JPH0582728B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0582728B2 JPH0582728B2 JP59227504A JP22750484A JPH0582728B2 JP H0582728 B2 JPH0582728 B2 JP H0582728B2 JP 59227504 A JP59227504 A JP 59227504A JP 22750484 A JP22750484 A JP 22750484A JP H0582728 B2 JPH0582728 B2 JP H0582728B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- flatness
- vacuum
- holes
- vacuum chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、大面積の基板に、転写・描写装置を
用いて微細なパターン形成をする場合において、
基板の平坦化を可能にした真空チヤツキング方法
に関する。
用いて微細なパターン形成をする場合において、
基板の平坦化を可能にした真空チヤツキング方法
に関する。
従来よりシリコン基板あるいは、薄膜素子用ガ
ラス基板等に、転写・描写装置を用いて光リソグ
ラフイ技術により基板表面に微細パターンを形成
する場合、基板のそりをいかに抑えるかが課題で
あつた。プロセス上で、基板にそりを作らないよ
うな工夫も必要であるが、少々のそりであれば、
真空、エレクトロスタテツク、メカニカルの三方
式でフラツトチヤツキングすることで、十分であ
つた。（超LSI技術総集編、1982年版、ダイヤモ
ンド社）特に、真空チヤツキング方式は、高い平
坦度を有した基板保持台に複数個の穴を設けて真
空引きすることで容易に基板を平坦化することが
可能なため、半導体装置製造用ラインにある露光
装置に、広く採用されている。第２図は、従来の
真空チヤツキング方式の模式図である。１は基
板、２′は真空チヤツキング式基板保持台、３は
真空チヤツク用の穴、４は真空チヤツク保持用架
台である。基板１は、穴３を通して真空ポンプ５
により高いフラツトネスを有した基板保持台２に
チヤツキングされて平坦性を保持することができ
る。
ラス基板等に、転写・描写装置を用いて光リソグ
ラフイ技術により基板表面に微細パターンを形成
する場合、基板のそりをいかに抑えるかが課題で
あつた。プロセス上で、基板にそりを作らないよ
うな工夫も必要であるが、少々のそりであれば、
真空、エレクトロスタテツク、メカニカルの三方
式でフラツトチヤツキングすることで、十分であ
つた。（超LSI技術総集編、1982年版、ダイヤモ
ンド社）特に、真空チヤツキング方式は、高い平
坦度を有した基板保持台に複数個の穴を設けて真
空引きすることで容易に基板を平坦化することが
可能なため、半導体装置製造用ラインにある露光
装置に、広く採用されている。第２図は、従来の
真空チヤツキング方式の模式図である。１は基
板、２′は真空チヤツキング式基板保持台、３は
真空チヤツク用の穴、４は真空チヤツク保持用架
台である。基板１は、穴３を通して真空ポンプ５
により高いフラツトネスを有した基板保持台２に
チヤツキングされて平坦性を保持することができ
る。
前述の従来技術では、デバイス面側に凹であれ
ば、あまり問題とならないが、デバイス面側に凸
である場合、デバイス面側が波うつている場合、
大面積の基板の場合には、平坦化が困難である。
第３図は、種々なそりをもつた基板を従来の真空
チヤツキング方式により基板を真空チヤツクした
場合を図示したものである。左側が真空チヤツク
前、右側が真空チヤツク後であり、共に上側がデ
バイス面である。ａは、デバイス面側に凹の場合
で平坦化は容易であるが、ｂ，ｃのようにデバイ
ス面側に凸あるいは波うつている場合、中央分や
その周辺に平坦化できない部分を生ずる。特に、
数ミクロンメートルの微細パターンを形成する場
合には、露光装置の波長が200〜500ナノメートル
として、レンズ系を用いた露光装置では、10ミク
ロンメートルの焦点深度以内に、そりを抑える必
要がある。（応用物理、vol 49，No.１，1980，p83
〜89）大面積になればなるほど、前記の数値以内
に抑えることは困難になるという問題点を有す
る。
ば、あまり問題とならないが、デバイス面側に凸
である場合、デバイス面側が波うつている場合、
大面積の基板の場合には、平坦化が困難である。
第３図は、種々なそりをもつた基板を従来の真空
チヤツキング方式により基板を真空チヤツクした
場合を図示したものである。左側が真空チヤツク
前、右側が真空チヤツク後であり、共に上側がデ
バイス面である。ａは、デバイス面側に凹の場合
で平坦化は容易であるが、ｂ，ｃのようにデバイ
ス面側に凸あるいは波うつている場合、中央分や
その周辺に平坦化できない部分を生ずる。特に、
数ミクロンメートルの微細パターンを形成する場
合には、露光装置の波長が200〜500ナノメートル
として、レンズ系を用いた露光装置では、10ミク
ロンメートルの焦点深度以内に、そりを抑える必
要がある。（応用物理、vol 49，No.１，1980，p83
〜89）大面積になればなるほど、前記の数値以内
に抑えることは困難になるという問題点を有す
る。
そこで本発明は、このような問題点を解決する
もので、その目的とするところは、大面積の基板
に、高い平坦性を実現する真空チヤツキング方式
を提供するところにある。
もので、その目的とするところは、大面積の基板
に、高い平坦性を実現する真空チヤツキング方式
を提供するところにある。
本発明の露光装置及び露光方法は、基板上に任
意のパターンを転写・描写することによつて該基
板上にパターンを形成する装置と、該基板を保持
する基板保持台と、該基板保持台上の該基板を真
空引きするための複数の穴を設けてなり、該穴か
ら真空引きして該基板を保持する真空チヤツキン
グ装置を有する露光装置において、該基板保持台
は上下移動可能な複数の独立した匡体を配置して
なり、該穴から真空引きする吸引力はそれぞれ独
立に設定されてなることを特徴とする。また、上
下移動可能な複数の独立した匡体からなる基板保
持台と該基板保持台上の該基板を真空引きするた
めの複数の穴を設けてなり、該穴から真空引きし
て該基板を保持する真空チヤツキング装置と、該
基板の平坦度を測定するフラツトネス測定器と、
該基板の平坦度に合わせて該基板保持台を制御す
るフラツトネス制御装置とを有し、該基板上に任
意のパターンを転写・描写することによつて該基
板上にパターンを形成する露光方法において、該
基板保持台上に該基板を固定した後、該基板の平
坦度を該フラツトネス測定器により測定し、該フ
ラツトネス制御装置によつて該基板保持台の高さ
を個々に調整し、該基板保持台と穴からの吸引力
を調整して該基板を平坦にした後、該基板上にパ
ターンを形成することを特徴とする。
意のパターンを転写・描写することによつて該基
板上にパターンを形成する装置と、該基板を保持
する基板保持台と、該基板保持台上の該基板を真
空引きするための複数の穴を設けてなり、該穴か
ら真空引きして該基板を保持する真空チヤツキン
グ装置を有する露光装置において、該基板保持台
は上下移動可能な複数の独立した匡体を配置して
なり、該穴から真空引きする吸引力はそれぞれ独
立に設定されてなることを特徴とする。また、上
下移動可能な複数の独立した匡体からなる基板保
持台と該基板保持台上の該基板を真空引きするた
めの複数の穴を設けてなり、該穴から真空引きし
て該基板を保持する真空チヤツキング装置と、該
基板の平坦度を測定するフラツトネス測定器と、
該基板の平坦度に合わせて該基板保持台を制御す
るフラツトネス制御装置とを有し、該基板上に任
意のパターンを転写・描写することによつて該基
板上にパターンを形成する露光方法において、該
基板保持台上に該基板を固定した後、該基板の平
坦度を該フラツトネス測定器により測定し、該フ
ラツトネス制御装置によつて該基板保持台の高さ
を個々に調整し、該基板保持台と穴からの吸引力
を調整して該基板を平坦にした後、該基板上にパ
ターンを形成することを特徴とする。
本発明の上記の方法によれば、適切な平坦度が
確保されるまで、複数個の独立な真空チヤツクの
高さと圧力を独立に制御する。従来の真空チヤツ
ク方式で平坦にできなかつた部分において、真空
チヤツクの吸引力の増加あるいは真空チヤツクの
高さの降下あるいは両者の併用により基板の平坦
性を確保するものである。
確保されるまで、複数個の独立な真空チヤツクの
高さと圧力を独立に制御する。従来の真空チヤツ
ク方式で平坦にできなかつた部分において、真空
チヤツクの吸引力の増加あるいは真空チヤツクの
高さの降下あるいは両者の併用により基板の平坦
性を確保するものである。
第１図は、本発明の真空チヤツキング方式の模
式図である。１は基板、２は独立に上下移動可能
な真空チヤツク式基板保持台、３は真空チヤツク
用の穴、４は真空チヤツク保持用架台である。基
板１は、穴３を通して真空ポンプ５により独立な
真空チヤツク式基板保持台２に固定された後フラ
ツトネス測定器６によりフラツトネス測定器６か
らフラツトネス制御装置７にデータが送られる。
真空チヤツク式基板保持台２の高さを制御する場
合は上下駆動装置８により上下移動を行なう。真
空チヤツクの吸引力を制御する場合は、独立に圧
力弁９の調整を行なつて圧力制御をする。この動
作は、適切な平坦度が得られるまで行なわれる。
例えば、第３図ｂにおいて平坦化を実現するため
には、第４図ａ，ｂ右側の図に示すがごとく、中
心部の真空チヤツク式基板保持台２の高さを周辺
部より下げる。あるいは、中心部の真空チヤツク
式基板保持台２の高さを下げるかわりに、中心部
の真空チヤツクの圧力を下げて吸引力を上げるこ
とによつて平坦化を実現できる。
式図である。１は基板、２は独立に上下移動可能
な真空チヤツク式基板保持台、３は真空チヤツク
用の穴、４は真空チヤツク保持用架台である。基
板１は、穴３を通して真空ポンプ５により独立な
真空チヤツク式基板保持台２に固定された後フラ
ツトネス測定器６によりフラツトネス測定器６か
らフラツトネス制御装置７にデータが送られる。
真空チヤツク式基板保持台２の高さを制御する場
合は上下駆動装置８により上下移動を行なう。真
空チヤツクの吸引力を制御する場合は、独立に圧
力弁９の調整を行なつて圧力制御をする。この動
作は、適切な平坦度が得られるまで行なわれる。
例えば、第３図ｂにおいて平坦化を実現するため
には、第４図ａ，ｂ右側の図に示すがごとく、中
心部の真空チヤツク式基板保持台２の高さを周辺
部より下げる。あるいは、中心部の真空チヤツク
式基板保持台２の高さを下げるかわりに、中心部
の真空チヤツクの圧力を下げて吸引力を上げるこ
とによつて平坦化を実現できる。
以上のような構成にすることによつて、以下の
ような効果が得られる。
ような効果が得られる。
すなわち、
(a) 独立に上下移動可能な複数個の真空チヤツク
を用いて真空チヤツキングした後、平坦度を測
定して独立な真空チヤツクの高さあるいは圧力
の調整をすることにより、従来よりも高い平坦
化を実現することができる。
を用いて真空チヤツキングした後、平坦度を測
定して独立な真空チヤツクの高さあるいは圧力
の調整をすることにより、従来よりも高い平坦
化を実現することができる。
(b) 基板に大きな厚みムラがある場合、真空チヤ
ツクの高さをそれぞれ独立して調整することに
よつてレンズ系に対して適切な平坦性を出すこ
とが可能となる。特に、基板が大面積になつた
ときには著しい平坦化の効果あり、微細パター
ン形成が可能となる。
ツクの高さをそれぞれ独立して調整することに
よつてレンズ系に対して適切な平坦性を出すこ
とが可能となる。特に、基板が大面積になつた
ときには著しい平坦化の効果あり、微細パター
ン形成が可能となる。
第１図は、本発明の真空チヤツキング方式の模
式図である。第２図は、従来の真空チヤツキング
方式の模式図である。第３図ａ〜ｃは、種々のそ
りをもつた基板を従来の真空チヤツキング方式に
より真空チヤツクした場合を図示したものであ
り、第４図ａ，ｂは、本発明の真空チヤツキング
方式により真空チヤツクした場合を図示したもの
である。 １……基板、２……独立上下移動可能な真空チ
ヤツク式基板保持台、２′……真空チヤツク式基
板保持台、３……真空チヤツク用の穴、４……真
空チヤツク保持用架台、５……真空ポンプ、６…
…フラツトネス測定器、７……フラツトネス制御
装置、８……上下駆動装置、９……圧力弁。
式図である。第２図は、従来の真空チヤツキング
方式の模式図である。第３図ａ〜ｃは、種々のそ
りをもつた基板を従来の真空チヤツキング方式に
より真空チヤツクした場合を図示したものであ
り、第４図ａ，ｂは、本発明の真空チヤツキング
方式により真空チヤツクした場合を図示したもの
である。 １……基板、２……独立上下移動可能な真空チ
ヤツク式基板保持台、２′……真空チヤツク式基
板保持台、３……真空チヤツク用の穴、４……真
空チヤツク保持用架台、５……真空ポンプ、６…
…フラツトネス測定器、７……フラツトネス制御
装置、８……上下駆動装置、９……圧力弁。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に任意のパターンを転写・描写するこ
とによつて該基板上にパターンを形成する装置
と、該基板を保持する基板保持台と、該基板保持
台上の該基板を真空引きするための複数の穴を設
けてなり、該穴から真空引きして該基板を保持す
る真空チヤツキング装置を有する露光装置におい
て、 該基板保持台は上下移動可能な複数の独立した
匡体を配置してなり、該穴から真空引きする吸引
力はそれぞれ独立に設定されてなることを特徴と
する露光装置。 ２ 上下移動可能な複数の独立した匡体からなる
基板保持台と該基板保持台上の該基板を真空引き
するための複数の穴を設けてなり、該穴から真空
引きして該基板を保持する真空チヤツキング装置
と、該基板の平坦度を測定するフラツトネス測定
器と、該基板の平坦度に合わせて該基板保持台を
制御するフラツトネス制御装置とを有し、該基板
上に任意のパターンを転写・描写することによつ
て該基板上にパターンを形成する露光方法におい
て、 該基板保持台上に該基板を固定した後、該基板
の平坦度を該フラツトネス測定器により測定し、
該フラツトネス制御装置によつて該基板保持台の
高さを個々に調整し、該基板保持台と穴からの吸
引力を調整して該基板を平坦にした後、該基板上
にパターンを形成することを特徴とする露光方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59227504A JPS61105841A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | 露光装置及び露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59227504A JPS61105841A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | 露光装置及び露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61105841A JPS61105841A (ja) | 1986-05-23 |
| JPH0582728B2 true JPH0582728B2 (ja) | 1993-11-22 |
Family
ID=16861927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59227504A Granted JPS61105841A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | 露光装置及び露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61105841A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2691743B2 (ja) * | 1988-09-07 | 1997-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | Ｌｃｄ基板のガス処理装置 |
| JP2005175016A (ja) * | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
| US10656536B2 (en) | 2014-05-06 | 2020-05-19 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support, method for loading a substrate on a substrate support location, lithographic apparatus and device manufacturing method |
| CN110774077B (zh) * | 2019-10-21 | 2021-08-10 | 无锡芯坤电子科技有限公司 | 一种晶圆加工减薄机 |
| TWI864644B (zh) * | 2022-03-21 | 2024-12-01 | 南韓商二和鑽石工業股份有限公司 | Cmp調節盤、cmp調節盤製造裝置及製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57204547A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-15 | Hitachi Ltd | Exposing method |
| JPS5867026A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-21 | Hitachi Ltd | ステップアンドリピート方式の露光装置 |
| JPS5917247A (ja) * | 1982-07-21 | 1984-01-28 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
-
1984
- 1984-10-29 JP JP59227504A patent/JPS61105841A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61105841A (ja) | 1986-05-23 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |