JPH0586460A - スパツタリング用ターゲツトおよびその製造方法 - Google Patents
スパツタリング用ターゲツトおよびその製造方法Info
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- JPH0586460A JPH0586460A JP19220891A JP19220891A JPH0586460A JP H0586460 A JPH0586460 A JP H0586460A JP 19220891 A JP19220891 A JP 19220891A JP 19220891 A JP19220891 A JP 19220891A JP H0586460 A JPH0586460 A JP H0586460A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 本願のターゲット１１は、ターゲット材とな
る磁性材料１３の一方の面に非磁性体１２を接合してな
ることを特徴とする。また、ターゲットの製造方法は、
ターゲット材となる磁性材料の一方の面に拡散により非
磁性体を接合することを特徴とする。 【効果】 本願のターゲットによれば、磁性材料を薄厚
化することができ、成膜速度を向上させることができ
る。また、使用する磁性材料の量を削減し経済性を向上
させることができる。また、本願の製造方法によれば、
該非磁性体が磁性材料に機械的強度を付与し機械加工時
の反りや割れの発生を防止することができる。したがっ
て、薄厚の磁性材料をバッキングプレート上に接合する
ことが可能になる。これにより難加工性材料であって
も、機械加工を良好に施すことができ、反りや割れが発
生することもなくなる。
る磁性材料１３の一方の面に非磁性体１２を接合してな
ることを特徴とする。また、ターゲットの製造方法は、
ターゲット材となる磁性材料の一方の面に拡散により非
磁性体を接合することを特徴とする。 【効果】 本願のターゲットによれば、磁性材料を薄厚
化することができ、成膜速度を向上させることができ
る。また、使用する磁性材料の量を削減し経済性を向上
させることができる。また、本願の製造方法によれば、
該非磁性体が磁性材料に機械的強度を付与し機械加工時
の反りや割れの発生を防止することができる。したがっ
て、薄厚の磁性材料をバッキングプレート上に接合する
ことが可能になる。これにより難加工性材料であって
も、機械加工を良好に施すことができ、反りや割れが発
生することもなくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、成膜速度及び経済性を
改善することができるスパッタリング用ターゲットおよ
びその製造方法に関するものである。
改善することができるスパッタリング用ターゲットおよ
びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気ディスクや磁気ヘッドの磁性
薄膜を成膜する方法の一つにマグネトロンスパッタリン
グがある。
薄膜を成膜する方法の一つにマグネトロンスパッタリン
グがある。
【０００３】この方法は、電場と磁場の直交するマグネ
トロン放電を利用したもので、基板温度の上昇を低く抑
えることができ、ターゲットへ大電力を投入して成膜速
度（スパッタレイト）を大きくすることができ、ミクロ
ンオーダーの膜厚を容易に得ることができる等の利点が
あるために、現在では、実験室はもとより本格的な量産
装置として最も多用されている薄膜形成方法の１つであ
る。
トロン放電を利用したもので、基板温度の上昇を低く抑
えることができ、ターゲットへ大電力を投入して成膜速
度（スパッタレイト）を大きくすることができ、ミクロ
ンオーダーの膜厚を容易に得ることができる等の利点が
あるために、現在では、実験室はもとより本格的な量産
装置として最も多用されている薄膜形成方法の１つであ
る。
【０００４】この方法により成膜された磁性薄膜は、従
来のスピンコート等の塗布法と比べて高密度記録が可能
であり、電磁変換特性に優れており、ＳＮ比が高い等、
種々の優れた特徴がある。
来のスピンコート等の塗布法と比べて高密度記録が可能
であり、電磁変換特性に優れており、ＳＮ比が高い等、
種々の優れた特徴がある。
【０００５】図５は前記マグネトロンスパッタリングに
用いられるスパッタリング用ターゲット（以下、単にタ
ーゲットと略称する）１であって、略矩形状もしくは円
板状のバッキングプレート（冷却板）２上に、磁性材料
を該バッキングプレート２と同形状に形成した磁性体３
が接合されている。
用いられるスパッタリング用ターゲット（以下、単にタ
ーゲットと略称する）１であって、略矩形状もしくは円
板状のバッキングプレート（冷却板）２上に、磁性材料
を該バッキングプレート２と同形状に形成した磁性体３
が接合されている。
【０００６】ターゲット１の製造方法としては、前記Ｃ
ｏ系合金のターゲットの場合は粉末冶金法が好適に用い
られるが、センダストの場合は粉末冶金法の適用が難し
いために溶解鋳造法が好適に用いられる。
ｏ系合金のターゲットの場合は粉末冶金法が好適に用い
られるが、センダストの場合は粉末冶金法の適用が難し
いために溶解鋳造法が好適に用いられる。
【０００７】このターゲット１を用いてスパッタリング
する場合、図６に示す様に磁石４，４を用いてターゲッ
ト１の上方に磁力線Ｍを発生させ前記ターゲット１の上
方の漏洩磁束密度を大きくし、前記ターゲット１の近傍
に高密度プラズマを発生させてマグネトロン放電を起こ
すことにより、マグネトロンスパッタリングをすること
ができる。
する場合、図６に示す様に磁石４，４を用いてターゲッ
ト１の上方に磁力線Ｍを発生させ前記ターゲット１の上
方の漏洩磁束密度を大きくし、前記ターゲット１の近傍
に高密度プラズマを発生させてマグネトロン放電を起こ
すことにより、マグネトロンスパッタリングをすること
ができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のター
ゲット１を用いた場合、成膜時の成膜速度（スパッタレ
イト）を確保するためには、磁石４を強力にするか、ま
たは磁性体３の厚み（ｔ）を薄くする必要がある。
ゲット１を用いた場合、成膜時の成膜速度（スパッタレ
イト）を確保するためには、磁石４を強力にするか、ま
たは磁性体３の厚み（ｔ）を薄くする必要がある。
【０００９】しかし、磁石４が発生する磁力線をこれ以
上強くすることは磁石４の特性上及び構造上難しいため
に、磁性体３の厚み（ｔ）を薄くするしかないのである
が、この磁性体３の厚み（ｔ）を薄くすると機械加工時
に歪むために反りが生じバッキングプレート２へのハン
ダ付けの際に欠陥が生じ易くなり、また、機械加工性が
悪いために加工時に割れが生じ易くなる。したがって、
磁性体３の厚み（ｔ）を薄くすると直接バッキングプレ
ート２へ接合することが出来なくなり、実際に磁性体３
の厚みを５ｍｍ以下にすることは極めて困難である。
上強くすることは磁石４の特性上及び構造上難しいため
に、磁性体３の厚み（ｔ）を薄くするしかないのである
が、この磁性体３の厚み（ｔ）を薄くすると機械加工時
に歪むために反りが生じバッキングプレート２へのハン
ダ付けの際に欠陥が生じ易くなり、また、機械加工性が
悪いために加工時に割れが生じ易くなる。したがって、
磁性体３の厚み（ｔ）を薄くすると直接バッキングプレ
ート２へ接合することが出来なくなり、実際に磁性体３
の厚みを５ｍｍ以下にすることは極めて困難である。
【００１０】本発明は、前記の事情に鑑みてなされたも
ので、以上の問題点を解決することができるとともに成
膜速度及び経済性を改善することができるターゲットお
よびその製造方法を提供することにある。
ので、以上の問題点を解決することができるとともに成
膜速度及び経済性を改善することができるターゲットお
よびその製造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は次の様なターゲットおよびその製造方法
を採用した。すなわち、請求項１記載のターゲットとし
ては、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に非磁性
体を接合してなることを特徴としている。
に、この発明は次の様なターゲットおよびその製造方法
を採用した。すなわち、請求項１記載のターゲットとし
ては、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に非磁性
体を接合してなることを特徴としている。
【００１２】また、請求項２記載のターゲットの製造方
法としては、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に
拡散により非磁性体を接合することを特徴としている。
法としては、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に
拡散により非磁性体を接合することを特徴としている。
【００１３】
【作用】請求項１記載のターゲットでは、ターゲット材
となる磁性材料の一方の面に非磁性体を接合してなるこ
とにより、磁性材料を薄厚化して成膜速度を向上させ
る。また、磁性材料の厚みを薄厚とすることにより、磁
性材料の不使用部分を削減し経済性を向上させる。
となる磁性材料の一方の面に非磁性体を接合してなるこ
とにより、磁性材料を薄厚化して成膜速度を向上させ
る。また、磁性材料の厚みを薄厚とすることにより、磁
性材料の不使用部分を削減し経済性を向上させる。
【００１４】また、請求項２記載のターゲットの製造方
法では、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に拡散
により非磁性体を接合することにより、該非磁性体が磁
性材料に機械的強度を付与し、機械加工時の反りや割れ
の発生を防止する。したがって、非磁性体を介すること
により薄厚の磁性材料をバッキングプレートに接合する
ことが可能になる。
法では、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に拡散
により非磁性体を接合することにより、該非磁性体が磁
性材料に機械的強度を付与し、機械加工時の反りや割れ
の発生を防止する。したがって、非磁性体を介すること
により薄厚の磁性材料をバッキングプレートに接合する
ことが可能になる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明に係るターゲットの一実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１６】図１は、ターゲット１１の断面図であっ
て、略矩形状もしくは円板状のバッキングプレート（冷
却板）２の一方の面２ａ上に非磁性体１２が接合され、
該非磁性体１２の面１２ａ上に磁性体１３が一体に接合
されている。
て、略矩形状もしくは円板状のバッキングプレート（冷
却板）２の一方の面２ａ上に非磁性体１２が接合され、
該非磁性体１２の面１２ａ上に磁性体１３が一体に接合
されている。
【００１７】非磁性体１２は、バッキングプレート２と
同形状で大きさが該バッキングプレート２より若干小さ
いものである。この非磁性体１２の材料としては、例え
ばＴｉ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｗ等の弱磁性の金属、Ｃｕ等の反
磁性の金属、ステンレススチール（例えばオーステナイ
ト系のＳＵＳ３０４）等の弱磁性の合金が好適に用いら
れる。
同形状で大きさが該バッキングプレート２より若干小さ
いものである。この非磁性体１２の材料としては、例え
ばＴｉ，Ａｌ，Ｍｏ，Ｗ等の弱磁性の金属、Ｃｕ等の反
磁性の金属、ステンレススチール（例えばオーステナイ
ト系のＳＵＳ３０４）等の弱磁性の合金が好適に用いら
れる。
【００１８】磁性体１３は、非磁性体１２と同一の形状
で厚み（ｔ1）が該非磁性体１２の厚み（ｔ2）と同等か
またはそれより厚い強磁性材料からなるものである。こ
の磁性体１３の材料としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合
金，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系合
金，センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金）等が好適に
用いられる。
で厚み（ｔ1）が該非磁性体１２の厚み（ｔ2）と同等か
またはそれより厚い強磁性材料からなるものである。こ
の磁性体１３の材料としては、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系合
金，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系合金，Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系合
金，センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金）等が好適に
用いられる。
【００１９】また、磁性体１３の厚み（ｔ1）と該非磁
性体１２の厚み（ｔ2）の和は、従来のターゲット１の
厚み（ｔ）と同一となる様に設定されている。
性体１２の厚み（ｔ2）の和は、従来のターゲット１の
厚み（ｔ）と同一となる様に設定されている。
【００２０】次に、前記ターゲット１１を製造する方
法、すなわち非磁性体１２の一方の面１２ａ上に拡散に
より磁性体１３を接合する方法について説明する。
法、すなわち非磁性体１２の一方の面１２ａ上に拡散に
より磁性体１３を接合する方法について説明する。
【００２１】まず、ＨＩＰ処理により前記ターゲット１
１を製造する方法について図１及び図２を参照しながら
説明する。
１を製造する方法について図１及び図２を参照しながら
説明する。
【００２２】まず、溶解鋳造法の一種である真空鋳造法
により、Ｃｏ−９重量％Ｃｒ−３１重量％Ｐｔの組成を
有する合金のインゴットを製造する。次に、ワイヤーカ
ット放電加工等の機械加工により前記インゴットを直方
体状に切断して素板２１とする。
により、Ｃｏ−９重量％Ｃｒ−３１重量％Ｐｔの組成を
有する合金のインゴットを製造する。次に、ワイヤーカ
ット放電加工等の機械加工により前記インゴットを直方
体状に切断して素板２１とする。
【００２３】次に、この素板２１を直方体状のステンレ
ススチール缶２２に挿入し、該ステンレススチール缶２
２の内部を真空にし密封する。次に、ＨＩＰによりステ
ンレススチール缶を焼結する。ＨＩＰ処理は、概ね１２
００℃、１.０ｔｏｎ／ｃｍ2の下で１時間行う。
ススチール缶２２に挿入し、該ステンレススチール缶２
２の内部を真空にし密封する。次に、ＨＩＰによりステ
ンレススチール缶を焼結する。ＨＩＰ処理は、概ね１２
００℃、１.０ｔｏｎ／ｃｍ2の下で１時間行う。
【００２４】次に、６００℃で３０分間焼鈍処理を行な
い、その後所定の圧縮率Ｔで２回圧延処理を行う。
い、その後所定の圧縮率Ｔで２回圧延処理を行う。
【００２５】次に、前記素板２１とステンレススチール
缶２２とを一体に接合したまま略矩形状もしくは円板状
に切断しその後素板２１の表面に鏡面研磨等の仕上加工
を施し、その後ボンディングを行い略矩形状もしくは円
板状のターゲット１１とする。
缶２２とを一体に接合したまま略矩形状もしくは円板状
に切断しその後素板２１の表面に鏡面研磨等の仕上加工
を施し、その後ボンディングを行い略矩形状もしくは円
板状のターゲット１１とする。
【００２６】以上により、磁性体１３（素板２１）と非
磁性体１２（ステンレススチール缶２２）とを拡散によ
り接合し一体の構造としたターゲット１１を得ることが
できる。
磁性体１２（ステンレススチール缶２２）とを拡散によ
り接合し一体の構造としたターゲット１１を得ることが
できる。
【００２７】次に、真空ホットプレス（ＨＰ）処理によ
り前記ターゲット１１を製造する方法について図２及び
図３を参照しながら説明する。
り前記ターゲット１１を製造する方法について図２及び
図３を参照しながら説明する。
【００２８】真空鋳造法により製造されたインゴットを
直方体状に切断して素板２１とし、この素板２１を同一
形状のステンレススチール板２３上に重ね、真空下にお
いて所定の温度Ｔ及び所定の圧力Ｐを所定時間Ｈ保持す
ることにより、素板２１とステンレススチール板２３と
を接合する。
直方体状に切断して素板２１とし、この素板２１を同一
形状のステンレススチール板２３上に重ね、真空下にお
いて所定の温度Ｔ及び所定の圧力Ｐを所定時間Ｈ保持す
ることにより、素板２１とステンレススチール板２３と
を接合する。
【００２９】ＨＰ処理の条件の一例を下記にしめす。 真 空 度 ：１×１０-2Ｔｏｒｒ 加 圧 力 Ｐ：２５０ｋｇ／ｃｍ2 温 度 Ｔ：１１５０℃ 保持時間 Ｈ：５時間
【００３０】その後、焼鈍処理、圧延処理、仕上加工、
ボンディング等を施し、略矩形状もしくは円板状のター
ゲット１１とする。
ボンディング等を施し、略矩形状もしくは円板状のター
ゲット１１とする。
【００３１】以上により、磁性体１３（素板２１）と非
磁性体１２（ステンレススチール板２３）とを拡散によ
り接合し一体の構造としたターゲット１１を得ることが
できる。
磁性体１２（ステンレススチール板２３）とを拡散によ
り接合し一体の構造としたターゲット１１を得ることが
できる。
【００３２】前記ターゲット１１を用いてスパッタリン
グする場合、図４に示す様に磁石４，４によりターゲッ
ト１１の上方に高密度の磁力線Ｍを発生させて前記ター
ゲット１１の上方の漏洩磁束密度を大きくし、前記ター
ゲット１１の近傍に高密度プラズマを発生させて大きな
イオン電流を流すことにより大電力化を図ることがで
き、これにより強いマグネトロン放電を起こすことがで
きる。このとき、電子はターゲットの表面近傍を円形状
もしくは略矩形状もしくは円形状の連続した軌跡を描い
て運動しており、ターゲット１１の電力密度（Ｗ／ｃｍ
2）を大幅に増大させることができ、最適条件の下にマ
グネトロンスパッタリングを行うことができる。
グする場合、図４に示す様に磁石４，４によりターゲッ
ト１１の上方に高密度の磁力線Ｍを発生させて前記ター
ゲット１１の上方の漏洩磁束密度を大きくし、前記ター
ゲット１１の近傍に高密度プラズマを発生させて大きな
イオン電流を流すことにより大電力化を図ることがで
き、これにより強いマグネトロン放電を起こすことがで
きる。このとき、電子はターゲットの表面近傍を円形状
もしくは略矩形状もしくは円形状の連続した軌跡を描い
て運動しており、ターゲット１１の電力密度（Ｗ／ｃｍ
2）を大幅に増大させることができ、最適条件の下にマ
グネトロンスパッタリングを行うことができる。
【００３３】表１は、上記のターゲット（実施例）と、
従来のターゲット（比較例）について各々の特性を比較
したものである。ここでは、ターゲットの組成はＣｏ−
９重量％Ｃｒ−３１重量％Ｐｔ一種とし、このターゲッ
トの磁性体１３の厚み（ｔ1）と非磁性体１２の厚み
（ｔ2）を様々に変化させて特性を評価している。
従来のターゲット（比較例）について各々の特性を比較
したものである。ここでは、ターゲットの組成はＣｏ−
９重量％Ｃｒ−３１重量％Ｐｔ一種とし、このターゲッ
トの磁性体１３の厚み（ｔ1）と非磁性体１２の厚み
（ｔ2）を様々に変化させて特性を評価している。
【００３４】
【表１】
【００３５】表１から明らかなように、上記実施例のタ
ーゲットは従来のものと比べて磁性体１３の厚みｔ1が
薄くなるために、漏洩磁束密度Ｂが大きくなり、成膜速
度（スパッタレイト）も優れていることがわかる。
ーゲットは従来のものと比べて磁性体１３の厚みｔ1が
薄くなるために、漏洩磁束密度Ｂが大きくなり、成膜速
度（スパッタレイト）も優れていることがわかる。
【００３６】以上説明した様に、上記実施例のターゲッ
ト１１によれば、バッキングプレート２上に非磁性体１
２を接合し、該非磁性体１２の面１２ａ上に磁性体１３
を一体に接合したので、磁性体１３を薄厚化することが
でき成膜速度を向上させることができる。また、磁性体
１３の厚みを薄厚とすることにより、使用する磁性材料
の量を削減することができ、したがって経済性を向上さ
せることができる。
ト１１によれば、バッキングプレート２上に非磁性体１
２を接合し、該非磁性体１２の面１２ａ上に磁性体１３
を一体に接合したので、磁性体１３を薄厚化することが
でき成膜速度を向上させることができる。また、磁性体
１３の厚みを薄厚とすることにより、使用する磁性材料
の量を削減することができ、したがって経済性を向上さ
せることができる。
【００３７】また、上記実施例のターゲットの製造方法
によれば、非磁性体１２の面１２ａ上に拡散により磁性
体１３を接合することとしたので、該非磁性体１２が磁
性体１３に機械的強度を付与し、機械加工時の反りや割
れの発生を防止することができる。したがって、非磁性
体１２を介することにより、薄厚の磁性体１３をバッキ
ングプレート２上に接合することが可能になる。
によれば、非磁性体１２の面１２ａ上に拡散により磁性
体１３を接合することとしたので、該非磁性体１２が磁
性体１３に機械的強度を付与し、機械加工時の反りや割
れの発生を防止することができる。したがって、非磁性
体１２を介することにより、薄厚の磁性体１３をバッキ
ングプレート２上に接合することが可能になる。
【００３８】これにより、例えばセンダスト（Ｆｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ系合金）の様な難加工性材料であっても、機械
加工を良好に施すことができ、反りや割れが発生するこ
ともなくなる。
ｌ−Ｓｉ系合金）の様な難加工性材料であっても、機械
加工を良好に施すことができ、反りや割れが発生するこ
ともなくなる。
【００３９】以上により、高い成膜速度（ハイスパッタ
レイト）を有し経済性を改善することができるターゲッ
トおよびその製造方法を提供することができる。
レイト）を有し経済性を改善することができるターゲッ
トおよびその製造方法を提供することができる。
【００４０】なお、前記ターゲット１１を製造する方
法、すなわち非磁性体１２の一方の面１２ａ上に拡散に
より磁性体１３を接合する方法としては、上述したＨＩ
Ｐ処理やＨＰ処理に限定されることなく種々の方法が適
用可能であり、例えば、爆着等の方法も好適に用いるこ
とができる。
法、すなわち非磁性体１２の一方の面１２ａ上に拡散に
より磁性体１３を接合する方法としては、上述したＨＩ
Ｐ処理やＨＰ処理に限定されることなく種々の方法が適
用可能であり、例えば、爆着等の方法も好適に用いるこ
とができる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項１記載のター
ゲットによれば、ターゲット材となる磁性材料の一方の
面に非磁性体を接合してなることとしたので、磁性材料
を薄厚化することができ、成膜速度を向上させることが
できる。また、磁性材料の厚みを薄厚とすることによ
り、使用する磁性材料の量を削減することができ、した
がって経済性を向上させることができる。
ゲットによれば、ターゲット材となる磁性材料の一方の
面に非磁性体を接合してなることとしたので、磁性材料
を薄厚化することができ、成膜速度を向上させることが
できる。また、磁性材料の厚みを薄厚とすることによ
り、使用する磁性材料の量を削減することができ、した
がって経済性を向上させることができる。
【００４２】また、請求項２記載のターゲットの製造方
法によれば、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に
拡散により非磁性体を接合するので、該非磁性体が磁性
材料に機械的強度を付与することができ、機械加工時の
反りや割れの発生を防止することができる。したがっ
て、非磁性体を介することにより、薄厚の磁性材料をバ
ッキングプレート上に接合することが可能になる。
法によれば、ターゲット材となる磁性材料の一方の面に
拡散により非磁性体を接合するので、該非磁性体が磁性
材料に機械的強度を付与することができ、機械加工時の
反りや割れの発生を防止することができる。したがっ
て、非磁性体を介することにより、薄厚の磁性材料をバ
ッキングプレート上に接合することが可能になる。
【００４３】これにより、例えばセンダスト（Ｆｅ−Ａ
ｌ−Ｓｉ系合金）の様な難加工性材料であっても、機械
加工を良好に施すことができ、反りや割れが発生するこ
ともなくなる。
ｌ−Ｓｉ系合金）の様な難加工性材料であっても、機械
加工を良好に施すことができ、反りや割れが発生するこ
ともなくなる。
【００４４】以上により、高い成膜速度（ハイスパッタ
レイト）を有し経済性を改善することができるターゲッ
トおよびその製造方法を提供することができる。
レイト）を有し経済性を改善することができるターゲッ
トおよびその製造方法を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例であるターゲットの断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の一実施例であるターゲットの製造方法
の工程図である。
の工程図である。
【図３】本発明の一実施例であるターゲットの製造方法
の一部を示す概略説明図である。
の一部を示す概略説明図である。
【図４】本発明に係るターゲットの磁力線の様子を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】従来のターゲットの断面図である。
【図６】従来のターゲットの磁力線の様子を示す断面図
である。
である。
１１ ターゲット ２ バッキングプレート（冷却板） １２ 非磁性体 １２ａ 面 １３ 磁性体
Claims (2)
- 【請求項１】 ターゲット材となる磁性材料の一方の面
に非磁性体を接合してなることを特徴とするスパッタリ
ング用ターゲット。 - 【請求項２】 ターゲット材となる磁性材料の一方の面
に拡散により非磁性体を接合することを特徴とするスパ
ッタリング用ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19220891A JPH0586460A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | スパツタリング用ターゲツトおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19220891A JPH0586460A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | スパツタリング用ターゲツトおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0586460A true JPH0586460A (ja) | 1993-04-06 |
Family
ID=16287465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19220891A Withdrawn JPH0586460A (ja) | 1991-07-31 | 1991-07-31 | スパツタリング用ターゲツトおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0586460A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2008096648A1 (ja) | 2007-02-09 | 2008-08-14 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 高融点金属合金、高融点金属珪化物、高融点金属炭化物、高融点金属窒化物あるいは高融点金属ホウ化物の難焼結体からなるターゲット及びその製造方法並びに同スパッタリングターゲット－バッキングプレート組立体及びその製造方法 |
| WO2011102359A1 (ja) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット－バッキングプレート組立体 |
-
1991
- 1991-07-31 JP JP19220891A patent/JPH0586460A/ja not_active Withdrawn
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| EP2806048A2 (en) | 2007-02-09 | 2014-11-26 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Target formed of sintering-resistant material of high-melting point metal alloy, high-melting point metal silicide, high-melting point metal carbide, high-melting point metal nitride, or high-melting point metal boride, process for producing the target, assembly of the sputtering target-backing plate, and process for producing the same |
| US9677170B2 (en) | 2007-02-09 | 2017-06-13 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Target formed of sintering-resistant material of high-melting point metal alloy, high-melting point metal silicide, high-melting point metal carbide, high-melting point metal nitride, or high-melting point metal boride, process for producing the target, assembly of the sputtering target-backing plate, and process for producing the same |
| US10344373B2 (en) | 2007-02-09 | 2019-07-09 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Process for producing a target formed of a sintering-resistant material of a high-melting point metal alloy, silicide, carbide, nitride or boride |
| WO2011102359A1 (ja) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット－バッキングプレート組立体 |
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