JPH058495B2 - - Google Patents
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- JPH058495B2 JPH058495B2 JP58216863A JP21686383A JPH058495B2 JP H058495 B2 JPH058495 B2 JP H058495B2 JP 58216863 A JP58216863 A JP 58216863A JP 21686383 A JP21686383 A JP 21686383A JP H058495 B2 JPH058495 B2 JP H058495B2
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- recording
- optical
- recording medium
- spot
- objective lens
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Recording Or Reproduction (AREA)
- Optical Head (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光学式記録媒体に光学的に信号を記録
する方法に関する。
する方法に関する。
背景技術とその問題点
光学式デイスク、光学式カード等の光学式記録
媒体に、信号で変調されたビームを照射して光学
的にその信号を記録する場合、従来は光学式記録
媒体に対する信号の記録密度の向上を図るため
に、記録媒体にビームの照射によつて形成される
スポツト状記録痕跡の径を可及的に小さくしてい
た。
媒体に、信号で変調されたビームを照射して光学
的にその信号を記録する場合、従来は光学式記録
媒体に対する信号の記録密度の向上を図るため
に、記録媒体にビームの照射によつて形成される
スポツト状記録痕跡の径を可及的に小さくしてい
た。
しかし、この記録痕跡の径を小さくすればする
程、高度なフオーカシング及びトラツキングサー
ボ手段並びに誤り訂正及び修整手段が必要となつ
て来る。
程、高度なフオーカシング及びトラツキングサー
ボ手段並びに誤り訂正及び修整手段が必要となつ
て来る。
そこで、逆に、フオーカシング及びトラツキン
グサーボ手段並びに誤り訂正及び修整手段の簡易
化を図ろうとすると、必然的に記録痕跡の径を大
きくしなければならない。
グサーボ手段並びに誤り訂正及び修整手段の簡易
化を図ろうとすると、必然的に記録痕跡の径を大
きくしなければならない。
この場合、記録痕跡の記録トラツク方向の径を
大きくするのは、記録媒体に対するビームの相対
的移動照射距離を長くすることで、容易に実現で
きる。
大きくするのは、記録媒体に対するビームの相対
的移動照射距離を長くすることで、容易に実現で
きる。
しかし、記録痕跡の記録トラツク方向と直交す
る方向の径を大きくするには、光源からのビーム
のパワーをその径の２乗に比例して大きくしなけ
ればならないが、レーザ光源の出力光パワーには
自ずから限界があるので、現状では実現困難であ
る。
る方向の径を大きくするには、光源からのビーム
のパワーをその径の２乗に比例して大きくしなけ
ればならないが、レーザ光源の出力光パワーには
自ずから限界があるので、現状では実現困難であ
る。
発明の目的
かかる点に鑑み、本発明は、単一のレーザ光源
からのビームの光パワーを増大させることなく、
ビーム照射により光学式記録媒体上に形成される
スポツト状記録痕跡の記録トラツク方向と略直交
する方向の径を、実質的に増大させることのでき
る光学式信号記録方法を提案しようとするもので
ある。
からのビームの光パワーを増大させることなく、
ビーム照射により光学式記録媒体上に形成される
スポツト状記録痕跡の記録トラツク方向と略直交
する方向の径を、実質的に増大させることのでき
る光学式信号記録方法を提案しようとするもので
ある。
発明の概要
本発明による光学式信号記録方法は、光学式記
録媒体にその記録トラツク方向に対し略直交する
方向に、同一の信号で変調され、対物レンズにて
集光された記録可能閾値以上の光パワーを持つ第
１のビームと、その第１のビームの光軸及び対物
レンズに対して夫々斜めに入射する第２のビーム
とから成る少なくとも２本のビームを並べて照射
して信号の記録を行ない、第１及び第２のビーム
の光学式記録媒体上の各スポツト間の距離ｄを ｄ≦2dl （但し、dl＝0.61λ／NA、ここでλは上記ビームの 波長、NAは対物レンズの開口数） に選定したものである。
録媒体にその記録トラツク方向に対し略直交する
方向に、同一の信号で変調され、対物レンズにて
集光された記録可能閾値以上の光パワーを持つ第
１のビームと、その第１のビームの光軸及び対物
レンズに対して夫々斜めに入射する第２のビーム
とから成る少なくとも２本のビームを並べて照射
して信号の記録を行ない、第１及び第２のビーム
の光学式記録媒体上の各スポツト間の距離ｄを ｄ≦2dl （但し、dl＝0.61λ／NA、ここでλは上記ビームの 波長、NAは対物レンズの開口数） に選定したものである。
かかる本発明によれば、単一のレーザ光源から
のビームの光パワーを増大させることなく、ビー
ム照射により光学式記録媒体上に形成されるスポ
ツト状記録痕跡の記録トラツク方向と略直交する
方向の径を、実質的に増大させることのできる光
学式信号記録方法を得ることができる。
のビームの光パワーを増大させることなく、ビー
ム照射により光学式記録媒体上に形成されるスポ
ツト状記録痕跡の記録トラツク方向と略直交する
方向の径を、実質的に増大させることのできる光
学式信号記録方法を得ることができる。
実施例
以下に図面を参照して、本発明の一実施例を詳
細に説明する。先ず、第１図を参照して、本発明
方法を適用した光学式信号記録装置の一例を第１
図を参照して説明する。ある軸AX1上に半導体
レーザ光源１ａ、コリメータレンズ２ａ、偏光ビ
ームスプリツタ３及び対物レンズ（集光レンズ）
４を順次配し、この軸AX1に対し直角に光学式
記録媒体５を配する。かくすると、光源１ａより
の発散レーザビームはコリメータレンズ２ａを通
過することにより平行ビームとなされ、この平行
ビーム（平面波ビーム）が偏光ビームスプリツタ
３を通じて対物レンズ４に入射し、これより集束
ビームBMaが光学式記録媒体５の記録面を照射
する。このビームBMaの光学式記録媒体５の記
録面上のスポツトをSPaとする。
細に説明する。先ず、第１図を参照して、本発明
方法を適用した光学式信号記録装置の一例を第１
図を参照して説明する。ある軸AX1上に半導体
レーザ光源１ａ、コリメータレンズ２ａ、偏光ビ
ームスプリツタ３及び対物レンズ（集光レンズ）
４を順次配し、この軸AX1に対し直角に光学式
記録媒体５を配する。かくすると、光源１ａより
の発散レーザビームはコリメータレンズ２ａを通
過することにより平行ビームとなされ、この平行
ビーム（平面波ビーム）が偏光ビームスプリツタ
３を通じて対物レンズ４に入射し、これより集束
ビームBMaが光学式記録媒体５の記録面を照射
する。このビームBMaの光学式記録媒体５の記
録面上のスポツトをSPaとする。
又、偏光ビームスプリツタ３の反射面（平面）
３ａと直交する面内に於いて軸AX1と直交する
軸AX2を設ける。更に、この軸AX1及び軸AX2
を含む面内に於いて、軸AX2に対し軸AX1寄り
に微小角θをなす軸AX3上に他の半導体レーザ
光源１ｂ、コリメータレンズ２ｂを順次配する。
かくすると、光源１ｂよりの発散レーザビーム
（その偏光方向は光源１ａよりの発散レーザビー
ムの偏光方向に対し直交している）はコリメータ
レンズ２ｂを通過ることにより平行ビームになさ
れ、この平行ビームが偏光ビームスプリツタ３の
反射面３ａで反射した後対物レンズ４に入射し、
これよりの集束ビームBMbが光学式記録媒体５
の記録面に入射する。このビームBMbの光学式
記録媒体５の記録面上のスポツトをSPbとする。
３ａと直交する面内に於いて軸AX1と直交する
軸AX2を設ける。更に、この軸AX1及び軸AX2
を含む面内に於いて、軸AX2に対し軸AX1寄り
に微小角θをなす軸AX3上に他の半導体レーザ
光源１ｂ、コリメータレンズ２ｂを順次配する。
かくすると、光源１ｂよりの発散レーザビーム
（その偏光方向は光源１ａよりの発散レーザビー
ムの偏光方向に対し直交している）はコリメータ
レンズ２ｂを通過ることにより平行ビームになさ
れ、この平行ビームが偏光ビームスプリツタ３の
反射面３ａで反射した後対物レンズ４に入射し、
これよりの集束ビームBMbが光学式記録媒体５
の記録面に入射する。このビームBMbの光学式
記録媒体５の記録面上のスポツトをSPbとする。
又、両半導体レーザ光源１ａ，１ｂは同じ信号
電流で駆動され、従つてビームBMa，BMbは同
じ信号で光変調されたことになる。又、このビー
ムBMa，BMbは夫々記録可能閾値以上のパワー
を持つている。
電流で駆動され、従つてビームBMa，BMbは同
じ信号で光変調されたことになる。又、このビー
ムBMa，BMbは夫々記録可能閾値以上のパワー
を持つている。
両スポツトSPa，SPb間の距離をｄとすると
き、この距離ｄを ｄ≦2dl （但し、dl＝0.61λ／NA、ここでλは両レーザ光源 １ａ，１ｂよりのレーザビームの波長、NAは対
物レンズの開口数） に選定する。dIはデイー・レーリーと呼ばれ、記
録媒体５に入射するビームの中心からの距離に対
する光パワーの分布が、対物レンズ４の存在によ
り第７図に示す如く、エアリー分布となり、その
光パワー第１最小値のときの距離に相当する。第
７図の横軸は距離をdlの倍数で表わしている。こ
の場合記録トラツク方向は紙面に垂直となる。
き、この距離ｄを ｄ≦2dl （但し、dl＝0.61λ／NA、ここでλは両レーザ光源 １ａ，１ｂよりのレーザビームの波長、NAは対
物レンズの開口数） に選定する。dIはデイー・レーリーと呼ばれ、記
録媒体５に入射するビームの中心からの距離に対
する光パワーの分布が、対物レンズ４の存在によ
り第７図に示す如く、エアリー分布となり、その
光パワー第１最小値のときの距離に相当する。第
７図の横軸は距離をdlの倍数で表わしている。こ
の場合記録トラツク方向は紙面に垂直となる。
第２図Ａに上述のビームBMa，BMbのスポツ
トSPa，SPbの配置関係を示し、記録トラツク方
向ｘに対し、直交する方向に配されている。第２
図ＢのRMはこのビームBMa，BMbによつて光
学式記録媒体５上に記録形成されたスポツト状記
録痕跡を示し、同図のSPpは再生ビームのスポツ
トを示す。このスポツトSPpは相隣る記録痕跡
RM上に跨ることがないように、その最小間隔が
設定されている。
トSPa，SPbの配置関係を示し、記録トラツク方
向ｘに対し、直交する方向に配されている。第２
図ＢのRMはこのビームBMa，BMbによつて光
学式記録媒体５上に記録形成されたスポツト状記
録痕跡を示し、同図のSPpは再生ビームのスポツ
トを示す。このスポツトSPpは相隣る記録痕跡
RM上に跨ることがないように、その最小間隔が
設定されている。
因みに、第３図Ａのように、ビームBMa，
BMbのスポツトSPa，SPbを結ぶ直線の記録ト
ラツク方向ｘに対する角度が90°から大幅にずれ
ているときは、第３図Ｂに示す如く相隣る記録痕
跡RM間の最小間隔を第２図Ｂと同じ値に選んで
も、再生ビームのスポツトSPpが相隣る記録痕跡
RMに跨る可能性があり、第３図の場合は第２図
の場合に比し再生の分解能が低下していることが
分る。
BMbのスポツトSPa，SPbを結ぶ直線の記録ト
ラツク方向ｘに対する角度が90°から大幅にずれ
ているときは、第３図Ｂに示す如く相隣る記録痕
跡RM間の最小間隔を第２図Ｂと同じ値に選んで
も、再生ビームのスポツトSPpが相隣る記録痕跡
RMに跨る可能性があり、第３図の場合は第２図
の場合に比し再生の分解能が低下していることが
分る。
次に、記録媒体として、アクリル基板上にTe，
In，Bi，CS2−Te，Te−Ｃ，TeOx等の金属薄
膜を蒸着し、これに上述した如き半導体レーザ光
源を用いた光学式信号記録装置からの信号で変調
された２本の集束レーザビームを照射することに
より金属薄膜の非晶質→結晶の相転移による光反
射率の変化に基づくスポツト状記録痕跡を形成す
るようにした場合に於ける、ビームの光パワーの
記録可能閾値について検討する。
In，Bi，CS2−Te，Te−Ｃ，TeOx等の金属薄
膜を蒸着し、これに上述した如き半導体レーザ光
源を用いた光学式信号記録装置からの信号で変調
された２本の集束レーザビームを照射することに
より金属薄膜の非晶質→結晶の相転移による光反
射率の変化に基づくスポツト状記録痕跡を形成す
るようにした場合に於ける、ビームの光パワーの
記録可能閾値について検討する。
金属薄膜に２本のビームを照射した場合に於け
る熱伝導の方程式は、次式のように表わされる。
但し、Ｔは温度、ｔは時間、Ｕは金属薄膜の熱伝
導率である。
る熱伝導の方程式は、次式のように表わされる。
但し、Ｔは温度、ｔは時間、Ｕは金属薄膜の熱伝
導率である。
∂T／∂T＝Ｕ▽2Ｔ ……(1)
この(1)式を差分方程式に直し、一次元でシユミ
レートした結果を第４図及び第５図に示す。第４
図及び第５図共、横軸は金属薄膜上の２つのビー
ムスポツトの中心からの距離、縦軸は金属薄膜の
温度を示す。第４図は２つのビームスポツトの中
心間距離が０の場合、第５図は1.2dlの場合であ
る。第４図及び第５図に於いて曲線ａ，ｂ，ｃ；
a′，b′，c′は、レーザビームにより金属薄膜に熱
分布が与えられ、その直後から次第に金属薄膜の
熱が崩壊していく過程の一部を順次示したもので
ある。又、曲線Ｓ，S′は夫々曲線ａ，ｂ，ｃ；
a′，b′，c′を含む無数の熱崩解曲線のうちの各距
離に於ける温度の最高値を結んで形成された包絡
線を示している。又、直線L1，L2，L3，；L1′，
L2′，L3′は金属薄膜の光学的特性変化の閾値の
例を示しており、夫々感度が低、中、高の順にな
つており、これの直線上の包絡線Ｓ，S′の幅が金
属薄膜上の２つのスポツト状記録痕跡の記録トラ
ツクと直交する方向の径に対応する。
レートした結果を第４図及び第５図に示す。第４
図及び第５図共、横軸は金属薄膜上の２つのビー
ムスポツトの中心からの距離、縦軸は金属薄膜の
温度を示す。第４図は２つのビームスポツトの中
心間距離が０の場合、第５図は1.2dlの場合であ
る。第４図及び第５図に於いて曲線ａ，ｂ，ｃ；
a′，b′，c′は、レーザビームにより金属薄膜に熱
分布が与えられ、その直後から次第に金属薄膜の
熱が崩壊していく過程の一部を順次示したもので
ある。又、曲線Ｓ，S′は夫々曲線ａ，ｂ，ｃ；
a′，b′，c′を含む無数の熱崩解曲線のうちの各距
離に於ける温度の最高値を結んで形成された包絡
線を示している。又、直線L1，L2，L3，；L1′，
L2′，L3′は金属薄膜の光学的特性変化の閾値の
例を示しており、夫々感度が低、中、高の順にな
つており、これの直線上の包絡線Ｓ，S′の幅が金
属薄膜上の２つのスポツト状記録痕跡の記録トラ
ツクと直交する方向の径に対応する。
次に、ビームスポツト間距離（横軸）に対する
金属薄膜上の２つのスポツト状記録痕跡の記録ト
ラツクと直交する方向の径（ピツト径）（縦軸）
の関係を第６図に示す。ここで第６図の横軸及び
縦軸は夫々距離及び径をdlの倍数で表わしてい
る。尚、第６図では、上述の感度L1（＝L1′），L2
（＝L2′），L3（＝L3′）をパラメータとしている。
又、第６図の縦軸上の「＊」は単一ビームの場合
の上述の各感度L1，L2，L3に於けるピツト径を
示す。第６図に於いて、曲線の白丸の部分は２つ
のビームスポツトが重なり合つて一つになつてい
る部分を、黒丸の部分は２つのビームスポツトが
分離しているが、その各周縁の最短距離d′がd′≦
dlで、そのビームスポツトに基づくスポツト状記
録痕跡が１つの記録痕跡として再生され得る範囲
内にある部分を示す。従つて、第６図から、２つ
のビームスポツト間距離ｄが ｄ≦2dl の範囲で、２つのビームスポツトの記録方向と直
交する方向の径が、１つのビームのスポツトの径
より大となつており、しかもd′≦dlの条件を満足
していることが分る。尚、ｄが0.5dIを越えると、
スポツト径がｄ＝０のときのスポツト径より大と
なるので、効果的である。
金属薄膜上の２つのスポツト状記録痕跡の記録ト
ラツクと直交する方向の径（ピツト径）（縦軸）
の関係を第６図に示す。ここで第６図の横軸及び
縦軸は夫々距離及び径をdlの倍数で表わしてい
る。尚、第６図では、上述の感度L1（＝L1′），L2
（＝L2′），L3（＝L3′）をパラメータとしている。
又、第６図の縦軸上の「＊」は単一ビームの場合
の上述の各感度L1，L2，L3に於けるピツト径を
示す。第６図に於いて、曲線の白丸の部分は２つ
のビームスポツトが重なり合つて一つになつてい
る部分を、黒丸の部分は２つのビームスポツトが
分離しているが、その各周縁の最短距離d′がd′≦
dlで、そのビームスポツトに基づくスポツト状記
録痕跡が１つの記録痕跡として再生され得る範囲
内にある部分を示す。従つて、第６図から、２つ
のビームスポツト間距離ｄが ｄ≦2dl の範囲で、２つのビームスポツトの記録方向と直
交する方向の径が、１つのビームのスポツトの径
より大となつており、しかもd′≦dlの条件を満足
していることが分る。尚、ｄが0.5dIを越えると、
スポツト径がｄ＝０のときのスポツト径より大と
なるので、効果的である。
次に第８図以下を参照して、本発明を適用し得
る光学式記録装置の他の例を説明する。
る光学式記録装置の他の例を説明する。
第８図の装置では、記録トラツク方向に対し平
行で、所定間隔を置いて互いに平行な平面を設け
る。一方の平面内の光学式記録媒体５の記録面に
対し直角な軸上に於いて半導体レーザ光源１ａか
らのレーザビームがコリメータレンズ２ａ、偏光
ビームスプリツタ３、対物レンズ４を順次通じて
光学式記録媒体５上に照射せしめられる。他方の
面内の光学式記録媒体５の記録面に対し平行な軸
上に於いて、半導体レーザ光源１ｂからのレーザ
ビームが、コリメータレンズ２ｂを通じて偏光ビ
ームスプリツタ３に入射し、そこで90°偏光され
て光学式記録媒体５の記録面に対し垂直なビーム
となされた後、対物レンズ４によつて集光され
て、光学式記録媒体５の記録面が照射せしめられ
る。しかして、上述の互いに平行な２つの平面間
の間隔を選定することによつて、記録媒体５の記
録面上に於ける２つのビームスポツトSPa，SPb
間の距離ｄを上述の範囲に設定することができ
る。
行で、所定間隔を置いて互いに平行な平面を設け
る。一方の平面内の光学式記録媒体５の記録面に
対し直角な軸上に於いて半導体レーザ光源１ａか
らのレーザビームがコリメータレンズ２ａ、偏光
ビームスプリツタ３、対物レンズ４を順次通じて
光学式記録媒体５上に照射せしめられる。他方の
面内の光学式記録媒体５の記録面に対し平行な軸
上に於いて、半導体レーザ光源１ｂからのレーザ
ビームが、コリメータレンズ２ｂを通じて偏光ビ
ームスプリツタ３に入射し、そこで90°偏光され
て光学式記録媒体５の記録面に対し垂直なビーム
となされた後、対物レンズ４によつて集光され
て、光学式記録媒体５の記録面が照射せしめられ
る。しかして、上述の互いに平行な２つの平面間
の間隔を選定することによつて、記録媒体５の記
録面上に於ける２つのビームスポツトSPa，SPb
間の距離ｄを上述の範囲に設定することができ
る。
第９図の装置では、レーザ光源として、３つの
レーザ半導体素子１ａ，１ｂ，１ｃのアレイから
成る半導体レーザ光源１を設け、素子１ａよりの
レーザビームを光学式記録媒体５の記録面に対
し、直角となるように発射せしめると共に、その
両側の素子１ｂ，１ｃよりのレーザビームを素子
１ａよりのレーザビームに対し互いに対称に互い
の角度を持たせるようにする。かくすれば、光学
系の構成が簡単、コンパクト及び調整容易とな
る。しかして、素子１ａ，１ｂ，１ｃからのレー
ザビームをコリメータレンズ２、偏光ビームスプ
リツタ３、１／４波長板６、対物レンズ４を順次通 じて、光学式記録媒体５の記録面を照射せしめ
る。この場合、各ビームBMa，BAb，BMcの角
度を選定することにより、記録媒体５の記録面上
のビームスポツトSPa，SPb，SPc間の距離ｄを
上述の範囲に設定する。この例は、再生装置をも
兼ねており、偏光ビームスプリツタより再生ビー
ムが得られるようになされているが、記録装置の
みであれば、偏光ビームスプリツタ３及び１／４波 長板６を省略し得る。
レーザ半導体素子１ａ，１ｂ，１ｃのアレイから
成る半導体レーザ光源１を設け、素子１ａよりの
レーザビームを光学式記録媒体５の記録面に対
し、直角となるように発射せしめると共に、その
両側の素子１ｂ，１ｃよりのレーザビームを素子
１ａよりのレーザビームに対し互いに対称に互い
の角度を持たせるようにする。かくすれば、光学
系の構成が簡単、コンパクト及び調整容易とな
る。しかして、素子１ａ，１ｂ，１ｃからのレー
ザビームをコリメータレンズ２、偏光ビームスプ
リツタ３、１／４波長板６、対物レンズ４を順次通 じて、光学式記録媒体５の記録面を照射せしめ
る。この場合、各ビームBMa，BAb，BMcの角
度を選定することにより、記録媒体５の記録面上
のビームスポツトSPa，SPb，SPc間の距離ｄを
上述の範囲に設定する。この例は、再生装置をも
兼ねており、偏光ビームスプリツタより再生ビー
ムが得られるようになされているが、記録装置の
みであれば、偏光ビームスプリツタ３及び１／４波 長板６を省略し得る。
尚、この場合、半導体レーザ光源を用いている
ので、偏光ビームスプリツタ及び１／４波長板を設 けることによつて、半導体レーザ光源に対するバ
ツクトークを回避できるという利点もある。
ので、偏光ビームスプリツタ及び１／４波長板を設 けることによつて、半導体レーザ光源に対するバ
ツクトークを回避できるという利点もある。
第１０図の装置では、１個の半導体レーザ光源
１よりのビームから、回折格子を用いて３本のビ
ームを作り、それらビームを光学式記録媒体５の
記録面に入射せしめるようにした場合である。
１よりのビームから、回折格子を用いて３本のビ
ームを作り、それらビームを光学式記録媒体５の
記録面に入射せしめるようにした場合である。
即ち、半導体レーザ光源１よりのレーザビーム
をコリメータレンズ２を通じて回折格子７に入射
せしめて３本のビームを形成し、これらビームを
対物レンズ４を通じて光学式記録媒体５の記録面
を照射せしめる。記録媒体５に入射する３本のビ
ームBMa，BMb，BMcのビームスポツトSPa，
SPb，SPcの間の距離ｄは、回折格子７の格子間
隔によつて設定される。
をコリメータレンズ２を通じて回折格子７に入射
せしめて３本のビームを形成し、これらビームを
対物レンズ４を通じて光学式記録媒体５の記録面
を照射せしめる。記録媒体５に入射する３本のビ
ームBMa，BMb，BMcのビームスポツトSPa，
SPb，SPcの間の距離ｄは、回折格子７の格子間
隔によつて設定される。
又、第１図の装置に於いて、半導体レーザ光源
１ｂ及びコリメータレンズ２ｂを軸AX3上に配
し、軸AX3と軸AX2のなす角θを任意の信号で
変化させることにより、ビームスポツトの記録ト
ラツクと直交する方向の径を当該信号で変調させ
ることもできる。
１ｂ及びコリメータレンズ２ｂを軸AX3上に配
し、軸AX3と軸AX2のなす角θを任意の信号で
変化させることにより、ビームスポツトの記録ト
ラツクと直交する方向の径を当該信号で変調させ
ることもできる。
尚、記録媒体５の記録面上のビームスポツトの
個数は２つ以上であればいくつでも良い。
個数は２つ以上であればいくつでも良い。
光学式記録媒体上のスポツト状記録痕跡は、反
射形の場合は他部との反射率の違い（金属薄膜の
非晶質→結晶の相転移、溶融等による）、又、透
過形の場合は他部との透過率の違いによつて形成
される。
射形の場合は他部との反射率の違い（金属薄膜の
非晶質→結晶の相転移、溶融等による）、又、透
過形の場合は他部との透過率の違いによつて形成
される。
上述せる本発明によれば、単一のレーザ光源か
らのビームの光パワーを増大させることなく、ビ
ーム照射により光学式記録媒体上に形成されるス
ポツト状記録痕跡の記録トラツク方向と略直交す
る方向の径を、実質的に増大させることのできる
光学式信号記録方法を得ることができる。
らのビームの光パワーを増大させることなく、ビ
ーム照射により光学式記録媒体上に形成されるス
ポツト状記録痕跡の記録トラツク方向と略直交す
る方向の径を、実質的に増大させることのできる
光学式信号記録方法を得ることができる。
発明の効果
上述せる本発明によれば、単一のレーザ光源か
らのビームの光パワーを増大させることなく、ビ
ーム照射により光学式記録媒体上に形成されるス
ポツト状記録痕跡の記録トラツク方向と略直交す
る方向の径を、実質的に増大させることのできる
光学式信号記録方法を得ることができる。
らのビームの光パワーを増大させることなく、ビ
ーム照射により光学式記録媒体上に形成されるス
ポツト状記録痕跡の記録トラツク方向と略直交す
る方向の径を、実質的に増大させることのできる
光学式信号記録方法を得ることができる。
第１図、第８図、第９図及び第１０図は夫々本
発明を適用した光学式記録装置の例を示す略線
図、第２図は本発明により得られた光学式記録媒
体上のスポツト状記録痕跡を示すパターン図、第
３図は本発明の説明に供給する記録媒体上のスポ
ツト状記録痕跡を示すパターン図、第４図〜第７
図は本発明の説明に供する特性曲線図である。 BMa，BMb，BMcはビーム、SPa，SPb，
SPcはビームスポツト、１，１ａ，１ｂ，１ｃは
レーザ光源、２，２ａ，２ｂ，はコリメータレン
ズ、３は偏光ビームスプリツタ、４は対物レン
ズ、５は光学式記録媒体である。
発明を適用した光学式記録装置の例を示す略線
図、第２図は本発明により得られた光学式記録媒
体上のスポツト状記録痕跡を示すパターン図、第
３図は本発明の説明に供給する記録媒体上のスポ
ツト状記録痕跡を示すパターン図、第４図〜第７
図は本発明の説明に供する特性曲線図である。 BMa，BMb，BMcはビーム、SPa，SPb，
SPcはビームスポツト、１，１ａ，１ｂ，１ｃは
レーザ光源、２，２ａ，２ｂ，はコリメータレン
ズ、３は偏光ビームスプリツタ、４は対物レン
ズ、５は光学式記録媒体である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光学式記録媒体にその記録トラツク方向に対
し略直交する方向に、同一の信号で変調され、対
物レンズにて集光された記録可能閾値以上の光パ
ワーを持つ第１のビームと、該第１のビームの光
軸及び上記対物レンズに対して夫々斜めに入射す
る第２のビームとから成る少なくとも２本のビー
ムを並べて照射して信号の記録を行ない、上記第
１及び第２のビームの上記光学式記録媒体上の各
スポツト間の距離ｄを ｄ≦2dl （但し、dl＝0.61λ／NA、ここでλは上記ビーム の波長、NAは上記対物レンズの開口数） に選定したことを特徴とする光学式信号記録方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58216863A JPS60109033A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | 光学式信号記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58216863A JPS60109033A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | 光学式信号記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60109033A JPS60109033A (ja) | 1985-06-14 |
| JPH058495B2 true JPH058495B2 (ja) | 1993-02-02 |
Family
ID=16695081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58216863A Granted JPS60109033A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | 光学式信号記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60109033A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH087883B2 (ja) * | 1986-12-15 | 1996-01-29 | 株式会社リコー | 光デイスク原盤露光方法 |
| JPS6452236A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-28 | Sharp Kk | Formation of master disk for optical disk |
| JP2796312B2 (ja) * | 1988-09-14 | 1998-09-10 | 株式会社日立製作所 | 情報記録再生装置、情報記録再生方法、情報再生装置、及び情報ビット配置方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59195350A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 光学的記録再生装置 |
-
1983
- 1983-11-17 JP JP58216863A patent/JPS60109033A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60109033A (ja) | 1985-06-14 |
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