JPH0582043U - ドライエッチング装置のエッチャントガス微量供給装置 - Google Patents
ドライエッチング装置のエッチャントガス微量供給装置Info
- Publication number
- JPH0582043U JPH0582043U JP2162592U JP2162592U JPH0582043U JP H0582043 U JPH0582043 U JP H0582043U JP 2162592 U JP2162592 U JP 2162592U JP 2162592 U JP2162592 U JP 2162592U JP H0582043 U JPH0582043 U JP H0582043U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etchant gas
- etching
- micro
- amount
- dry etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 56
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Flow Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ドライエッチング装置のエッチャントガスの
微量な供給量を正確に制御することを可能とする。 【構成】 エッチャントガス供給源からのエッチャント
ガスをエッチングチェンバ19内のウエハ上にエッチャ
ントガス分子1層分を吸着するように供給するためのド
ライエッチング装置のエッチャントガス微量供給装置に
おいて、ガラス基板20およびシリコン基板21にエッ
チャントガス供給源とエッチングチェンバ19とを結ぶ
エッチャントガス流路12a、12bを設け、その上流
側の流路12aにマイクロバルブ13を設け、さらにそ
の下流側の流路12bにマイクロバルブ14を設け、マ
イクロバルブ13とマイクロバルブ14との間にエッチ
ング1回分の吸着に必要な量のエッチャントガスを収容
するマイクロチェンバ15を接続したことを特徴として
いる。
微量な供給量を正確に制御することを可能とする。 【構成】 エッチャントガス供給源からのエッチャント
ガスをエッチングチェンバ19内のウエハ上にエッチャ
ントガス分子1層分を吸着するように供給するためのド
ライエッチング装置のエッチャントガス微量供給装置に
おいて、ガラス基板20およびシリコン基板21にエッ
チャントガス供給源とエッチングチェンバ19とを結ぶ
エッチャントガス流路12a、12bを設け、その上流
側の流路12aにマイクロバルブ13を設け、さらにそ
の下流側の流路12bにマイクロバルブ14を設け、マ
イクロバルブ13とマイクロバルブ14との間にエッチ
ング1回分の吸着に必要な量のエッチャントガスを収容
するマイクロチェンバ15を接続したことを特徴として
いる。
Description
【0001】
本考案はドライエッチング装置のエッチャントガスの微量な供給量を正確に制 御できるエッチャントガス微量供給装置に関する。
【0002】
近年、ウエハとしてガリウム砒素(GaAs)基板を用い、このウエハを1層 ずつエッチングして微細加工することが行われている(デジタルエッチング)。
【0003】 これは、エッチャントガスとして塩素ガス(Cl2 )を用い、エッチャントガ スの供給過程、ウエハ表面への吸着過程、反応層の生成過程と、ビーム(レーザ 光、電子、アルゴンイオン等)照射による反応層の脱離過程とを分けることによ って反応層を1層ずつエッチングを行うことである。
【0004】 図4は従来のドライエッチング装置のエッチャントガス微量供給装置の概念図 である。
【0005】 同図において、1はドライエッチング用のエッチャントガスを収容するボンベ 、2〜5はバルブ、6は真空ポンプ、7はエッチャントガスの流量を測定するフ ローメータ、8はドライエッチングを行うためのエッチングチェンバを示す。な お、ボンベ1とバルブ2とでエッチャントガス供給源を構成する。
【0006】 このような装置を用いてエッチングチェンバ8内のウエハにドライエッチング を行うときは、エッチングチェンバ8を真空ポンプで排気するとともに(10 -4 Torr)、操作者がフローメータ7に表示される流量を見ながらバルブ2〜 4を必要な開度で開けてボンベ内のエッチャントガスを所定量だけ矢印A方向に 流してエッチングチェンバ8内に供給する。エッチングチェンバ8内のエッチャ ントガスの流量がバルブ4による制御の範囲、精度を越えて多いときは、バルブ 5を必要な開度で開けるとともに真空ポンプ6を作動させて余分なエッチャント ガスを矢印B方向に流して外部に排出すること(差動排気)によりエッチングチ ェンバ8内のエッチャントガスの流量を制御することが行われており、このよう にして流量が制御されたエッチャントガスを用いてエッチングが行われている。
【0007】
ところで、このデジタルエッチングにおいて、エッチングチェンバ8内に供給 する塩素ガスの量を正確に制御する必要がある。これは塩素ガスの供給量が少な いとウエハ表面を完全に塩素分子で覆うことができず、エッチングむらが発生し 、塩素の供給量が多いと塩素分子が一層でなく多層に吸着されるため以後の処理 にこの余分な塩素が反応を妨げ、やはりエッチングむらが発生する。このため塩 素ガスの供給量を正確に制御する必要がある。エッチャントガスを供給するには 例えば、0.01cc/分(標準状態、0℃、1気圧)程度の僅かな供給量を制 御する必要がある。
【0008】 しかしながら、上述した従来の装置を用いた場合、配管やバルブに最小のサイ ズのものを用いたとしても流量を0.01cc/分程度で供給するには流量の誤 差が大きく、実際に制御するのは不可能である。しかも真空ポンプ6で排気され る塩素ガスの量が不明であるため塩素ガスの正確な供給量が不明である。
【0009】 そこで、本考案の目的は、上記課題を解決し、エッチャントガスの微量な供給 量を正確に制御できるドライエッチング装置のエッチャントガス微量供給装置を 提供することにある。
【0010】
上記目的を達成するために本考案は、エッチャントガス供給源からのエッチャ ントガスをエッチング室内のウエハ上にエッチャントガス分子1層分を吸着する ように供給するためのドライエッチング装置のエッチャントガス微量供給装置に おいて、シリコンおよびガラスに上記エッチャントガス供給源とエッチング室と を結ぶエッチャントガス流路を設け、その流路の上流側に導入側マイクロバルブ を設け、さらにその下流側に導出側マイクロバルブを設け、導入側マイクロバル ブと導出側マイクロバルブとの間にエッチング1回分の吸着に必要な量のエッチ ャントガスを収容するマイクロチェンバを接続したものである。
【0011】
上記構成によれば、マイクロマシン技術を用いてシリコンおよびガラスにエッ チャントガス流路を形成するとともに、その流路に導入側マイクロバルブ、導出 側マイクロバルブおよびマイクロチェンバを形成することで流路の容積が微小と なり、マイクロチェンバに一回の吸着に必要な量のエッチャントガスを収容でき る。
【0012】 従ってこのマイクロチェンバ内にエッチャントガスを収容すれば、エッチング 操作で導出側マイクロバルブを所定の開度で開けてエッチャントガスを微量制御 し、かつ必要な量を正確にエッチングチェンバ内に供給でき、ドライエッチング 処理が正確にできる。
【0013】
以下、本考案の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
【0014】 図1は本考案のドライエッチング装置のエッチャントガス微量供給装置の概念 図を示す。
【0015】 同図において、10はエッチャントガスとしての塩素ガスを収容するボンベ、 11はバルブで、ボンベ10およびバルブ11でエッチャントガス供給源を構成 する。12は微量な塩素ガスの供給量を制御するマイクロフローコントローラ、 12a、12bはエッチャントガスが通過する流路、13は微量な塩素ガスの流 路の開閉を行う導入側のマイクロバルブ、14は微量な塩素ガスの流路の開閉を 行う導出側のマイクロバルブ、15はエッチング1回分の吸着に必要な量のエッ チャントガスを収容するマイクロチェンバ、16は微量な塩素ガスの流量を測定 するマイクロフローメータ、17、18は各マイクロバルブ13、14を駆動す るピエゾアクチュエータ、19はガリウム砒素ウエハのドライエッチングを行う エッチングチェンバ(エッチング室)を示している。また、マイクロバルブ13 、14、マイクロチェンバ15およびマイクロフローメータ16がマイクロフロ ーコントローラ12の流路12b内にマイクロマシン技術により一体的に形成さ れる。
【0016】 図2はマイクロフローコントローラの概略断面図である。
【0017】 図2において、マイクロフローコントローラ12の導入口22はエッチャント ガス供給源のバルブ11の下流側に接続され、その導出口23はエッチングチェ ンバ19に接続される。
【0018】 マイクロフローコントローラ12には、ガラス基板20およびシリコン基板2 1を用いて導入口22と導出口23とを連結するエッチャントガスの流路12a 、12bがマイクロマシン技術により形成される。この流路12a、12bには 、マイクロバルブ13、14と、マイクロチェンバ15と、マイクロフローメー タ16とが一体的に形成されている。
【0019】 マイクロバルブ13は、流路12aの導入口22側に形成された弁座24を開 閉するようになっている。このマイクロバルブ13は、導入口22側に流路12 aのガラス基板20に形成された弁座24と、シリコン基板21にダイヤフラム 25を介して弁座24に着座するように形成された弁体25aと、弁体25aに 設けられた弁棒としてのガラスパイプ27と、ガラスパイプ27に設けられたピ エゾアクチュエータ17とで構成されている。
【0020】 ダイヤフラム25および弁体25aはエッチングにより形成される。なお、弁 体25aの弁座24側にはNi(ニッケル)からなるガスケット28が設けられ ている。
【0021】 ピエゾアクチュエータ17は、ガラスパイプ27を介して弁体25aを駆動す るようになっている。ピエゾアクチュエータ17は、弁体25aを包囲するよう にシリコン基板21の裏面に形成される複数のリング状の圧電素子29からなる 略筒状の積層体と、この積層体に設けられたガラス板30とで構成されている。
【0022】 マイクロバルブ13は、通常は閉じており、ピエゾアクチュエータ17の圧電 素子29に所定の電圧が印加されると、圧電素子29は軸方向に膨張し、ガラス パイプ27が弁体25aを開くようになっている。
【0023】 マイクロバルブ14もマイクロバルブ13と同様に、流路12bの導出口23 側に形成された弁座31を開閉するようになっており、導出口23側に流路12 bのガラス基板20に形成された弁座31と、シリコン基板21にダイヤフラム 32を介して弁座31に着座するように形成された弁体32aと、弁体32aに 設けられた弁棒としてのガラスパイプ33と、ガラスパイプ33に設けられたピ エゾアクチュエータ18とで構成されている。なお、弁体32aの弁座31側に もNiからなるガスケット34が設けられている。
【0024】 ピエゾアクチュエータ18も、弁体32aを包囲するようにシリコン基板21 の裏面に形成される複数のリング状の圧電素子35からなる略筒状の積層体と、 この積層体に設けられたガラス板36とで構成されている。
【0025】 マイクロバルブ14も、通常は閉じており、ピエゾアクチュエータ18の圧電 素子35に所定の電圧が印加されると、圧電素子35は軸方向に膨張し、ガラス パイプ33が弁体32aを開くようになっている。
【0026】 ガラス基板20上にはマイクロチェンバ15が設けられており、エッチング1 回分の吸着に必要な量のエッチャントガスを収容する。マイクロチェンバ15は 、ガラス基板20と壁部材37と板状部材38とで構成され、弁座24と弁座3 1とに連通している。なお、マイクロチェンバ15の壁部材37および板状部材 38はガラスで形成されるが、樹脂または金属を用いてもよい。
【0027】 マイクロフローメータ16は、流路12b内に台座39上に設けられた一対の ヒータ線40、41からなるヒータ体16a(図3参照)と、これらのヒータ線 40、41のリード線42、43を介して接続された図示しない電源および検出 計を用いて、加熱されたヒータ線40、41の熱がエッチャントガスの流れによ って奪い去られたときのヒータ線40、41の温度変化を、ヒータ線40、41 の抵抗値が変化することによる電流値の変化として検知するものである。
【0028】 台座39はp+ −Siからなり、橋状に形成されており、ヒータ線40、41 はこの台座39に接続されたリード線42、43を介して外部の電源および検出 計にそれぞれ通電される。
【0029】 ここで図3はマイクロフローメータのヒータ体の平面図を示す。
【0030】 同図に示すように、ヒータ体16aは、チタン薄膜を酸化シリコンで挟んだ2 つのヒータ線40、41が対向して配置されている。このマイクロフローメータ 16は0.01cc/分程度の微少流量域でも直線的に応答するようになってい る。
【0031】 次に実施例の作用を図2を参照して説明する。
【0032】 同図において、エッチャントガス供給系のバルブ11を所定の開度で開いて導 入口22にエッチャントガスを導入し、ピエゾアクチュエータ17に所定の電圧 を印加すると圧電素子29が矢印C方向に膨張し、弁体25aの中央部が矢印C 方向に動く。弁体25aが矢印C方向に動くとマイクロバルブ13のガスケット 28とガラス基板20との間に図示のように隙間が生じ、エッチャントガスがマ イクロチェンバ15内に供給される。マイクロチェンバ15内にエッチング1回 の吸着に必要な量のエッチャントガスが供給されるとピエゾアクチュエータ17 への電圧の印加が停止され、ピエゾアクチュエータ17は矢印C方向とは逆の方 向に収縮して弁体25aが弁座24を閉じ、すなわちマイクロバルブ13が閉じ る。
【0033】 次にピエゾアクチュエータ18に所定の電圧を印加すると、圧電素子35が膨 張し、弁体32aが矢印D方向に動く。弁体32aが矢印D方向に動くとマイク ロバルブ14のガスケット34とガラス基板20との間に隙間が生じ、マイクロ チェンバ15内のエッチャントガスが導出口23を介してエッチングチェンバ1 9内に供給される。エッチングチェンバ19内にエッチング1回の吸着に必要な 量のエッチャントガスが供給されるとピエゾアクチュエータ18への電圧の印加 が停止され、マイクロバルブ14が閉じて1回分のエッチャントガスの微量供給 が終了する。
【0034】 このように本実施例によれば、マイクロマシン技術を用いてガラス基板20お よびシリコン基板21に流路12aを形成するとともに、その流路12aにマイ クロバルブ13、マイクロバルブ14およびマイクロチェンバ15を形成するこ とで流路の容積が微小となり、マイクロチェンバ15に一回の吸着に必要な量の エッチャントガスを収容できる。従ってこのマイクロチェンバ15内にエッチャ ントガスを収容すれば、エッチング操作でマイクロバルブ14を所定の開度で開 けてエッチャントガスを微量制御し、かつ必要な量を正確に制御でき、ドライエ ッチング処理が正確にできる。
【0035】 なお、本実施例においてはマイクロフローコントローラにマイクロフローメー タを用いたがなくてもよい。またエッチャントガスに塩素ガスを用いたが、エッ チングが可能な他のガスを用いてもよい。さらにマイクロチェンバをガラス基板 側に形成したが、ガラス基板とシリコン基板との間やシリコン基板側に形成して もよい。
【0036】
以上要するに本考案によれば、シリコンおよびガラスにエッチャントガス供給 源とエッチング室とを結ぶエッチャントガス流路を設け、その流路の上流側に導 入側マイクロバルブを設け、さらにその下流側に導出側マイクロバルブを設け、 導入側マイクロバルブと導出側マイクロバルブとの間にエッチング1回分の吸着 に必要な量のエッチャントガスを収容するマイクロチェンバを接続したので、エ ッチャントガスの微量な供給量を正確に制御できる。
【図1】本考案のドライエッチング装置のエッチャント
ガス微量供給装置の概念図である。
ガス微量供給装置の概念図である。
【図2】図1に示したエッチャントガス微量供給装置の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図3】図1に示したマイクロフローメータのヒータ体
の平面図である。
の平面図である。
【図4】従来のドライエッチング装置のエッチャントガ
ス微量供給装置の概念図である。
ス微量供給装置の概念図である。
10 ボンベ 11 バルブ 12 マイクロフローコントローラ 12a、12b 流路 13、14 マイクロバルブ 15 マイクロチェンバ 16 マイクロフローメータ 17、18 ピエゾアクチュエータ 19 エッチングチェンバ
Claims (1)
- 【請求項1】 エッチャントガス供給源からのエッチャ
ントガスをエッチング室内のウエハ上にエッチャントガ
ス分子1層分を吸着するように供給するためのドライエ
ッチング装置のエッチャントガス微量供給装置におい
て、シリコンおよびガラスに上記エッチャントガス供給
源とエッチング室とを結ぶエッチャントガス流路を設
け、その流路の上流側に導入側マイクロバルブを設け、
さらにその下流側に導出側マイクロバルブを設け、導入
側マイクロバルブと導出側マイクロバルブとの間にエッ
チング1回分の吸着に必要な量のエッチャントガスを収
容するマイクロチェンバを接続したことを特徴とするド
ライエッチング装置のエッチャントガス微量供給装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992021625U JP2570615Y2 (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | ドライエッチング装置のエッチャントガス微量供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992021625U JP2570615Y2 (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | ドライエッチング装置のエッチャントガス微量供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582043U true JPH0582043U (ja) | 1993-11-05 |
| JP2570615Y2 JP2570615Y2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=12060250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992021625U Expired - Fee Related JP2570615Y2 (ja) | 1992-04-08 | 1992-04-08 | ドライエッチング装置のエッチャントガス微量供給装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2570615Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0897193A (ja) * | 1994-02-15 | 1996-04-12 | At & T Corp | 半導体素子の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02286982A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-27 | Hitachi Metals Ltd | 圧電バルブ |
| JPH0484429A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-17 | Nec Corp | 電子ビーム励起ドライエッチング方法及び装置 |
-
1992
- 1992-04-08 JP JP1992021625U patent/JP2570615Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02286982A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-27 | Hitachi Metals Ltd | 圧電バルブ |
| JPH0484429A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-17 | Nec Corp | 電子ビーム励起ドライエッチング方法及び装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0897193A (ja) * | 1994-02-15 | 1996-04-12 | At & T Corp | 半導体素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2570615Y2 (ja) | 1998-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2814378B2 (ja) | マスフローコントローラ | |
| CN110726001B (zh) | 膜片阀、阀部件和用于形成阀部件的方法 | |
| US10114385B2 (en) | Fluid control valve | |
| Esashi | Integrated micro flow control systems | |
| JP2677536B2 (ja) | 真空圧力制御システム | |
| US5066533A (en) | Boron nitride membrane in wafer structure and process of forming the same | |
| US5927325A (en) | Microelectromechanical machined array valve | |
| TWI678429B (zh) | 閥裝置、流量控制方法、流體控制裝置、半導體製造方法及半導體製造裝置 | |
| US5520001A (en) | Vapor controller | |
| US20230266156A1 (en) | Method and Apparatus for Pressure Based Mass Flow Control | |
| TWI727634B (zh) | 閥裝置、流量控制方法、流體控制裝置、半導體製造方法及半導體製造裝置 | |
| JP2570615Y2 (ja) | ドライエッチング装置のエッチャントガス微量供給装置 | |
| TWI912340B (zh) | 靜電吸盤裝置、壓力算出方法及程式記錄介質 | |
| JP4576597B2 (ja) | 耐腐食性集積化マスフローコントローラ | |
| JPH01213523A (ja) | マイクロバルブ・マスフローコントローラ | |
| EP0412301B1 (en) | Boron nitride membrane in wafer structure | |
| JP3368741B2 (ja) | マイクロバルブ及びその製造方法 | |
| JP3657278B2 (ja) | マイクロ微量制御装置 | |
| JP3935924B2 (ja) | プロセスチャンバ内真空圧力制御システム | |
| JP3393702B2 (ja) | 液体材料気化流量制御器 | |
| TWI860528B (zh) | 具有含真空調整閥之處理腔室的真空機械加工系統 | |
| JPH07227535A (ja) | 液体材料気化供給装置 | |
| JP3370173B2 (ja) | 気化流量制御器 | |
| JP2021134909A (ja) | ソレノイドバルブ、流量制御装置、流体制御装置および半導体製造装置 | |
| CN118770580A (zh) | 一种测控一体化空间微机电推力器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |