JPH0586669B2 - - Google Patents
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- JPH0586669B2 JPH0586669B2 JP58210089A JP21008983A JPH0586669B2 JP H0586669 B2 JPH0586669 B2 JP H0586669B2 JP 58210089 A JP58210089 A JP 58210089A JP 21008983 A JP21008983 A JP 21008983A JP H0586669 B2 JPH0586669 B2 JP H0586669B2
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- JP
- Japan
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- light
- shielding film
- film
- imaging device
- photosensitive pixel
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/158—Charge-coupled device [CCD] image sensors having arrangements for blooming suppression
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、二次元イメージセンサなどに用いら
れる固体撮像装置に係り、特にオプテイカルブラ
ツク領域に関する。
れる固体撮像装置に係り、特にオプテイカルブラ
ツク領域に関する。
第１図は、従来の電荷結合素子（CCD）を用
いたインターライン転送方式のイメージセンサ１
における感光画素部２、垂直CCDシフトレジス
タ３、水平CCDシフトレジスタ４、出力部５の
配置例を示している。上記イメージセンサ１上の
大部分の領域は受光部（センサ領域）６となつて
おり、極く一部の領域は黒レベル生成用のオプテ
イカルブラツク領域（以下、OB領域と言う）７
となつており、このOB領域７は図中斜線で示す
ように表面がアルミニウム膜により覆われて光入
力が遮断されている。
いたインターライン転送方式のイメージセンサ１
における感光画素部２、垂直CCDシフトレジス
タ３、水平CCDシフトレジスタ４、出力部５の
配置例を示している。上記イメージセンサ１上の
大部分の領域は受光部（センサ領域）６となつて
おり、極く一部の領域は黒レベル生成用のオプテ
イカルブラツク領域（以下、OB領域と言う）７
となつており、このOB領域７は図中斜線で示す
ように表面がアルミニウム膜により覆われて光入
力が遮断されている。
第２図は、上記イメージセンサ１におけるOB
領域７の一部およびセンサ領域６の一部の断面構
造を示している。即ち、２１はたとえばｐ形のシ
リコン基板、２２は上記基板２１とは逆導電形で
あつて上記基板表面の一部に設けられたn+層
（第１図の感光画素部２に相当）、２３は同じく上
記基板表面で上記n+層２２に近接して設けられ
たn+層（第１図の垂直CCDシフトレジスタ３に
相当）、２４は前記感光画素部用n+層２２から電
荷が溢れ出た場合にこの電荷（過剰電荷）を排出
するためのオーバーフロードレイン部（過剰電荷
排出部）、２５はオーバーフローコントロールゲ
ート部、２６はチヤンネルストツパ部（素子分離
部）、２７は前記基板上に形成された酸化シリコ
ン（SiO2）膜、２８は上記SiO2膜２７中に形成
された第１層の多結晶シリコン電極、２９は同じ
く前記SiO2膜２７中に形成された第２層の多結
晶シリコン電極、３０は同じく前記SiO2膜２７
上に前記感光画素部用n+層２２の上方部に対応
する部分を除いて形成された光シールド用の第１
層のアルミニウム膜、３１は上記第１層のアルミ
ニウム膜３０および前記SiO2膜２７の上に形成
された保護絶縁膜、３２は上記保護絶縁膜３１上
でOB領域７に相当する部分に形成された光シー
ルド用の第２層のアルミニウム膜である。
領域７の一部およびセンサ領域６の一部の断面構
造を示している。即ち、２１はたとえばｐ形のシ
リコン基板、２２は上記基板２１とは逆導電形で
あつて上記基板表面の一部に設けられたn+層
（第１図の感光画素部２に相当）、２３は同じく上
記基板表面で上記n+層２２に近接して設けられ
たn+層（第１図の垂直CCDシフトレジスタ３に
相当）、２４は前記感光画素部用n+層２２から電
荷が溢れ出た場合にこの電荷（過剰電荷）を排出
するためのオーバーフロードレイン部（過剰電荷
排出部）、２５はオーバーフローコントロールゲ
ート部、２６はチヤンネルストツパ部（素子分離
部）、２７は前記基板上に形成された酸化シリコ
ン（SiO2）膜、２８は上記SiO2膜２７中に形成
された第１層の多結晶シリコン電極、２９は同じ
く前記SiO2膜２７中に形成された第２層の多結
晶シリコン電極、３０は同じく前記SiO2膜２７
上に前記感光画素部用n+層２２の上方部に対応
する部分を除いて形成された光シールド用の第１
層のアルミニウム膜、３１は上記第１層のアルミ
ニウム膜３０および前記SiO2膜２７の上に形成
された保護絶縁膜、３２は上記保護絶縁膜３１上
でOB領域７に相当する部分に形成された光シー
ルド用の第２層のアルミニウム膜である。
上記イメージセンサ１においては、センサ領域
６のシリコン基板２１に光が入射することによつ
て生成される信号電荷は感光画素部用n+層２２
に蓄積される。その際、過剰電荷が発生すると、
オーバーフローコントロールゲート部２５を経て
オーバーフロードレイン部２６に捨てられる。前
記n+層２２に蓄積された電荷は、垂直CCDレジ
スタ用n+層２３に転送されたのち転送クロツク
パルスによつて垂直CCDレジスタ３内を水平
CCDレジスタ４方向に転送される。そして、水
平CCDレジスタ４に転送されてきた電荷は水平
方向に転送されて出力部５により電圧変換されて
読み出される。
６のシリコン基板２１に光が入射することによつ
て生成される信号電荷は感光画素部用n+層２２
に蓄積される。その際、過剰電荷が発生すると、
オーバーフローコントロールゲート部２５を経て
オーバーフロードレイン部２６に捨てられる。前
記n+層２２に蓄積された電荷は、垂直CCDレジ
スタ用n+層２３に転送されたのち転送クロツク
パルスによつて垂直CCDレジスタ３内を水平
CCDレジスタ４方向に転送される。そして、水
平CCDレジスタ４に転送されてきた電荷は水平
方向に転送されて出力部５により電圧変換されて
読み出される。
なお、上記イメージセンサ１においては、光入
力を全く遮断したとしても常温において出力成分
（暗時出力成分または暗電流と呼ばれる）が観測
され、この出力成分は温度上昇に伴つて上昇す
る。このような暗時出力成分が大きくなると、電
荷読み出し部（垂直CCDレジスタ３）のダイナ
ミツクレンジが小さくなるという問題が生じる。
そこで、温度上昇に伴なう暗時出力成分の上昇分
を差し引くように信号処理を行なうことが行なわ
れており、暗時出力成分の上昇分を検出するため
に前記OB領域７が設けられている。したがつ
て、上記OB領域７は、前記第２層のアルミニウ
ム膜３２のほかはセンサ領域６と同じ構造を有し
ている。
力を全く遮断したとしても常温において出力成分
（暗時出力成分または暗電流と呼ばれる）が観測
され、この出力成分は温度上昇に伴つて上昇す
る。このような暗時出力成分が大きくなると、電
荷読み出し部（垂直CCDレジスタ３）のダイナ
ミツクレンジが小さくなるという問題が生じる。
そこで、温度上昇に伴なう暗時出力成分の上昇分
を差し引くように信号処理を行なうことが行なわ
れており、暗時出力成分の上昇分を検出するため
に前記OB領域７が設けられている。したがつ
て、上記OB領域７は、前記第２層のアルミニウ
ム膜３２のほかはセンサ領域６と同じ構造を有し
ている。
ところで、前述したような第２層のアルミニウ
ム膜３２を蒸着形成した際、基板部のダメージを
回復するために、たとえば450℃、窒素（N2）が
90％、水素（H2）が10％の雰囲気中で15分〜30
分程度のアニールを行なわなければならない。こ
の場合、H2が重要な役割を果たしてダメージを
回復させる。
ム膜３２を蒸着形成した際、基板部のダメージを
回復するために、たとえば450℃、窒素（N2）が
90％、水素（H2）が10％の雰囲気中で15分〜30
分程度のアニールを行なわなければならない。こ
の場合、H2が重要な役割を果たしてダメージを
回復させる。
なお、上記アニールをアルミニウム膜３２のパ
ターン形成前に行なうと、アルミニウム膜３２の
エツチングを完全に行なうことができなくなるの
で、上記アニールはアルミニウム膜３２のパター
ン形成後に行なわれる。また、表面にアルミニウ
ム膜３２が存在するOB領域７と表面にアルミニ
ウム膜が存在しないセンサ領域６とでは、アニー
ル効果に差が生じる。何故なら、上記アルミニウ
ム膜３２の表面に水酸化物（Ａ（OH）3が形成
され、アニール時において、当該アルミニウム膜
３２の表面の水酸化物は、Ａ2O3（アルミナ）
に変化すると共に、H2を放出するからである。
したがつて、アルミニウム膜３２が表面に存在す
るOB領域７とセンサ領域６とでアニールによる
基板部のダメージ回復の程度が異なることにな
り、OB領域７の暗時出力成分とセンサ領域６の
暗時成分との間に差が生じることになる。このこ
とは前述したような暗時出力成分変動分の相殺処
理を行なう上で問題がある。
ターン形成前に行なうと、アルミニウム膜３２の
エツチングを完全に行なうことができなくなるの
で、上記アニールはアルミニウム膜３２のパター
ン形成後に行なわれる。また、表面にアルミニウ
ム膜３２が存在するOB領域７と表面にアルミニ
ウム膜が存在しないセンサ領域６とでは、アニー
ル効果に差が生じる。何故なら、上記アルミニウ
ム膜３２の表面に水酸化物（Ａ（OH）3が形成
され、アニール時において、当該アルミニウム膜
３２の表面の水酸化物は、Ａ2O3（アルミナ）
に変化すると共に、H2を放出するからである。
したがつて、アルミニウム膜３２が表面に存在す
るOB領域７とセンサ領域６とでアニールによる
基板部のダメージ回復の程度が異なることにな
り、OB領域７の暗時出力成分とセンサ領域６の
暗時成分との間に差が生じることになる。このこ
とは前述したような暗時出力成分変動分の相殺処
理を行なう上で問題がある。
また、SiO2膜２７の内部は２層の多結晶シリ
コン電極２８，２９の存在する部分と存在しない
部分とがあり、SiO2膜２７の表面は凹凸を有す
る。そして、OB領域７においては、上記SiO2膜
２７上に第１層のアルミニウム膜３０のパターン
はSiO2膜２７の表面のうち凹部（感光画素部用
n+層２２の上方に対応する）上には形成されな
いで残りの凸部上に形成されている。こののち、
保護絶縁膜３１を形成した際に、その表面の凹部
の段差が数μm程度発生する。したがつて、この
のち保護絶縁膜３１の表面上に第２層のアルミニ
ウム膜３２を蒸着形成してセンサ領域６の表面の
アルミニウム膜のエツチングオフを行なう場合、
保護絶縁膜３１の表面の凹部（感光画素部の上方
に対応する）の底面のアルミニウム膜を完全にエ
ツチングオフすることが困難になつてくる。そし
て、上記凹部のエツチングオフが完全に行なわれ
ないでアルミニウム膜３２′が残つていると、イ
メージセンサ１の感光特性上大きな問題となり、
特に画素サイズが小さくなつてくると上記の問題
は顕著になつてくる。
コン電極２８，２９の存在する部分と存在しない
部分とがあり、SiO2膜２７の表面は凹凸を有す
る。そして、OB領域７においては、上記SiO2膜
２７上に第１層のアルミニウム膜３０のパターン
はSiO2膜２７の表面のうち凹部（感光画素部用
n+層２２の上方に対応する）上には形成されな
いで残りの凸部上に形成されている。こののち、
保護絶縁膜３１を形成した際に、その表面の凹部
の段差が数μm程度発生する。したがつて、この
のち保護絶縁膜３１の表面上に第２層のアルミニ
ウム膜３２を蒸着形成してセンサ領域６の表面の
アルミニウム膜のエツチングオフを行なう場合、
保護絶縁膜３１の表面の凹部（感光画素部の上方
に対応する）の底面のアルミニウム膜を完全にエ
ツチングオフすることが困難になつてくる。そし
て、上記凹部のエツチングオフが完全に行なわれ
ないでアルミニウム膜３２′が残つていると、イ
メージセンサ１の感光特性上大きな問題となり、
特に画素サイズが小さくなつてくると上記の問題
は顕著になつてくる。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、
センサ領域とOB領域とで暗時出力成分の差が生
じず、上記両領域それぞれにおける暗時出力成分
の温度による変動分が等しくなり、センサ領域に
おける温度変動に伴なう暗時出力成分の変動分の
正確な補償が可能になり、しかもOB領域決定用
遮光膜のセンサ領域におけるエツチオフ不良を防
止し得る固体撮像装置を提供するものである。
センサ領域とOB領域とで暗時出力成分の差が生
じず、上記両領域それぞれにおける暗時出力成分
の温度による変動分が等しくなり、センサ領域に
おける温度変動に伴なう暗時出力成分の変動分の
正確な補償が可能になり、しかもOB領域決定用
遮光膜のセンサ領域におけるエツチオフ不良を防
止し得る固体撮像装置を提供するものである。
即ち、本発明の固体撮像装置は、OB領域決定
用の遮光膜として半導体表板上の絶縁膜中にアニ
ール時の高温下においても、化学反応によつて
H2を放出することがないような物質からなる膜
高融点金属シリサイド膜を設けてなることを特徴
とするものである。
用の遮光膜として半導体表板上の絶縁膜中にアニ
ール時の高温下においても、化学反応によつて
H2を放出することがないような物質からなる膜
高融点金属シリサイド膜を設けてなることを特徴
とするものである。
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
第３図および第４図に示すイメージセンサ１′
は、第１図および第２図を参照して前述したイメ
ージセンサ１に比べて、そのOB領域７の表面の
第２層のアルミニウム膜３２の代わりにOB領域
７′におけるSiO2膜２７の内部で第２層の多結晶
シリコン電極２９より上層側にたとえば1000〜
2000Å程度のモリブデンシリサイド（MoSi2）膜
４０を設けた点が異なり、その他は同じであるの
で同一符号を援用してその詳述を省略する。
は、第１図および第２図を参照して前述したイメ
ージセンサ１に比べて、そのOB領域７の表面の
第２層のアルミニウム膜３２の代わりにOB領域
７′におけるSiO2膜２７の内部で第２層の多結晶
シリコン電極２９より上層側にたとえば1000〜
2000Å程度のモリブデンシリサイド（MoSi2）膜
４０を設けた点が異なり、その他は同じであるの
で同一符号を援用してその詳述を省略する。
一般に、MoSi膜は、現在の半導体技術では多
結晶シリコンなどと同様に内部配線用の電極など
として広く用いられており、光を遮断する性質を
有すると共にモリブデンもシリコンもその表面に
水酸化物を形成しないためアニール時の高温下に
おいても化学反応によつてH2を放出することが
ない性質を有している。
結晶シリコンなどと同様に内部配線用の電極など
として広く用いられており、光を遮断する性質を
有すると共にモリブデンもシリコンもその表面に
水酸化物を形成しないためアニール時の高温下に
おいても化学反応によつてH2を放出することが
ない性質を有している。
而して、上記構成のイメージセンサ１′におい
ては、MoSi2膜４０形成後における製造工程での
比較的高温の処理においてMoSi2膜４０から基板
２１側にH2が拡散することはない。このように、
従来のOB領域における第２層のアルミニウム膜
に含まれるH2の拡散の問題が生じなくなるので、
OB領域７′の暗時出力成分とセンサ領域６の暗
時出力成分との差が生じなくなる。そして、上記
両領域７′，６それぞれにおける暗時出力成分の
温度による変動分が等しくなり、センサ領域６に
おける温度変動に伴なう暗時出力成分の変動分の
正確な補償が可能になり、周囲温度が高い使用条
件におけるイメージセンサ出力特性が大幅に向上
する。
ては、MoSi2膜４０形成後における製造工程での
比較的高温の処理においてMoSi2膜４０から基板
２１側にH2が拡散することはない。このように、
従来のOB領域における第２層のアルミニウム膜
に含まれるH2の拡散の問題が生じなくなるので、
OB領域７′の暗時出力成分とセンサ領域６の暗
時出力成分との差が生じなくなる。そして、上記
両領域７′，６それぞれにおける暗時出力成分の
温度による変動分が等しくなり、センサ領域６に
おける温度変動に伴なう暗時出力成分の変動分の
正確な補償が可能になり、周囲温度が高い使用条
件におけるイメージセンサ出力特性が大幅に向上
する。
また、上記実施例のイメージセンサ１′におい
ては、OB領域７′におけるSiO2膜２７中にMoSi2
膜４０を有しており、このMoSi2膜４０のパター
ン形成段階ではアルミニウム膜３０が未だ形成さ
れていない。これによつて、上記MoSi2膜４０の
パターンを形成する段階でのSiO2膜２７表面の
凹部（感光画素部の上方に対応する）の段差は、
従来のOB領域における保護絶縁膜３１表面の凹
部の段差に比べて小さい。したがつて、上記
MoSi2膜４０の蒸着形成後にセンサ領域部分のエ
ツチングオフを完全に行なうことが可能になり、
センサ領域６の感光画素部上方にMoSi2膜が残る
ことはなく、イメージセンサの感光特性不良をま
ねくことはない。
ては、OB領域７′におけるSiO2膜２７中にMoSi2
膜４０を有しており、このMoSi2膜４０のパター
ン形成段階ではアルミニウム膜３０が未だ形成さ
れていない。これによつて、上記MoSi2膜４０の
パターンを形成する段階でのSiO2膜２７表面の
凹部（感光画素部の上方に対応する）の段差は、
従来のOB領域における保護絶縁膜３１表面の凹
部の段差に比べて小さい。したがつて、上記
MoSi2膜４０の蒸着形成後にセンサ領域部分のエ
ツチングオフを完全に行なうことが可能になり、
センサ領域６の感光画素部上方にMoSi2膜が残る
ことはなく、イメージセンサの感光特性不良をま
ねくことはない。
ここで、上記実施例のインターライン転送方式
のCCDイメージセンサの製造工程を簡単に述べ
ておく。先ず、たとえばｐ形シリコン基板２１上
に熱酸化法によりたとえば1000Å程度の酸化シリ
コン膜（SiO2膜）２７を被覆する。次にこの酸
化膜上に写真蝕刻法によりレジストパターンを形
成し、これをマスクとして基板２１表面の所定の
位置に感光画素用n+層２２、垂直CCDレジスタ
となる埋め込みチヤンネル用n+層２３、オーバ
ーフロードレイン部用n++層２４、オーバーフロ
ーコントロールゲート部２５、チヤンネルストツ
パ部用p+領域２６を形成する。次に、前記酸化
膜２７上の所定の位置に第１層の多結晶シリコン
電極２８を形成し、さらに上面全面にCVD（化学
気相成長）法により層間酸化シリコン膜２７を形
成する。次に、この酸化膜２７上の所定の位置に
第２層の多結晶シリコン電極２９を形成し、さら
に上面全面にCVD法により層間酸化シリコン膜
２７を形成する。次に、この酸化膜２７上に
MoSi2膜４０を蒸着し、OB領域以外のMoSi2膜
をCDE（ケミカルドライエツチング）法などによ
つてエツチングオフする。このとき、センサ領域
６の感光画素部上方にMoSi2膜が残ることがな
い。さらに上面全面にCVD法により酸化シリコ
ン膜２７を形成する。次に、この酸化膜２７上に
アルミニウム膜３０を蒸着し、感光画素部上方に
対応する部分をエツチングオフして開口窓を設
け、さらに上面全面に保護絶縁膜３１としてたと
えばリン珪酸ガラス（PSG）膜を形成し、450
℃、N2が90％、H2が10％の雰囲気中で15分〜30
分間アニールを行なう。
のCCDイメージセンサの製造工程を簡単に述べ
ておく。先ず、たとえばｐ形シリコン基板２１上
に熱酸化法によりたとえば1000Å程度の酸化シリ
コン膜（SiO2膜）２７を被覆する。次にこの酸
化膜上に写真蝕刻法によりレジストパターンを形
成し、これをマスクとして基板２１表面の所定の
位置に感光画素用n+層２２、垂直CCDレジスタ
となる埋め込みチヤンネル用n+層２３、オーバ
ーフロードレイン部用n++層２４、オーバーフロ
ーコントロールゲート部２５、チヤンネルストツ
パ部用p+領域２６を形成する。次に、前記酸化
膜２７上の所定の位置に第１層の多結晶シリコン
電極２８を形成し、さらに上面全面にCVD（化学
気相成長）法により層間酸化シリコン膜２７を形
成する。次に、この酸化膜２７上の所定の位置に
第２層の多結晶シリコン電極２９を形成し、さら
に上面全面にCVD法により層間酸化シリコン膜
２７を形成する。次に、この酸化膜２７上に
MoSi2膜４０を蒸着し、OB領域以外のMoSi2膜
をCDE（ケミカルドライエツチング）法などによ
つてエツチングオフする。このとき、センサ領域
６の感光画素部上方にMoSi2膜が残ることがな
い。さらに上面全面にCVD法により酸化シリコ
ン膜２７を形成する。次に、この酸化膜２７上に
アルミニウム膜３０を蒸着し、感光画素部上方に
対応する部分をエツチングオフして開口窓を設
け、さらに上面全面に保護絶縁膜３１としてたと
えばリン珪酸ガラス（PSG）膜を形成し、450
℃、N2が90％、H2が10％の雰囲気中で15分〜30
分間アニールを行なう。
なお、MoSi2膜４０は多結晶シリコン膜などと
同様に比較的高温の処理に耐え得るので、上述し
たように製造工程の途中でも蒸着することが可能
である。
同様に比較的高温の処理に耐え得るので、上述し
たように製造工程の途中でも蒸着することが可能
である。
また、MoSi2膜に代えて、同様の要求特性、即
ち遮光性を有すると共に固体撮像装置製造工程に
おける熱処理で化学反応によりH2を放出しない
特性を満足する他の物質（たとえばチタンシリサ
イド）からなる遮光膜を使用してもよい。
ち遮光性を有すると共に固体撮像装置製造工程に
おける熱処理で化学反応によりH2を放出しない
特性を満足する他の物質（たとえばチタンシリサ
イド）からなる遮光膜を使用してもよい。
上述したように本発明によれば、センサ領域と
OB領域とで暗時出力成分の差が生じないのでセ
ンサ領域における温度変動に伴なう暗時出力成分
の変動分の正確な補償が可能になり、OB領域決
定用遮光膜のセンサ領域におけるエツチオフ不良
を防止でき、特性の良い固体撮像装置を実現でき
る。
OB領域とで暗時出力成分の差が生じないのでセ
ンサ領域における温度変動に伴なう暗時出力成分
の変動分の正確な補償が可能になり、OB領域決
定用遮光膜のセンサ領域におけるエツチオフ不良
を防止でき、特性の良い固体撮像装置を実現でき
る。
第１図は従来のイメージセンサの各素子の配置
を概略的に示す正面図、第２図は第１図のＡ−
A′線に沿う一部を示す断面図、第３図は本発明
に係る固体撮像装置の一実施例における素子配置
を概略的に示す正面図、第４図は第３図のＡ−
A′線に沿う一部を示す断面図である。 １′……イメージセンサ、２……感光画素部、
３……垂直CCDシフトレジスタ、６……センサ
領域、７′……オプテイカルブラツク領域、２１
……半導体基板、２２……感光画素部用n+層、
２３……垂直CCDレジスタ用n+層、２４……オ
ーバーフロードレイン部、２７……絶縁膜、３０
……アルミニウム膜、４０……MoSi2膜。
を概略的に示す正面図、第２図は第１図のＡ−
A′線に沿う一部を示す断面図、第３図は本発明
に係る固体撮像装置の一実施例における素子配置
を概略的に示す正面図、第４図は第３図のＡ−
A′線に沿う一部を示す断面図である。 １′……イメージセンサ、２……感光画素部、
３……垂直CCDシフトレジスタ、６……センサ
領域、７′……オプテイカルブラツク領域、２１
……半導体基板、２２……感光画素部用n+層、
２３……垂直CCDレジスタ用n+層、２４……オ
ーバーフロードレイン部、２７……絶縁膜、３０
……アルミニウム膜、４０……MoSi2膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板と、この半導体基板の表面にそれ
ぞれ設けられ光入射により生成される信号電荷を
蓄積する複数の感光画素部と、同じく上記半導体
基板の表面で上記感光画素部に近接して設けら
れ、この近接した感光画素部から信号電荷を読み
出す電荷読み出し部と、上記感光画素部からの過
剰電荷を排出するドレイン部と、上記半導体基板
上の絶縁膜上で感光画素部の上方部分を除いて形
成された第１の遮光膜とを具備し、上記複数の感
光画素部のうち一部の感光画素部は第２の遮光膜
により光入力が遮断されて暗時出力成分生成用の
オプテイカルブラツク領域に割り当てられ、残り
の感光画素部は受光用のセンサ領域に割り当てら
れる固体撮像装置において、 上記オプテイカルブラツク領域を決定する第２
の遮光膜は、比較的高温の下でも水素イオンの放
出が生じない高融点金属シリサイドから構成され
ており、また、上記第２の遮光膜は、上記半導体
基板上に設けられる絶縁膜中であつて、かつ、上
記第１の遮光膜と上記半導体基板との間に形成さ
れていることを特徴とする固体撮像装置。 ２ 上記第２の遮光膜は、モリブデンシリサイド
及びチタンシリサイドのうちのいずれか一つから
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の固体撮像装置。 ３ 上記第２の遮光膜は、1000〜2000［Å］の膜
厚を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
項に記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58210089A JPS60102769A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58210089A JPS60102769A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60102769A JPS60102769A (ja) | 1985-06-06 |
| JPH0586669B2 true JPH0586669B2 (ja) | 1993-12-13 |
Family
ID=16583634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58210089A Granted JPS60102769A (ja) | 1983-11-09 | 1983-11-09 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60102769A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62190870A (ja) * | 1986-02-18 | 1987-08-21 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JPH0666452B2 (ja) * | 1987-09-04 | 1994-08-24 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置の製造方法 |
| JP2012156334A (ja) * | 2011-01-26 | 2012-08-16 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5724171A (en) * | 1980-07-18 | 1982-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid state image sensor |
-
1983
- 1983-11-09 JP JP58210089A patent/JPS60102769A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60102769A (ja) | 1985-06-06 |
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