JPH0584663B2 - - Google Patents
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- JPH0584663B2 JPH0584663B2 JP61041428A JP4142886A JPH0584663B2 JP H0584663 B2 JPH0584663 B2 JP H0584663B2 JP 61041428 A JP61041428 A JP 61041428A JP 4142886 A JP4142886 A JP 4142886A JP H0584663 B2 JPH0584663 B2 JP H0584663B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- exposed
- original plate
- exposure apparatus
- substrate
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の分野］
本発明は、被露光体に原板上のパターン像、例
えば半導体回路を焼付ける露光装置に関し、特に
大画面を分割焼きする分割露光形として好適な露
光装置に関する。
えば半導体回路を焼付ける露光装置に関し、特に
大画面を分割焼きする分割露光形として好適な露
光装置に関する。
［従来の技術の説明］
ミラープロジエクシヨン方式の半導体焼付装置
においては、マスクと基板（またはウエハ）をキ
ヤリツジ上に乗せこれを露光面上にスキヤン移動
させることにより画面全体を露光している。
においては、マスクと基板（またはウエハ）をキ
ヤリツジ上に乗せこれを露光面上にスキヤン移動
させることにより画面全体を露光している。
しかし、最近の傾向として、チツプコストの低
減を目的としたウエハの大口径化や液晶TV用等
の大型の液晶表示板の製造のため、画面が大型化
してくると、露光範囲を大きくし、かつスキヤン
長を伸ばさなければならないことにより装置が大
型化してくるという問題があつた。
減を目的としたウエハの大口径化や液晶TV用等
の大型の液晶表示板の製造のため、画面が大型化
してくると、露光範囲を大きくし、かつスキヤン
長を伸ばさなければならないことにより装置が大
型化してくるという問題があつた。
この対策として、画面を分割してスキヤン焼き
を複数回に分けて行なうステツプアンドスキヤン
焼方式が考えられている。
を複数回に分けて行なうステツプアンドスキヤン
焼方式が考えられている。
第３図は、このようなステツプアンドスキヤン
形の露光装置として本発明者等が先に提案したも
のの構成を示す。同図において、１は焼付パター
ンが形成されているフオトマスク、２はマスク１
を搭載してＸ，Ｙ，θ方向に移動可能なマスクス
テージである。３は液晶表示板を製造するために
その表面に多数の画素とこれらの画素のオン・オ
フを制御するためのスイツチングトランジスタが
通常のフオトリソグラフイの手順で形成されるガ
ラス基板で、対角線の長さが14インチ程度の方形
である。４は基板３を保持してＸ，Ｙ，θ方向に
移動可能な基板ステージである。基板ステージ４
のステツプ移動は不図示のレーザ干渉計を用いた
精密測長システムによつて制御される。５は凹面
鏡と凸面鏡の組み合せからなる周知のミラー投影
系で、マスクステージ２によつて所定位置にアラ
イメントされたマスク１のパターン像を基板３上
へ等倍投影する。６は不図示の光源からの特定の
波長の光で露光位置にあるマスク１を照明する照
明光学系で、マスク上のパターンを介して基板３
上の感光層を露光することにより、マスク上のパ
ターンを基板３に転写可能とするためのものであ
る。なお、投影系５の光軸は照明系６の光軸と一
致させてある。
形の露光装置として本発明者等が先に提案したも
のの構成を示す。同図において、１は焼付パター
ンが形成されているフオトマスク、２はマスク１
を搭載してＸ，Ｙ，θ方向に移動可能なマスクス
テージである。３は液晶表示板を製造するために
その表面に多数の画素とこれらの画素のオン・オ
フを制御するためのスイツチングトランジスタが
通常のフオトリソグラフイの手順で形成されるガ
ラス基板で、対角線の長さが14インチ程度の方形
である。４は基板３を保持してＸ，Ｙ，θ方向に
移動可能な基板ステージである。基板ステージ４
のステツプ移動は不図示のレーザ干渉計を用いた
精密測長システムによつて制御される。５は凹面
鏡と凸面鏡の組み合せからなる周知のミラー投影
系で、マスクステージ２によつて所定位置にアラ
イメントされたマスク１のパターン像を基板３上
へ等倍投影する。６は不図示の光源からの特定の
波長の光で露光位置にあるマスク１を照明する照
明光学系で、マスク上のパターンを介して基板３
上の感光層を露光することにより、マスク上のパ
ターンを基板３に転写可能とするためのものであ
る。なお、投影系５の光軸は照明系６の光軸と一
致させてある。
７はＹ方向（紙面に垂直な方向）に設けられた
２つのガイドレール８に沿つて移動可能なLAB
（リニアエアベアリング）で、一方はＸ方向（紙
面の左右方向）、Ｚ方向（紙面の上下方向）拘束
タイプ、他方はＺ方向拘束タイプである。９はマ
スクステージ２と基板ステージ４を一定の関係で
保持するホルダ（キヤリツジ）で、LAB７に支
持されることによりマスクステージ２上のマスク
１と基板ステージ４上の基板３とを一体的に移送
可能としている。
２つのガイドレール８に沿つて移動可能なLAB
（リニアエアベアリング）で、一方はＸ方向（紙
面の左右方向）、Ｚ方向（紙面の上下方向）拘束
タイプ、他方はＺ方向拘束タイプである。９はマ
スクステージ２と基板ステージ４を一定の関係で
保持するホルダ（キヤリツジ）で、LAB７に支
持されることによりマスクステージ２上のマスク
１と基板ステージ４上の基板３とを一体的に移送
可能としている。
１１は各マスクを順次マスクステージ２へ搬送
するためのマスク搬送装置、１２は投影系５のピ
ント面と基板３の表面との間隔を検出するための
ギヤツプセンサで、例えばエアマイクロセンサ
や、基板３からの反射光で間隔を検出する光電タ
イプのセンサである。１３は投影系５、照明系６
およびガイドレール８を一定の関係で取り付ける
ための基台である。
するためのマスク搬送装置、１２は投影系５のピ
ント面と基板３の表面との間隔を検出するための
ギヤツプセンサで、例えばエアマイクロセンサ
や、基板３からの反射光で間隔を検出する光電タ
イプのセンサである。１３は投影系５、照明系６
およびガイドレール８を一定の関係で取り付ける
ための基台である。
同図の装置においては、基板３表面を例えば４
つの被露光領域に分割し、これらの被露光領域を
基板ステージ４のステツプ移動によりマスク１お
よび投影光学系５下の露光領域に順番に送り込ん
で４回のマスクパターンの露光を行ない、基板３
の全面に液晶表示板の１レイヤ分のパターンを焼
付ける。そして、このステツプアンドスキヤン焼
きをより高速かつ高精度に行なう目的で、キヤリ
ツジ９に基板ステージ４を搭載している。
つの被露光領域に分割し、これらの被露光領域を
基板ステージ４のステツプ移動によりマスク１お
よび投影光学系５下の露光領域に順番に送り込ん
で４回のマスクパターンの露光を行ない、基板３
の全面に液晶表示板の１レイヤ分のパターンを焼
付ける。そして、このステツプアンドスキヤン焼
きをより高速かつ高精度に行なう目的で、キヤリ
ツジ９に基板ステージ４を搭載している。
ところで、この基板ステージ４は例えば40Kg程
度と比較的重く、一方、キヤリツジ９はマスク１
と基板３とスキヤンさせる際、走行させる必要か
ら軽量化が要求され柔構造となり勝ちであり、か
つLAB７により浮上されている。また、基板ス
テージ４自体もキヤリツジ９に搭載するために軽
量化されており、剛性が小さい。従つて、この装
置において、基板３をステツプ送りするために基
板３を搭載した基板ステージ４を移動させると、
キヤリツジ９の変形、LAB７への負荷の不均一
によるキヤリツジ９の姿勢変動、または基板ステ
ージ４の構造材の変形等により、基板ステージ４
がヨーイングしてマスク１と基板３との間にθ誤
差が発生し、特に、フアーストマスクにおいて
は、分割焼きした各パターン同士で段差や重なり
や逆に隙間が生じるという不都合があつた。ま
た、第２マスク以降であつてもマスク１と基板３
との位置合せ時、θ誤差を補正するためθステー
ジ駆動の時間を要し、スループツト低下の原因と
なる。
度と比較的重く、一方、キヤリツジ９はマスク１
と基板３とスキヤンさせる際、走行させる必要か
ら軽量化が要求され柔構造となり勝ちであり、か
つLAB７により浮上されている。また、基板ス
テージ４自体もキヤリツジ９に搭載するために軽
量化されており、剛性が小さい。従つて、この装
置において、基板３をステツプ送りするために基
板３を搭載した基板ステージ４を移動させると、
キヤリツジ９の変形、LAB７への負荷の不均一
によるキヤリツジ９の姿勢変動、または基板ステ
ージ４の構造材の変形等により、基板ステージ４
がヨーイングしてマスク１と基板３との間にθ誤
差が発生し、特に、フアーストマスクにおいて
は、分割焼きした各パターン同士で段差や重なり
や逆に隙間が生じるという不都合があつた。ま
た、第２マスク以降であつてもマスク１と基板３
との位置合せ時、θ誤差を補正するためθステー
ジ駆動の時間を要し、スループツト低下の原因と
なる。
なお、従来、このような移動ステージの位置を
計測するための精密測長系は、縮小投影光学系を
用いたステツパと呼ばれる露光装置に見られる
が、このステツパにおいては、レーザ光線反射用
のスコヤはXYステージに取り付けられていた。
これは、ステツプ送りによる被露光体のヨーイン
グは、ステージのガイド等の機械精度により定ま
るものであり、ガイド等の剛性や工作精度を上げ
ることにより防止すべきものと考えられていたた
めである。
計測するための精密測長系は、縮小投影光学系を
用いたステツパと呼ばれる露光装置に見られる
が、このステツパにおいては、レーザ光線反射用
のスコヤはXYステージに取り付けられていた。
これは、ステツプ送りによる被露光体のヨーイン
グは、ステージのガイド等の機械精度により定ま
るものであり、ガイド等の剛性や工作精度を上げ
ることにより防止すべきものと考えられていたた
めである。
本発明者等は、前述の問題点に対処すべく、従
来θおよびXYステージのうちXYステージ上に
取付けられていたレーザ測長用スコヤをθステー
ジに取付け、かつこのレーザ測長結果に基づいて
XYステージを移動する際のヨーイングをθステ
ージを駆動することにより補正する手段を設け、
これにより、ステージのヨーイングに起因するパ
ターンずれの防止を可能とした露光装置を案出し
先に出願した（特願昭60−90893号）。
来θおよびXYステージのうちXYステージ上に
取付けられていたレーザ測長用スコヤをθステー
ジに取付け、かつこのレーザ測長結果に基づいて
XYステージを移動する際のヨーイングをθステ
ージを駆動することにより補正する手段を設け、
これにより、ステージのヨーイングに起因するパ
ターンずれの防止を可能とした露光装置を案出し
先に出願した（特願昭60−90893号）。
しかし、この先願の露光装置においては、基板
をθステージに搭載する前の事前位置決めの回転
方向の精度が悪く、基板をマスクに位置合せする
ためθ方向に大きく回転させた場合、レーザ光の
スコヤでの反射光の向きが大きくずれてしまいレ
ーザ干渉計に戻らない事態（レーザエラー）が発
生するという問題点があつた。
をθステージに搭載する前の事前位置決めの回転
方向の精度が悪く、基板をマスクに位置合せする
ためθ方向に大きく回転させた場合、レーザ光の
スコヤでの反射光の向きが大きくずれてしまいレ
ーザ干渉計に戻らない事態（レーザエラー）が発
生するという問題点があつた。
［発明の目的］
本発明は、前述の問題点に鑑み、露光装置にお
いて、上記先願と同様に原板または被露光体等の
物体を搭載したステージを移動する際の該ステー
ジのヨーイングを検知して自動的に補正すること
により、このヨーイングに基因する焼付けパター
ンのずれを防止することを第１の目的とする。
いて、上記先願と同様に原板または被露光体等の
物体を搭載したステージを移動する際の該ステー
ジのヨーイングを検知して自動的に補正すること
により、このヨーイングに基因する焼付けパター
ンのずれを防止することを第１の目的とする。
さらに、第１工程によつて焼付けられたパター
ンに対し、重ね合わせ焼付けを行なう第２工程以
降のマスクと基板のアライメントを行なう際に、
事前位置決めされた基板の回転方向の位置決め精
度が悪く基板をマスクに位置合わせするために、
ステージを回転方向に大きく回転する必要がある
場合等、ステージを回転方向に大きく回転する必
要が生じた場合にもレーザエラーが生じないよう
にすること、すなわちヨーイング補正を可能とす
ることを第２の目的とする。
ンに対し、重ね合わせ焼付けを行なう第２工程以
降のマスクと基板のアライメントを行なう際に、
事前位置決めされた基板の回転方向の位置決め精
度が悪く基板をマスクに位置合わせするために、
ステージを回転方向に大きく回転する必要がある
場合等、ステージを回転方向に大きく回転する必
要が生じた場合にもレーザエラーが生じないよう
にすること、すなわちヨーイング補正を可能とす
ることを第２の目的とする。
［実施例の説明］
以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。なお、従来例と共通または対応する部分につ
いては同一の符号で表わす。
る。なお、従来例と共通または対応する部分につ
いては同一の符号で表わす。
第１図は、本発明の一実施例に係るミラープロ
ジエクシヨン形露光装置の基板ステージ４部分を
Ｙ方向へ見た概略断面図、第２図はこの基板ステ
ージ４およびレーザ干渉計の配置を示す概略上面
図である。
ジエクシヨン形露光装置の基板ステージ４部分を
Ｙ方向へ見た概略断面図、第２図はこの基板ステ
ージ４およびレーザ干渉計の配置を示す概略上面
図である。
図において、４１は基板３を基板ステージ４上
に保持するためのチヤツク兼、回転可能範囲の広
い第１のθテーブルである。４２は基板３をチヤ
ツク兼第１のθテーブル４１ごと回転させる。回
転可能範囲の狭い第２のθテーブルである。第１
のθテーブルは第２のθテーブルに対しボールベ
アリングを介して回転自在に取り付けられてい
る。４３はスコヤ（Ｌ形ミラー）である。４４は
XYテーブルで、第２のθテーブル４２はこの
XYテーブル４４に対しボールベアリングを介し
て回転自在に取り付けられている。４５は基板３
をＺ方向に移動してフオーカス調整やチルト調整
を行なうためのアクチユエータで、圧電素子等か
らなる。４６はＹスライダで、図示しないモータ
で駆動されるボールネジ４７の回転に応じてＸス
ライダ４８上に形成されたＹガイド４９に沿つて
Ｙ方向に移動する。XYテーブル４４は、アクチ
ユエータ４５を介してこのＹスライダ４６に固定
されている。５０はＹスライダ４６をＹガイド４
９に沿わせるための摺動駒である。また、XYス
ライダ４８は、キヤリツジ９のベース部９１上面
にＸ方向に形成されているＸガイド５１に沿つ
て、図示しないモータで駆動されるボールネジ５
２の回転に応じてＸ方向に移動する。なお、第１
図ではＸスライダ４８の下半分からキヤリツジベ
ース９１へかけての部分は一部Ｘ方向から見た断
面を現わしてある。
に保持するためのチヤツク兼、回転可能範囲の広
い第１のθテーブルである。４２は基板３をチヤ
ツク兼第１のθテーブル４１ごと回転させる。回
転可能範囲の狭い第２のθテーブルである。第１
のθテーブルは第２のθテーブルに対しボールベ
アリングを介して回転自在に取り付けられてい
る。４３はスコヤ（Ｌ形ミラー）である。４４は
XYテーブルで、第２のθテーブル４２はこの
XYテーブル４４に対しボールベアリングを介し
て回転自在に取り付けられている。４５は基板３
をＺ方向に移動してフオーカス調整やチルト調整
を行なうためのアクチユエータで、圧電素子等か
らなる。４６はＹスライダで、図示しないモータ
で駆動されるボールネジ４７の回転に応じてＸス
ライダ４８上に形成されたＹガイド４９に沿つて
Ｙ方向に移動する。XYテーブル４４は、アクチ
ユエータ４５を介してこのＹスライダ４６に固定
されている。５０はＹスライダ４６をＹガイド４
９に沿わせるための摺動駒である。また、XYス
ライダ４８は、キヤリツジ９のベース部９１上面
にＸ方向に形成されているＸガイド５１に沿つ
て、図示しないモータで駆動されるボールネジ５
２の回転に応じてＸ方向に移動する。なお、第１
図ではＸスライダ４８の下半分からキヤリツジベ
ース９１へかけての部分は一部Ｘ方向から見た断
面を現わしてある。
第２図において、６１，６２はそれぞれ基板ス
テージ４のＸ座標読取り用のレーザ干渉計、６３
は基板ステージ４のＹ座標読取り用のレーザ干渉
計である。
テージ４のＸ座標読取り用のレーザ干渉計、６３
は基板ステージ４のＹ座標読取り用のレーザ干渉
計である。
上記構成によれば、レーザ干渉計６１，６２の
読み、すなわち基準位置からの基板ステージ４の
Ｘ方向移動量をＸ１，Ｘ２、レーザ干渉計６１，
６２間の距離をＬとすれば、ヨーイング角θは、 θ＝tan-1（X1−X2）／Ｌ により求めることができる。
読み、すなわち基準位置からの基板ステージ４の
Ｘ方向移動量をＸ１，Ｘ２、レーザ干渉計６１，
６２間の距離をＬとすれば、ヨーイング角θは、 θ＝tan-1（X1−X2）／Ｌ により求めることができる。
従つて、ステツプ移動後のヨーイング角θを補
正するためと、事前位置決めされた基板の回転方
向の位置決め精度が悪く、基板をフオトマスクに
位置合わせするため、ステージを回転方向に回転
補正をする際に、第１のθテーブル４１および第
２のθテーブル４２をそれぞれ回転し、さらに必
要に応じてXYテーブル４４を移動してXY方向
の位置を補正することにより基板ステージ４をよ
り高精度に位置決めすることができる。
正するためと、事前位置決めされた基板の回転方
向の位置決め精度が悪く、基板をフオトマスクに
位置合わせするため、ステージを回転方向に回転
補正をする際に、第１のθテーブル４１および第
２のθテーブル４２をそれぞれ回転し、さらに必
要に応じてXYテーブル４４を移動してXY方向
の位置を補正することにより基板ステージ４をよ
り高精度に位置決めすることができる。
なお、先願（特願昭60−90893号）と、本実施
例との差異は、先願においてはXYテーブル上に
ひとつのθステージしかなく、レーザ測長用のス
コヤはθステージ上に載置されていた。その結
果、事前位置決めされた基板の回転方向の位置決
め精度が高く、マスクと基板との位置合わせの際
のθステージの回転角度が小さいときはヨーイン
グ補正のための回転量は通常10″程度と非常に小
さいことにより、レーザ測長が可能であり、精度
良く補正することができる。しかし、事前位置決
めされた基板の回転方向の位置決め精度が悪く、
基板をフオトマスクに位置合わせするためにステ
ージを回転方向に大きく（例えば0.15゜）回転補
正した場合にはスコヤで反射されたレーザ光線が
干渉計のデイテクタに戻つてこないためレーザエ
ラーが発生し、レーザ測長が不可能になる。
例との差異は、先願においてはXYテーブル上に
ひとつのθステージしかなく、レーザ測長用のス
コヤはθステージ上に載置されていた。その結
果、事前位置決めされた基板の回転方向の位置決
め精度が高く、マスクと基板との位置合わせの際
のθステージの回転角度が小さいときはヨーイン
グ補正のための回転量は通常10″程度と非常に小
さいことにより、レーザ測長が可能であり、精度
良く補正することができる。しかし、事前位置決
めされた基板の回転方向の位置決め精度が悪く、
基板をフオトマスクに位置合わせするためにステ
ージを回転方向に大きく（例えば0.15゜）回転補
正した場合にはスコヤで反射されたレーザ光線が
干渉計のデイテクタに戻つてこないためレーザエ
ラーが発生し、レーザ測長が不可能になる。
これに対し、本実施例においては、θステージ
として第１および第２の２つのθテーブル４１お
よび４２を設け、ヨーイング補正は第２のθテー
ブル４２のみを使用してレーザ測長により精度良
く補正する。一方、事前位置決めされた基板の回
転方向の位置決め精度が悪く基板をマスクに位置
合わせをするためにθステージを回転方向に大き
く（例えば0.15゜）回転補正をする必要がある場
合には、マスクと基板に設けられている位置決め
マークを用い光電検出にてマスクと基板の位置ず
れ量を計測しスコヤの取り付けていない第１のθ
テーブル４１を、パルスモータを用いたオープン
制御方式にて計測により求めたθずれ量に対応す
る所定の量だけ回転補正する。次いで第２のθテ
ーブル４２を用い、光電検出とレーザ測長により
精度良く、回転方向の位置決めを行なう。この場
合、例えば第２のθテーブル４２を標準位置（ス
コヤ４３がデイテクタ６１〜６３に正対する位
置）に設定したときθずれ量が最小となる値を選
択することにより、上記所定の量として第２のθ
テーブル４２の最終的な回転方向への移動量は、
第１のθテーブル４１のパルスモータによる単位
パルス当りの駆動量程度以下となり、この結果レ
ーザエラーは発生しなくなる。
として第１および第２の２つのθテーブル４１お
よび４２を設け、ヨーイング補正は第２のθテー
ブル４２のみを使用してレーザ測長により精度良
く補正する。一方、事前位置決めされた基板の回
転方向の位置決め精度が悪く基板をマスクに位置
合わせをするためにθステージを回転方向に大き
く（例えば0.15゜）回転補正をする必要がある場
合には、マスクと基板に設けられている位置決め
マークを用い光電検出にてマスクと基板の位置ず
れ量を計測しスコヤの取り付けていない第１のθ
テーブル４１を、パルスモータを用いたオープン
制御方式にて計測により求めたθずれ量に対応す
る所定の量だけ回転補正する。次いで第２のθテ
ーブル４２を用い、光電検出とレーザ測長により
精度良く、回転方向の位置決めを行なう。この場
合、例えば第２のθテーブル４２を標準位置（ス
コヤ４３がデイテクタ６１〜６３に正対する位
置）に設定したときθずれ量が最小となる値を選
択することにより、上記所定の量として第２のθ
テーブル４２の最終的な回転方向への移動量は、
第１のθテーブル４１のパルスモータによる単位
パルス当りの駆動量程度以下となり、この結果レ
ーザエラーは発生しなくなる。
［発明の適用例］
なお、上述においては、本発明をミラープロジ
エクシヨン方式の露光装置に適用した例について
説明したが、本発明は一括または分割露光方式の
他の装置例えばプロミキシミテイもしくはコンタ
クト方式の露光装置または前述のステツパに適用
することも可能である。例えば本発明をステツパ
に適用した場合、フアーストマスク焼付けや第２
マスク以降であつても特にレーザ干渉計の読みを
頼りにステツプ送りを行なういわゆるグローバル
アライメントやゾーンアライメント時のステツプ
送り精度の向上を図ることができる。
エクシヨン方式の露光装置に適用した例について
説明したが、本発明は一括または分割露光方式の
他の装置例えばプロミキシミテイもしくはコンタ
クト方式の露光装置または前述のステツパに適用
することも可能である。例えば本発明をステツパ
に適用した場合、フアーストマスク焼付けや第２
マスク以降であつても特にレーザ干渉計の読みを
頼りにステツプ送りを行なういわゆるグローバル
アライメントやゾーンアライメント時のステツプ
送り精度の向上を図ることができる。
［発明の効果］
以上ように、本発明によると、被露光体例えば
基板の回転方向の誤差を補正するためのθステー
ジにレーザ測長用のスコヤを載置しているため、
基板ステージのヨーイングによる基板そのものの
θ誤差を検出することが可能となり、基板のステ
ツプ送りをより高精度化することができる。ま
た、θステージを、被露光体を搭載する第１のθ
ステージと、これらの被露光体と第１のθステー
ジとを搭載する第２のθステージとに分割し、第
２のθステージに上記スコヤを載置するとともに
原板と被露光体との相対位置合せ時、少なくとも
相対的に大巾なθずれ補正は第１のθステージを
回転して行ない、第２のθステージはヨーイング
の補正および必要に応じて位置合せ時のより高精
度のθ補正に用いているため、第２のθステージ
の回転量を減少させることができ、レーザエラー
を防止することができる。
基板の回転方向の誤差を補正するためのθステー
ジにレーザ測長用のスコヤを載置しているため、
基板ステージのヨーイングによる基板そのものの
θ誤差を検出することが可能となり、基板のステ
ツプ送りをより高精度化することができる。ま
た、θステージを、被露光体を搭載する第１のθ
ステージと、これらの被露光体と第１のθステー
ジとを搭載する第２のθステージとに分割し、第
２のθステージに上記スコヤを載置するとともに
原板と被露光体との相対位置合せ時、少なくとも
相対的に大巾なθずれ補正は第１のθステージを
回転して行ない、第２のθステージはヨーイング
の補正および必要に応じて位置合せ時のより高精
度のθ補正に用いているため、第２のθステージ
の回転量を減少させることができ、レーザエラー
を防止することができる。
さらに、本発明をマスク等の原板を搭載するス
テージに適用すれば、原板を保管場所から露光位
置に搬送する際のヨーイングを検出し補正するこ
とが可能であり、マスクの交換や露光位置への設
定をより高速かつ高精度に行なうことが可能とな
る。またレーザエラーも防止することができる。
テージに適用すれば、原板を保管場所から露光位
置に搬送する際のヨーイングを検出し補正するこ
とが可能であり、マスクの交換や露光位置への設
定をより高速かつ高精度に行なうことが可能とな
る。またレーザエラーも防止することができる。
第１図は本発明の一実施例に係る半導体焼付装
置の基板ステージ部分の概略構成図、第２図は第
１図の基板ステージとレーザ干渉計の配置図、第
３図は本発明者等の先願に係る半導体焼付装置の
概略構成図である。 １：フオトマスク、２：マスクステージ、３：
基板、４：基板ステージ、５：ミラー投影系、
９：ホルダ（キヤリツジ）、１３：基台、４１：
第１のθテーブル、４２：第２のθテーブル、４
３：スコヤ、４４：XYテーブル、６１，６２，
６３：レーザ干渉計。
置の基板ステージ部分の概略構成図、第２図は第
１図の基板ステージとレーザ干渉計の配置図、第
３図は本発明者等の先願に係る半導体焼付装置の
概略構成図である。 １：フオトマスク、２：マスクステージ、３：
基板、４：基板ステージ、５：ミラー投影系、
９：ホルダ（キヤリツジ）、１３：基台、４１：
第１のθテーブル、４２：第２のθテーブル、４
３：スコヤ、４４：XYテーブル、６１，６２，
６３：レーザ干渉計。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 原板または被露光体を搭載して所定の平面内
で回転可能な第１のθステージと、第１のθステ
ージを搭載して上記所定平面と平行な平面内で回
転可能な第２のθステージと、上記原板と被露光
体との相対位置ずれを検出する手段と、該位置ず
れ検出出力を基に第１のθステージを駆動して上
記原板と被露光体との回転方向の位置ずれを所定
精度内に補正する手段と、第１および第２のθス
テージを搭載して上記所定平面と平行に移動可能
なXYステージと、該XYステージの移動による
上記原板または被露光体の移動距離を測長するレ
ーザ干渉計と、第２のθステージ上に載置された
上記レーザ干渉計による測長用のスコヤと、該レ
ーザ干渉計による測長データに基づいて上記XY
ステージを移動する際の上記原板または被露光体
のヨーイングを検知する手段と、該検知結果に基
づいて第２のθステージを駆動し上記ヨーイング
を補正する手段とを具備することを特徴とする露
光装置。 ２ 前記第１のθステージが回転可能な角度を相
対的に広く、前記第２のθステージが回転可能な
角度を相対的に狭く設定されている特許請求の範
囲第１項記載の露光装置。 ３ 前記第１のθステージを駆動する手段が単位
パルス当りの駆動量の相対的に大きなパルスモー
タであり、前記第２のθステージを駆動する手段
が単位パルス当りの駆動量の相対的に小さなパル
スモータである特許請求の範囲第２項記載の露光
装置。 ４ 前記回転方向の位置ずれを、前記第１のθス
テージを駆動する手段が、補正前の前記位置ずれ
検出出力を基にオープン制御して前記所定精度内
に補正した後、前記第２のθステージを駆動する
手段が、前記相対位置ずれ検出手段の逐次の位置
ずれ検出出力を基にさらに高精度に補正する特許
請求の範囲第３項記載の露光装置。 ５ 前記被露光体表面を複数の被露光領域に分割
し、各被露光領域を順番に前記原板の像の投影面
領域に位置させて露光することによりパターン焼
付けを行なう特許請求の範囲第１〜４項のいずれ
か１つに記載の露光装置。 ６ 等倍投影光学系を有し、前記原板と被露光体
とを位置的に整合した後、これらの原板と被露光
体とを上記投影系に対して一体的に走査し露光す
る特許請求の範囲第１〜５項のいずれか１つに記
載の露光装置。 ７ 前記被露光体を所定の間隔でステツプ送りし
ながら該被露光体上に投影光学系を介して前記原
板の像を投影し露光することにより上記被露光体
上に上記原板の像複数個を転写する特許請求の範
囲第１〜５項のいずれか１つに記載の露光装置。 ８ 前記原板と被露光体とを位置的に整合した状
態で近接もしくは密着して露光する特許請求の範
囲第１〜５項のいずれか１つに記載の露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61041428A JPS62200726A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 露光装置 |
| US07/019,663 US4708465A (en) | 1986-02-28 | 1987-02-27 | Exposure apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61041428A JPS62200726A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62200726A JPS62200726A (ja) | 1987-09-04 |
| JPH0584663B2 true JPH0584663B2 (ja) | 1993-12-02 |
Family
ID=12608092
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61041428A Granted JPS62200726A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 露光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4708465A (ja) |
| JP (1) | JPS62200726A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4937618A (en) * | 1984-10-18 | 1990-06-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment and exposure apparatus and method for manufacture of integrated circuits |
| JPH03198320A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-08-29 | Nikon Corp | 投影光学装置 |
| JPH04122013A (ja) * | 1990-09-13 | 1992-04-22 | Canon Inc | 露光装置 |
| NL9100202A (nl) * | 1991-02-05 | 1992-09-01 | Asm Lithography Bv | Lithografische inrichting met een hangende objecttafel. |
| NL9100421A (nl) * | 1991-03-08 | 1992-10-01 | Asm Lithography Bv | Ondersteuningsinrichting met een kantelbare objecttafel alsmede optisch lithografische inrichting voorzien van een dergelijke ondersteuningsinrichting. |
| JP3164960B2 (ja) * | 1994-02-18 | 2001-05-14 | キヤノン株式会社 | ステージ装置 |
| US5573877A (en) * | 1994-03-15 | 1996-11-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exposure method and exposure apparatus |
| US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
| US6989647B1 (en) * | 1994-04-01 | 2006-01-24 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
| US5528118A (en) * | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
| US7365513B1 (en) | 1994-04-01 | 2008-04-29 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
| USRE37762E1 (en) * | 1994-04-12 | 2002-06-25 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus and exposure method |
| US6246204B1 (en) | 1994-06-27 | 2001-06-12 | Nikon Corporation | Electromagnetic alignment and scanning apparatus |
| US5623853A (en) * | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
| US6008500A (en) * | 1995-04-04 | 1999-12-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame |
| TW318255B (ja) | 1995-05-30 | 1997-10-21 | Philips Electronics Nv | |
| US5760564A (en) * | 1995-06-27 | 1998-06-02 | Nikon Precision Inc. | Dual guide beam stage mechanism with yaw control |
| US5835198A (en) * | 1997-01-06 | 1998-11-10 | Etec Systems, Inc. | Articulated platform mechanism for laser pattern generation on a workpiece |
| JP3890136B2 (ja) * | 1997-03-25 | 2007-03-07 | キヤノン株式会社 | 露光装置とこれを用いたデバイス製造方法、ならびにステージ装置 |
| US7417714B2 (en) * | 2004-11-02 | 2008-08-26 | Nikon Corporation | Stage assembly with measurement system initialization, vibration compensation, low transmissibility, and lightweight fine stage |
| CN101460897B (zh) | 2006-06-07 | 2013-03-27 | 株式会社V技术 | 曝光方法以及曝光装置 |
| JP5032821B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2012-09-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板移動装置 |
| JP7222660B2 (ja) | 2018-10-30 | 2023-02-15 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3651401A (en) * | 1970-04-09 | 1972-03-21 | Pylon Co Inc | Article locating and positioning apparatus |
| US3930684A (en) * | 1971-06-22 | 1976-01-06 | Lasch Jr Cecil A | Automatic wafer feeding and pre-alignment apparatus and method |
| US4278348A (en) * | 1979-11-26 | 1981-07-14 | Quintel Corporation | Locking mechanism for use in a chuck for an optical alignment and exposure apparatus |
| US4376581A (en) * | 1979-12-20 | 1983-03-15 | Censor Patent- Und Versuchs-Anstalt | Method of positioning disk-shaped workpieces, preferably semiconductor wafers |
| US4669867A (en) * | 1984-02-20 | 1987-06-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Alignment and exposure apparatus |
| US4669866A (en) * | 1985-01-28 | 1987-06-02 | Phillips Edward H | Step-and-repeat alignment and exposure system and method therefore |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP61041428A patent/JPS62200726A/ja active Granted
-
1987
- 1987-02-27 US US07/019,663 patent/US4708465A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4708465A (en) | 1987-11-24 |
| JPS62200726A (ja) | 1987-09-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |