部ＬＳＤ8と受光部ＰＤＤ8との間の空
隙ＳＰ内において記録再生素子７の位置の変化と対応し
て矢印Ｙ方向に変位する位置検出部の作動板６の突起部
６ａが、所定の移動範囲Ｚ｛例えば図３の（ａ)に例示
されている領域Ｚ}内で変位した場合でも、それの受光
量が前記した位置検出部の作動板６の突起部６ａの変位
の状態とは無関係に発光素子ＬＳ8からの光を受光でき
るようになされており、また受光部ＰＤＤ8に設けられ
ている同一の光電変換特性を有する２個の受光素子ＰＤ
ｍ8，ＰＤｓ8の内の他方の受光素子ＰＤｓ8は、発光部
ＬＳＤ8と受光部ＰＤＤ8との間の空隙ＳＰ内において記
録再生素子７の位置の変化と対応して矢印Ｙ方向に変位
する位置検出部の作動板６の突起部６ａが、所定の移動
範囲Ｚ｛例えば図３の(ａ)に例示されている領域Ｚ}内
で変位した状態における受光量が、前記した位置検出部
の作動板６の突起部６ａの変位の状態、すなわち記録再
生素子７の位置の変化と対応して変化している受光量と
なるように発光素子ＬＳ8からの光を受光する。

【００１７】また、２つのフォトインタラプタ８，９に
おける他方のフォトインタラプタ９の受光部ＰＤＤ9に
設けられている同一の光電変換特性を有する２個の受光
素子ＰＤｍ9，ＰＤｓ9の内の一方の受光素子ＰＤｍ9
は、発光部ＬＳＤ9と受光部ＰＤＤ9との間の空隙ＳＰ内
において記録再生素子７の位置の変化と対応して矢印Ｙ
方向に変位する位置検出部の作動板６の突起部６ｂが、
所定の移動範囲Ｚ｛例えば図３の（ａ)に例示されてい
る領域Ｚ}内で変位した場合でも、それの受光量が前記
した位置検出部の作動板６の突起部６ｂの変位の状態と
は無関係に発光素子ＬＳ9からの光を受光できるように
なされており、また受光部ＰＤＤ9に設けられている同
一の光電変換特性を有する２個の受光素子ＰＤｍ9，Ｐ
Ｄｓ9の内の他方の受光素子ＰＤｓ9は、発光部ＬＳＤ9
と受光部ＰＤＤ9との間の空隙ＳＰ内において記録再生
素子７の位置の変化と対応して矢印Ｙ方向に変位する位
置検出部の作動板６の突起部６ｂが、所定の移動範囲Ｚ
｛例えば図３の（ａ)に例示されている領域Ｚ}内で変位
した状態における受光量が、前記した位置検出部の作動
板６の突起部６ｂの変位の状態、すなわち、記録再生素
子７の位置の変化と対応して変化している受光量となる
ように発光素子ＬＳ9からの光を受光する。

【００１８】前記したフォトインタラプタ８における記
録再生素子７の位置の変化と対応して矢印Ｙ方向に変位
する位置検出部の作動板６の突起部６ａが、所定の移動
範囲Ｚ{例えば図３の(ａ)に例示されている領域Ｚ}内で
変位した場合でも、それの受光量が前記した位置検出部
の作動板６の突起部６ａの変位の状態とは無関係に発光
素子ＬＳ8からの光を受光できるようになされている受
光素子ＰＤｍ8は、発光部ＬＳＤ8に設けられている１個
の発光素子ＬＳ8との間の光路を負帰還路として、前記
の受光素子ＰＤｍ8における電気的な出力側と発光素子
ＬＳ8における電気入力側との間に構成させた自動光量
制御系(図５参照)により、前記した受光素子ＰＤｍ8か
らの出力が常に一定の状態となされるように発光素子Ｌ
Ｓ8から放射される光の光量を自動制御して、発光素子
ＬＳ8から放射された光の一部が記録再生素子７の位置
の変化に応じて光量が変化している状態で入射されてい
る受光素子ＰＤｓ8からの出力は記録再生素子７の位置
と対応して大きさが変化している信号となされ、また、
前記したフォトインタラプタ９における記録再生素子７
の位置の変化と対応して矢印Ｙ方向に変位する位置検出
部の作動板６の突起部６ｂが、所定の移動範囲Ｚ{例え
ば図３の(ａ)に例示されている領域Ｚ}内で変位した場
合でも、それの受光量が前記した位置検出部の作動板６
の突起部６ｂの変位の状態とは無関係に発光素子ＬＳ9
からの光を受光できるようになされている受光素子ＰＤ
ｍ9は、発光部ＬＳＤ9に設けられている１個の発光素子
ＬＳ9との間の光路を負帰還路として、前記の受光素子
ＰＤｍ9における電気的な出力側と発光素子ＬＳ9におけ
る電気入力側との間に構成させた自動光量制御系(図５
参照)により、前記した受光素子ＰＤｍ9からの出力が常
に一定の状態となされるように発光素子ＬＳ9から放射
される光の光量を自動制御して、発光素子ＬＳ9から放
射された光の一部が記録再生素子７の位置の変化に応じ
て光量が変化している状態で入射されている受光素子Ｐ
Ｄｓ9からの出力は記録再生素子７の位置と対応して大
きさが変化している信号となされる。

【００１９】そして、前記したフォトインタラプタ８に
おける受光部ＰＤＤ8の受光素子ＰＤs8から出力された
記録再生素子７の位置と対応して大きさが変化している
信号と、フォトインタラプタ９における受光部ＰＤＤ9
の受光素子ＰＤs9から出力された記録再生素子７の位置
と対応して大きさが変化している信号とが、記録再生素
子７の位置の変化と対応して互に相補的に大きさが変化
している状態になされるように、前記したフォトインタ
ラプタ８における受光部ＰＤＤ8の２つの受光素子ＰＤm
8，ＰＤs8と、前記したフォトインタラプタ９における
受光部ＰＤＤ9の２つの受光素子ＰＤm9，ＰＤs9と、記
録再生素子７の位置の変化と対応して変位する位置検出
部の作動板６の突起部との相対的な配置態様を設定して
おくことにより、前記したフォトインタラプタ８におけ
る受光部ＰＤＤ8の受光素子ＰＤs8から出力された記録
再生素子７の位置と対応して大きさが変化している信号
と、フォトインタラプタ９における受光部ＰＤＤ9の受
光素子ＰＤs9から出力された記録再生素子７の位置と対
応して大きさが変化している信号とは、記録再生素子７
の位置の変化と対応して互に相補的に大きさが変化して
いる状態になされるから、前記したフォトインタラプタ
８における受光部ＰＤＤ8の受光素子ＰＤs8からの出力
信号と、フォトインタラプタ９における受光部ＰＤＤ9
の受光素子ＰＤs9からの出力信号との差信号を得るよう
にすることにより、記録再生素子の位置検出信号は、記
録再生素子の定常位置においてドリフトが完全に打消さ
れたものになり、またＳ／Ｎの良好な位置検出信号を得
ることができ、記録再生素子の位置決め精度を向上させ
ることが容易になる。

【００２０】図４は前記した２つのフォトインタラプタ
８，９において、それぞれの発光部ＬＳＤ8,ＬＳＤ9に
設けられている発光素子(例えば発光ダイオード)ＬＳ8,
ＬＳ9から放射された光の内で、受光部ＰＤＤ8，ＰＤＤ
9における受光素子(例えばフォトダイオード、あるいは
フォトトランジスタ)ＰＤm8，ＰＤm9で受光される受光
量は、前記した発光部ＬＳＤ8，ＬＳＤ9と受光部ＰＤＤ
8，ＰＤＤ9との間の光路中で、前記したバイモルフ板２
によって記録再生素子(例えば磁気ヘッド)７と一体的に
図中の矢印Ｙ方向に変位するようになされている位置検
出部の作動板６の突起部６ａ，６ｂが変位しても変化し
ないこと、及び、前記した２つのフォトインタラプタ
８，９において、それぞれの発光部ＬＳＤ8,ＬＳＤ9に
設けられている発光素子(例えば発光ダイオード)ＬＳ8,
ＬＳ9から放射された光の内で、受光部ＰＤＤ8，ＰＤＤ
9における受光素子(例えばフォトダイオード、あるいは
フォトトランジスタ)ＰＤs8,ＰＤs9で受光される受光量
は、前記した発光部ＬＳＤ8，ＬＳＤ9と受光部ＰＤＤ
8，ＰＤＤ9との間の光路中で、前記したバイモルフ板２
によって記録再生素子(例えば磁気ヘッド)７と一体的に
図中の矢印Ｙ方向に変位するようになされている位置検
出部の作動板６の突起部６ａ，６ｂの変位の態様に従っ
て変化することを図示説明するための図であり、図４の
（ｂ）は図４の（ａ）におけるＸ−Ｘ線位置における断
面図であって、前記した２つのフォトインタラプタ８,
９における受光部ＰＤＤ8,ＰＤＤ9の受光素子ＰＤs8，
ＰＤs9の配置の態様は、前記したバイモルフ板２の変形
によって記録再生素子(例えば磁気ヘッド)７と一体的に
図中の矢印Ｙ方向に変位するようになされている位置検
出部の作動板６の突起部６ａ，６ｂによる遮光作用によ
り、受光素子ＰＤs8，ＰＤs9に対する入射光量が相補的
に変化する状態となされていることが判かる。すなわち
前記した２つのフォトインタラプタ８，９における受光
部ＰＤＤ8，ＰＤＤ9の受光素子ＰＤs8，ＰＤs9からの出
力信号は、記録再生素子(例えば磁気ヘッド)７と一体的
に図中の矢印Ｙ方向に変位する位置検出部の作動板６の
突起部６ａ，６ｂの変位に応じて相補的に変化する状態
のものになっている。図４の（ｂ）に示されている受光
素子ＰＤm8，ＰＤs8，ＰＤm9，ＰＤs9における四角形は
光電変換部の受光面を示している。

【００２１】図５は記録再生素子の位置検出装置の一例
回路図である。図５において２個のフォトインタラプタ
８，９における一方のフォトインタラプタ８における発
光素子ＬＳ8から放射された光は、受光素子ＰＤm8と受
光素子ＰＤs8とに入射され、また他方のフォトインタラ
プタ９における発光素子ＬＳ9から放射された光は、受
光素子ＰＤm9と受光素子ＰＤs9とに入射される。図５に
おいて１２〜１８は演算増幅器、１９〜３７は抵抗器、
３８，３９は可変抵抗器、４０,４１はコンデンサ、４
２は出力端子、Ｑ8,Ｑ9はトランジスタ、ＬＳ8，ＬＳ9
は発光素子、ＰＤm8，ＰＤs8，ＰＤm9，ＰＤs9は受光素
子である。図５の上方における受光素子ＰＤm8と演算増
幅器１２，１３とトランジスタＱ8と、発光素子ＬＳ8と
抵抗１９〜２５及び可変抵抗器３８ならびにコンデンサ
４０などによって構成されている部分の回路配置は、フ
ォトインタラプタ８における記録再生素子７の位置の変
化と対応して矢印Ｙ方向に変位する位置検出部の作動板
６の突起部６ａが、所定の移動範囲Ｚ{例えば図３の
(ａ)に例示されている領域Ｚ}内で変位した場合でも、
それの受光量が前記した位置検出部の作動板６の突起部
６ａの変位の状態とは無関係に発光素子ＬＳ8からの光
を受光できるようになされている受光素子ＰＤｍ8から
の出力が、発光部に設けられている１個の発光素子ＬＳ
8との間の光路を負帰還路として、前記の受光素子ＰＤ
ｍ8における電気的な出力側と発光素子ＬＳ8における電
気入力側との間に構成させた自動光量制御系であり、前
記した受光素子ＰＤｍ8からの出力が供給されている演
算増幅器１２の出力電圧が、可変抵抗器３８の摺動子の
位置によって設定された電圧値になるように、発光素子
ＬＳ8から放射される光の光量を自動制御するための回
路配置である。

【００２２】また、図５の下方における受光素子ＰＤm9
と演算増幅器１６，１７とトランジスタＱ9と、発光素
子ＬＳ9と抵抗３１〜３６及び可変抵抗器３９ならびに
コンデンサ４１などによって構成されている部分の回路
配置は、フォトインタラプタ９における記録再生素子７
の位置の変化と対応して矢印Ｙ方向に変位する位置検出
部の作動板６の突起部６ｂが、所定の移動範囲Ｚ{例え
ば図３の(ａ)に例示されている領域Ｚ}内で変位した場
合でも、それの受光量が前記した位置検出部の作動板６
の突起部６ｂの変位の状態とは無関係に発光素子ＬＳ9
からの光を受光できるようになされている受光素子ＰＤ
ｍ9からの出力が、発光部に設けられている１個の発光
素子ＬＳ9との間の光路を負帰還路として、前記の受光
素子ＰＤｍ9における電気的な出力側と発光素子ＬＳ9に
おける電気入力側との間に構成させた自動光量制御系で
あり、前記した受光素子ＰＤｍ9からの出力が供給され
ている演算増幅器１６の出力電圧が、可変抵抗器３９の
摺動子の位置によって設定された電圧値になるように、
発光素子ＬＳ9から放射される光の光量を自動制御する
ための回路配置である。

【００２３】フォトインタラプタ８の発光素子ＬＳ8か
ら放射された光の一部が記録再生素子７の位置の変化に
応じて光量が変化している状態で入射された受光素子Ｐ
Ｄｓ8からの出力は、電流を電圧に変換する演算増幅器
１４によって電圧に変換されて演算増幅器１５の反転入
力端子に供給され、また、フォトインタラプタ９の発光
素子ＬＳ9から放射された光の一部が記録再生素子７の
位置の変化に応じて光量が変化している状態で入射され
た受光素子ＰＤｓ9からの出力は、電流を電圧に変換す
る演算増幅器１８によって電圧に変換されて演算増幅器
１５の非反転入力端子に供給される。前記の演算増幅器
１５に供給された２つの入力信号、すなわち前記した２
つのフォトインタラプタ８，９における受光部ＰＤＤ
8，ＰＤＤ9の受光素子ＰＤs8，ＰＤs9から出力された信
号は、記録再生素子(例えば磁気ヘッド)７と一体的に図
中の矢印Ｙ方向に変位する位置検出部の作動板６の突起
部６ａ，６ｂの変位に応じて相補的に変化する状態のも
のになっているから、出力端子４２に送出される記録再
生素子の位置検出信号は、記録再生素子７の定常位置に
おいてドリフトが完全に打消されたものになり、またＳ
／Ｎの良好な位置検出信号となされているのであり、環
境温度の広範囲な変化にも誤差を生じることがなく、位
置決め精度を向上させることが容易になる。

【００２４】

【発明の効果】以上、詳細に説明したところから明らか
なように本発明の記録再生素子の位置検出装置は、同一
な光電変換特性を有する２個の受光素子（第１，第２の
受光素子）と対向して配置させた１個の発光素子から放
射された光の一部を、記録再生素子の位置の変化とは無
関係に第１の受光素子に入射させるようにし、発光素子
と第１の受光素子との間の光路を負帰還路として第１の
受光素子における電気的な出力側と発光素子における電
気入力側との間に構成させた自動光量制御系により、前
記した第１の受光素子からの出力が常に一定の状態とな
されるように発光素子から放射される光の光量を自動制
御しておき、前記した発光素子から放射された光の一部
を記録再生素子の位置の変化に応じて光量が変化してい
る状態で第２の受光素子に入射させるようにすることに
より、環境温度の変化とは無関係に記録再生素子の位置
と対応して大きさが変化している信号を第２の受光素子
から出力させ、また、前記のように第２の受光素子から
の出力信号が記録再生素子の位置と対応して大きさが変
化している状態の信号となされるように、同一な光電変
換特性を有する第１，第２の２個の受光素子と、１個の
発光素子と、前記した２個の受光素子における第１の受
光素子と１個の発光素子との間に自動光量制御系を構成
させてある記録再生素子の位置検出装置を２組用いて、
各位置検出装置における各第２の受光素子からの出力が
互に相補的に変化するように配置して、前記した各位置
検出装置における各第２の受光素子からの出力信号の差
信号を得るようにすることにより、差信号として得られ
た記録再生素子の位置検出信号は記録再生素子の定常位
置においてドリフトが完全に打消されたものになるとと
もにＳ／Ｎの良好な位置検出信号を得ることができ、記
録再生素子の位置決め精度を向上できるのであり、本発
明によれば広範囲にわたる環境温度の変化とは無関係に
良好な記録再生素子の位置信号を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の記録再生素子の位置検出装置を実施し
た記録再生素子の駆動装置の斜視図である。

【図２】図１に示してある記録再生素子の駆動装置の平
面図｛図２の（ａ）｝と側面図｛図２の（ｂ）｝と正面
図｛図２の（ｃ）｝である。

【図３】本発明の記録再生素子の位置検出装置における
記録再生素子の位置検出部の側面図｛図３の（ａ）｝と
斜視図｛図３の（ｂ）｝である。

【図４】本発明の記録再生素子の位置検出装置における
記録再生素子の位置検出部の平面図｛図４の（ａ）｝と
断面図｛図４の（ｂ）｝である。

【図５】記録再生素子の位置検出装置の一例回路図であ
る。

【符号の説明】

１…ベース部、１ａ，１ｂ…部材取付用突起部、２…電
気ー機械変換素子、３…抑え板、４，５…ねじ、６…位
置検出部の作動板、６ａ，６ｂ…位置検出部の作動板６
の突起部、７…記録再生素子、８，９…フォトインタラ
プタ、１２〜１８…演算増幅器、１９〜３７…抵抗器、
３８，３９…可変抵抗器、４０,４１…コンデンサ、４
２…出力端子、Ｑ8,Ｑ9…トランジスタ、ＬＳ8，ＬＳ9
…発光素子、ＰＤm8，ＰＤm9，ＰＤs8，ＰＤs9…受光素
子、ＰＤＤ8，ＰＤＤ9…フォトインタラプタの受光部、
ＬＳＤ8，ＬＳＤ9…フォトインタラプタ９における受光
部、

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 同一な光電変換特性を有する第１，第２
   の受光素子と、前記した第１，第２の受光素子と対向し
   て配置された１個の発光素子と、前記した発光素子から
   放射された光の一部を記録再生素子の位置の変化とは無
   関係に第１の受光素子に入射させるようにする手段と、
   前記した発光素子から放射された光の一部を記録再生素
   子の位置の変化に応じて光量が変化している状態で第２
   の受光素子に入射させるようにする手段と、前記した第
   １の受光素子からの出力が常に一定の状態になされるよ
   うに発光素子の発光量を制御する手段とを備えてなる記
   録再生素子の位置検出装置。
2. 【請求項２】 同一な光電変換特性を有する第１，第２
   の受光素子と、前記した第１，第２の受光素子と対向し
   て配置された１個の発光素子と、前記した発光素子から
   放射された光の一部を記録再生素子の位置の変化とは無
   関係に第１の受光素子に入射させるようにする手段と、
   前記した発光素子から放射された光の一部を記録再生素
   子の位置の変化に応じて光量が変化している状態で第２
   の受光素子に入射させるようにする手段と、前記した第
   １の受光素子からの出力が常に一定の状態になされるよ
   うに発光素子の発光量を制御する手段とを含んで構成さ
   せた記録再生素子の位置検出装置の２組のものを、前記
   した記録再生素子の位置の変化と対応して前記した各位
   置検出装置における各第２の受光素子からの出力が互に
   相補的に変化するように設けるとともに、前記した各位
   置検出装置における各第２の受光素子からの出力信号の
   差信号を得る手段とを備えてなる記録再生素子の位置検
   出装置。
3. 【請求項３】 同一の光電変換特性を有する第１，第２
   の受光素子と、前記した第１，第２の受光素子に対して
   所定の空隙を介して対向する位置に１個の発光素子を配
   設した構成部材を用いた請求項１または２の記録再生素
   子の位置検出装置。
4. 【請求項４】 同一の光電変換特性を有する第１，第２
   の受光素子を１チップに構成させたものを用いた請求項
   １乃至請求項３のいずれかに記載の記録再生素子の位置
   検出装置。