JPH0582576A - 半導体装置用ボンデイングワイヤ及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置用ボンデイングワイヤ及びその製造方法Info
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- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 本願の半導体装置用ボンディングワイヤは、
金または金合金の細線をスパークしてボール形成したネ
ック直上から５０μｍ以内の平均結晶粒の大きさが１０
μｍ以下であることに特徴がある。また、２５℃の破断
強度が５００ｋｇ／ｃｍ2以上、２５０℃の破断強度が
４００ｋｇ／ｃｍ2以上、２５℃の破断伸びが７％以上
１０％以下に特徴がある。また、製法は、１０℃以下の
水浴中にて伸線加工を行うことに特徴がある。 【効果】 ボンディングワイヤの熱影響部の断線を防止
することができ、高速ボンダに対する追随性が改善され
る。また、樹脂封止時にワイヤー流れを起こすこともな
くなり、ショート等の発生も無くなる。細線における曲
がりやたれの発生率を大幅に低下させることができる。
金または金合金の細線をスパークしてボール形成したネ
ック直上から５０μｍ以内の平均結晶粒の大きさが１０
μｍ以下であることに特徴がある。また、２５℃の破断
強度が５００ｋｇ／ｃｍ2以上、２５０℃の破断強度が
４００ｋｇ／ｃｍ2以上、２５℃の破断伸びが７％以上
１０％以下に特徴がある。また、製法は、１０℃以下の
水浴中にて伸線加工を行うことに特徴がある。 【効果】 ボンディングワイヤの熱影響部の断線を防止
することができ、高速ボンダに対する追随性が改善され
る。また、樹脂封止時にワイヤー流れを起こすこともな
くなり、ショート等の発生も無くなる。細線における曲
がりやたれの発生率を大幅に低下させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導
体素子のチップ電極と外部リードとを接続するために用
いられる半導体装置用ボンディングワイヤ及びその製造
方法に関するものである。
体素子のチップ電極と外部リードとを接続するために用
いられる半導体装置用ボンディングワイヤ及びその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体素子（チ
ップ）が組み込まれた半導体装置の組立工程において、
半導体素子と外部リードとを接続する場合、一般に金属
細線（ボンディングワイヤ）を半導体素子と外部リード
とにボンディングする方法が用いられている。
ップ）が組み込まれた半導体装置の組立工程において、
半導体素子と外部リードとを接続する場合、一般に金属
細線（ボンディングワイヤ）を半導体素子と外部リード
とにボンディングする方法が用いられている。
【０００３】上記のボンディングワイヤとしては、通
常、金線、金合金線、アルミニウム線等の細線が好適に
用いられており、一部ではあるが銅細線が用いられるこ
ともある。
常、金線、金合金線、アルミニウム線等の細線が好適に
用いられており、一部ではあるが銅細線が用いられるこ
ともある。
【０００４】特に、金細線または金合金細線からなるボ
ンディングワイヤは、ボンディングする場合に、該ボン
ディングワイヤの硬度があまり高くなく、またこのボン
ディングワイヤの先端部に形成されるボールが容易に真
球状になるために、半導体素子やこの素子上のチップ電
極を損傷することがなく確実に接続することができ、ま
た、マイグレーションの恐れがなく、耐食性、安定性に
極めて優れているために信頼性が非常に高く、半導体装
置用としてのボンディングワイヤの使用量の大部分を占
めている。
ンディングワイヤは、ボンディングする場合に、該ボン
ディングワイヤの硬度があまり高くなく、またこのボン
ディングワイヤの先端部に形成されるボールが容易に真
球状になるために、半導体素子やこの素子上のチップ電
極を損傷することがなく確実に接続することができ、ま
た、マイグレーションの恐れがなく、耐食性、安定性に
極めて優れているために信頼性が非常に高く、半導体装
置用としてのボンディングワイヤの使用量の大部分を占
めている。
【０００５】上記のボンディングワイヤにおいては、先
端部のボール直上のネック部分である熱影響部の強度が
十分でないために、自動ボンダ装置を用いてボンディン
グする際に断線し易く、また、断線しない場合でも樹脂
封止時に断線したりあるいはワイヤー流れによりショー
トを引き起こしたり等の問題があり、金細線または金合
金細線に微量の元素を添加して破断強度、破断伸び、耐
熱性等を向上させたボンディングワイヤが提案され実用
に供されている。
端部のボール直上のネック部分である熱影響部の強度が
十分でないために、自動ボンダ装置を用いてボンディン
グする際に断線し易く、また、断線しない場合でも樹脂
封止時に断線したりあるいはワイヤー流れによりショー
トを引き起こしたり等の問題があり、金細線または金合
金細線に微量の元素を添加して破断強度、破断伸び、耐
熱性等を向上させたボンディングワイヤが提案され実用
に供されている。
【０００６】例えば、破断伸びは、ボンディングワイヤ
として用いられる金または金合金細線の場合では、２〜
１０％の範囲のものが一般的である。このボンディング
ワイヤにおいては、熱影響部の強度が確保でき、断線等
の不具合も低減することができる。
として用いられる金または金合金細線の場合では、２〜
１０％の範囲のものが一般的である。このボンディング
ワイヤにおいては、熱影響部の強度が確保でき、断線等
の不具合も低減することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ボンディングワイヤであっても、現在の半導体の集積
化、多ピン化、狭ピッチ化の進歩に追随するには不十分
であった。
ボンディングワイヤであっても、現在の半導体の集積
化、多ピン化、狭ピッチ化の進歩に追随するには不十分
であった。
【０００８】例えば、従来では１００μｍ程度まで許容
されていたボンディングワイヤの曲がりも最近では５０
μｍ以下に押える様要求されているが、金細線または金
合金細線に微量の元素を添加するだけでは、近年の高速
ボンダに対する追随性が悪く、ボンディングの際にボン
ディングワイヤがたれたり湾曲したり等の不具合が発生
することとなり、ひいては半導体素子やリードフレーム
との接続不良の一因となる。また、ボンディングワイヤ
同士の接触による不具合もあり、半導体装置の歩留まり
を低下させる主要因になっていた。
されていたボンディングワイヤの曲がりも最近では５０
μｍ以下に押える様要求されているが、金細線または金
合金細線に微量の元素を添加するだけでは、近年の高速
ボンダに対する追随性が悪く、ボンディングの際にボン
ディングワイヤがたれたり湾曲したり等の不具合が発生
することとなり、ひいては半導体素子やリードフレーム
との接続不良の一因となる。また、ボンディングワイヤ
同士の接触による不具合もあり、半導体装置の歩留まり
を低下させる主要因になっていた。
【０００９】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであり、以上の問題点を有効に解決することができる
半導体装置用ボンディングワイヤ及びその製造方法を提
供することにある。
のであり、以上の問題点を有効に解決することができる
半導体装置用ボンディングワイヤ及びその製造方法を提
供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様な半導体装置用ボンディングワイ
ヤ及びその製造方法を採用した。
に、この発明は次の様な半導体装置用ボンディングワイ
ヤ及びその製造方法を採用した。
【００１１】すなわち、請求項１記載の半導体装置用ボ
ンディングワイヤは、金または金合金よりなる細線をス
パークしてボール形成した時の、ネック直上から５０μ
ｍ以内の平均結晶粒の大きさが１０μｍ以下であること
に特徴がある。
ンディングワイヤは、金または金合金よりなる細線をス
パークしてボール形成した時の、ネック直上から５０μ
ｍ以内の平均結晶粒の大きさが１０μｍ以下であること
に特徴がある。
【００１２】また、請求項２記載の半導体装置用ボンデ
ィングワイヤの製造方法は、金細線または金合金細線の
原料を溶融・鋳造し、その後圧延、伸線加工、焼鈍する
半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法において、
前記伸線加工は１０℃以下の水浴中にて行うことに特徴
がある。
ィングワイヤの製造方法は、金細線または金合金細線の
原料を溶融・鋳造し、その後圧延、伸線加工、焼鈍する
半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法において、
前記伸線加工は１０℃以下の水浴中にて行うことに特徴
がある。
【００１３】また、請求項３記載の半導体装置用ボンデ
ィングワイヤは、金または金合金よりなる細線をスパー
クしてボール形成した時の、ネック直上から５０μｍ以
内の平均結晶粒の大きさが１０μｍ以下であり、前記細
線の２５℃における破断強度が５００ｋｇ／ｃｍ2以
上、かつ、２５０℃における破断強度が４００ｋｇ／ｃ
ｍ2以上であり、前記細線の２５℃における破断伸びが
７％以上１０％以下であることに特徴がある。
ィングワイヤは、金または金合金よりなる細線をスパー
クしてボール形成した時の、ネック直上から５０μｍ以
内の平均結晶粒の大きさが１０μｍ以下であり、前記細
線の２５℃における破断強度が５００ｋｇ／ｃｍ2以
上、かつ、２５０℃における破断強度が４００ｋｇ／ｃ
ｍ2以上であり、前記細線の２５℃における破断伸びが
７％以上１０％以下であることに特徴がある。
【００１４】また、請求項４記載の半導体装置用ボンデ
ィングワイヤの製造方法は、金細線または金合金細線の
原料を溶融・鋳造し、その後圧延、伸線加工、焼鈍する
半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法において、
前記伸線加工は１０℃以下の水浴中にて行い、前記焼鈍
は連続焼鈍とすることに特徴がある。
ィングワイヤの製造方法は、金細線または金合金細線の
原料を溶融・鋳造し、その後圧延、伸線加工、焼鈍する
半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法において、
前記伸線加工は１０℃以下の水浴中にて行い、前記焼鈍
は連続焼鈍とすることに特徴がある。
【００１５】
【作用】本発明の発明者らは、前記の課題を解決するた
めに金細線または金合金細線からなるボンディングワイ
ヤの諸特性に関し鋭意研究を重ねた結果、次のような知
見を得た。
めに金細線または金合金細線からなるボンディングワイ
ヤの諸特性に関し鋭意研究を重ねた結果、次のような知
見を得た。
【００１６】２５μｍ径のボンディングワイヤを用いた
場合、該ボンディングワイヤの常温（２５℃）における
破断強度が５００ｋｇ／ｃｍ2未満（破断加重に換算す
ると１０ｇ未満）では、高速ボンダに対する追随性が悪
く、ボンディングワイヤの断線の発生率が高くなる。し
たがって、前記ボンディングワイヤの常温（２５℃）に
おける破断強度は５００ｋｇ／ｃｍ2以上（破断加重に
換算すると１０ｇ以上）とすることが望ましい。
場合、該ボンディングワイヤの常温（２５℃）における
破断強度が５００ｋｇ／ｃｍ2未満（破断加重に換算す
ると１０ｇ未満）では、高速ボンダに対する追随性が悪
く、ボンディングワイヤの断線の発生率が高くなる。し
たがって、前記ボンディングワイヤの常温（２５℃）に
おける破断強度は５００ｋｇ／ｃｍ2以上（破断加重に
換算すると１０ｇ以上）とすることが望ましい。
【００１７】また、前記ボンディングワイヤの高温（２
５０℃）における破断強度が４００ｋｇ／ｃｍ2未満
（破断加重に換算すると８ｇ未満）では、ボンディング
時に断線しない場合でも樹脂封止時にワイヤー流れを起
こしショートの発生率が高くなる。したがって、前記ボ
ンディングワイヤの高温（２５０℃）における破断強度
は４００ｋｇ／ｃｍ2以上（破断加重に換算すると８ｇ
以上）とすることが望ましい。
５０℃）における破断強度が４００ｋｇ／ｃｍ2未満
（破断加重に換算すると８ｇ未満）では、ボンディング
時に断線しない場合でも樹脂封止時にワイヤー流れを起
こしショートの発生率が高くなる。したがって、前記ボ
ンディングワイヤの高温（２５０℃）における破断強度
は４００ｋｇ／ｃｍ2以上（破断加重に換算すると８ｇ
以上）とすることが望ましい。
【００１８】また、前記ボンディングワイヤの常温（２
５℃）における破断伸びが７％未満では十分に曲がりの
発生を抑制することができず、また、１０％を越えると
曲がりやたれの発生率が大幅に増加する。したがって、
前記ボンディングワイヤの常温（２５℃）における破断
伸びは７％以上１０％以下とすることが望ましい。
５℃）における破断伸びが７％未満では十分に曲がりの
発生を抑制することができず、また、１０％を越えると
曲がりやたれの発生率が大幅に増加する。したがって、
前記ボンディングワイヤの常温（２５℃）における破断
伸びは７％以上１０％以下とすることが望ましい。
【００１９】また、前記ボンディングワイヤの結晶粒の
大きさが１０μｍ以上では、該ボンディングワイヤを用
いて高速ボンディングする際に、該ボンディングワイヤ
をスパークすることにより先端部に生じるボールの直上
のネック部分である熱影響部の断線の発生率が高くな
る。したがって、前記ボンディングワイヤの結晶粒の大
きさは１０μｍ以下とすることが望ましい。
大きさが１０μｍ以上では、該ボンディングワイヤを用
いて高速ボンディングする際に、該ボンディングワイヤ
をスパークすることにより先端部に生じるボールの直上
のネック部分である熱影響部の断線の発生率が高くな
る。したがって、前記ボンディングワイヤの結晶粒の大
きさは１０μｍ以下とすることが望ましい。
【００２０】本発明の請求項１記載の半導体装置用ボン
ディングワイヤでは、金または金合金よりなる細線をス
パークしてボール形成した時の、ネック直上から５０μ
ｍ以内の平均結晶粒の大きさを１０μｍ以下とすること
により、前記細線の熱影響部の断線を防止する。
ディングワイヤでは、金または金合金よりなる細線をス
パークしてボール形成した時の、ネック直上から５０μ
ｍ以内の平均結晶粒の大きさを１０μｍ以下とすること
により、前記細線の熱影響部の断線を防止する。
【００２１】また、請求項２記載の半導体装置用ボンデ
ィングワイヤの製造方法では、金細線または金合金細線
の原料を溶融・鋳造し、その後圧延、伸線加工、焼鈍す
る半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法におい
て、前記伸線加工を１０℃以下の水浴中にて行うことに
より、金または金合金よりなる細線をスパークしてボー
ル形成した時の、ネック直上から５０μｍ以内の平均結
晶粒の大きさを１０μｍ以下に制御する。
ィングワイヤの製造方法では、金細線または金合金細線
の原料を溶融・鋳造し、その後圧延、伸線加工、焼鈍す
る半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法におい
て、前記伸線加工を１０℃以下の水浴中にて行うことに
より、金または金合金よりなる細線をスパークしてボー
ル形成した時の、ネック直上から５０μｍ以内の平均結
晶粒の大きさを１０μｍ以下に制御する。
【００２２】また、請求項３記載の半導体装置用ボンデ
ィングワイヤでは、金または金合金よりなる細線をスパ
ークしてボール形成した時の、ネック直上から５０μｍ
以内の平均結晶粒の大きさを１０μｍ以下とし、前記細
線の２５℃における破断強度を５００ｋｇ／ｃｍ2以
上、かつ、２５０℃における破断強度を４００ｋｇ／ｃ
ｍ2以上とすることにより、前記細線の熱影響部の断線
を防止し、前記ボンディングワイヤの断線の発生率を低
下させ、高速ボンダに対する追随性が改善される。ま
た、樹脂封止時にワイヤー流れを起こすこともなくなり
ショートの発生率も低下する。
ィングワイヤでは、金または金合金よりなる細線をスパ
ークしてボール形成した時の、ネック直上から５０μｍ
以内の平均結晶粒の大きさを１０μｍ以下とし、前記細
線の２５℃における破断強度を５００ｋｇ／ｃｍ2以
上、かつ、２５０℃における破断強度を４００ｋｇ／ｃ
ｍ2以上とすることにより、前記細線の熱影響部の断線
を防止し、前記ボンディングワイヤの断線の発生率を低
下させ、高速ボンダに対する追随性が改善される。ま
た、樹脂封止時にワイヤー流れを起こすこともなくなり
ショートの発生率も低下する。
【００２３】また、前記細線の２５℃における破断伸び
を７％以上１０％以下とすることにより、前記細線にお
ける曲がりやたれの発生率が大幅に低下する。
を７％以上１０％以下とすることにより、前記細線にお
ける曲がりやたれの発生率が大幅に低下する。
【００２４】また、請求項４記載の半導体装置用ボンデ
ィングワイヤの製造方法では、金細線または金合金細線
の原料を溶融・鋳造し、その後圧延、伸線加工、焼鈍す
る半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法におい
て、前記伸線加工を１０℃以下の水浴中にて行うことに
より、金または金合金よりなる細線をスパークしてボー
ル形成した時の、ネック直上から５０μｍ以内の平均結
晶粒の大きさを１０μｍ以下に制御する。
ィングワイヤの製造方法では、金細線または金合金細線
の原料を溶融・鋳造し、その後圧延、伸線加工、焼鈍す
る半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法におい
て、前記伸線加工を１０℃以下の水浴中にて行うことに
より、金または金合金よりなる細線をスパークしてボー
ル形成した時の、ネック直上から５０μｍ以内の平均結
晶粒の大きさを１０μｍ以下に制御する。
【００２５】また、前記焼鈍を連続焼鈍とすることによ
り、前記細線の２５℃における破断伸びを７％以上１０
％以下に制御する。
り、前記細線の２５℃における破断伸びを７％以上１０
％以下に制御する。
【００２６】
【実施例】以下、本発明の一実施例について説明する。
【００２７】本実施例のボンディングワイヤは、下記の
方法により製造した。
方法により製造した。
【００２８】まず、表１に示す組成となるようにボンデ
ィングワイヤの原料を所定量秤量し、これらの原料を溶
解法により溶融したのちに鋳造し、Ａｕ合金とした。
ィングワイヤの原料を所定量秤量し、これらの原料を溶
解法により溶融したのちに鋳造し、Ａｕ合金とした。
【００２９】
【表１】
【００３０】次に、これらのＡｕ合金を圧延し、その後
１０℃以下の水浴中において所定の線径（ここでは２５
μｍ）に伸線加工した。ここでは、線径３０μｍの金合
金細線を線径２５μｍまで伸線加工する際の減面率を２
％以下とした。
１０℃以下の水浴中において所定の線径（ここでは２５
μｍ）に伸線加工した。ここでは、線径３０μｍの金合
金細線を線径２５μｍまで伸線加工する際の減面率を２
％以下とした。
【００３１】その後、所定の雰囲気中（ここでは不活性
雰囲気中）において所定の温度（ここでは６００℃）で
連続焼鈍して破断伸びが７〜１０％の金合金細線とし
た。最後に、この焼鈍された金合金細線をボンディング
スプ−ルに巻取り、ボンディングワイヤとした。
雰囲気中）において所定の温度（ここでは６００℃）で
連続焼鈍して破断伸びが７〜１０％の金合金細線とし
た。最後に、この焼鈍された金合金細線をボンディング
スプ−ルに巻取り、ボンディングワイヤとした。
【００３２】表２は、上記実施例のボンディングワイヤ
の特性（実施例）と、従来のボンディングワイヤの特性
（比較例）とを、比較したものである。
の特性（実施例）と、従来のボンディングワイヤの特性
（比較例）とを、比較したものである。
【００３３】
【表２】
【００３４】表２から明らかな様に、この発明のボンデ
ィングワイヤでは、５０μｍ以上の曲がりの発生が全く
なく、また、ボンディング時のワイヤの断線や樹脂封止
後のショートの発生もなく、比較例と比べて特性が大幅
に改善されていることが明白である。
ィングワイヤでは、５０μｍ以上の曲がりの発生が全く
なく、また、ボンディング時のワイヤの断線や樹脂封止
後のショートの発生もなく、比較例と比べて特性が大幅
に改善されていることが明白である。
【００３５】以上説明した様に、上記実施例のボンディ
ングワイヤによれば、２５℃における破断強度が５００
ｋｇ／ｃｍ2以上（破断加重に換算すると１０ｇ以
上）、かつ、２５０℃における破断強度が４００ｋｇ／
ｃｍ2以上（破断加重に換算すると８ｇ以上）であるこ
ととしたので、前記ボンディングワイヤの断線を無くす
ことができ、高速ボンダに対する追随性が改善される。
また、樹脂封止時にワイヤー流れを起こすこともなくな
り、ショート等の発生も無くなる。
ングワイヤによれば、２５℃における破断強度が５００
ｋｇ／ｃｍ2以上（破断加重に換算すると１０ｇ以
上）、かつ、２５０℃における破断強度が４００ｋｇ／
ｃｍ2以上（破断加重に換算すると８ｇ以上）であるこ
ととしたので、前記ボンディングワイヤの断線を無くす
ことができ、高速ボンダに対する追随性が改善される。
また、樹脂封止時にワイヤー流れを起こすこともなくな
り、ショート等の発生も無くなる。
【００３６】また、前記ボンディングワイヤの２５℃に
おける破断伸びが７％以上１０％以下であることとした
ので、前記ボンディングワイヤにおける曲がりやたれの
発生率を大幅に低下させることができる。
おける破断伸びが７％以上１０％以下であることとした
ので、前記ボンディングワイヤにおける曲がりやたれの
発生率を大幅に低下させることができる。
【００３７】また、前記ボンディングワイヤの結晶粒の
大きさが１０μｍ以下であることとしたので、前記ボン
ディングワイヤの熱影響部の断線を防止することができ
る。
大きさが１０μｍ以下であることとしたので、前記ボン
ディングワイヤの熱影響部の断線を防止することができ
る。
【００３８】以上により、断線やショート等の不具合が
なく、また高速ボンダに対する追随性が改善され、ボン
ディング時に曲がりやたれ等の不具合が生じない等の特
徴を有するボンディングワイヤを提供することが可能に
なる。
なく、また高速ボンダに対する追随性が改善され、ボン
ディング時に曲がりやたれ等の不具合が生じない等の特
徴を有するボンディングワイヤを提供することが可能に
なる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の請求項１
記載の半導体装置用ボンディングワイヤによれば、金ま
たは金合金よりなる細線をスパークしてボール形成した
時の、ネック直上から５０μｍ以内の平均結晶粒の大き
さが１０μｍ以下としたので、前記細線の熱影響部の断
線を防止することができる。
記載の半導体装置用ボンディングワイヤによれば、金ま
たは金合金よりなる細線をスパークしてボール形成した
時の、ネック直上から５０μｍ以内の平均結晶粒の大き
さが１０μｍ以下としたので、前記細線の熱影響部の断
線を防止することができる。
【００４０】また、請求項２記載の半導体装置用ボンデ
ィングワイヤの製造方法によれば、金細線または金合金
細線の原料を溶融・鋳造し、その後圧延、伸線加工、焼
鈍する半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法にお
いて、前記伸線加工は１０℃以下の水浴中にて行うこと
としたので、前記細線をスパークしてボール形成した時
の、ネック直上から５０μｍ以内の平均結晶粒の大きさ
を１０μｍ以下に制御することができる。
ィングワイヤの製造方法によれば、金細線または金合金
細線の原料を溶融・鋳造し、その後圧延、伸線加工、焼
鈍する半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法にお
いて、前記伸線加工は１０℃以下の水浴中にて行うこと
としたので、前記細線をスパークしてボール形成した時
の、ネック直上から５０μｍ以内の平均結晶粒の大きさ
を１０μｍ以下に制御することができる。
【００４１】また、請求項３記載の半導体装置用ボンデ
ィングワイヤによれば、金または金合金よりなる細線を
スパークしてボール形成した時の、ネック直上から５０
μｍ以内の平均結晶粒の大きさが１０μｍ以下であり、
前記細線の２５℃における破断強度が５００ｋｇ／ｃｍ
2以上、かつ、２５０℃における破断強度が４００ｋｇ
／ｃｍ2以上としたので、前記細線の熱影響部の断線を
防止することができ、前記ボンディングワイヤの断線の
発生率を低下させることができ、高速ボンダに対する追
随性を改善することができる。また、樹脂封止時にワイ
ヤー流れを起こすことがなくなりショートの発生率も低
下させることができる。
ィングワイヤによれば、金または金合金よりなる細線を
スパークしてボール形成した時の、ネック直上から５０
μｍ以内の平均結晶粒の大きさが１０μｍ以下であり、
前記細線の２５℃における破断強度が５００ｋｇ／ｃｍ
2以上、かつ、２５０℃における破断強度が４００ｋｇ
／ｃｍ2以上としたので、前記細線の熱影響部の断線を
防止することができ、前記ボンディングワイヤの断線の
発生率を低下させることができ、高速ボンダに対する追
随性を改善することができる。また、樹脂封止時にワイ
ヤー流れを起こすことがなくなりショートの発生率も低
下させることができる。
【００４２】また、前記細線の２５℃における破断伸び
を７％以上１０％以下としたので、前記細線における曲
がりやたれの発生率を大幅に低下させることができる。
を７％以上１０％以下としたので、前記細線における曲
がりやたれの発生率を大幅に低下させることができる。
【００４３】また、請求項４記載の半導体装置用ボンデ
ィングワイヤの製造方法によれば、金細線または金合金
細線の原料を溶融・鋳造し、その後圧延、伸線加工、焼
鈍する半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法にお
いて、前記伸線加工は１０℃以下の水浴中にて行うこと
としたので、前記細線をスパークしてボール形成した時
の、ネック直上から５０μｍ以内の平均結晶粒の大きさ
を１０μｍ以下に制御することができる。また、前記焼
鈍は連続焼鈍とすることとしたので、前記細線の２５℃
における破断伸びを７％以上１０％以下に制御すること
ができる。
ィングワイヤの製造方法によれば、金細線または金合金
細線の原料を溶融・鋳造し、その後圧延、伸線加工、焼
鈍する半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法にお
いて、前記伸線加工は１０℃以下の水浴中にて行うこと
としたので、前記細線をスパークしてボール形成した時
の、ネック直上から５０μｍ以内の平均結晶粒の大きさ
を１０μｍ以下に制御することができる。また、前記焼
鈍は連続焼鈍とすることとしたので、前記細線の２５℃
における破断伸びを７％以上１０％以下に制御すること
ができる。
【００４４】以上により、断線やショート等の不具合が
なく、また高速ボンダに対する追随性が改善され、ボン
ディング時に曲がりやたれ等の不具合が生じない等の特
徴を有する半導体装置用ボンディングワイヤ及びその製
造方法を提供することが可能になる。
なく、また高速ボンダに対する追随性が改善され、ボン
ディング時に曲がりやたれ等の不具合が生じない等の特
徴を有する半導体装置用ボンディングワイヤ及びその製
造方法を提供することが可能になる。
Claims (4)
- 【請求項１】 金または金合金よりなる細線をスパーク
してボール形成した時の、ネック直上から５０μｍ以内
の平均結晶粒の大きさが１０μｍ以下であることを特徴
とする半導体装置用ボンディングワイヤ。 - 【請求項２】 金細線または金合金細線の原料を溶融・
鋳造し、その後圧延、伸線加工、焼鈍する半導体装置用
ボンディングワイヤの製造方法において、前記伸線加工
は１０℃以下の水浴中にて行うことを特徴とする半導体
装置用ボンディングワイヤの製造方法。 - 【請求項３】 金または金合金よりなる細線をスパーク
してボール形成した時の、ネック直上から５０μｍ以内
の平均結晶粒の大きさが１０μｍ以下であり、前記細線
の２５℃における破断強度が５００ｋｇ／ｃｍ2以上、
かつ、２５０℃における破断強度が４００ｋｇ／ｃｍ2
以上であり、前記細線の２５℃における破断伸びが７％
以上１０％以下であることを特徴とする半導体装置用ボ
ンディングワイヤ。 - 【請求項４】 金細線または金合金細線の原料を溶融・
鋳造し、その後圧延、伸線加工、焼鈍する半導体装置用
ボンディングワイヤの製造方法において、前記伸線加工
は１０℃以下の水浴中にて行い、前記焼鈍は連続焼鈍と
することを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3179986A JP2830520B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3179986A JP2830520B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582576A true JPH0582576A (ja) | 1993-04-02 |
| JP2830520B2 JP2830520B2 (ja) | 1998-12-02 |
Family
ID=16075461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3179986A Expired - Fee Related JP2830520B2 (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 半導体装置用ボンディングワイヤの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2830520B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268771A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-29 | Nippon Steel Corp | 半導体装置用金ボンディングワイヤ及びその接続方法 |
| US7456091B2 (en) | 2005-05-20 | 2008-11-25 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| CN115398623A (zh) * | 2020-04-02 | 2022-11-25 | 三菱电机株式会社 | 用于增加功率模块的可靠性的装置和方法 |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP3179986A patent/JP2830520B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005268771A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-29 | Nippon Steel Corp | 半導体装置用金ボンディングワイヤ及びその接続方法 |
| US7456091B2 (en) | 2005-05-20 | 2008-11-25 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US7659635B2 (en) | 2005-05-20 | 2010-02-09 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| CN115398623A (zh) * | 2020-04-02 | 2022-11-25 | 三菱电机株式会社 | 用于增加功率模块的可靠性的装置和方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2830520B2 (ja) | 1998-12-02 |
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| Date | Code | Title | Description |
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