JPH058270B2 - - Google Patents
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- JPH058270B2 JPH058270B2 JP59246854A JP24685484A JPH058270B2 JP H058270 B2 JPH058270 B2 JP H058270B2 JP 59246854 A JP59246854 A JP 59246854A JP 24685484 A JP24685484 A JP 24685484A JP H058270 B2 JPH058270 B2 JP H058270B2
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
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- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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Description
（産業上の利用分野）
本発明は基材表面に効率的に化学蒸着を行なう
方法に関する。 （従来技術） 従来基材表面に化学蒸着を行なう方法として、
支持台は、高温では主に人造黒鉛を用い、円錐形
状の頂点で点接触状態で支持する方法が使用され
ている。しかしこの方法では基材と支持台とが接
する部分には蒸着膜（被膜）が形成されず跡が残
る為、裏返すか又は支持位置をずらすかして、２
回の蒸着を要する欠点があつた。 （発明の目的） 本発明は、上記欠点を解消し、支持跡の付かな
い化学蒸着の方法を提供することを目的とする。 本発明者等は検討の結果、熱分解炭素又は炭化
珪素を被覆した支持台を使用することにより、蒸
着される基材の支持台と接する部分に跡が付か
ず、基材全面に化学蒸着を施こすことができるこ
とを見出した。 （発明の構成） 本発明は、熱分解炭素又は炭化珪素を被覆し、
幅10mm以下及び高さ５mm以上の複数の支持部を有
する支持台の上に被蒸着基材を載置して化学蒸着
を行なうことを特徴とする化学蒸着方法に関す
る。 本発明において用いる支持台の材料は、化学蒸
着の温度に耐えられるものであればよく、制限は
ないが人造黒鉛が純度、耐熱性、化学的安定性の
点で好ましい。支持台材料への熱分解炭素又は炭
化珪素の被覆は公知の蒸着法による。熱分解炭素
又は炭化珪素を被覆する原料に制限はないが、熱
分解炭素の場合はメタン、プロパン等の脂肪族炭
化水素、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水
素、ジクロロエチレン、トリクロロエタン等の有
機塩素化合物など、炭化珪素の場合は例えばメチ
ルクロロシラン、珪素源として四塩化珪素、トリ
クロロシラン等、炭素源として四塩化炭素、トル
エン等が好ましい。蒸着温度は原料の種類による
が通常600〜2200℃である。 基材に化学蒸着を行なうには、支持台の上に基
材を載置し公知の方法により行なう。蒸着する際
の圧力はできるだけ低い方がよいが、同時に蒸着
速度も低下するので数mmHg付近にすれば支持台
と接する部分も十分に蒸着できて好ましい。 支持部の幅を10mm以下とした理由は、10mmを越
えると基材の支持部と接する部分の中央が蒸着さ
れなくなるためである。 （作 用） 上記熱分解炭素又は炭化珪素被覆支持台に被蒸
着基材（以下基材と呼ぶ）を載置して化学蒸着を
行なつた場合、支持台の基材と接する部分は被覆
された熱分解炭素又は炭化珪素によつてミクロな
凹凸が形成されており、基材と支持台との間に反
応ガスが浸入して該基材の支持台と接する部分に
も蒸着被膜が形成され、基材と支持台は固着せず
容易にはがれる。 （実施例） 以下に実施例を説明する。 実施例 １ 高周波誘導加熱炉の水冷式石英管（内径100mm）
の中に、第１図ａの平面図及びｂの側面図に示す
ように人造黒鉛材を加工して50mmφ×５mmｈの円
板部３の片側に等間隔に10mmφ×10mmｈの円筒２
の３個を設けた支持台１を入れ、１mmHgの減圧
状態で1800℃に加熱し、プロパン20容量％を含む
窒素ガスを大気圧の流量で毎分３ずつ１時間流
し、支持台に熱分解炭素を蒸着被覆した。熱分解
炭素の膜厚は40μmであつた。 上記支持台の上に外径50mm及び厚さ５mmの人造
黒鉛円板の基材を載置して、上記被覆と同じ条件
で基材に熱分解炭素を蒸着した。結果を第１表に
示す。 実施例 ２ 第２図ａの平面図及びｂの側面図に示すよう
に、人造黒鉛材を加工して50μm×５mmｈの円板
部６の片側に等間隔に５mmφ×10mmφの円筒５の
３個を設けた支持台４を作り、これを実施例１と
全く同様にして熱分解炭素を蒸着被覆した。蒸着
膜の厚さは40μmであつた。 上記支持台の上に実施例１の場合と同じ基材を
載置して、実施例１と同じ条件で基材に熱分解炭
素を蒸着した。結果を第１表に示す。 実施例 ３ 第１図に示す支持台１を実施例１と同様にして
１mmHgの減圧状態で1400℃に加熱し、四塩化珪
素９×10-4モル／分、トルエン３×10-4モル／分
及び水素ガスを大気圧の流量で３／分の割合で
１時間流し、支持台に炭化珪素を蒸着被覆した。
炭化珪素の膜厚は60μmであつた。 上記支持台の上に実施例１の場合と同じ基材を
載置して、上記被覆と同じ条件で基材に炭化珪素
を蒸着した。結果を第１表に示す。 実施例 ４ 第２図に示す支持体を実施例３と全く同一の条
件で蒸着処理した。蒸着炭化珪素の膜厚は60μm
であつた。 上記支持台の上に実施例１の場合と同じ基材を
載置して、実施例３と同じ条件で基材に炭化珪素
を蒸着した。結果を第１表に示す。 比較例 人造黒鉛材を加工して第３図ａの平面図、ｂの
側面図に示すような高さ10mmの円錐８を50mmφ×
10hの円板部９の片側に等間隔の位置に設けた支
持台７を作成した。この支持台７の上に実施例１
の場合と同じ基材を載置して、実施例１と同じ条
件で基材に熱分解炭素を蒸着した。以上を比較例
１として、この結果を第１表に示す。 第４図ａの平面図、ｂの側面図に示すように比
較例１における円錐８の代りに円筒１１を設けた
支持台１０を作成した。この支持台１０の上に実
施例１の場合と同じ基材を載置して、実施例３と
同じ条件で基材に炭化珪素を蒸着した。以上を比
較例２として、この結果を第１表に示す。
方法に関する。 （従来技術） 従来基材表面に化学蒸着を行なう方法として、
支持台は、高温では主に人造黒鉛を用い、円錐形
状の頂点で点接触状態で支持する方法が使用され
ている。しかしこの方法では基材と支持台とが接
する部分には蒸着膜（被膜）が形成されず跡が残
る為、裏返すか又は支持位置をずらすかして、２
回の蒸着を要する欠点があつた。 （発明の目的） 本発明は、上記欠点を解消し、支持跡の付かな
い化学蒸着の方法を提供することを目的とする。 本発明者等は検討の結果、熱分解炭素又は炭化
珪素を被覆した支持台を使用することにより、蒸
着される基材の支持台と接する部分に跡が付か
ず、基材全面に化学蒸着を施こすことができるこ
とを見出した。 （発明の構成） 本発明は、熱分解炭素又は炭化珪素を被覆し、
幅10mm以下及び高さ５mm以上の複数の支持部を有
する支持台の上に被蒸着基材を載置して化学蒸着
を行なうことを特徴とする化学蒸着方法に関す
る。 本発明において用いる支持台の材料は、化学蒸
着の温度に耐えられるものであればよく、制限は
ないが人造黒鉛が純度、耐熱性、化学的安定性の
点で好ましい。支持台材料への熱分解炭素又は炭
化珪素の被覆は公知の蒸着法による。熱分解炭素
又は炭化珪素を被覆する原料に制限はないが、熱
分解炭素の場合はメタン、プロパン等の脂肪族炭
化水素、ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水
素、ジクロロエチレン、トリクロロエタン等の有
機塩素化合物など、炭化珪素の場合は例えばメチ
ルクロロシラン、珪素源として四塩化珪素、トリ
クロロシラン等、炭素源として四塩化炭素、トル
エン等が好ましい。蒸着温度は原料の種類による
が通常600〜2200℃である。 基材に化学蒸着を行なうには、支持台の上に基
材を載置し公知の方法により行なう。蒸着する際
の圧力はできるだけ低い方がよいが、同時に蒸着
速度も低下するので数mmHg付近にすれば支持台
と接する部分も十分に蒸着できて好ましい。 支持部の幅を10mm以下とした理由は、10mmを越
えると基材の支持部と接する部分の中央が蒸着さ
れなくなるためである。 （作 用） 上記熱分解炭素又は炭化珪素被覆支持台に被蒸
着基材（以下基材と呼ぶ）を載置して化学蒸着を
行なつた場合、支持台の基材と接する部分は被覆
された熱分解炭素又は炭化珪素によつてミクロな
凹凸が形成されており、基材と支持台との間に反
応ガスが浸入して該基材の支持台と接する部分に
も蒸着被膜が形成され、基材と支持台は固着せず
容易にはがれる。 （実施例） 以下に実施例を説明する。 実施例 １ 高周波誘導加熱炉の水冷式石英管（内径100mm）
の中に、第１図ａの平面図及びｂの側面図に示す
ように人造黒鉛材を加工して50mmφ×５mmｈの円
板部３の片側に等間隔に10mmφ×10mmｈの円筒２
の３個を設けた支持台１を入れ、１mmHgの減圧
状態で1800℃に加熱し、プロパン20容量％を含む
窒素ガスを大気圧の流量で毎分３ずつ１時間流
し、支持台に熱分解炭素を蒸着被覆した。熱分解
炭素の膜厚は40μmであつた。 上記支持台の上に外径50mm及び厚さ５mmの人造
黒鉛円板の基材を載置して、上記被覆と同じ条件
で基材に熱分解炭素を蒸着した。結果を第１表に
示す。 実施例 ２ 第２図ａの平面図及びｂの側面図に示すよう
に、人造黒鉛材を加工して50μm×５mmｈの円板
部６の片側に等間隔に５mmφ×10mmφの円筒５の
３個を設けた支持台４を作り、これを実施例１と
全く同様にして熱分解炭素を蒸着被覆した。蒸着
膜の厚さは40μmであつた。 上記支持台の上に実施例１の場合と同じ基材を
載置して、実施例１と同じ条件で基材に熱分解炭
素を蒸着した。結果を第１表に示す。 実施例 ３ 第１図に示す支持台１を実施例１と同様にして
１mmHgの減圧状態で1400℃に加熱し、四塩化珪
素９×10-4モル／分、トルエン３×10-4モル／分
及び水素ガスを大気圧の流量で３／分の割合で
１時間流し、支持台に炭化珪素を蒸着被覆した。
炭化珪素の膜厚は60μmであつた。 上記支持台の上に実施例１の場合と同じ基材を
載置して、上記被覆と同じ条件で基材に炭化珪素
を蒸着した。結果を第１表に示す。 実施例 ４ 第２図に示す支持体を実施例３と全く同一の条
件で蒸着処理した。蒸着炭化珪素の膜厚は60μm
であつた。 上記支持台の上に実施例１の場合と同じ基材を
載置して、実施例３と同じ条件で基材に炭化珪素
を蒸着した。結果を第１表に示す。 比較例 人造黒鉛材を加工して第３図ａの平面図、ｂの
側面図に示すような高さ10mmの円錐８を50mmφ×
10hの円板部９の片側に等間隔の位置に設けた支
持台７を作成した。この支持台７の上に実施例１
の場合と同じ基材を載置して、実施例１と同じ条
件で基材に熱分解炭素を蒸着した。以上を比較例
１として、この結果を第１表に示す。 第４図ａの平面図、ｂの側面図に示すように比
較例１における円錐８の代りに円筒１１を設けた
支持台１０を作成した。この支持台１０の上に実
施例１の場合と同じ基材を載置して、実施例３と
同じ条件で基材に炭化珪素を蒸着した。以上を比
較例２として、この結果を第１表に示す。
【表】
【表】
第１表から明らかなように、比較例の支持台を
用いた場合は基材の支持部分に蒸着されず基材と
支持台が固着したのに対し、実施例の場合は支持
部分の被膜厚さは他の部分より薄いが十分付いて
おり実用上問題なく使用でき、基材と支持台が固
着することはなかつた。 実施例 ５ 第５図に示すように人造黒鉛材を加工し、10mm
φの孔１５を14個有する50mmφ×５mmｔの円板１
４を実施例１と同一条件で熱分解炭素を40μmの
厚さで蒸着被覆した支持台１３を作成した。 この支持台に第６図に示す外径50mm、内径40mm
及び高さ50mmの人造黒鉛のるつぼ１６を載せ又比
較例３として比較例２で用いた支持台１０の上に
もこのるつぼを載せ、実施例３と同一条件で炭化
珪素を蒸着被覆する実験を行なつた。この場合の
るつぼ底の被膜の最底厚さを第２表に示す。
用いた場合は基材の支持部分に蒸着されず基材と
支持台が固着したのに対し、実施例の場合は支持
部分の被膜厚さは他の部分より薄いが十分付いて
おり実用上問題なく使用でき、基材と支持台が固
着することはなかつた。 実施例 ５ 第５図に示すように人造黒鉛材を加工し、10mm
φの孔１５を14個有する50mmφ×５mmｔの円板１
４を実施例１と同一条件で熱分解炭素を40μmの
厚さで蒸着被覆した支持台１３を作成した。 この支持台に第６図に示す外径50mm、内径40mm
及び高さ50mmの人造黒鉛のるつぼ１６を載せ又比
較例３として比較例２で用いた支持台１０の上に
もこのるつぼを載せ、実施例３と同一条件で炭化
珪素を蒸着被覆する実験を行なつた。この場合の
るつぼ底の被膜の最底厚さを第２表に示す。
【表】
第２表から明らかなように、比較例の支持台を
用いた場合は第１表の場合と同様に支持台と基材
との固着がみられ、又るつぼ底には蒸着被膜が形
成されなかつたが、実施例５の支持台を用いた場
合は固着はなく炭化珪素の被膜も十分に形成され
た。 尚上記実験では１回の蒸着で基材１個であつた
が基材が小さく、又は大きい加熱炉及び支持台を
使えば多量の基材の蒸着処理が可能である。 （発明の効果） 本発明によれば基材が支持台に固着することが
なく、１回の作業で基材全面に蒸着被膜を形成す
ることができ、効率的な化学蒸着が可能となる。
用いた場合は第１表の場合と同様に支持台と基材
との固着がみられ、又るつぼ底には蒸着被膜が形
成されなかつたが、実施例５の支持台を用いた場
合は固着はなく炭化珪素の被膜も十分に形成され
た。 尚上記実験では１回の蒸着で基材１個であつた
が基材が小さく、又は大きい加熱炉及び支持台を
使えば多量の基材の蒸着処理が可能である。 （発明の効果） 本発明によれば基材が支持台に固着することが
なく、１回の作業で基材全面に蒸着被膜を形成す
ることができ、効率的な化学蒸着が可能となる。
第１図及び第２図は本発明の実施例で使用する
支持台、第３図及び第４図は比較例で使用する支
持台であり、第１図及至第４図においてａは平面
図、ｂは側面図、第５図は本発明の他の実施例に
なる支持台の平面図、第６図は実験に使用したる
つぼの断面図である。 符号の説明 １，４，７，１０，１３…支持
台、２，５，１１…円筒、３，６，９…円板部、
８…円錐、１４…円板、１５…孔、１６…るつ
ぼ。
支持台、第３図及び第４図は比較例で使用する支
持台であり、第１図及至第４図においてａは平面
図、ｂは側面図、第５図は本発明の他の実施例に
なる支持台の平面図、第６図は実験に使用したる
つぼの断面図である。 符号の説明 １，４，７，１０，１３…支持
台、２，５，１１…円筒、３，６，９…円板部、
８…円錐、１４…円板、１５…孔、１６…るつ
ぼ。
Claims (1)
- １ 熱分解炭素又は炭化珪素を被覆し、幅10mm以
下及び高さ５mm以上の複数の支持部を有する支持
台の上に被蒸着基材を載置して化学蒸着を行なう
ことを特徴とする化学蒸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24685484A JPS61124572A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | 化学蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24685484A JPS61124572A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | 化学蒸着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61124572A JPS61124572A (ja) | 1986-06-12 |
| JPH058270B2 true JPH058270B2 (ja) | 1993-02-01 |
Family
ID=17154700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24685484A Granted JPS61124572A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | 化学蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61124572A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH081443U (ja) * | 1996-03-28 | 1996-10-01 | 株式会社ゼクセル | 熱交換器におけるブラケットの取付け構造 |
| JPH081444U (ja) * | 1996-03-28 | 1996-10-01 | 株式会社ゼクセル | 熱交換器のブラケット構造 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0669640A1 (en) * | 1994-02-25 | 1995-08-30 | Applied Materials, Inc. | Susceptor for deposition apparatus |
| JP4970115B2 (ja) * | 2007-04-06 | 2012-07-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 導電性ダイヤモンド被覆網状電極、その製造方法及び同電極を備えたオゾン水生成装置 |
| JP5278851B2 (ja) * | 2008-10-23 | 2013-09-04 | 東洋炭素株式会社 | 炭素基材表面への炭化珪素膜の形成方法 |
| JP5787558B2 (ja) * | 2011-03-08 | 2015-09-30 | イビデン株式会社 | セラミックス基材支持具及びセラミックス部材の製造方法 |
| JP6383588B2 (ja) * | 2014-06-30 | 2018-08-29 | イビデン株式会社 | セラミック部材の製造方法および支持具 |
| JP6506056B2 (ja) * | 2015-03-13 | 2019-04-24 | イビデン株式会社 | セラミック部材の製造方法 |
| JP7321768B2 (ja) | 2018-05-23 | 2023-08-07 | 信越化学工業株式会社 | 化学気相成長装置および被膜形成方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS512177Y2 (ja) * | 1971-04-08 | 1976-01-22 |
-
1984
- 1984-11-21 JP JP24685484A patent/JPS61124572A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH081443U (ja) * | 1996-03-28 | 1996-10-01 | 株式会社ゼクセル | 熱交換器におけるブラケットの取付け構造 |
| JPH081444U (ja) * | 1996-03-28 | 1996-10-01 | 株式会社ゼクセル | 熱交換器のブラケット構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61124572A (ja) | 1986-06-12 |
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