JPH0582836A - 端面放射型発光半導体装置 - Google Patents
端面放射型発光半導体装置Info
- Publication number
- JPH0582836A JPH0582836A JP24382291A JP24382291A JPH0582836A JP H0582836 A JPH0582836 A JP H0582836A JP 24382291 A JP24382291 A JP 24382291A JP 24382291 A JP24382291 A JP 24382291A JP H0582836 A JPH0582836 A JP H0582836A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- face
- light emitting
- emitting semiconductor
- semiconductor device
- active region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】簡単な製造法でレーザ発振を抑制し、動作特性
の安定化を図る。 【構成】光誘導増幅を行なうストライプ状の活性領域を
有する端面放射型発光半導体装置を対象としている。そ
して、後方端面１２が、上記活性領域のダブルヘテロ接
合面と平行な面方向に所定角度でもって傾斜した傾斜面
で形成されている。また、上記ストライプ状の活性領域
の後方には、ダブルヘテロ接合面と平行で、かつ、光伝
搬方向と垂直する横方向に電流非注入領域１１が形成さ
れている。
の安定化を図る。 【構成】光誘導増幅を行なうストライプ状の活性領域を
有する端面放射型発光半導体装置を対象としている。そ
して、後方端面１２が、上記活性領域のダブルヘテロ接
合面と平行な面方向に所定角度でもって傾斜した傾斜面
で形成されている。また、上記ストライプ状の活性領域
の後方には、ダブルヘテロ接合面と平行で、かつ、光伝
搬方向と垂直する横方向に電流非注入領域１１が形成さ
れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、端面放射型発光半導体
装置に関し、特に、動作特性の安定化対策に係るもので
ある。
装置に関し、特に、動作特性の安定化対策に係るもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】一般に、発光半導体装置、すなわち、発
光ダイオ−ド（以下、単にＬＥＤという。）は、小型で
信頼性が高く、表示システムだけでなく測距システム、
光通信伝送システムなど様々な用途に幅広く応用されて
いる。
光ダイオ−ド（以下、単にＬＥＤという。）は、小型で
信頼性が高く、表示システムだけでなく測距システム、
光通信伝送システムなど様々な用途に幅広く応用されて
いる。
【０００３】このＬＥＤには、エピタキシャル成長表面
を主発光面として形成された面発光型ＬＥＤと、半導体
レーザなどと同様に、ヘキ開した端面を主発光面とする
端面放射型ＬＥＤとに大別される。前者は、活性層全面
に電流を注入することができるため、表示用など高輝度
用ＬＥＤや高出力用ＬＥＤとして用いられるのに対し、
後者は、活性層の狭い範囲に選択して電流を注入するこ
とができ、放射角が狭いのが特徴で、光ファイバとの結
合性が良く、光通信伝送システムや光ジャイロなどに応
用されている。
を主発光面として形成された面発光型ＬＥＤと、半導体
レーザなどと同様に、ヘキ開した端面を主発光面とする
端面放射型ＬＥＤとに大別される。前者は、活性層全面
に電流を注入することができるため、表示用など高輝度
用ＬＥＤや高出力用ＬＥＤとして用いられるのに対し、
後者は、活性層の狭い範囲に選択して電流を注入するこ
とができ、放射角が狭いのが特徴で、光ファイバとの結
合性が良く、光通信伝送システムや光ジャイロなどに応
用されている。
【０００４】そこで、従来技術における代表的な端面放
射型ＬＥＤの概略を図５及び図６に示す。この図５及び
図６において、発光を行うＧａＡｌＡｓ活性層４はＰ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層５とＮ型ＧａＡｌＡｓクラッド
層３にはさまれダブルヘテロ構造に形成されている。ま
た、Ｐ型ＧａＡｓ半導体基板７上のＮ型ＧａＡｓブロッ
ク層６は電流をストライプ９に集中させるための電流ブ
ロック層であり、上記Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３上
にはＮ型ＧａＡｓコンタクト層２が形成され、Ｐ側電極
８からＮ側電極１向かってから注入された電流は、スト
ライプ９に狭窄され、ストライプ９上部のＧａＡｌＡｓ
活性層４のみで部分的に発光することになる。
射型ＬＥＤの概略を図５及び図６に示す。この図５及び
図６において、発光を行うＧａＡｌＡｓ活性層４はＰ型
ＧａＡｌＡｓクラッド層５とＮ型ＧａＡｌＡｓクラッド
層３にはさまれダブルヘテロ構造に形成されている。ま
た、Ｐ型ＧａＡｓ半導体基板７上のＮ型ＧａＡｓブロッ
ク層６は電流をストライプ９に集中させるための電流ブ
ロック層であり、上記Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３上
にはＮ型ＧａＡｓコンタクト層２が形成され、Ｐ側電極
８からＮ側電極１向かってから注入された電流は、スト
ライプ９に狭窄され、ストライプ９上部のＧａＡｌＡｓ
活性層４のみで部分的に発光することになる。
【０００５】上記端面放射型ＬＥＤは、構造の似かよっ
ている半導体レーザに対して、駆動回路が簡単にでき、
また、戻り光などによるノイズ発生がない等の特長を有
している。そして、該端面放射型ＬＥＤは、これらの特
長を生かすために、広い動作温度、及び、動作電流の範
囲で安定したＬＥＤモードで発光させることが必要であ
る。このために、上記ストライプ状のＧａＡｌＡｓ活性
層４の後方に電流を流さない電流非注入領域１１を形成
したり、また、図７及び図８に示すように、後方端面１
０をエッチング速度の結晶面依存性を利用した傾斜面に
形成した構造としている。
ている半導体レーザに対して、駆動回路が簡単にでき、
また、戻り光などによるノイズ発生がない等の特長を有
している。そして、該端面放射型ＬＥＤは、これらの特
長を生かすために、広い動作温度、及び、動作電流の範
囲で安定したＬＥＤモードで発光させることが必要であ
る。このために、上記ストライプ状のＧａＡｌＡｓ活性
層４の後方に電流を流さない電流非注入領域１１を形成
したり、また、図７及び図８に示すように、後方端面１
０をエッチング速度の結晶面依存性を利用した傾斜面に
形成した構造としている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の端面放
射型ＬＥＤにおいて、形成される面がエッチング速度の
結晶面依存性のために傾斜することを利用して、上記後
方端面１０をダブルヘテロ接合面と直交する垂直面方向
に傾斜させていた。一方、発光効率を増大させるために
通常用いられるダブルヘテロ接合は、活性層４とクラッ
ド層３，５との比較的大きな屈折率差により、スラブ導
波路構造を構成し、導波光を活性層４に閉じ込められた
ビーム状としていた。
射型ＬＥＤにおいて、形成される面がエッチング速度の
結晶面依存性のために傾斜することを利用して、上記後
方端面１０をダブルヘテロ接合面と直交する垂直面方向
に傾斜させていた。一方、発光効率を増大させるために
通常用いられるダブルヘテロ接合は、活性層４とクラッ
ド層３，５との比較的大きな屈折率差により、スラブ導
波路構造を構成し、導波光を活性層４に閉じ込められた
ビーム状としていた。
【０００７】このために、端面反射率を小さくするため
には、上記後方端面１０の傾斜角度βを大きくする必要
がある。しかしながら、上記後方端面１０の傾斜角度β
を大きくすることは、通常の異方性エッチングでは実現
できず、プロセス加工が困難であという問題があった。
には、上記後方端面１０の傾斜角度βを大きくする必要
がある。しかしながら、上記後方端面１０の傾斜角度β
を大きくすることは、通常の異方性エッチングでは実現
できず、プロセス加工が困難であという問題があった。
【０００８】本発明は、斯かる点に鑑みてなされたもの
で、簡単なプロセスでレーザ発振を抑制できる構造を提
供することを目的とする。
で、簡単なプロセスでレーザ発振を抑制できる構造を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１に係る発明の端面放射型発光半導体装置
が講じた手段は、先ず、光誘導増幅を行なうストライプ
状の活性領域を有する端面放射型発光半導体装置を対象
としている。そして、後方端面が、上記活性領域のダブ
ルヘテロ接合面と平行な面方向に所定角度でもって傾斜
した傾斜面で形成されてた構成としている。
めに、請求項１に係る発明の端面放射型発光半導体装置
が講じた手段は、先ず、光誘導増幅を行なうストライプ
状の活性領域を有する端面放射型発光半導体装置を対象
としている。そして、後方端面が、上記活性領域のダブ
ルヘテロ接合面と平行な面方向に所定角度でもって傾斜
した傾斜面で形成されてた構成としている。
【００１０】また、請求項２に係る発明の端面放射型発
光半導体装置が講じた手段は、請求項１の発明におい
て、上記ストライプ状の活性領域の後方には、ダブルヘ
テロ接合面と平行で、かつ、光伝搬方向と直交する横方
向に電流非注入領域が形成された構成としている。
光半導体装置が講じた手段は、請求項１の発明におい
て、上記ストライプ状の活性領域の後方には、ダブルヘ
テロ接合面と平行で、かつ、光伝搬方向と直交する横方
向に電流非注入領域が形成された構成としている。
【００１１】
【作用】上記の構成により、請求項１に係る発明では、
ダブルヘテロ接合面と平行な面方向では、ストライプ状
の活性領域は活性層厚さのわずかな違いや光吸収性基板
との距離の違いなどによる微少な実効屈折率差で光を閉
じ込めており、光の閉じ込め効果は非常に小さい。した
がって、上記後方端面において、活性領域のダブルヘテ
ロ接合面と平行な面方向にわずかな傾斜角度を設けるだ
けで反射率が極めて小さく抑制されることになる。
ダブルヘテロ接合面と平行な面方向では、ストライプ状
の活性領域は活性層厚さのわずかな違いや光吸収性基板
との距離の違いなどによる微少な実効屈折率差で光を閉
じ込めており、光の閉じ込め効果は非常に小さい。した
がって、上記後方端面において、活性領域のダブルヘテ
ロ接合面と平行な面方向にわずかな傾斜角度を設けるだ
けで反射率が極めて小さく抑制されることになる。
【００１２】また、請求項２に係る発明では、ストライ
プ状の活性領域の後方に、ダブルヘテロ接合面と平行
で、かつ、光伝搬方向と直交する横方向に電流非注入領
域を形成して光導波路構造を有しない領域を設け、該領
域の後方の後方端面を請求項１の発明のように傾斜する
ことにより、ストライプ端から後方端面までの間に光ビ
ームが広がるため、後方端面での反射光はストライプに
帰還されず、実効的に後方反射率がほぼゼロに抑制され
ることになる。
プ状の活性領域の後方に、ダブルヘテロ接合面と平行
で、かつ、光伝搬方向と直交する横方向に電流非注入領
域を形成して光導波路構造を有しない領域を設け、該領
域の後方の後方端面を請求項１の発明のように傾斜する
ことにより、ストライプ端から後方端面までの間に光ビ
ームが広がるため、後方端面での反射光はストライプに
帰還されず、実効的に後方反射率がほぼゼロに抑制され
ることになる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面に基づき
詳細に説明する。なお、従来例と同一部分については同
一符号を用いる。
詳細に説明する。なお、従来例と同一部分については同
一符号を用いる。
【００１４】図１及び図２は、端面放射型発光半導体装
置の要部を示すものであり、特徴とするところは、後方
端面が活性領域のダブルヘテロ接合面と平行な水平面方
向に所定の角度だけ傾斜させて形成されている点であ
る。
置の要部を示すものであり、特徴とするところは、後方
端面が活性領域のダブルヘテロ接合面と平行な水平面方
向に所定の角度だけ傾斜させて形成されている点であ
る。
【００１５】先ず、Ｐ型ＧａＡｓ半導体基板７上にはＮ
型ＧａＡｓブロック層６（０．５μｍ）が形成され、Ｐ
Ｎ逆接合を用いた電流ブロック構造となっている。この
Ｎ型ＧａＡｓブロック層６上には、Ｐ型ＧａＡｌＡｓク
ラッド層５（１．０μｍ）と、ＧａＡｌＡｓ活性層４
（０．１μｍ）と、Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３
（２．０μｍ）と、Ｎ型ＧａＡｓコンタクト層２（３．
０μｍ）とが順にエピタキシャル成長されている。更
に、上記Ｐ型ＧａＡｓ半導体基板７の下面にはＰ側電極
８が、上記Ｎ型ＧａＡｓコンタクト層２の状面にはＮ側
電極１がそれぞれ形成されている。そして、上記Ｎ型Ｇ
ａＡｓブロック層６はストライプ状に部分的に除去さ
れ、この部分が電流通過部分となっている。したがっ
て、発光はＮ型ＧａＡｓブロック層７の除去されたスト
ライプ部の上部に対応するＧａＡｌＡｓ活性層４のみで
生じてストライプ９となっており、いわゆる、ストライ
プ状の活性領域を形成している。
型ＧａＡｓブロック層６（０．５μｍ）が形成され、Ｐ
Ｎ逆接合を用いた電流ブロック構造となっている。この
Ｎ型ＧａＡｓブロック層６上には、Ｐ型ＧａＡｌＡｓク
ラッド層５（１．０μｍ）と、ＧａＡｌＡｓ活性層４
（０．１μｍ）と、Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３
（２．０μｍ）と、Ｎ型ＧａＡｓコンタクト層２（３．
０μｍ）とが順にエピタキシャル成長されている。更
に、上記Ｐ型ＧａＡｓ半導体基板７の下面にはＰ側電極
８が、上記Ｎ型ＧａＡｓコンタクト層２の状面にはＮ側
電極１がそれぞれ形成されている。そして、上記Ｎ型Ｇ
ａＡｓブロック層６はストライプ状に部分的に除去さ
れ、この部分が電流通過部分となっている。したがっ
て、発光はＮ型ＧａＡｓブロック層７の除去されたスト
ライプ部の上部に対応するＧａＡｌＡｓ活性層４のみで
生じてストライプ９となっており、いわゆる、ストライ
プ状の活性領域を形成している。
【００１６】この活性領域（ストライプ９）は、ＰＮ接
合と直交な垂直面方向にはダブルヘテロ構造による大き
な屈折率差から強い光の閉じ込めを呈すのに対し、ＰＮ
接合と平行な水平面方向では光吸収性のＮ型ＧａＡｓブ
ロック層６の影響による小さな屈折率差の弱い光の閉じ
込め効果を示す光導波路となる。実際に、この活性領域
からの放射角は、垂直方向では約４０度であるのに対
し、水平方向では約１０度と狭く、ＰＮ接合と平行な水
平面方向では平面波に近い。従って、反射面をＰＮ接合
と平行な水平面方向に１０度以上に傾斜させれば反射光
は導波路の全反射角を越え、導波されず、反射率を極め
て小さくできる。
合と直交な垂直面方向にはダブルヘテロ構造による大き
な屈折率差から強い光の閉じ込めを呈すのに対し、ＰＮ
接合と平行な水平面方向では光吸収性のＮ型ＧａＡｓブ
ロック層６の影響による小さな屈折率差の弱い光の閉じ
込め効果を示す光導波路となる。実際に、この活性領域
からの放射角は、垂直方向では約４０度であるのに対
し、水平方向では約１０度と狭く、ＰＮ接合と平行な水
平面方向では平面波に近い。従って、反射面をＰＮ接合
と平行な水平面方向に１０度以上に傾斜させれば反射光
は導波路の全反射角を越え、導波されず、反射率を極め
て小さくできる。
【００１７】そこで、本実施例では、後方端面１２の傾
斜角度αをダブルヘテロ接合面に平行な水平面方向に１
５度だけ傾斜させた傾斜面で形成しており、その結果、
電流値が２００ｍＡ以上までレーザ発振を抑制できた。
斜角度αをダブルヘテロ接合面に平行な水平面方向に１
５度だけ傾斜させた傾斜面で形成しており、その結果、
電流値が２００ｍＡ以上までレーザ発振を抑制できた。
【００１８】以上のように、後方端面１２において、活
性領域のダブルヘテロ接合面に平行な水平面方向にわず
かな傾斜角度αを設けるだけで反射率を極めて小さくす
ることができ、動作特性を安定化させることができる。
性領域のダブルヘテロ接合面に平行な水平面方向にわず
かな傾斜角度αを設けるだけで反射率を極めて小さくす
ることができ、動作特性を安定化させることができる。
【００１９】図３及び図４は、本発明の別の実施例の端
面放射型発光半導体装置の要部を示すものであり、特徴
とするところは、電流非注入領域１１をストライプ９の
後方に設け、この電流非注入領域１１の後方の後方端面
１２を傾斜させて形成している点である。
面放射型発光半導体装置の要部を示すものであり、特徴
とするところは、電流非注入領域１１をストライプ９の
後方に設け、この電流非注入領域１１の後方の後方端面
１２を傾斜させて形成している点である。
【００２０】この電流非注入領域１１は、Ｎ型ＧａＡｓ
ブロック層６のエッチングによる除去を光出射の前方部
のみに行い、後方部はＮ型ＧａＡｓブロック層６を残す
ことにより、容易に作製できる。そして、該電流非注入
領域１１では、光吸収性基板であるＮ型ＧａＡｓブロッ
ク層６とＧａＡｌＡｓ活性層４との距離の違いによる屈
折率の差が生じず、第１の実施例の場合と異なり光の閉
じ込め効果がない。一方、後方端面１２は水平傾斜角が
第１の実施例と同じ１５度とし、また、電流非注入領域
１１の長さは８０μｍとした。この場合、ストライプ９
の後端から光ビームは広がりながら進行し後方端面１２
で反射するので、上記構成によれば、活性領域のダブル
ヘテロ接合面と平行な水平面方向に後方端面１２を第１
の実施例よりわずかな傾斜角度を設けるだけで反射率を
極めて小さくすることができ、また、反射面状態の影響
によるばらつきが極めて小さくなり、第１の実施例に比
べて製造における再現性を改善できる。
ブロック層６のエッチングによる除去を光出射の前方部
のみに行い、後方部はＮ型ＧａＡｓブロック層６を残す
ことにより、容易に作製できる。そして、該電流非注入
領域１１では、光吸収性基板であるＮ型ＧａＡｓブロッ
ク層６とＧａＡｌＡｓ活性層４との距離の違いによる屈
折率の差が生じず、第１の実施例の場合と異なり光の閉
じ込め効果がない。一方、後方端面１２は水平傾斜角が
第１の実施例と同じ１５度とし、また、電流非注入領域
１１の長さは８０μｍとした。この場合、ストライプ９
の後端から光ビームは広がりながら進行し後方端面１２
で反射するので、上記構成によれば、活性領域のダブル
ヘテロ接合面と平行な水平面方向に後方端面１２を第１
の実施例よりわずかな傾斜角度を設けるだけで反射率を
極めて小さくすることができ、また、反射面状態の影響
によるばらつきが極めて小さくなり、第１の実施例に比
べて製造における再現性を改善できる。
【００２１】なお、上記各実施例は、ＧａＡｌＡｓ／Ｇ
ａＡｓ系の端面放射型発光半導体装置について述べた
が、本発明はＩｎＰ系や他の材料系を用いた端面放射型
発光半導体装置についても同様の効果が得られることは
言うまでもない。
ａＡｓ系の端面放射型発光半導体装置について述べた
が、本発明はＩｎＰ系や他の材料系を用いた端面放射型
発光半導体装置についても同様の効果が得られることは
言うまでもない。
【００２２】
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る発明の端
面放射型発光半導体装置によれば、後方端面をダブルヘ
テロ接合と平行な面方向に傾斜させるという簡単な構成
により、反射率を極めて小さく抑制することができ、簡
単なプロセス加工によって動作特性を格段に安定化でき
るので、その工業的価値は大といえる。
面放射型発光半導体装置によれば、後方端面をダブルヘ
テロ接合と平行な面方向に傾斜させるという簡単な構成
により、反射率を極めて小さく抑制することができ、簡
単なプロセス加工によって動作特性を格段に安定化でき
るので、その工業的価値は大といえる。
【００２３】また、請求項２に係る発明の端面放射型発
光半導体装置によれば、ストライプ状の活性領域の後方
に電流非注入領域を形成して光導波路構造を有しない領
域を設けることにより、ストライプ端から後方端面まで
の間に光ビームが広がり、後方端面での反射光がストラ
イプに帰還されず、実効的に後方反射率をほぼゼロに抑
制することができる。また、上記後方端面のわずかな傾
斜角度で反射率を極めて小さくすることができ、しか
も、反射面状態の影響によるばらつきが極めて小さくな
り、製造における再現性を改善することができる。
光半導体装置によれば、ストライプ状の活性領域の後方
に電流非注入領域を形成して光導波路構造を有しない領
域を設けることにより、ストライプ端から後方端面まで
の間に光ビームが広がり、後方端面での反射光がストラ
イプに帰還されず、実効的に後方反射率をほぼゼロに抑
制することができる。また、上記後方端面のわずかな傾
斜角度で反射率を極めて小さくすることができ、しか
も、反射面状態の影響によるばらつきが極めて小さくな
り、製造における再現性を改善することができる。
【図１】本発明の第１の実施例の端面放射型発光半導体
装置の要部平面図である。
装置の要部平面図である。
【図２】本発明の第１の実施例の端面放射型発光半導体
装置の要部断面図である。
装置の要部断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例の端面放射型発光半導体
装置の要部平面図である。
装置の要部平面図である。
【図４】本発明の第２の実施例の端面放射型発光半導体
装置の要部断面図である。
装置の要部断面図である。
【図５】従来の端面放射型発光半導体装置の要部平面図
である。
である。
【図６】従来の端面放射型発光半導体装置の要部断面図
である。
である。
【図７】従来の他の端面放射型発光半導体装置の要部縦
断面図である。
断面図である。
【図８】従来の他の端面放射型発光半導体装置の要部横
断面図である。
断面図である。
【符号の説明】 １ Ｎ側電極 ２ Ｎ型ＧａＡｓコンタクト層 ３ Ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層 ４ ＧａＡｌＡｓ活性層 ５ Ｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層 ６ Ｎ型ＧａＡｓブロック層 ７ Ｐ型ＧａＡｓ半導体基板 ８ Ｐ側電極 ９ ストライプ １１ 電流非注入領域 １２ 後方端面
Claims (2)
- 【請求項１】 光誘導増幅を行なうストライプ状の活性
領域を有する端面放射型発光半導体装置において、 後方端面が、上記活性領域のダブルヘテロ接合面と平行
な面方向に所定角度でもって傾斜した傾斜面で形成され
ていることを特徴とする端面放射型発光半導体装置。 - 【請求項２】 ストライプ状の活性領域の後方には、ダ
ブルヘテロ接合面と平行で、かつ、光伝搬方向と直交す
る横方向に電流非注入領域が形成されていることを特徴
とする請求項１記載の端面放射型発光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24382291A JPH0582836A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 端面放射型発光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24382291A JPH0582836A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 端面放射型発光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582836A true JPH0582836A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17109446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24382291A Withdrawn JPH0582836A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 端面放射型発光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582836A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5955748A (en) * | 1994-07-19 | 1999-09-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | End face light emitting type light emitting diode |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP24382291A patent/JPH0582836A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5955748A (en) * | 1994-07-19 | 1999-09-21 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | End face light emitting type light emitting diode |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6768758B1 (en) | Semiconductor laser, semiconductor optical amplifier, and production method thereof | |
| US6593602B2 (en) | Edge emission type semiconductor device for emitting super luminescent light, its manufacture and spatial optical communication device | |
| JP3153727B2 (ja) | スーパールミネッセントダイオード | |
| JPH0497206A (ja) | 半導体光素子 | |
| US5252513A (en) | Method for forming a laser and light detector on a semiconductor substrate | |
| US5136604A (en) | Apparatus and method for detecting the power level in single and multi-stripe integrated lasers | |
| KR950006316B1 (ko) | 반도체레이저 | |
| JP2022501815A (ja) | 利得導波型半導体レーザおよびその製造方法 | |
| JPS60124983A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| KR20050076825A (ko) | 반도체 레이저 장치 및 이것을 이용한 광 픽업 장치 | |
| JPH05167197A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2000269600A (ja) | 高出力広帯域光源及び光増幅デバイス | |
| JPH0582836A (ja) | 端面放射型発光半導体装置 | |
| JP3040273B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPS61290787A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0319292A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2846668B2 (ja) | ブロードエリアレーザ | |
| JPH0448792A (ja) | 窓領域を有する半導体能動光素子 | |
| JPH11330540A (ja) | スーパールミネッセントダイオード | |
| JP2806094B2 (ja) | スーパ・ルミネッセント・ダイオード | |
| JPS63278290A (ja) | 半導体レ−ザおよびその使用方法 | |
| JP2025174176A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH04215484A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2010153451A (ja) | 半導体レーザ，およびこれを備えたラマン増幅器 | |
| JPH09232669A (ja) | 半導体発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |