JPH058672Y2 - - Google Patents
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- JPH058672Y2 JPH058672Y2 JP14611486U JP14611486U JPH058672Y2 JP H058672 Y2 JPH058672 Y2 JP H058672Y2 JP 14611486 U JP14611486 U JP 14611486U JP 14611486 U JP14611486 U JP 14611486U JP H058672 Y2 JPH058672 Y2 JP H058672Y2
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 43
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 24
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 239000000047 product Substances 0.000 description 12
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は有機金属熱処理法(MOCVD)の如
く気相成長反応に伴つて多量の分解生成物が生ず
る場合に好適な気相成長装置を提供するものであ
る。
く気相成長反応に伴つて多量の分解生成物が生ず
る場合に好適な気相成長装置を提供するものであ
る。
上記気相成長を行なうための装置としては、従
来種々のものがあるが、第2図にその一例として
縦型気相成長装置の中央縦断面図を例示して説明
する。
来種々のものがあるが、第2図にその一例として
縦型気相成長装置の中央縦断面図を例示して説明
する。
図において1は底部に開口部1aを有する筒状
の反応管、2は該反応管1の底部開口部1aに連
設する前室で、反応管1と前室2とは前室2底部
を貫通して昇降する蓋部材3によつて気密に仕切
られまたは連通される。反応管1は内部で気相成
長を行なうもので、頂部に反応ガス導入部4を、
下方に反応ガス排出部5を有し、かつOリング6
等の気密連結部材を介して上下に分割できるよう
に形成され、また、加熱手段の一つとして反応管
1外周を適宜離隔して巻いた高周波コイル7が付
設されている。前室2は前記反応管1内へウエハ
11を搬入、搬出するための搬入口8を有する箱
体であり、また、該前室2底部を貫通する蓋部材
3は中空管3aの上端部に反応管1の底部開口部
1aを閉塞可能な鍔部3bを有してなる。そして
9は前記蓋部材3を気密に貫通して一端が反応管
1内に、他端が外部に延びている軸部材で、昇降
可能であると共に回転可能であり、上端部にサセ
プタ10が設置されている。
の反応管、2は該反応管1の底部開口部1aに連
設する前室で、反応管1と前室2とは前室2底部
を貫通して昇降する蓋部材3によつて気密に仕切
られまたは連通される。反応管1は内部で気相成
長を行なうもので、頂部に反応ガス導入部4を、
下方に反応ガス排出部5を有し、かつOリング6
等の気密連結部材を介して上下に分割できるよう
に形成され、また、加熱手段の一つとして反応管
1外周を適宜離隔して巻いた高周波コイル7が付
設されている。前室2は前記反応管1内へウエハ
11を搬入、搬出するための搬入口8を有する箱
体であり、また、該前室2底部を貫通する蓋部材
3は中空管3aの上端部に反応管1の底部開口部
1aを閉塞可能な鍔部3bを有してなる。そして
9は前記蓋部材3を気密に貫通して一端が反応管
1内に、他端が外部に延びている軸部材で、昇降
可能であると共に回転可能であり、上端部にサセ
プタ10が設置されている。
サセプタ10はカーボンにより例えば円柱状に
形成され、前記高周波コイル7によつて誘導加熱
されて上面に載置されるウエハ11を伝熱加熱す
るものである。
形成され、前記高周波コイル7によつて誘導加熱
されて上面に載置されるウエハ11を伝熱加熱す
るものである。
上述の如く構成された従来の気相成長装置の操
作方法を説明する。
作方法を説明する。
軸部材9を蓋部材3と共に下動してサセプタ
10を前室2の搬入口8の近傍に位置させ、次
いで処理済ウエハをサセプタ10上から取り上
げると共に未処理ウエハをサセプタ10上に載
置した後、軸部材9を蓋部材3と共に上動し、
蓋部材3の鍔部3bで反応管1の底部開口1a
を気密に閉塞すると共に軸部材9を操作して、
サセプタ10を反応管1内の所定位置にセツト
する。
10を前室2の搬入口8の近傍に位置させ、次
いで処理済ウエハをサセプタ10上から取り上
げると共に未処理ウエハをサセプタ10上に載
置した後、軸部材9を蓋部材3と共に上動し、
蓋部材3の鍔部3bで反応管1の底部開口1a
を気密に閉塞すると共に軸部材9を操作して、
サセプタ10を反応管1内の所定位置にセツト
する。
反応ガス導入部4から矢印の如く窒素ガス等
の不活性ガスを導入し反応ガス排出部5から排
出することにより反応管1内をパージした後、
反応ガス導入部4からアルシン、ホスフイン等
気相成長に必要なガスを導入すると共に高周波
コイル7に通電しサセプタ10を加熱すること
によりウエハ11を所定温度に加熱してウエハ
11上に気相成長を行なう。なお、気相成長実
施中は軸部材9を適宜回転しウエハ11上に均
一な成膜が形成されるようにする。
の不活性ガスを導入し反応ガス排出部5から排
出することにより反応管1内をパージした後、
反応ガス導入部4からアルシン、ホスフイン等
気相成長に必要なガスを導入すると共に高周波
コイル7に通電しサセプタ10を加熱すること
によりウエハ11を所定温度に加熱してウエハ
11上に気相成長を行なう。なお、気相成長実
施中は軸部材9を適宜回転しウエハ11上に均
一な成膜が形成されるようにする。
気相成長処理を終了したら再び反応管1内を
不活性ガスによりパージした後、前記の操作
に戻る。
不活性ガスによりパージした後、前記の操作
に戻る。
以上の操作によつてウエハ11上に気相成長膜
を形成することができる。上記のような気相成長
装置にあつては、反応管1内に導入された反応ガ
スが加熱されたウエハ11の上部で熱分解反応を
起こして該ウエハ11上に分解生成物が析出し気
相成長膜を形成する際に、該生成物の一部がウエ
ハ以外の反応管1内壁面に付着して堆積し、次第
に厚さを増すと共に剥離し易くなり、ウエハ11
上の気相成長膜面に落下して付着し欠陥品として
しまう不都合がある。このため、従来は適宜前記
したOリング6部分で反応管1を分解し内部を清
掃しているのが実情である。
を形成することができる。上記のような気相成長
装置にあつては、反応管1内に導入された反応ガ
スが加熱されたウエハ11の上部で熱分解反応を
起こして該ウエハ11上に分解生成物が析出し気
相成長膜を形成する際に、該生成物の一部がウエ
ハ以外の反応管1内壁面に付着して堆積し、次第
に厚さを増すと共に剥離し易くなり、ウエハ11
上の気相成長膜面に落下して付着し欠陥品として
しまう不都合がある。このため、従来は適宜前記
したOリング6部分で反応管1を分解し内部を清
掃しているのが実情である。
しかしながら、前記した反応管内壁面の清掃は
頻繁に行なう必要があるばかりか、反応管の分
解、組立に手間がかかる。また、反応管内壁面に
付着している分解生成物は人体に有害なものが多
いので分解、清掃、組立には特別な安全対策が必
要になり、更には組立後の反応管内は大気中の酸
素、水分等で汚染されるため、高純度窒素でパー
ジしても清掃直後の数回の気相成長では成長膜の
質が低下する。そしてこのような清掃に伴う種々
の不都合は有機金属熱処理法の如く気相成長反応
に伴つて多量の分解生成物が生ずる反応では清掃
回数がより頻繁になり大きな問題となる。
頻繁に行なう必要があるばかりか、反応管の分
解、組立に手間がかかる。また、反応管内壁面に
付着している分解生成物は人体に有害なものが多
いので分解、清掃、組立には特別な安全対策が必
要になり、更には組立後の反応管内は大気中の酸
素、水分等で汚染されるため、高純度窒素でパー
ジしても清掃直後の数回の気相成長では成長膜の
質が低下する。そしてこのような清掃に伴う種々
の不都合は有機金属熱処理法の如く気相成長反応
に伴つて多量の分解生成物が生ずる反応では清掃
回数がより頻繁になり大きな問題となる。
本考案は上記不都合に鑑み、従来単にサセプタ
の昇降、回転のみに使用されていた軸部材を利用
して簡単な構成で前記不都合を解決できる気相成
長装置を案出したもので、その特徴とするところ
は、前記軸部材の端部とサセプタ及び反応管内壁
面清掃用のブラシとが該軸部材の端部で交換可能
な着脱構造とすると共に、前室に前記サセプタと
ブラシとを外部との気密を保持して交換可能な操
作手段を設けたことにある。
の昇降、回転のみに使用されていた軸部材を利用
して簡単な構成で前記不都合を解決できる気相成
長装置を案出したもので、その特徴とするところ
は、前記軸部材の端部とサセプタ及び反応管内壁
面清掃用のブラシとが該軸部材の端部で交換可能
な着脱構造とすると共に、前室に前記サセプタと
ブラシとを外部との気密を保持して交換可能な操
作手段を設けたことにある。
以下、第1図を用いて本考案の一実施例を説明
するが、図中前記第2図と同一構成部分には同一
符号を付してある。
するが、図中前記第2図と同一構成部分には同一
符号を付してある。
第1図は本考案に係る気相成長装置の縦断面図
で、前記従来例に係る第2図と異なる点は、軸部
材9を端部でサセプタ10と反応管内壁面清掃用
のブラシ20とが交換可能なように着脱自在に構
成されていることと、該交換が前室2内で大気に
触れずに行えるように前室2にグローブボツクス
21が設けられていることである。前記の着脱構
造を詳述すると、ブラシ20は例えば中空円筒体
の表面に多数の刷毛を有してなり、かつ底部に軸
部材9の端部に嵌着可能な凹部が形成されてい
る。サセプタ10にも同様の凹部が形成されてい
る。なお、軸部材9端部とブラシ20及びサセプ
タ10との着脱構造は前記の嵌着構造以外にも螺
着構造等、従来公知の任意の着脱構造を採用する
ことができる。また、ブラシ20の形状は上記に
限定せず任意で良く、更には単に棒状のブラシを
軸部材9の端部に複数個取り付けるようにしても
良い。
で、前記従来例に係る第2図と異なる点は、軸部
材9を端部でサセプタ10と反応管内壁面清掃用
のブラシ20とが交換可能なように着脱自在に構
成されていることと、該交換が前室2内で大気に
触れずに行えるように前室2にグローブボツクス
21が設けられていることである。前記の着脱構
造を詳述すると、ブラシ20は例えば中空円筒体
の表面に多数の刷毛を有してなり、かつ底部に軸
部材9の端部に嵌着可能な凹部が形成されてい
る。サセプタ10にも同様の凹部が形成されてい
る。なお、軸部材9端部とブラシ20及びサセプ
タ10との着脱構造は前記の嵌着構造以外にも螺
着構造等、従来公知の任意の着脱構造を採用する
ことができる。また、ブラシ20の形状は上記に
限定せず任意で良く、更には単に棒状のブラシを
軸部材9の端部に複数個取り付けるようにしても
良い。
次にグローブボツクス21は、開閉扉22を介
して前室2に連設する箱体で、外壁部にはサセプ
タ10とブラシ20の交換をする操作手段として
のグローブ23が設けられている。なお、グロー
ブボツクス21は開閉扉22を設けずに前室2の
一部として形成することもできるが、前室2内は
清掃のため真空排気することがあり、また、ブラ
シ20を外部に取り出すときに前室2に影響を与
えないよう開閉扉22を設けて別個の空間を形成
することが好ましい。なお、24,25はそれぞ
れ蓋部材3の外部下端部に排気系(図示せず)と
連通して設けた排気管、排気弁である。
して前室2に連設する箱体で、外壁部にはサセプ
タ10とブラシ20の交換をする操作手段として
のグローブ23が設けられている。なお、グロー
ブボツクス21は開閉扉22を設けずに前室2の
一部として形成することもできるが、前室2内は
清掃のため真空排気することがあり、また、ブラ
シ20を外部に取り出すときに前室2に影響を与
えないよう開閉扉22を設けて別個の空間を形成
することが好ましい。なお、24,25はそれぞ
れ蓋部材3の外部下端部に排気系(図示せず)と
連通して設けた排気管、排気弁である。
次に上記構成により反応管1内壁面を清掃する
には、 まず前記した方法により処理済ウエアをサセ
プタ10上から取り上げて機外に搬出した後グ
ローブ23を用いて開閉扉22を開けサセプタ
10を軸部材9から取り外し替わりにブラシ2
0を取り付け開閉扉22を閉める。
には、 まず前記した方法により処理済ウエアをサセ
プタ10上から取り上げて機外に搬出した後グ
ローブ23を用いて開閉扉22を開けサセプタ
10を軸部材9から取り外し替わりにブラシ2
0を取り付け開閉扉22を閉める。
軸部材9を蓋部材3と共に上動し蓋部材3で
反応管1の開口1aを閉塞すると共に、ブラシ
20を反応管1内の適宜位置にセツトする。
反応管1の開口1aを閉塞すると共に、ブラシ
20を反応管1内の適宜位置にセツトする。
反応ガス導入部4、反応ガス排出部5より矢
印の如く不活性ガスを反応管1内へ導入すると
共に排気弁25を介して排気して反応管1内を
パージし、該パージしたまま軸部材9を回転し
ながら上下動する。
印の如く不活性ガスを反応管1内へ導入すると
共に排気弁25を介して排気して反応管1内を
パージし、該パージしたまま軸部材9を回転し
ながら上下動する。
このように軸部材9を介してブラシ20を回
転上下動して反応管1内壁面を清掃し、付着し
た分解生成物を強制的に剥離したのち窒素ガス
の流れによつて機外の排気系に排出する。
転上下動して反応管1内壁面を清掃し、付着し
た分解生成物を強制的に剥離したのち窒素ガス
の流れによつて機外の排気系に排出する。
清掃が終了したら蓋部材3、軸部材9共下動
し、グローブ23を使用して開閉扉22を開け
ブラシ20を取り外し替わりにサセプタ10を
取り付けて開閉扉22を閉める。以下は従来と
同様の操作でサセプタ10上に未処理ウエハを
載置して気相成長処理を行う。
し、グローブ23を使用して開閉扉22を開け
ブラシ20を取り外し替わりにサセプタ10を
取り付けて開閉扉22を閉める。以下は従来と
同様の操作でサセプタ10上に未処理ウエハを
載置して気相成長処理を行う。
上述の如き操作は一枚のウエハへの処理を終了
した後の任意の時点で実施でき、これにより常時
良好な状態で気相成長処理を行うことができる。
した後の任意の時点で実施でき、これにより常時
良好な状態で気相成長処理を行うことができる。
なお、本実施例では清掃に伴う分解生成物の排
出を蓋部材3の外部下端に弁25を設けて行なつ
ているが、反応管1下端部で、かつ分解生成物が
滞留しない位置に設けても良く、更には反応ガス
排出部5を兼用させ、別途に分解生成物排出管を
設けないようにすることもできる。
出を蓋部材3の外部下端に弁25を設けて行なつ
ているが、反応管1下端部で、かつ分解生成物が
滞留しない位置に設けても良く、更には反応ガス
排出部5を兼用させ、別途に分解生成物排出管を
設けないようにすることもできる。
また、本実施例ではサセプタ10とブラシ20
との交換をする操作手段としてグローブボツクス
21により行なつているが、例えばマニピユレー
タなどの遠隔操作手段により行なうこともでき
る。
との交換をする操作手段としてグローブボツクス
21により行なつているが、例えばマニピユレー
タなどの遠隔操作手段により行なうこともでき
る。
次に本実施例では反応ガスが上から下へ流れる
縦型の気相成長装置で説明したが、これに限定せ
ず横型の気相成長装置にも応用することができ、
この場合はグローブボツクス21や分解生成物排
出部を適宜好適な位置に配置する。更に本考案は
反応管に付設される加熱手段による制限がなく、
本実施例の如き誘導加熱のほかランプ加熱の場合
も問題なく実施可能である。
縦型の気相成長装置で説明したが、これに限定せ
ず横型の気相成長装置にも応用することができ、
この場合はグローブボツクス21や分解生成物排
出部を適宜好適な位置に配置する。更に本考案は
反応管に付設される加熱手段による制限がなく、
本実施例の如き誘導加熱のほかランプ加熱の場合
も問題なく実施可能である。
上述の如く本考案によれば、従来単にサセプタ
を回転、移動するために使用していた軸部材をそ
のまま利用して該軸部材の端部に反応管内壁面清
掃用のブラシを着脱可能に取り付けられるように
構成したので、 (1) 反応管内に大気が入らず汚染されることがな
いので清掃直後の気相成長でも品質劣化がなく
生産性が著しく向上し実施効果が大きい。
を回転、移動するために使用していた軸部材をそ
のまま利用して該軸部材の端部に反応管内壁面清
掃用のブラシを着脱可能に取り付けられるように
構成したので、 (1) 反応管内に大気が入らず汚染されることがな
いので清掃直後の気相成長でも品質劣化がなく
生産性が著しく向上し実施効果が大きい。
(2) 従来の如き反応管内壁面清掃のため該反応管
を分解、組立てる必要がなく、またこれに伴つ
て反応管内壁面に付着する有害な分解反応物が
作業者に触れることがないので、清掃作業に特
別な安全対策が不要になり簡単になると共に大
幅に清掃作業の手間が削減できる。
を分解、組立てる必要がなく、またこれに伴つ
て反応管内壁面に付着する有害な分解反応物が
作業者に触れることがないので、清掃作業に特
別な安全対策が不要になり簡単になると共に大
幅に清掃作業の手間が削減できる。
(3) 更に本考案は有機金属熱処理法だけでなく、
種々の気相成長に対して応用でき、また構成が
簡単であるため従来の気相成長装置のわずかの
改良で実施できるので実用性が高い。
種々の気相成長に対して応用でき、また構成が
簡単であるため従来の気相成長装置のわずかの
改良で実施できるので実用性が高い。
第1図は本考案装置の一実施例を示す中央縦断
面図、第2図は従来装置の一実施例を示す中央縦
断面図である。 1……反応管、2……前室、3……蓋部材、4
……反応ガス導入部、5……反応ガス排出部、9
……軸部材、10……サセプタ、11……ウエ
ハ、20……ブラシ、21……グローブボツク
ス、22……開閉扉、23……グローブ。
面図、第2図は従来装置の一実施例を示す中央縦
断面図である。 1……反応管、2……前室、3……蓋部材、4
……反応ガス導入部、5……反応ガス排出部、9
……軸部材、10……サセプタ、11……ウエ
ハ、20……ブラシ、21……グローブボツク
ス、22……開閉扉、23……グローブ。
Claims (1)
- 一端に開口部を有する筒状体に反応ガス導入部
と反応ガス排出部とを設けると共に加熱手段を付
設してなる反応管と、該反応管に前記開口部を介
して連接しウエハの搬入、搬出を行なう前室と、
該前室を気密に貫通して前記反応管の開口部を開
閉する前進後退可能な蓋部材と、該蓋部材を気密
に貫通して前記反応室内に延びその端部にサセプ
タを設置するようにした前進後退可能な軸部材と
から構成されてなる気相成長装置において、前記
軸部材の端部とサセプタ及び反応管内壁面清掃用
のブラシとが該軸部材の端部で交換可能な着脱構
造とすると共に、前室に前記サセプタとブラシと
を外部との気密を保持して交換可能な操作手段を
設けたことを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14611486U JPH058672Y2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14611486U JPH058672Y2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6351432U JPS6351432U (ja) | 1988-04-07 |
| JPH058672Y2 true JPH058672Y2 (ja) | 1993-03-04 |
Family
ID=31058281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14611486U Expired - Lifetime JPH058672Y2 (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH058672Y2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6090183B2 (ja) * | 2014-01-23 | 2017-03-08 | 信越半導体株式会社 | 気相成長装置の清掃又は点検方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP6356004B2 (ja) * | 2014-08-05 | 2018-07-11 | 住友化学株式会社 | 反応容器の密閉構造、および基板処理装置 |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP14611486U patent/JPH058672Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6351432U (ja) | 1988-04-07 |
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