JPH0585540B2 - - Google Patents
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- JPH0585540B2 JPH0585540B2 JP1295985A JP29598589A JPH0585540B2 JP H0585540 B2 JPH0585540 B2 JP H0585540B2 JP 1295985 A JP1295985 A JP 1295985A JP 29598589 A JP29598589 A JP 29598589A JP H0585540 B2 JPH0585540 B2 JP H0585540B2
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- Japan
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- metal
- ligand
- alkyl group
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C251/00—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton
- C07C251/02—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups
- C07C251/04—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms
- C07C251/06—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms to carbon atoms of a saturated carbon skeleton
- C07C251/08—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms to carbon atoms of a saturated carbon skeleton being acyclic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
- C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
- C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
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Description
（発明の技術分野）
本発明はフツ素化有機リガンド（配置体）の製
造方法に関するものである。 （従来の技術） エレクトロニクス産業においては金属膜、金属
酸化物膜、金属ケイ化物膜等の化学的蒸着に際し
て用いられる種々の揮発性金属材料に対する需要
が増大している。このような金属材料に対する重
要な要求特性はその金属材料が容易に蒸発または
昇華して金属を含む蒸気またはガスとなり、或る
条件下で分解してターゲツトとなる基板上に被膜
を形成し得ることである。 マイクロ・エレクトロニクス産業において、プ
リント配線や半導体デバイスとして一般的に用い
られる錯体を含む金属材料の１例としては、H3
SiCo（CO）4錯体が挙げられるが、この錯体は670
−770°Kの気相において熱分解してCoSiおよびジ
メチル亜鉛（１，４ジオキサン）を生成し、これ
が250−550℃においてセレン化水素と反応し
ZnSeを生成するのである。 上記したCVD法についてはB.J.Aylettらによる
Vacuum，35p435−439（1958）およびP.J.Wright
らによるJ.of crystal Grouth，London（1986）
受理論文等の参考文献中にそれぞれ記載されてい
る。 化学的に安定し、容易に気相に蒸発気化する既
知のフツ素化金属錯体は親βジケトン先駆体リガ
ンドに基づいて配位された過フツ素化β−ジケト
ン金属配位化合物である。これらの関係について
は次式で示される。
造方法に関するものである。 （従来の技術） エレクトロニクス産業においては金属膜、金属
酸化物膜、金属ケイ化物膜等の化学的蒸着に際し
て用いられる種々の揮発性金属材料に対する需要
が増大している。このような金属材料に対する重
要な要求特性はその金属材料が容易に蒸発または
昇華して金属を含む蒸気またはガスとなり、或る
条件下で分解してターゲツトとなる基板上に被膜
を形成し得ることである。 マイクロ・エレクトロニクス産業において、プ
リント配線や半導体デバイスとして一般的に用い
られる錯体を含む金属材料の１例としては、H3
SiCo（CO）4錯体が挙げられるが、この錯体は670
−770°Kの気相において熱分解してCoSiおよびジ
メチル亜鉛（１，４ジオキサン）を生成し、これ
が250−550℃においてセレン化水素と反応し
ZnSeを生成するのである。 上記したCVD法についてはB.J.Aylettらによる
Vacuum，35p435−439（1958）およびP.J.Wright
らによるJ.of crystal Grouth，London（1986）
受理論文等の参考文献中にそれぞれ記載されてい
る。 化学的に安定し、容易に気相に蒸発気化する既
知のフツ素化金属錯体は親βジケトン先駆体リガ
ンドに基づいて配位された過フツ素化β−ジケト
ン金属配位化合物である。これらの関係について
は次式で示される。
【式】
ここで、R1はアルキルまたはフツ素化アルキ
ル、R2はフツ素化アルキル、またＭは配位化合
物を形成し得る金属である。これらの化合物は揮
発性と気相安定性を有するので、種々の金属のガ
スクロマトグラフイーによる分離、ウラニウムの
精製および特殊ガラスの製造等に利用されてい
る。 金属薄膜の析出のための気相中での水素との反
応による金属錯体の分解については米国特許第
3356527号に開示されている。 過去にも一級アミンまたは一級ジアミンを上記
した構造を有するものと類似のリガンドと結合さ
せる試みがなされている。 例えばR1およびR2が両方ともフツ素化炭素で
ない場合には、適当なβ−ジケトンとアミン間で
直接的シツフ塩基縮合によつて酸素原子をアミン
の窒素原子で置換し得ることが報告されている。
さらに、対応する金属錯体が金属イオンのキレー
ト化によつて合成し得ることについて、A.E.
Martell，らによるJ.Inorg.Nucl.Chem.
Vol.5pp170−181（1958）に記載されている。 また、SieversらによつてJ.Inorg.Nucl.Chem.
Vol.32pp1895−1906（1970）において報告されて
いるようにR1およびR2がともに過フツ素化アル
キルであり、そして酸素がアミンに置き換えられ
るようなリガンドは得られていない。 その方法は過フツ素化β−ジケトンは酸性度が
高いので反応に使われるアミンが電荷を帯びて、
所望のリガンドが得られずにアミンとβ−ジケト
ンとの塩を形成してしまうためにこの方法は成功
しなかつたと信じられている。 Sieversらは次の構造を有するリガンドの合成
について報告している。
ル、R2はフツ素化アルキル、またＭは配位化合
物を形成し得る金属である。これらの化合物は揮
発性と気相安定性を有するので、種々の金属のガ
スクロマトグラフイーによる分離、ウラニウムの
精製および特殊ガラスの製造等に利用されてい
る。 金属薄膜の析出のための気相中での水素との反
応による金属錯体の分解については米国特許第
3356527号に開示されている。 過去にも一級アミンまたは一級ジアミンを上記
した構造を有するものと類似のリガンドと結合さ
せる試みがなされている。 例えばR1およびR2が両方ともフツ素化炭素で
ない場合には、適当なβ−ジケトンとアミン間で
直接的シツフ塩基縮合によつて酸素原子をアミン
の窒素原子で置換し得ることが報告されている。
さらに、対応する金属錯体が金属イオンのキレー
ト化によつて合成し得ることについて、A.E.
Martell，らによるJ.Inorg.Nucl.Chem.
Vol.5pp170−181（1958）に記載されている。 また、SieversらによつてJ.Inorg.Nucl.Chem.
Vol.32pp1895−1906（1970）において報告されて
いるようにR1およびR2がともに過フツ素化アル
キルであり、そして酸素がアミンに置き換えられ
るようなリガンドは得られていない。 その方法は過フツ素化β−ジケトンは酸性度が
高いので反応に使われるアミンが電荷を帯びて、
所望のリガンドが得られずにアミンとβ−ジケト
ンとの塩を形成してしまうためにこの方法は成功
しなかつたと信じられている。 Sieversらは次の構造を有するリガンドの合成
について報告している。
【式】
ここで、R1およびR2はCF3であり、R3は−
CH2CH2−である。 このリガンドは［（CF3Ｃ（Ｏ）CHC（Ｏ）
CF3）］2［NH3−CH2CH2−CH3］+2塩の昇華によ
つて合成されたと報じられている。またこのリガ
ンドは化学的に不安定であり、従つて分離するこ
とは不可能であるとも報じられている。 Charlesは米国特許第3594216号において基板を
加熱し、且つ揮発した金属−有機物β−ケトアミ
ンキレートと接触させることによつて基板上に金
属膜を蒸着させる方法について開示している。金
属−有機物β−ケトアミンは従来の合成技術によ
つて得られる。種々の金属キレート化合物につい
て広く明らかにされる一方において、特に過フツ
素化された金属キレート化合物の例やこれを用い
た合成技術については全く知られていない。 またさらにJohnsonらはJournal of Fluorine
Chemistry，27pp371−378（1985）において、R1
およびR2が過フツ素化アルキルであり、酸素が
アンモニアによつて窒素と置換したリガンドにつ
いて報告している。Cu+2錯体もまた作りだされ、
揮発性であることが報告されている。 （発明が解決しようとする課題） エレクトロニクス産業においては金属膜、金属
酸化物膜、金属ケイ化物膜等の化学的蒸着に際し
て用いられる種々の揮発性金属材料に対する需要
が増大しているにも拘らず、従来技術においては
このような金属材料に対する重要な要求特性、即
ち容易に蒸発または昇華して金属を含む蒸気また
はガスとなり、特定の条件下で分解してターゲツ
トとなる基板上で均一で完璧な金属薄膜を形成し
得るような金属材料を作るに適した化学的に安定
したリガンドは得られていない。 本発明は上記したような要望に応え、このよう
な要求特性を十分に満足し得る揮発性フツ素化β
−ケトイミンリガンドの製造方法を提供すること
を目的とするものである。 （課題を解決するための手段） 上記の目的を達成するために、本発明は、次の
構造式を有する安定したβ−ケトイミンリガンド
を製造するに際し、
CH2CH2−である。 このリガンドは［（CF3Ｃ（Ｏ）CHC（Ｏ）
CF3）］2［NH3−CH2CH2−CH3］+2塩の昇華によ
つて合成されたと報じられている。またこのリガ
ンドは化学的に不安定であり、従つて分離するこ
とは不可能であるとも報じられている。 Charlesは米国特許第3594216号において基板を
加熱し、且つ揮発した金属−有機物β−ケトアミ
ンキレートと接触させることによつて基板上に金
属膜を蒸着させる方法について開示している。金
属−有機物β−ケトアミンは従来の合成技術によ
つて得られる。種々の金属キレート化合物につい
て広く明らかにされる一方において、特に過フツ
素化された金属キレート化合物の例やこれを用い
た合成技術については全く知られていない。 またさらにJohnsonらはJournal of Fluorine
Chemistry，27pp371−378（1985）において、R1
およびR2が過フツ素化アルキルであり、酸素が
アンモニアによつて窒素と置換したリガンドにつ
いて報告している。Cu+2錯体もまた作りだされ、
揮発性であることが報告されている。 （発明が解決しようとする課題） エレクトロニクス産業においては金属膜、金属
酸化物膜、金属ケイ化物膜等の化学的蒸着に際し
て用いられる種々の揮発性金属材料に対する需要
が増大しているにも拘らず、従来技術においては
このような金属材料に対する重要な要求特性、即
ち容易に蒸発または昇華して金属を含む蒸気また
はガスとなり、特定の条件下で分解してターゲツ
トとなる基板上で均一で完璧な金属薄膜を形成し
得るような金属材料を作るに適した化学的に安定
したリガンドは得られていない。 本発明は上記したような要望に応え、このよう
な要求特性を十分に満足し得る揮発性フツ素化β
−ケトイミンリガンドの製造方法を提供すること
を目的とするものである。 （課題を解決するための手段） 上記の目的を達成するために、本発明は、次の
構造式を有する安定したβ−ケトイミンリガンド
を製造するに際し、
【式】
(a) 式R1COCH2COR2を有するβ−ジケトンを
無水状態で処理して式R1COCHCOR2 -K+を有
する化合物を生成させ、 (b) 次いで得られたR1COCHCOR2 -K+を式
（R5）3SiClを有する塩化シリルで処理して、式
R1COCHCOR2 Si（R5）3を有するシリルエノールエーテルを
生成させ、 (c) 次いで得られたシリルエノールエーテルを式
R3NH2を有する一級モノアミンで処理するこ
とによつて所望のβ−ケトイミンリガンドを得
るものであり、且つ、上記した各式中の記号
R1及びR2はそれぞれ直鎖型又は分岐鎖型の過
フツ素化されたC1〜C8のアルキル基群であり、
R3はその一部又は全部がフツ素化されたC1〜
C8のアルキル基、フエニル基又はヒドロキシ
アルキル基であり、各R5はそれぞれアルキル
基である、β−ケトイミンリガンドの製造方法
を要旨とし、更に前記塩化シリルがｔ−ブチル
ジメチル塩化シリルからなるものである。 （作用） 次に本発明の詳細およびその作用についてより
具体的に述べる。 本発明は揮発性フツ素化β−ケトイミンリガン
ドの製造方法に関するものであるが、このリガン
ドは、高度にフツ素化されていることおよびこれ
に対応する金属錯体を形成するために中枢金属原
子に対して酸素と窒素を供給するための供与原子
（ドナー）を含むことを特徴となつている。また、
このリガンドはこれによつて作られる金属錯体も
同様であるが化学的に安定であり容易に揮発して
ガス相を形成する。 金属錯体における高度のフツ素含有率は個々の
分子間のフアンデルワールス力を減少させこれに
よつて錯体の沸点や昇華温度を降下させる作用を
有するものと考えられる。本発明における高度に
フツ素化されたβ−ケトイミンリガンドは下記の
構造式を有している。
無水状態で処理して式R1COCHCOR2 -K+を有
する化合物を生成させ、 (b) 次いで得られたR1COCHCOR2 -K+を式
（R5）3SiClを有する塩化シリルで処理して、式
R1COCHCOR2 Si（R5）3を有するシリルエノールエーテルを
生成させ、 (c) 次いで得られたシリルエノールエーテルを式
R3NH2を有する一級モノアミンで処理するこ
とによつて所望のβ−ケトイミンリガンドを得
るものであり、且つ、上記した各式中の記号
R1及びR2はそれぞれ直鎖型又は分岐鎖型の過
フツ素化されたC1〜C8のアルキル基群であり、
R3はその一部又は全部がフツ素化されたC1〜
C8のアルキル基、フエニル基又はヒドロキシ
アルキル基であり、各R5はそれぞれアルキル
基である、β−ケトイミンリガンドの製造方法
を要旨とし、更に前記塩化シリルがｔ−ブチル
ジメチル塩化シリルからなるものである。 （作用） 次に本発明の詳細およびその作用についてより
具体的に述べる。 本発明は揮発性フツ素化β−ケトイミンリガン
ドの製造方法に関するものであるが、このリガン
ドは、高度にフツ素化されていることおよびこれ
に対応する金属錯体を形成するために中枢金属原
子に対して酸素と窒素を供給するための供与原子
（ドナー）を含むことを特徴となつている。また、
このリガンドはこれによつて作られる金属錯体も
同様であるが化学的に安定であり容易に揮発して
ガス相を形成する。 金属錯体における高度のフツ素含有率は個々の
分子間のフアンデルワールス力を減少させこれに
よつて錯体の沸点や昇華温度を降下させる作用を
有するものと考えられる。本発明における高度に
フツ素化されたβ−ケトイミンリガンドは下記の
構造式を有している。
【式】
ここで、R1およびR2はそれぞれが直鎖型また
は分岐鎖型の過フツ素化されたC1〜C8アルキル
基群であり、R3はC1〜C8アルキル基、フエニル
基またはヒドロキシアルキル基のような任意の有
機官能基であり、これらはその一部または全部が
フツ素化されている。 また、これらのリガンドから合成される金属錯
体は下記の構造式を有する。
は分岐鎖型の過フツ素化されたC1〜C8アルキル
基群であり、R3はC1〜C8アルキル基、フエニル
基またはヒドロキシアルキル基のような任意の有
機官能基であり、これらはその一部または全部が
フツ素化されている。 また、これらのリガンドから合成される金属錯
体は下記の構造式を有する。
【式】
ここで、R1．R2およびR3は上記リガンドと同
様であり、またＭは金属を意味しｎ＝１，２また
は３である。 この揮発性の金属錯体は、例えば金属フイルム
や金属酸化物フイルムの基板上への析出のため一
般的に行なわれるCVDプロセスのような蒸着技
術における金属原料として、大きな潜在力を持つ
ている。 （）式で示されるリガンドは次のようにして
合成される。即ち先ず、式R1COCH2COR2で示
されるフツ素化β−ジケトンを無水状態で水素化
カリウムで処理することによつて式R1
COCHCORで示される合成物を作り、次いでそ
のR1COCHCOR合成物をｔ−ブチルジメチルク
ロライドのようなシリルクロライドに反応させ
て、下記に示す構造式を有するシリルエノールエ
ーテルを得る。
様であり、またＭは金属を意味しｎ＝１，２また
は３である。 この揮発性の金属錯体は、例えば金属フイルム
や金属酸化物フイルムの基板上への析出のため一
般的に行なわれるCVDプロセスのような蒸着技
術における金属原料として、大きな潜在力を持つ
ている。 （）式で示されるリガンドは次のようにして
合成される。即ち先ず、式R1COCH2COR2で示
されるフツ素化β−ジケトンを無水状態で水素化
カリウムで処理することによつて式R1
COCHCORで示される合成物を作り、次いでそ
のR1COCHCOR合成物をｔ−ブチルジメチルク
ロライドのようなシリルクロライドに反応させ
て、下記に示す構造式を有するシリルエノールエ
ーテルを得る。
【式】
ここでR1，R2およびR3は前（）式と同様で
あり、R5はアルキル基群である。 上記の如くして得られたシリルエノールエーテ
ルをR3NH2（R3は前（）式と同様）の如き一級
モノアミンで処理することによつて構造式（）、
即ちR1COCH2CN（R3）R2に示されるような所望
のβ−ケトイミンリガンドを得ることができる。 上記の如くして得られたβ−ケトイミンから金
属錯体を形成するにはリガンドを先ずメトキシド
カリウムで処理してR1COCHCN（R3）R2 -K+式
で示される合成物を得る。そして次にこの合成物
をM+n（Ｘ）o -式（ここでＸはハロゲン、ｎ＝１，
２または３である）にて示されるハロゲン化金属
で処理することによつて前記（）式にて示され
た所望の金属錯体を得ることができる。 この発明によつて得られたリガンドはエノール
型とケト型の二つの互変異性体が存在する。しか
して、一般的には前記（）式で示されたケト型
で代表される。 本発明によつて得られる好ましいリガンドおよ
び金属錯体を次に示す。 リガンド
あり、R5はアルキル基群である。 上記の如くして得られたシリルエノールエーテ
ルをR3NH2（R3は前（）式と同様）の如き一級
モノアミンで処理することによつて構造式（）、
即ちR1COCH2CN（R3）R2に示されるような所望
のβ−ケトイミンリガンドを得ることができる。 上記の如くして得られたβ−ケトイミンから金
属錯体を形成するにはリガンドを先ずメトキシド
カリウムで処理してR1COCHCN（R3）R2 -K+式
で示される合成物を得る。そして次にこの合成物
をM+n（Ｘ）o -式（ここでＸはハロゲン、ｎ＝１，
２または３である）にて示されるハロゲン化金属
で処理することによつて前記（）式にて示され
た所望の金属錯体を得ることができる。 この発明によつて得られたリガンドはエノール
型とケト型の二つの互変異性体が存在する。しか
して、一般的には前記（）式で示されたケト型
で代表される。 本発明によつて得られる好ましいリガンドおよ
び金属錯体を次に示す。 リガンド
【式】
ここで
R1＝R2＝CF3，R3＝CH2CF3、
R1＝CF2CF3，R2＝CF3，R3＝CH2CF3
R1＝CF2CF2CF3，R2＝CF3，R3＝CH2CF3
R1＝R2＝CF3，R3＝phenyl
R1＝R2＝CF3，R3＝CH2CH2OH
金属錯体
【式】
ここで
R1＝R2＝CF3，R3＝CH2CF3、M+n＝Cu+2
R1＝R2＝CF3，R3＝CH2CF3、M+n＝CO+2
R1＝CF2CF3，R2＝CF3，R3＝CH2CF3、M+n
＝Cu+2 R1＝CF2CF2CF3，R2＝CF3，R3＝CH2CF3、
M+n＝Cu+2 R1＝R2＝CF3，R3＝CH2CH2OH、M+n＝Cu+2 次に本発明の実施例について述べる。 以下の実施例においては温度は摂氏に補正され
ていない。また断りのない限り全部分とパーセン
テイジは重量を表わしている。 使用薬品中１，１，１，５，５，５−ヘキサフ
ルオロ−２，４−ペンタンジオン、ｔ−ブチルジ
メチルシリルクロライド、水素化カリウム、２，
２，２−トリフルオロエチルアミン、エチレンジ
アミン、エタノールアミン、１，３−プロパンジ
アミン、１，３−ジアミノ−２−プロパノールお
よびアナリンはアルドリツヒ化学社（Aldrich
Chemical Co.；940 West St.Paul Ave
Milwaukee Wis.53233）製のものを使用した。 また、１，１，１，２，２，６，６，６−オク
タフルオロ−３，５−ヘキサンジオンおよび１，
１，１，２，２，３，３，７，７，７−デカフル
オロ−４，６−ヘプタンジオンはフエアフイール
ド化学社（Fairfield Chemical Company Inc.；
P.O.Box 20 Blythewood，SC 2901）製のもの
を使用した。使用溶剤はHPLC級のものである。 テトロヒドロフラン（THF）は窒素雰囲気下
で水素化カルシウムから蒸留され、メタノールは
窒素雰囲気下で金属Mgから蒸留された。リガン
ドおよびその対応金属錯体の製造に際しての一切
の操作はD.F.Shriver著による「空気敏感化合物
の取扱法」（“The Manipulation of Air
Sensitive Compaunds”：McGraw−Hill
Publishing Co.）に述べられている標準シユレン
クライン技法を用いて行なつた。 微量分析はシユワルズコフ微量分析実験
（Schwarzkopf Microanalytical Laboratory，
Woodside N.Y.）Ｉまたは研究サービス
（Reserch Service，Air Products and
Chemicals，Inc.）により行なつた。 ′Ｈ，19Fおよび13Cスペクトルはアイ・ビー・エ
ムSY−200およびブルーカーWH−200スペクト
ロメーターを使用して記録した。 また以下の実施例において化学構造は国際純正
および応用化学連合（IUPAC）と合成されたリ
ガンドの両方とともに下記の如く示される。 対応する金属錯体はその金属によつて置換され
る（Ｈ）と似た構造を有する。（式参照） 金属錯体の電荷は中性のままである。即ち、若
しリガンドがプロトン化分離するときは、例えば
Cu+2の如き２価金属原子が１個必要となる。 ４−（２，２，２−トリフルオロエチル）イミ
ノ−１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−
２−ペンタンオン
＝Cu+2 R1＝CF2CF2CF3，R2＝CF3，R3＝CH2CF3、
M+n＝Cu+2 R1＝R2＝CF3，R3＝CH2CH2OH、M+n＝Cu+2 次に本発明の実施例について述べる。 以下の実施例においては温度は摂氏に補正され
ていない。また断りのない限り全部分とパーセン
テイジは重量を表わしている。 使用薬品中１，１，１，５，５，５−ヘキサフ
ルオロ−２，４−ペンタンジオン、ｔ−ブチルジ
メチルシリルクロライド、水素化カリウム、２，
２，２−トリフルオロエチルアミン、エチレンジ
アミン、エタノールアミン、１，３−プロパンジ
アミン、１，３−ジアミノ−２−プロパノールお
よびアナリンはアルドリツヒ化学社（Aldrich
Chemical Co.；940 West St.Paul Ave
Milwaukee Wis.53233）製のものを使用した。 また、１，１，１，２，２，６，６，６−オク
タフルオロ−３，５−ヘキサンジオンおよび１，
１，１，２，２，３，３，７，７，７−デカフル
オロ−４，６−ヘプタンジオンはフエアフイール
ド化学社（Fairfield Chemical Company Inc.；
P.O.Box 20 Blythewood，SC 2901）製のもの
を使用した。使用溶剤はHPLC級のものである。 テトロヒドロフラン（THF）は窒素雰囲気下
で水素化カルシウムから蒸留され、メタノールは
窒素雰囲気下で金属Mgから蒸留された。リガン
ドおよびその対応金属錯体の製造に際しての一切
の操作はD.F.Shriver著による「空気敏感化合物
の取扱法」（“The Manipulation of Air
Sensitive Compaunds”：McGraw−Hill
Publishing Co.）に述べられている標準シユレン
クライン技法を用いて行なつた。 微量分析はシユワルズコフ微量分析実験
（Schwarzkopf Microanalytical Laboratory，
Woodside N.Y.）Ｉまたは研究サービス
（Reserch Service，Air Products and
Chemicals，Inc.）により行なつた。 ′Ｈ，19Fおよび13Cスペクトルはアイ・ビー・エ
ムSY−200およびブルーカーWH−200スペクト
ロメーターを使用して記録した。 また以下の実施例において化学構造は国際純正
および応用化学連合（IUPAC）と合成されたリ
ガンドの両方とともに下記の如く示される。 対応する金属錯体はその金属によつて置換され
る（Ｈ）と似た構造を有する。（式参照） 金属錯体の電荷は中性のままである。即ち、若
しリガンドがプロトン化分離するときは、例えば
Cu+2の如き２価金属原子が１個必要となる。 ４−（２，２，２−トリフルオロエチル）イミ
ノ−１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−
２−ペンタンオン
【式】
５−（２，２，２−トリフルオロエチル）イミ
ノ−１，１，１，２，２，６，６，６−オクタフ
ルオロ−３−ヘキサンオン
ノ−１，１，１，２，２，６，６，６−オクタフ
ルオロ−３−ヘキサンオン
【式】
６−（２，２，２−トリフルオロエチル）イミ
ノ−１，１，１，２，２，３，３，７，７，７−
デカフルオロ−４−ヘプタンオン
ノ−１，１，１，２，２，３，３，７，７，７−
デカフルオロ−４−ヘプタンオン
【式】
４−（２−ヒドロキシエチル）イミノ−１，１，
１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２−ペンタノ
ン
１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２−ペンタノ
ン
【式】
４−（フエニル）イミノ−１，１，１，５，５，
５−ヘキサフルオロ−２−ペンタノン
５−ヘキサフルオロ−２−ペンタノン
【式】
（実施例）
実施例 １
過フツ化β−ジケトンのシリルエノールエーテ
ルの合成 次に下記に示すものを製造するための一般的な
合成法を示す。 (1) １，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−
２，４−ペンタンジアンからの４−（ｔ−ブチ
ルジメチルシロキシ）−１，１，１，５，５，
５−ヘキサフルオロ−３−ペンタン−２−オン
の合成。 (2) １，１，１，５，５，６，６，６−オクタフ
ルオロ−２，４−ヘキサンジオンからの４−
（ｔ−ブチルジメチルシロキシ）−１，１，１，
５，５，６，６，６−オクタフルオロ−３−ヘ
キサン−２−オン（およびその異性体２−（ｔ
−ブチルジメチルシロキシ）−１，１，１，５，
５，６，６，６−オクタフルオロ−ヘキサン−
４−オン）の合成。 (3) １，１，１，５，５，６，６，７，７，７−
デカフルオロ−２−ヘプタン−４−オンからの
４−（ｔ−ブチルジメチルシロキシ）−１，１，
１，５，５，６，６，７，７，７−デカフルオ
ロ−３−ヘプタン−２−オン（およびその異性
体２−（ｔ−ブチルジメチルシロキシ）−１，
１，１，５，５，６，６，７，７，７−デカフ
ルオロ−２−ヘプタン−４−オン）の合成。 水素化カリウム（20.0g，0.5モル）を追加添加
用漏斗からゴム隔膜を施して注入孔を窒素で覆つ
た磁気撹拌棒付きの反応用フラスコ内に入れた。
次に乾燥窒素雰囲気下でTHF（500ml）をフラス
コ中に入れ、次いでこれを−78℃に冷却した。さ
らにパーフルオロβ−ジケトン（0.5モル）をス
ポイトにより撹拌を加えながら約0.5ml／分の割
合でTHFに添加し、一方において水素化カリウ
ムを反応用フラスコ内において過剰に蓄積されな
いように消費に見合つた量宛をゆつくりと添加し
た。 一切の薬剤を投入後室温にて撹拌を加えながら
全ての水化物が消費尽くされるまで反応をさせた
（18時間）。次にｔ−ブチルジメチルシロキシ
（75.36g，0.5モル）を入れた還流コンデンサーお
よび添加用漏斗を反応フラスコに設置し150mlの
THFを添加用漏斗から注入して塩化シリルを溶
解した。この溶液を30分間滴加し、撹拌しながら
混合物を反応させた後、18時間に亘り還流冷却し
た。この間に塩化カリウムの厚い白色析出物を生
成した。次に混合物を窒素下で過し、青褐色乃
至は黄色の沈殿物を得た。 かくして約500mlのTHFが窒素下で蒸留され得
られた濃縮されたシリルエノールエーテル溶液が
冷却され、これにより塩化カリウムが析出した。
この溶液は前述のように過され、次いで窒素下
で蒸留され、揮発性の青黄色のシリルエノールエ
ーテル液が得られた。 注：蒸留用フラスコは乾燥状態になるまで加熱
してはならない。蒸留用フラスコ内に残留す
る褐色液が30ml以下になると分解前に急速に
濃黄灰色の蒸気が発生し始め装置内の圧力が
変動する。 非対称過フツ化β−ジケトン（即ち、１，１，
１，２，２，６，６，６−オクタフルオロ−３，
５−ヘキサデニオンおよび１，１，１，２，２，
３，３，７，７，７−デカフルオロ−４，６−ヘ
プタンジオン）から出発すると２種の異性体を生
成する。しかし蒸留段階では分離されないで二つ
の異性体の混合組成溜分として捕集され、つまり
各エノールエーテルはBPTの165−180℃におけ
る一つの主溜分として捕集される。 収率および分析データを第１表に示した。
ルの合成 次に下記に示すものを製造するための一般的な
合成法を示す。 (1) １，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−
２，４−ペンタンジアンからの４−（ｔ−ブチ
ルジメチルシロキシ）−１，１，１，５，５，
５−ヘキサフルオロ−３−ペンタン−２−オン
の合成。 (2) １，１，１，５，５，６，６，６−オクタフ
ルオロ−２，４−ヘキサンジオンからの４−
（ｔ−ブチルジメチルシロキシ）−１，１，１，
５，５，６，６，６−オクタフルオロ−３−ヘ
キサン−２−オン（およびその異性体２−（ｔ
−ブチルジメチルシロキシ）−１，１，１，５，
５，６，６，６−オクタフルオロ−ヘキサン−
４−オン）の合成。 (3) １，１，１，５，５，６，６，７，７，７−
デカフルオロ−２−ヘプタン−４−オンからの
４−（ｔ−ブチルジメチルシロキシ）−１，１，
１，５，５，６，６，７，７，７−デカフルオ
ロ−３−ヘプタン−２−オン（およびその異性
体２−（ｔ−ブチルジメチルシロキシ）−１，
１，１，５，５，６，６，７，７，７−デカフ
ルオロ−２−ヘプタン−４−オン）の合成。 水素化カリウム（20.0g，0.5モル）を追加添加
用漏斗からゴム隔膜を施して注入孔を窒素で覆つ
た磁気撹拌棒付きの反応用フラスコ内に入れた。
次に乾燥窒素雰囲気下でTHF（500ml）をフラス
コ中に入れ、次いでこれを−78℃に冷却した。さ
らにパーフルオロβ−ジケトン（0.5モル）をス
ポイトにより撹拌を加えながら約0.5ml／分の割
合でTHFに添加し、一方において水素化カリウ
ムを反応用フラスコ内において過剰に蓄積されな
いように消費に見合つた量宛をゆつくりと添加し
た。 一切の薬剤を投入後室温にて撹拌を加えながら
全ての水化物が消費尽くされるまで反応をさせた
（18時間）。次にｔ−ブチルジメチルシロキシ
（75.36g，0.5モル）を入れた還流コンデンサーお
よび添加用漏斗を反応フラスコに設置し150mlの
THFを添加用漏斗から注入して塩化シリルを溶
解した。この溶液を30分間滴加し、撹拌しながら
混合物を反応させた後、18時間に亘り還流冷却し
た。この間に塩化カリウムの厚い白色析出物を生
成した。次に混合物を窒素下で過し、青褐色乃
至は黄色の沈殿物を得た。 かくして約500mlのTHFが窒素下で蒸留され得
られた濃縮されたシリルエノールエーテル溶液が
冷却され、これにより塩化カリウムが析出した。
この溶液は前述のように過され、次いで窒素下
で蒸留され、揮発性の青黄色のシリルエノールエ
ーテル液が得られた。 注：蒸留用フラスコは乾燥状態になるまで加熱
してはならない。蒸留用フラスコ内に残留す
る褐色液が30ml以下になると分解前に急速に
濃黄灰色の蒸気が発生し始め装置内の圧力が
変動する。 非対称過フツ化β−ジケトン（即ち、１，１，
１，２，２，６，６，６−オクタフルオロ−３，
５−ヘキサデニオンおよび１，１，１，２，２，
３，３，７，７，７−デカフルオロ−４，６−ヘ
プタンジオン）から出発すると２種の異性体を生
成する。しかし蒸留段階では分離されないで二つ
の異性体の混合組成溜分として捕集され、つまり
各エノールエーテルはBPTの165−180℃におけ
る一つの主溜分として捕集される。 収率および分析データを第１表に示した。
【表】
実施例 ２
Cu+2（NONA−Ｆ［TFEA］）2，Cu+2
（UNDECA−Ｆ［TFEA］）2，Cu+2（TRIDECA
−Ｆ［TFEA］）2の製造 上記の金属錯体は１，１，１−トリフルオロエ
チルアミンと実施例１において合成された過フツ
化β−ジケトンとを反応させ、次いで臭化銅によ
つて処理することによつて得られた。即ち、窒素
雰囲気中で１，１，１−トリフルオロエチルアミ
ン（12.4ml，0.16モル）に正味0.16モルのシリル
エノールエーテルを加えて−78℃にて５分間保持
した。この混合物を室温まで温めて１時間撹拌し
た後、0.16モルのメトキサイドカリウムを含む
400mlのメタノール中に注入し10分間撹拌した。
これによつて生じた明黄色の溶液に臭化銅
（17.1g，0.08モル）を加え、この混合物を１時間
撹拌した。沈殿した臭化カリウムを過除去し、
溶媒分離を行つて得られた固体を真空下で２回揮
発させて、針状濃緑色の錯体製品を得た。 生産率および分析結果を第２表に示す。
（UNDECA−Ｆ［TFEA］）2，Cu+2（TRIDECA
−Ｆ［TFEA］）2の製造 上記の金属錯体は１，１，１−トリフルオロエ
チルアミンと実施例１において合成された過フツ
化β−ジケトンとを反応させ、次いで臭化銅によ
つて処理することによつて得られた。即ち、窒素
雰囲気中で１，１，１−トリフルオロエチルアミ
ン（12.4ml，0.16モル）に正味0.16モルのシリル
エノールエーテルを加えて−78℃にて５分間保持
した。この混合物を室温まで温めて１時間撹拌し
た後、0.16モルのメトキサイドカリウムを含む
400mlのメタノール中に注入し10分間撹拌した。
これによつて生じた明黄色の溶液に臭化銅
（17.1g，0.08モル）を加え、この混合物を１時間
撹拌した。沈殿した臭化カリウムを過除去し、
溶媒分離を行つて得られた固体を真空下で２回揮
発させて、針状濃緑色の錯体製品を得た。 生産率および分析結果を第２表に示す。
【表】
実施例 ３
（Ｈ）NONA−Ｆ［TFEA］，（Ｈ）UNDECA
−［TFEA］，（Ｈ）TRIDECA−Ｆ［TFEA］リ
ガンドの製造 実施例２によつて得られた適宜の銅錯体のジエ
チルエーテル中への飽和溶液を作り、50／50以上
の濃縮HC／H2Ｏで洗浄した。次いエーテル層
を抽出してから緑色が完全に消えるまで十分な酸
で処理した。次に有機層をブラインで洗浄し無水
硫酸ソーダで乾燥した後蒸留した。その結果80−
90％の収率で無色の純粋なリガンドを分離するこ
とができた。 分析結果を第３表に示す。 （実施例 ４） （Ｈ）HEXA−Ｆ［EOA］の製造 窒素雰囲気で被覆した還流凝縮器、添加用漏斗
および磁気撹拌棒付きの100ml反応用フラスコに
ヘキサフルオロ−２，４−ペンタジオーネ
（9.66g，３×102モル）のｔ−ブチルジメチルシ
リルエノール・エーテルを装入した。
−［TFEA］，（Ｈ）TRIDECA−Ｆ［TFEA］リ
ガンドの製造 実施例２によつて得られた適宜の銅錯体のジエ
チルエーテル中への飽和溶液を作り、50／50以上
の濃縮HC／H2Ｏで洗浄した。次いエーテル層
を抽出してから緑色が完全に消えるまで十分な酸
で処理した。次に有機層をブラインで洗浄し無水
硫酸ソーダで乾燥した後蒸留した。その結果80−
90％の収率で無色の純粋なリガンドを分離するこ
とができた。 分析結果を第３表に示す。 （実施例 ４） （Ｈ）HEXA−Ｆ［EOA］の製造 窒素雰囲気で被覆した還流凝縮器、添加用漏斗
および磁気撹拌棒付きの100ml反応用フラスコに
ヘキサフルオロ−２，４−ペンタジオーネ
（9.66g，３×102モル）のｔ−ブチルジメチルシ
リルエノール・エーテルを装入した。
【表】
添加用漏斗に５mlTHF中にエタノールアミン
（EOA）（1.83g，3.0×10-2）を溶解したものをチ
ヤーギし、この溶液にエノールエーテルを５分間
以上撹拌しながら加えた後、反応混合物を1.5時
間還流させた。次いで反応混合物を過剰のメタノ
ール性酢酸銅溶液中に注入して全混合物を塩化メ
チレン（３×100ml）で抽出した。付着した有機
質溜分を水（３×100ml）で洗浄後、無水硫酸ソ
ーダで乾燥した。 溶媒の分離により青色油を得、これをクロマト
ロン装置（Harison Research，840 Moana
Court，Palo Aluto，Calfornia）を使用して
Kieselgel60（PF254、およびCH2Ｃ2溶離剤）を
用いてクロマトグラフイ的に精製することによつ
て、青色の結晶（即ち、Cu+2（HEXA−Ｆ
［EOA］）2、溶融点232℃）を得た。 これをHCで処理し（Ｈ）HEXA−Ｆ
［EOA］を無色の油として得た。 分析データを第４表に示す。
（EOA）（1.83g，3.0×10-2）を溶解したものをチ
ヤーギし、この溶液にエノールエーテルを５分間
以上撹拌しながら加えた後、反応混合物を1.5時
間還流させた。次いで反応混合物を過剰のメタノ
ール性酢酸銅溶液中に注入して全混合物を塩化メ
チレン（３×100ml）で抽出した。付着した有機
質溜分を水（３×100ml）で洗浄後、無水硫酸ソ
ーダで乾燥した。 溶媒の分離により青色油を得、これをクロマト
ロン装置（Harison Research，840 Moana
Court，Palo Aluto，Calfornia）を使用して
Kieselgel60（PF254、およびCH2Ｃ2溶離剤）を
用いてクロマトグラフイ的に精製することによつ
て、青色の結晶（即ち、Cu+2（HEXA−Ｆ
［EOA］）2、溶融点232℃）を得た。 これをHCで処理し（Ｈ）HEXA−Ｆ
［EOA］を無色の油として得た。 分析データを第４表に示す。
【表】
実施例 ５
リガンド（Ｈ）HEXA−Ｆ［AN］の製造
窒素下で還流凝縮器付きの50mlフラスコにヘキ
サフルオロ−２，４−ペンタンジオン（9.66g，
３×10-2モル）のシリルエノールエーテルおよび
アニリン（2.79g，３×10-2モル）を添加した。
混合物を35分間還流させて真空中で蒸留を行ない
140℃，10torrにおいて8.0gの（Ｈ）HEXA−Ｆ
［AN］の黄色液を得た。 収率＝94％。 核磁気共鳴（NMR） ′Ｈ CDC3 δ6.05（Ｓ，1H）；δ7.25（ｍ，2H）； δ7.40（ｍ，3H）；δ11.90（bs，1H）； 19F CDC3 δ−77.8（Ｓ）；δ−64.1（Ｓ）； 13C neat δ88.0（Ｓ）；δ117.21（Ｑ）； δ119.82（Ｑ）；δ126.56（Ｓ）； δ128.68（Ｓ）；δ129.45（Ｓ）； δ136.85（Ｓ）；δ153.25（Ｑ）； δ180.51（Ｑ） 元素分析 Ca for C7H6NO2F6（％） C33.61；H2.42；N5.60；O12.79；F45.57 Found（％） C49.31；H3.63；N4.15；F31.0 （実施例 ６） （Ｈ）NONA−Ｆ［TFEA］の金属錯体の製造 窒素下において、150mlの乾燥メタノール中に
メトキシドカリウム（1.75g，0.025モルを溶解
し、これに0.025モルのβ−イミノケトンリガン
ドを添加した。この混合物を15分間撹拌して明黄
色の清澄液を得た。 これに固体の金属２臭化物（0.025モル）を加
え混合物を更に１時間撹拌した。この混合物を
過し、液からメタノールを蒸発除去した後得ら
れた固形物をトルエン（100ml）中に再溶解した。
この溶液を過し臭化カリウムの残査を分離し、
液を蒸発固化し、更に真空中で気化させて錯体
製品を得た。 分析データは次の通りである。 金属臭化物：CoBr2 形成された錯体：CO+2（NONA−Ｆ［TFEA］）
2 収 率：83％ 溶融点：76−77℃ 元素分析 Ca for C14H6N2O2F18CO：（％） Ｃ 26.48；Ｈ 0.95；Ｎ 4.41；Ｏ 5.04；Ｆ
53.84； Co 9.28 Found：（％） Ｃ 25.99；Ｈ 0.52；Ｎ 4.35；Ｆ 45.0；Co
9.51 （実施例 ７） 過フツ化β−ケトイミナート錯体の相対揮発度
の測定 モデルNo.9900の調製器に接続したデユポン社製
モデルNo.951重量分析装置を使用し、100c.c.／分の
窒素流下で試料約50mgを10℃／分の温度上昇率で
加熱することにより各金属錯体の標準加熱重量減
試験を行なつた。 第５表に示すように全金属錯体が揮発性を示し
蒸発サイクルの終了時点で最小0.34％の残査を生
じた。データはこれらの錯体の蒸発、即ち固体か
らガス相への移行は均一且つ漸進的であり、極め
てスムースに行なわれたことを示している。
サフルオロ−２，４−ペンタンジオン（9.66g，
３×10-2モル）のシリルエノールエーテルおよび
アニリン（2.79g，３×10-2モル）を添加した。
混合物を35分間還流させて真空中で蒸留を行ない
140℃，10torrにおいて8.0gの（Ｈ）HEXA−Ｆ
［AN］の黄色液を得た。 収率＝94％。 核磁気共鳴（NMR） ′Ｈ CDC3 δ6.05（Ｓ，1H）；δ7.25（ｍ，2H）； δ7.40（ｍ，3H）；δ11.90（bs，1H）； 19F CDC3 δ−77.8（Ｓ）；δ−64.1（Ｓ）； 13C neat δ88.0（Ｓ）；δ117.21（Ｑ）； δ119.82（Ｑ）；δ126.56（Ｓ）； δ128.68（Ｓ）；δ129.45（Ｓ）； δ136.85（Ｓ）；δ153.25（Ｑ）； δ180.51（Ｑ） 元素分析 Ca for C7H6NO2F6（％） C33.61；H2.42；N5.60；O12.79；F45.57 Found（％） C49.31；H3.63；N4.15；F31.0 （実施例 ６） （Ｈ）NONA−Ｆ［TFEA］の金属錯体の製造 窒素下において、150mlの乾燥メタノール中に
メトキシドカリウム（1.75g，0.025モルを溶解
し、これに0.025モルのβ−イミノケトンリガン
ドを添加した。この混合物を15分間撹拌して明黄
色の清澄液を得た。 これに固体の金属２臭化物（0.025モル）を加
え混合物を更に１時間撹拌した。この混合物を
過し、液からメタノールを蒸発除去した後得ら
れた固形物をトルエン（100ml）中に再溶解した。
この溶液を過し臭化カリウムの残査を分離し、
液を蒸発固化し、更に真空中で気化させて錯体
製品を得た。 分析データは次の通りである。 金属臭化物：CoBr2 形成された錯体：CO+2（NONA−Ｆ［TFEA］）
2 収 率：83％ 溶融点：76−77℃ 元素分析 Ca for C14H6N2O2F18CO：（％） Ｃ 26.48；Ｈ 0.95；Ｎ 4.41；Ｏ 5.04；Ｆ
53.84； Co 9.28 Found：（％） Ｃ 25.99；Ｈ 0.52；Ｎ 4.35；Ｆ 45.0；Co
9.51 （実施例 ７） 過フツ化β−ケトイミナート錯体の相対揮発度
の測定 モデルNo.9900の調製器に接続したデユポン社製
モデルNo.951重量分析装置を使用し、100c.c.／分の
窒素流下で試料約50mgを10℃／分の温度上昇率で
加熱することにより各金属錯体の標準加熱重量減
試験を行なつた。 第５表に示すように全金属錯体が揮発性を示し
蒸発サイクルの終了時点で最小0.34％の残査を生
じた。データはこれらの錯体の蒸発、即ち固体か
らガス相への移行は均一且つ漸進的であり、極め
てスムースに行なわれたことを示している。
【表】
（発明の効果）
以上述べたように本発明は化学的に安定した揮
発性フツ素化β−ケトイミンリガンドの製造方法
を提供したものであり、エレクトロニクス産業に
おける半導体デバイス或いはプリント基板用の
CVDフイルムその他の金属薄膜析出用金属材料
等としてきわめて有用なものであるといえる。
発性フツ素化β−ケトイミンリガンドの製造方法
を提供したものであり、エレクトロニクス産業に
おける半導体デバイス或いはプリント基板用の
CVDフイルムその他の金属薄膜析出用金属材料
等としてきわめて有用なものであるといえる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 次の構造式を有する安定したβ−ケトイミン
リガンドを製造するに際し、
【式】 (a) 式R1COCH2COR2を有するβ−ジケトンを
無水状態で処理して式R1COCHCOR2 -K+を有
する化合物を生成させ、 (b) 次いで得られたR1COCHCOR2 -K+を式
（R5）3SiClを有する塩化シリルで処理して、式
R1COCHCOR2 Si（R5）3を有するシリルエノールエーテルを
生成させ、 (c) 次いで得られたシリルエノールエーテルを式
R3NH2を有する一級モノアミンで処理するこ
とによつて所望のβ−ケトイミンリガンドを得
るものであり、且つ、上記した各式中の記号
R1及びR2はそれぞれ直鎖型又は分岐鎖型の過
フツ素化されたC1〜C8のアルキル基群であり、
R3はその一部又は全部がフツ素化されたC1〜
C8のアルキル基、フエニル基又はヒドロキシ
アルキル基であり、各R5はそれぞれアルキル
基であることを特徴とするβ−ケトイミンリガ
ンドの製造方法。 ２ 塩化シリルがｔ−ブチルジメチル塩化シリル
である請求項１記載のβ−ケトイミンリガンドの
製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US270,719 | 1988-11-14 | ||
| US07/270,719 US4950790A (en) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | Volatile fluorinated β-ketoimines and associated metal complexes |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02188564A JPH02188564A (ja) | 1990-07-24 |
| JPH0585540B2 true JPH0585540B2 (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=23032508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1295985A Granted JPH02188564A (ja) | 1988-11-14 | 1989-11-14 | 揮発性フッ素化β―ケトイミンリガンドの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4950790A (ja) |
| EP (1) | EP0369297B1 (ja) |
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