JPH0582038B2 - - Google Patents

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JPH0582038B2
JPH0582038B2 JP2247683A JP24768390A JPH0582038B2 JP H0582038 B2 JPH0582038 B2 JP H0582038B2 JP 2247683 A JP2247683 A JP 2247683A JP 24768390 A JP24768390 A JP 24768390A JP H0582038 B2 JPH0582038 B2 JP H0582038B2
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JP
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elastomeric
substrate
elastomeric material
wire
metal wire
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JP2247683A
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Samueru Biiman Buraian
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International Business Machines Corp
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Publication of JPH0582038B2 publication Critical patent/JPH0582038B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2407—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means
    • H01R13/2414—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means conductive elastomers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
    • H10W70/611—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers for connecting multiple chips together
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/401—Package configurations characterised by multiple insulating or insulated package substrates, interposers or RDLs

Landscapes

  • Multi-Conductor Connections (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 Ａ 産業上の利用分野 この発明は、電気コネクタ、特に電子回路用の
コネクタに関するものである。
Ｂ 従来の技術と発明が解決しようとする課題 シリコンまたはボードのスペースの単位面積あ
たり製造できる電子回路の数は、近年ドラマチツ
クに増大している。この回路密度の増大に対応し
て、種々の電子回路間に要求される接続の数が増
大してきている。集積回路チツプおよびボード
は、高密度化だけでなく、より複雑な製品の製造
を容易にするために、他の集積回路チツプおよび
ボードへの高信頼性接続をも必要としている。製
品内での回路接続数が増大すると、製品不良とな
る可能性が増大するために、高回路密度は、高接
続信頼性を要求することになる。したがつて、製
品の信頼性を維持するには、個々の接続の信頼性
を増大しなければならない。さらに、製品の製造
中に、接続部が数回にわたり接続され、分離さ
れ、再接続されても、信頼性を維持しなければな
らない。この接続および再接続プロセスは、電子
回路部品が最終的な製品に組立てられる前に、
個々の電子回路部品を検査するのに必要とされ
る。
回路密度、信頼性、電子回路接続の検査の必要
性は、多様な相互接続技術を展開させてきてい
る。このような相互接続技術の１つは、数個の電
子回路の端子接続部を互いにワイヤ・ボンデイン
グすることである。ワイヤ・ボンデイングは、一
方の回路から他方の回路への金に代表される軟金
属ワイヤの機械的および熱的圧縮を含んでいる。
ワイヤ・ボンデイングは、高密度あるいは高信頼
性に寄与しない。その理由は、ワイヤは断線する
し、電子回路のすべての周辺端子接続部へ接続す
るためにワイヤが長くなるので、機械的な取り扱
いが困難となるからである。回路の相互接続に用
いられる他の技術は、金または金合金のような軟
金属のバンプまたはボールを、電子回路の端子接
続部に設けることである。金属ボールのパターン
（端子接続部のパターンに相当する）は、他の電
子回路上の予め設計された端子接続部のパターン
に合致している。これら２つのパターンは接合さ
れ、金属ボールが両方の電子回路に接着し接続を
形成するように加熱される。この技術は、接続の
数が個々の金属ボールを分離するのに必要なスペ
ースによつて制限されるので、高信頼性相互接続
を可能にする。しかし、分離するためには接続部
を加熱しなければならず、一旦分離されたならば
ボールをリフオームしなければならず、検査の実
施中に回路を再接続するときにはボールを再加熱
しなければならないので、この技術は検査時に問
題を生じる。検査工程は非常にコストがかかり、
また、金属ボールを除去して、その場所に新しい
金属ボールを再堆積する前に、金属ボールを加熱
および再加熱することのできる回数には制限があ
る。この相互接続技術のコストおよび検査の条件
は、その有用性を制限している。
ワイヤ・ボンデイングおよび金属ボール相互接
続技術の有する問題に対して、種々のエラストマ
材料および技術が開発されてきた。一般に、エラ
ストマ材料は、内部に埋め込まれた多数の導通路
により材料中を電流が流れる材料である。導通路
は小直径のワイヤ、あるいは、エラストマ材料に
よつて互いに絶縁された導電材料の小面積コラム
である。個々のワイヤあるいは導電材料のコラム
は、互いに近接して離間され、近接して離間され
た導通路のグループは、電子回路端子接続部パタ
ーンに合致するように、グリツドまたは他のパタ
ーン上に配置されている。典型的なエラストマ材
料を用いた相互接続技術によれば、２つの電子回
路の間にエラストマ材料を配し、圧縮している。
圧縮されると、個々の導通路間の小さなスペース
および１つのコンタクトに用いられる多数の導通
路は、電子回路接続端子にコンタクトが形成され
ることを保証するので、２つの電子回路間の電気
的接続が形成される。導通路のグループは、エラ
ストマ材料中に、電子回路上の接続端子のパター
ンに整合するアレイまたは他のパターンで配列さ
れる。
エラストマ材料を用いた相互接続技術は、電子
回路の検査に特に有用である。その理由は、回路
を除去して取り換え、電子回路または材料自体の
いずれかを損傷することなく、エラストマ相互接
続材料を拡張し再圧縮するからである。相互接続
材料を再使用でき、損傷回路を修理するのに追加
の処理を必要としないので、これは非常に低コス
トな検査方法である。しかし、電子回路を相互接
続する方法の根本的な問題は、大きなアレイの相
互接続部にわたる接続の信頼性である。エラスト
マ・コネクタ材料は、大きな領域にわたつて均一
でない弾性を有するので、前記のことは問題であ
る。不均一な弾性は、２つの問題を生じる。第１
の問題は、回路を押圧する圧縮力に応じて、電子
回路の異なる部分に異なる機械的ひずみを生じさ
せることである。第２の問題は、弾性の違いは、
高い接触抵抗を有するかまたは非接触の電気的相
互接続になることである。
バーンイン（burn−in）検査の場合のように、
極端な環境条件下で検査が長時間にわたるときに
は、不均一な応力の影響は特に明らかである。し
たがつて、無損傷回路の信頼性および低コスト性
のような、エラストマ相互接続材料に関する多く
の利点は、大領域接続部が長期にわたつて圧縮さ
れる場合には失なわれてしまう。これらの影響を
最小化する試みは、エラストマ材料内に屈曲また
は波形金属ワイヤを用いることによつて行われて
いる。予め屈曲されたワイヤは、エラストマ材料
をより均一に圧縮し、不均一応力を軽減する。し
かし、ワイヤが予め屈曲されているので、これら
ワイヤをエラストマ材料内に互いに整列させるの
が困難である。互いに整列されていないワイヤは
弾性を軽減するので、大きな領域にわたつて材料
の圧縮の不均一性がさらに大きくなる。この技術
は、屈曲ワイヤ整列に対する制御性を欠いている
ので、材料の弾性を制御することができず、した
がつてエラストマ材料の圧縮は大領域にわたつて
不均一となる。
この発明の目的は、電子回路間の改良された高
密度相互接続を提供することにある。
この発明の他の目的は、回路が長期間にわたつ
て接続される場合に、電子回路の信頼性を維持す
る電子回路間の改良された高密度相互接続を提供
することにある。
この発明のさらに他の目的は、電子回路を接続
する改良されたエラストマ材料を提供することに
ある。
この発明の目的は、材料中の圧力を最小化する
改良されたエラストマ材料を提供することにあ
る。
この発明の他の目的は、長期間にわたつて圧縮
状態にある場合に、電子回路への損傷を最小化す
る改良されたエラストマ材料を提供することにあ
る。
Ｃ 課題を解決するための手段 この発明は、２つの基板を高密度相互接続で電
気的に接続するインタポウザ（interposer）を提
供する。このインタポウザは、細い金属ワイヤを
取り囲むエラストマ材料を有しており、金属ワイ
ヤはこのエラストマ材料内に延在している。エラ
ストマ材料は、基板に接触するインタポウザの２
つの対向面を接続するワイヤに、機械的な支持と
電気的な分離を与えている。インタポウザの一方
の面は、個々のワイヤを機械的に分離するスクラ
イブが切られている。このようなワイヤ間の機械
的分離は、基板間のインタポウザを圧縮により生
じ、基板に加えられる差応力を軽減させる。エラ
ストマ材料によつて個々のワイヤに与えられる支
持力は、スクライブの間隔および幅を調整するこ
とにより制御し、基板への均一な圧縮力を与える
ことができる。基板に加える差応力（同一回路上
でのインタポウザの一方の領域におけるよりも大
きな他方の領域における圧縮力）の軽減は、電気
コネクタにおける不均一性を減少させ、したがつ
て、基板が長期間にわたつて圧縮下におかれると
きの基板信頼性が維持する。
Ｄ 実施例 この発明の第１の好適な実施例を第１図に示
す。エラストメリツク・アレイ・エリア・インタ
ポウザ（EAAI；elastomeric array area
interposer）１０は、２つの基板を電気的に接続
するデバイスであり、導通路２５を含む基板２０
上に製造される。EAAI１０は、第１のワイヤ・
ボンド３０、第２のワイヤ・ボンド３５、金属ワ
イヤ４０、球状コンタクト５０、エラストマ樹脂
材料６０、エラストマ樹脂材料内のレーザ・スク
ライブ（laser scribe）７０を有している。ワイ
ヤ・ボンド３０，３５は、金属ワイヤ４０によつ
て球状コンタクト５０に接続されている。エラス
トマ樹脂材料６０は、金属ワイヤ４０を取り囲
み、金属ワイヤ４０に密着している。さらに、エ
ラストマ樹脂材料６０内のレーザ・スクライブ７
０は、隣接金属ワイヤ４０の間および周囲に効果
的に配置されている。
EAAI１０の製造プロセスを、第２図に示す。
基板２０は、代表的にはアルミニウム、モリブデ
ンあるいは銅合金である導通路を有する種々のセ
ラミツクあるいは樹脂コンパウンドで作ることが
できる。基板の設計および製造は、当業者には周
知である。基板は、導通路の端部に端子接続パツ
ド２３（図示せず）のパターンを有している。こ
れらパツドは、一般に導通路と同じ材料であり、
第２の基板上のパツドに接続される（第３図参
照）。第１のワイヤ・ボンド３０は、端子接続パ
ツド２３に接合されている。ワイヤ・ボンドは、
種々のプロセスで製造することができる。代表的
なプロセスは、熱、応力、超音波（20000サイク
ル／秒より大きい）振動を、軟金属ワイヤの一端
に加え、ワイヤを端子接続パツド２３に押圧する
サーモソニツク（thermosonic）ワイヤ・ボンデ
イングである。熱、圧力、振動は、２つの金属表
面を互いに接合させる。このようなボンデイン
グ・プロセスは、当業者には周知である。
第２図において、金ワイヤが、金メツキ端子接
続パツド２３にサーモソニカルに接続される。金
は、非常に良好な電気的特性と、良好なワイヤ材
料である十分な展性とを有している。端子接続パ
ツド２３は、エレクトロ・デポジシヨン・プロセ
ス等によつて、金メツキする。その理由は、サー
モソニツク・ボンデイング・プロセスは、金およ
びアルミニウムのような２つの異なる種類の金属
表面に対するボンデイング・プロセスの結果と比
べて、２つの金表面に対し、優れた機械的および
電気的接続を与えるからである。ワイヤ４０の第
２の端部に対するボンデイング・プロセスは、変
形されたサーモソニツク・ワイヤ・ボンデイン
グ・プロセスであり、第１の端部のボンデイング
に用いられる熱、応力、超音波振動を含んでい
る。しかし、フイーダと呼ばれるワイヤをデポジ
ツトするツールが、ワイヤ４０をカツトして、ワ
イヤの第２の端部を形成する。このカツテイング
は、ボンデイング・プロセスの間に、基板パツド
２３とフイーダ・ツールとの間のワイヤ４０を押
し曲げまたはウエジ（wedge）することにより行
われる。カツテイング・プロセスは、ボンデイン
グ・プロセスと共に、通常は第１のワイヤ・ボン
ド３０と同じ機械的構造を有さない第２のワイ
ヤ・ボンド３５を形成する。第１のワイヤ・ボン
ド３０と第２のワイヤ・ボンド３５との間の金属
ワイヤ４０は、アーチ形あるいはループ構造を形
成するのに十分なように長くする。すなわち、金
属ワイヤを基板２０の表面からほぼ垂直に立ち上
げた後、金属ワイヤを基板２０の表面に戻るよう
に垂直に延在させる。金属ワイヤの垂直方向の高
さは、以下に詳細に説明するように、EAAI１０
の所望の厚さを得るように調整することができ
る。ワイヤの第２の端部を、接続パツドのパター
ン内の隣接する端子接続パツド２３にボンデイン
グして、ワイヤ間にエラストマ材料を供給する際
のワイヤ４０の変形を最小にする。ワイヤ・ボン
デイングおよびルーピング・プロセスは、各端子
接続パツド２３がワイヤ・ボンドを接合するまで
繰り返し行われる。
金属ワイヤ４０が、基板２０にボンデイングさ
れた後、基板上にワイヤ・アーチを取り囲むよう
にダム８０を設ける。液相状態にあるエラストマ
樹脂の熱にダム８０をさらしたときに、それが安
定である限り、プラスチツクまたは金属のような
種々の材料でダム８０を構成することができる。
ダム８０は、EAAI１０の厚さに少なくとも同じ
であり、ワイヤ・アーチの最大高さよりも小さい
高さにある。ダムを設けた後、液体エラストマ樹
脂材料を、ダム８０の内側の基板２０の表面に供
給する。この樹脂材料は、最初は、ボンデイング
されたワイヤ４０の間および周囲に流れ込むのを
可能とする粘性を有している。ワイヤ４０を取り
囲むダム８０は、樹脂材料が流れ込む外側縁を規
定している。液体樹脂材料は、ダム８０の高さ以
下で水平になり、ワイヤ・アーチは液体樹脂材料
のレベルより上方に突出している。次に、液体樹
脂は凝固して、弾性特性を有するエラストマ材料
６０を形成する。金属ワイヤ４０の第１のワイ
ヤ・ボンド３０および第２のワイヤ・ボンド３５
は、エラストマ材料の第１の表面１２に埋め込ま
れており、ボンド３０，３５は基板２０に接続さ
れており、金属ワイヤ４０は電気的に互いに絶縁
されている。
エラストマ材料６０が凝固すると、基板に接続
された複数のワイヤ４０を取り囲むエラストマ材
料６０の形成パターンを残しながらダムを取り除
く。エラストマ材料は、取り囲むワイヤ４０への
機械的支持を与える。他の基板の端子接続パツド
と接続されるワイヤは、エラストマ材料６０の上
に延びるアーチをカツトすることによつて形成さ
れる。このカツテイング・プロセスは、露出した
ワイヤを溶融する低パワーのレーザによつて行わ
れる。この溶融により、露出したワイヤを、エラ
ストマ材料６０の第２の表面１４上に位置する球
状コンタクトに整形する。球状コンタクトが形成
された後、低パワーレーザによつてエラストマ材
料６０にスロツトが切られる。このスロツト・カ
ツテイングは、レーザ・スクライビングと呼ばれ
ており、スクライブ７０すなわちスロツトは、周
辺に、ワイヤ４０の間に、およびエラストマ材料
６０の弾性を調整するのが望ましいエラストマ材
料６０内の他の効果的な場所に切られる。スクラ
イブは、第４図に示すように、基板２０の表面に
垂直な側壁７５を有している。この側壁７５は、
金属ワイヤ４０に対してテーパを付けることもで
きる。このテーパにより、金属ワイヤ４０の第１
および第２のボンドの近辺に多量のエラストマ材
料を与え、金属ワイヤ４０の球状コンタクトの近
辺に小量のエラストマ材料を与えるようにするこ
とができる。テーパ側壁は、金属ワイヤ４０に対
し、垂直側壁よりも大きな機械的支持（このよう
な支持が必要とされるならば）を与える。スクラ
イブ７０は、他のワイヤに影響を及ぼすことなく
個々のワイヤを十分に圧縮することを可能にす
る。エラストマ材料６０はワイヤ４０に機械的に
リンクするので、このリンケージをスクライブに
より減少させることで、インタワイヤ効果を軽減
することができる。また、１本のワイヤに与えら
れる機械的支持は、スクライブの幅を単に調整す
ることによつて調整できる。各ワイヤを支えるエ
ラストマ材料の量をほぼ同じに保持しながら、ワ
イヤ４０を分離するのにスクライブの幅を最小に
することができるので、エラストマ材料６０によ
りワイヤ４０に与えられる支持が低下するおそれ
はない。
EAAI１０は、第３図に示すように、第１の基
板２０を第２の基板９０に接続するのに用いられ
る。第２の基板９０は、第１基板２０上の端子接
続パツド２３のパターンに相当する端子接続パツ
ド２３のパターンを有している。これら対応する
パターンは位置決めされ、第２の基板９０は、
EAAI１０を圧縮するのに十分な力で、EAAI１
０の球状コンタクト５０と接触させられる。この
圧縮により、球状コンタクト５０と第２の基板９
０の端子接続パツドとの間が適切に接触する。圧
縮状態にあるEAAI１０の詳細を第４図に示す。
レーザ・スクライブ７０は、各金属ワイヤ４０
が、隣接する金属ワイヤとは独立に圧縮するのを
可能にする。この独立の作用は、基板の或る領域
における端子接続部の高密度パターンが、基板の
他の領域と比べて、基板領域間の応力差を与えな
いことを意味している。応力差が存在する箇所で
も、追加のあるいは幅広のレーザ・スクライブ７
０を用いて、影響を受けるEAAI領域での応力差
を軽減することができる。
第２の基板９０は、EAAI１０が圧縮されると
きのみ、第１の基板２０に適切に接続される。第
２の基板９０が金属ボール・コンタクト５０から
離されるときに、エラストマ材料６０の弾性特性
が、EAAI１０を垂直方向に伸張させる。したが
つて、接続が行われる都度信頼性のあるコンタク
トを保持し、および第２の基板９０への応力ある
いは損傷を避けながら、接続および再接続作業
を、繰り返し行うことができる。
第２の実施例を第５図に示す。この実施例で
は、金属ワイヤ４０は、基板２０の端子接続パツ
ド２３にボンデイングされ、第１の実施例のよう
に、エラストマ材料６０内に延在している。しか
し、この実施例では、ワイヤ４０は、基板２０に
対して或る角度をなして形成されている。ワイヤ
４０の第２の端部に対するカツテイング機構とし
てワイヤ・フイーダ・ツールを用いることは、エ
ラストマ樹脂が供給される前に形成される、基板
２０に対して或る角度をなすワイヤ・ループの整
形を容易にする。エラストマ材料６０内の金属ワ
イヤ４０が、互いに平行であり基板２０に対して
ほぼ垂直とならないように、ボンデイング技術に
よつて、ウエジ・ボンド３５に取り付けられるル
ープを整形する。基板に対して金属ワイヤ４０が
なす角度すなわち傾斜は、基板を接続するのに必
要とされる圧縮に可変的に依存するが、一般的に
は40゜〜85゜の範囲にある。
第８図は、ループ形成プロセスを特に示してい
る。ワイヤ・フイーダ９５のエツジは、基板端子
接続パツド２３に対してワイヤの一端をウエジす
る。このとき、フイーダ・エツジ型によるワイヤ
への張力が、ボンド・ツールのループ・ポスト９
７の周囲の設定角度でワイヤを形成する。この設
定角度は、ワイヤが同じツール・エツジで形成さ
れるので、すべてのワイヤに対し同じ角度とな
る。ループがこの傾斜で形成された後、樹脂材料
が供給され凝固する。次に、第１の実施例のよう
に、ワイヤを切断し溶融する。次に、スクライブ
７５の側壁が金属ワイヤにほぼ平行になるよう
に、レーザがエラストマ材料をスクライブする。
第６図は、切断および溶融の方向に対してどのよ
うにスクライブ・レーザを配向するかを示してい
る。スクライブ・レーザは、切断レーザおよび溶
融レーザに対して、異なる角度をなす。スクライ
ビングは、各金属ワイヤに対し、ワイヤとほぼ同
じ角度で傾斜する弾性支持を形成する。
この実施例は、強化コンタクト・ワイピング
（wiping）の特定の効果を有している。第１の実
施例におけるように、ワイヤがほぼ垂直であり、
基板がワイヤに対して垂直に圧縮するときには、
ボール・コンタクトの横方向運動はほぼランダム
になる。したがつて、多くの球状コンタクト５０
は、基板端子接続パツド２３に対し横方向にこす
らないので、絶縁残留物および前のストレージあ
るいはプロセシングにより基板端子コンタクト上
に残された酸化物のため、良好な電気的接触を形
成しない。この実施例では、傾斜ワイヤおよび弾
性支持体が、基板端子接続パツド２３に対して、
球状コンタクト５０の移動をバイアスする。基板
９０が傾斜ワイヤを圧縮するとき、第７図に示す
ように、ワイヤは傾斜しているので横方向に移動
する。横方向移動距離は、プロセスまたは検査条
件に適合するように調整することのできるワイヤ
および圧縮の角度に依存する。第７図は、第２の
実施例に対しては、この横方向移動距離が、約
0.05mm（0.002インチ）である場合を示している。
球状コンタクト５０は、基板端子接続パツド２３
と接触しながら横方向に動くので、球状コンタク
トは、従来の内部接続デバイスにおいて電気的接
触を妨げる残留フイルムまたは酸化物を機械的に
こすることになる。したがつて、この実施例によ
れば、２つの基板間の信頼性のある電気的接触が
保証される。
Ｅ 発明の効果 本発明によれば、エラストマ材料の弾性を制御
することができるので、基板間のエラストマ材料
が均一に圧縮されることによつて、基板間に発生
する応力差を軽減し、基板が長期間にわたつて圧
縮下におかれるとき、信頼性のあるコンタクトを
保持することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、この発明のエラストメリツク・エリ
ア・アレイ・インタポウザの第１の実施例を示す
図、第２図は、この発明のエラストメリツク・エ
リア・アレイ・インタポウザを形成する方法を示
す図、第３図は、２つの基板を接続するエラスト
メリツク・エリア・アレイ・インタポウザの第１
の実施例を示す図、第４図は、２つの基板が圧縮
されたときのエラストメリツク・エリア・アレ
イ・インタポウザの第１の実施例を示す図、第５
図は、この発明のエラストメリツク・エリア・ア
レイ・インタポウザの第２の実施例を示す図、第
６図は、この発明の第２の実施例をスクライブす
るのに用いられるレーザ・スクライブの配置を示
す図、第７図は、この発明の第２の実施例の強化
ワイピング作用を示す図、第８図は、この発明の
第２の実施例において金属ワイヤの角度を設定す
るのに用いられるボンデイング技術を示す図であ
る。 １０……EAAI、２０……第１の基板、２３…
…端子接続パツド、３０……第１のワイヤ・ボン
ド、３５……第２のワイヤ・ボンド、４０……金
属ワイヤ、５０……球状コンタクト、６０……エ
ラストマ樹脂材料、７０……レーザ・スクライ
ブ、８０……ダム、９０……第２の基板。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 第１および第２の対向面を有するエラストマ
    材料内に延在する複数の金属ワイヤを有し、各金
    属ワイヤの第１の端部は基板端子コンタクトに接
    合され、各金属ワイヤの第２の端部は球状コンタ
    クトを有し、前記複数の金属ワイヤは、第１の基
    板上で前記エラストマ材料で支持されており、 前記第１の端部は、金属ボンドによつて前記基
    板端子コンタクトに接合され、前記金属ボンド
    は、前記第１の基板を接続し、前記エラストマ材
    料の前記第１の表面にほぼ埋込まれ、 前記球状コンタクトは、前記エラストマ材料の
    前記第２の表面から延在し、前記第１の基板およ
    び第２の基板が、第１の基板と第２の基板との間
    の前記エラストマ材料を圧縮するときに、第２の
    基板を接続し、 前記エラストマ材料の前記第２の表面に複数の
    スクライブを有し、これらスクライブは、前記複
    数の金属ワイヤ間に設けられ、各金属ワイヤが隣
    接する金属ワイヤとは独立して圧縮されるように
    する、 エラストマ材料を用いた電気コネクタ。 ２ サーモソニツク・ワイヤ・ボンデイング・プ
    ロセスにより、前記金属ボンドを形成する請求項
    １記載のエラストマ材料を用いた電気コネクタ。 ３ 前記スクライブは、前記第１および第２の基
    板の前記表面に対して、ほぼ垂直な側壁を有する
    請求項１記載のエラストマ材料を用いた電気コネ
    クタ。 ４ 前記スクライブの前記側壁間の分離が、前記
    エラストマ材料による前記金属ワイヤの支持力を
    調整する請求項３記載のエラストマ材料を用いた
    電気コネクタ。 ５ 前記スクライブの前記側壁は、前記金属ワイ
    ヤに対してテーパが付けられており、このテーパ
    が、前記金属ワイヤの前記第１の端部に対して、
    前記金属ワイヤの前記第２の端部付近での前記金
    属ワイヤの支持力を増強する請求項３記載のエラ
    ストマ材料を用いた電気コネクタ。 ６ 前記金属ワイヤが、前記第１および第２の基
    板の前記表面に対して垂直に、前記エラストマ材
    料内に延びている請求項１記載のエラストマ材料
    を用いた電気コネクタ。 ７ 前記基板の前記側壁は、前記第１および第２
    の基板の前記表面に対して或る角度をなし、前記
    金属ワイヤが、前記第１および第２の基板の前記
    表面に対して、前記角度で前記エラストマ材料内
    に延びている請求項１記載のエラストマ材料を用
    いた電気コネクタ。 ８ 前記第１の基板と第２の基板との間での前記
    エラストマ材料の圧縮が、前記球状コンタクトと
    前記基板端子コンタクトとの間にワイピング作用
    を与え、このワイピング作用が、前記球状コンタ
    クトと前記基板端子コンタクトとの間の電気的接
    触を増大させる請求項１記載のエラストマ材料を
    用いた電気コネクタ。 ９ 前記第１の基板と第２の基板との間での前記
    エラストマ材料の圧縮が、前記球状コンタクトの
    前記基板端子コンタクトとの間にワイピング作用
    を与え、このワイピング作用が、前記球状コンタ
    クトと前記基板端子コンタクトとの間の電気的接
    触を増大させる請求項７記載のエラストマ材料を
    用いた電気コネクタ。
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