JPH0587128B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0587128B2 JPH0587128B2 JP61291468A JP29146886A JPH0587128B2 JP H0587128 B2 JPH0587128 B2 JP H0587128B2 JP 61291468 A JP61291468 A JP 61291468A JP 29146886 A JP29146886 A JP 29146886A JP H0587128 B2 JPH0587128 B2 JP H0587128B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- wafer
- reaction fluid
- epitaxial
- uniform
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4587—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
- C23C16/4588—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically the substrate being rotated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、超LSI等の製造工程に用いられるバ
レル型エピタキシヤル成長装置の改良に関する。
レル型エピタキシヤル成長装置の改良に関する。
［従来の技術］
近年、集積回路は、高集積化、極微細化に伴つ
て例えばMOS用の半導体基板（ウエハ）にエピ
タキシヤル結晶を成長させてエピタキシヤル層を
形成することが多くなつている。そして、このエ
ピタキシヤル層の膜厚は半導体基板が大口径化す
るに伴つて薄膜化している。そこで、このエピタ
キシヤル成長の反応装置としては、水平反応管
型、縦形ベルジヤ型およびバレル型の３種類に分
類され、そして最近開発されている減圧CVDを
改造したホツトウオール型がある。これら反応装
置の概略構成は、高温状態の反応炉内に複数のウ
エハを載置するサセプタを置き、この反応炉内に
四塩化シリコン（SiCl4）やシラン等のガスであ
る反応流体を流入させることによつて各ウエハ表
面にエピタキシヤル層を形成させるものとなつて
いる。
て例えばMOS用の半導体基板（ウエハ）にエピ
タキシヤル結晶を成長させてエピタキシヤル層を
形成することが多くなつている。そして、このエ
ピタキシヤル層の膜厚は半導体基板が大口径化す
るに伴つて薄膜化している。そこで、このエピタ
キシヤル成長の反応装置としては、水平反応管
型、縦形ベルジヤ型およびバレル型の３種類に分
類され、そして最近開発されている減圧CVDを
改造したホツトウオール型がある。これら反応装
置の概略構成は、高温状態の反応炉内に複数のウ
エハを載置するサセプタを置き、この反応炉内に
四塩化シリコン（SiCl4）やシラン等のガスであ
る反応流体を流入させることによつて各ウエハ表
面にエピタキシヤル層を形成させるものとなつて
いる。
さて、上記バレル型エピタキシヤル成長装置の
改造型としてウエハに対して２方向から加熱を行
つて均一加熱を得るようにしたものがある。この
装置の構成は高周波誘導コイルにより加熱すると
ともに、ベルジヤ表面に貴金属コーテング膜を形
成して金属コーテイング膜からの輻射熱をウエハ
の表面に放射させるようにしたものとなつてい
る。
改造型としてウエハに対して２方向から加熱を行
つて均一加熱を得るようにしたものがある。この
装置の構成は高周波誘導コイルにより加熱すると
ともに、ベルジヤ表面に貴金属コーテング膜を形
成して金属コーテイング膜からの輻射熱をウエハ
の表面に放射させるようにしたものとなつてい
る。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、エピタキシヤル膜はその膜厚値およ
び抵抗値を均一に保つことが高品質を得るために
重要なことである。ところが、上記バレル型の装
置では各ウエハごとの温度や同一ウエハ上に置け
るチツプを形成する部位ごとの温度を均一に制御
することができず、温度分布が不均一となつてい
る。この不均一性を補うためベルジヤに金属コー
テイングを行う方法があるが、これも以下のよう
な問題点がある。
び抵抗値を均一に保つことが高品質を得るために
重要なことである。ところが、上記バレル型の装
置では各ウエハごとの温度や同一ウエハ上に置け
るチツプを形成する部位ごとの温度を均一に制御
することができず、温度分布が不均一となつてい
る。この不均一性を補うためベルジヤに金属コー
テイングを行う方法があるが、これも以下のよう
な問題点がある。
また、ベルジヤに形成した金属コーテイング膜
からの熱の輻射熱はエピタキシヤル成長の進行に
ともなつて減少して温度を不均一化する原因とな
つている。なお、金属コーテイング膜はエピタキ
シヤル処理を繰返すことにより熱疲労して劣化し
てしまう。さらに、流入される反応流体の流入量
によつても温度が不均一となる。
からの熱の輻射熱はエピタキシヤル成長の進行に
ともなつて減少して温度を不均一化する原因とな
つている。なお、金属コーテイング膜はエピタキ
シヤル処理を繰返すことにより熱疲労して劣化し
てしまう。さらに、流入される反応流体の流入量
によつても温度が不均一となる。
一方、ウエハ製造処理量の面からみると、１回
の処理量が時に大口径のウエハになると少なくな
り、ウエハのコスト高となる問題がある。
の処理量が時に大口径のウエハになると少なくな
り、ウエハのコスト高となる問題がある。
そこで本発明は、エピタキシヤル膜厚や抵抗値
等を均一化して高品質の薄膜が得られるバレル型
エピタキシヤル成長装置を提供することを目的と
する。
等を均一化して高品質の薄膜が得られるバレル型
エピタキシヤル成長装置を提供することを目的と
する。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、反応流体が随時流入するとともに排
出する反応炉と、この反応炉内の垂直方向に設け
られ複数の被処理体を縦横に載置する多角柱等の
第１サセプタと、前記反応炉内で前記第１サセプ
タを囲う如く設けられ前記被処理体と対向する位
置に被処理体を複数縦横に載置する第２サセプタ
と、これら第１および第２サセプタの少なくとも
いずれか一方を回転させる回転機構とを備えて上
記目的を達成しようとするバレル型エピタキシヤ
ル成長装置である。
出する反応炉と、この反応炉内の垂直方向に設け
られ複数の被処理体を縦横に載置する多角柱等の
第１サセプタと、前記反応炉内で前記第１サセプ
タを囲う如く設けられ前記被処理体と対向する位
置に被処理体を複数縦横に載置する第２サセプタ
と、これら第１および第２サセプタの少なくとも
いずれか一方を回転させる回転機構とを備えて上
記目的を達成しようとするバレル型エピタキシヤ
ル成長装置である。
［作用］
このような手段を備えたことにより、第１セサ
プタと第２サセプタとの少なくともいずれか一方
が回転し、これにより互いに対向位置に置かれる
被処理体間で輻射熱作用が起こるとともに反応流
体の流れが均一化する。
プタと第２サセプタとの少なくともいずれか一方
が回転し、これにより互いに対向位置に置かれる
被処理体間で輻射熱作用が起こるとともに反応流
体の流れが均一化する。
［実施例］
以下、本発明の一実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
第１図はバレル型エピタキシヤル成長装置の構
成図であり、第２図はその断面構成図である。同
図において１は円形又は楕円形状の円柱を有する
石英等から成る反応炉（以下、ベルジヤーと指称
する）であつて、このベルジヤー１には随時四塩
化シリコン（SiCl4）等の反応流体が流入すると
ともに排出している。このベルジヤー１の内部に
は六角柱でかつ上面よりも下面の大きい第１サセ
プタとしてのシリンダ型サセプタ２がシヤフト３
でもつて垂設され、このシリンダ型サセプタ２の
各側面に被処理体としてのウエハ４が複数個各側
面に所定の間隔をおいて全体からみて縦横方向に
載置されている。さて、このシリンダ型サセプタ
２とベルジヤー１の内壁との間には、サセプタ２
との間隔を比較的短くした状態で第２サセプタ５
が設けられている。この第２サセプタ５はシリン
ダ型サセプタ２の各面と対向する各面を形成して
シリンダ型サセプタ２を囲う如くの形状に形成さ
れている。そして、この第２サセプタ５の内壁面
にはウエハ４がそれぞれ支持端４ａにより支持さ
れて複数個全体から見て縦横方向に載置されてい
る。なお、この第２サセプタ５の底部にはシヤフ
ト６が設けられ、このシヤフト６の内部に反応流
体の排出路７が形成されている。ところで、これ
らサセプタ２，５はそれぞれシヤフト３，６を介
して回転装置８によつて少なくともいずれか一方
が回転するものとなつている。すなわち、例え
ば、シリンダ型サセプタ２が回転装置８によつて
矢印イ方向に回転するとともに一方の第２サセプ
タ５が回転装置８によつて矢印ロ方向に回転した
り、また、シリンダ２，５のいずれか一方が停止
し他方が上記方向イ，ロに回転するものとなつて
いる。９は反応流体の噴出口を形成したノズル体
であつて、反応流体はガス制御装置１０によつて
その噴出量および噴出力等が制御されるものとな
つている。具体的には、反応流体の流れをより均
一化するために第３図に示す如く反射板１１に小
径の流れ孔１１ａを形成したり、また第４図に示
す如く導入路１１ｂを均一な噴射量および噴射力
の得られるところに設けている。なお、ノズル体
９は噴出口が各方向を向いて形成されていたり、
またシリンダ型サセプタ２の回転と同期して回転
して反応流体を均一にベルジヤー１内に噴射する
ようになつている。さらに、第２サセプタ５の開
口側および底面側には水またはガスにより冷却さ
れている前記反射板１１，１２が図示しない支持
体によつて設けられている。また、ベルジヤー１
の外壁側には高周波誘導加熱コイル１３が設けら
れて加熱装置１４から高周波電流の供給を受ける
ようになつている。また、シリンダ型サセプタ２
の内側にも高周波加熱コイルが設けられている。
成図であり、第２図はその断面構成図である。同
図において１は円形又は楕円形状の円柱を有する
石英等から成る反応炉（以下、ベルジヤーと指称
する）であつて、このベルジヤー１には随時四塩
化シリコン（SiCl4）等の反応流体が流入すると
ともに排出している。このベルジヤー１の内部に
は六角柱でかつ上面よりも下面の大きい第１サセ
プタとしてのシリンダ型サセプタ２がシヤフト３
でもつて垂設され、このシリンダ型サセプタ２の
各側面に被処理体としてのウエハ４が複数個各側
面に所定の間隔をおいて全体からみて縦横方向に
載置されている。さて、このシリンダ型サセプタ
２とベルジヤー１の内壁との間には、サセプタ２
との間隔を比較的短くした状態で第２サセプタ５
が設けられている。この第２サセプタ５はシリン
ダ型サセプタ２の各面と対向する各面を形成して
シリンダ型サセプタ２を囲う如くの形状に形成さ
れている。そして、この第２サセプタ５の内壁面
にはウエハ４がそれぞれ支持端４ａにより支持さ
れて複数個全体から見て縦横方向に載置されてい
る。なお、この第２サセプタ５の底部にはシヤフ
ト６が設けられ、このシヤフト６の内部に反応流
体の排出路７が形成されている。ところで、これ
らサセプタ２，５はそれぞれシヤフト３，６を介
して回転装置８によつて少なくともいずれか一方
が回転するものとなつている。すなわち、例え
ば、シリンダ型サセプタ２が回転装置８によつて
矢印イ方向に回転するとともに一方の第２サセプ
タ５が回転装置８によつて矢印ロ方向に回転した
り、また、シリンダ２，５のいずれか一方が停止
し他方が上記方向イ，ロに回転するものとなつて
いる。９は反応流体の噴出口を形成したノズル体
であつて、反応流体はガス制御装置１０によつて
その噴出量および噴出力等が制御されるものとな
つている。具体的には、反応流体の流れをより均
一化するために第３図に示す如く反射板１１に小
径の流れ孔１１ａを形成したり、また第４図に示
す如く導入路１１ｂを均一な噴射量および噴射力
の得られるところに設けている。なお、ノズル体
９は噴出口が各方向を向いて形成されていたり、
またシリンダ型サセプタ２の回転と同期して回転
して反応流体を均一にベルジヤー１内に噴射する
ようになつている。さらに、第２サセプタ５の開
口側および底面側には水またはガスにより冷却さ
れている前記反射板１１，１２が図示しない支持
体によつて設けられている。また、ベルジヤー１
の外壁側には高周波誘導加熱コイル１３が設けら
れて加熱装置１４から高周波電流の供給を受ける
ようになつている。また、シリンダ型サセプタ２
の内側にも高周波加熱コイルが設けられている。
このような構成であれば、各ウエハ４がシリン
ダ型サセプタ２およびこのサセプタ２を囲う如く
形成された第２サセプタ５にそれぞれ載置され、
この状態でシリンダ型サセプタ２が矢印イ方向に
回転するとともに第２サセプタ５が矢印ロ方向に
回転する。そして、これと同時にガス制御装置１
０の制御によつてノズル体９の各噴射出口から反
応流体が随時ベルジヤー１内に噴出され、これと
ともにこの反応流体が排出路７から排出される。
また、誘導装置１４から高周波電流が高周波誘導
加熱コイル１３に供給されてサセプタが所定温度
に加熱される。このような状態にあれば、ベルジ
ヤー１の内部でエピタキシヤル反応が進行して各
ウエハ４の表面上にエピタキシヤル結晶が成長す
る。さて、この時各サセプタ２，５にそれぞれ載
置されている各ウエハ４はその表面が鏡面状とな
つているところから互いに輻射熱源として作用
し、各サセプタ２，５の各ウエハ４間の温度分布
を均一化する。さらに、熱は各反射板１１，１２
においても反射されてベルジヤー１内の温度がよ
り均一化している。
ダ型サセプタ２およびこのサセプタ２を囲う如く
形成された第２サセプタ５にそれぞれ載置され、
この状態でシリンダ型サセプタ２が矢印イ方向に
回転するとともに第２サセプタ５が矢印ロ方向に
回転する。そして、これと同時にガス制御装置１
０の制御によつてノズル体９の各噴射出口から反
応流体が随時ベルジヤー１内に噴出され、これと
ともにこの反応流体が排出路７から排出される。
また、誘導装置１４から高周波電流が高周波誘導
加熱コイル１３に供給されてサセプタが所定温度
に加熱される。このような状態にあれば、ベルジ
ヤー１の内部でエピタキシヤル反応が進行して各
ウエハ４の表面上にエピタキシヤル結晶が成長す
る。さて、この時各サセプタ２，５にそれぞれ載
置されている各ウエハ４はその表面が鏡面状とな
つているところから互いに輻射熱源として作用
し、各サセプタ２，５の各ウエハ４間の温度分布
を均一化する。さらに、熱は各反射板１１，１２
においても反射されてベルジヤー１内の温度がよ
り均一化している。
一方、各サセプタ２，５がそれぞれ回転してい
るところから反応流体は撹拌されて各ウエハ４面
上に一様に流れる。かくして、各ウエハ４面上に
おけるエピタキシヤル反応の条件つまり温度分布
が同一となるとともに反応流体の流れが一様とな
つて各ウエハ４間で均一の膜厚でかつ均一の抵抗
値をもつたエピタキシヤル膜が形成される。
るところから反応流体は撹拌されて各ウエハ４面
上に一様に流れる。かくして、各ウエハ４面上に
おけるエピタキシヤル反応の条件つまり温度分布
が同一となるとともに反応流体の流れが一様とな
つて各ウエハ４間で均一の膜厚でかつ均一の抵抗
値をもつたエピタキシヤル膜が形成される。
このように上記一実施例においては、シリンダ
型サセプタ２と第２サセプタ５とがそれぞれ回転
して各ウエハ４が互いに輻射熱源として作用させ
るとともに反応流体を撹拌作用させる構成とした
ので、温度分布が同一となるとともに反応流体の
流れが一様となつて均一の膜厚でかつ均一の抵抗
値をもつたエピタキシヤル膜が形成でき、しかも
同一のウエハ４上における各部位ごとのバラツキ
も無くなつて品質を均一化できる。これにより、
エピタキシヤル膜における欠陥、スリツプ、微小
欠陥等が減少する。また、各サセプタ２，５にお
いてそれぞれ複数のウエハ４にエピタキシヤル膜
を形成できるので、１回の処理で多数のウエハ４
にエピタキシヤル膜を形成できる。
型サセプタ２と第２サセプタ５とがそれぞれ回転
して各ウエハ４が互いに輻射熱源として作用させ
るとともに反応流体を撹拌作用させる構成とした
ので、温度分布が同一となるとともに反応流体の
流れが一様となつて均一の膜厚でかつ均一の抵抗
値をもつたエピタキシヤル膜が形成でき、しかも
同一のウエハ４上における各部位ごとのバラツキ
も無くなつて品質を均一化できる。これにより、
エピタキシヤル膜における欠陥、スリツプ、微小
欠陥等が減少する。また、各サセプタ２，５にお
いてそれぞれ複数のウエハ４にエピタキシヤル膜
を形成できるので、１回の処理で多数のウエハ４
にエピタキシヤル膜を形成できる。
なお、本発明は上記一実施例に限定されるもの
でなくその主旨を逸脱しない範囲で変形できる。
例えば、各サセプタ２，５の回転方向は上記実施
例以外に互いに同一方向に回転させてもよく、ま
たいずれか一方のサセプタ２，５が停止状態にあ
つても上記実施例と同一の効果を得ることができ
る。また、ウエハ４はシリコン基板はもちろんの
こと化合物半導体基板に対しても適用できる。
でなくその主旨を逸脱しない範囲で変形できる。
例えば、各サセプタ２，５の回転方向は上記実施
例以外に互いに同一方向に回転させてもよく、ま
たいずれか一方のサセプタ２，５が停止状態にあ
つても上記実施例と同一の効果を得ることができ
る。また、ウエハ４はシリコン基板はもちろんの
こと化合物半導体基板に対しても適用できる。
［発明の効果］
以上詳記したように本発明によれば、エピタキ
シヤル膜厚およびその抵抗値を均一化して高品質
のエピタキシヤル膜が形成できるバレル型エピタ
キシヤル成長装置を提供できる。
シヤル膜厚およびその抵抗値を均一化して高品質
のエピタキシヤル膜が形成できるバレル型エピタ
キシヤル成長装置を提供できる。
第１図および第２図は本発明に係わるバレル型
エピタキシヤル成長装置の一実施例を示す構成
図、第３図および第４図は本発明装置における反
応流体の噴出手段の構成例を示す図である。 １……ベルジヤー、２……シリンダ型サセプタ
（第１サセプタ）、３，６……シヤフト、４……ウ
エハ、５……第２サセプタ、７……排出路、８…
…回転装置、９……ノズル体、１０……ガス制御
装置、１１，１２……反射板、１３……高周波誘
導加熱コイル、１４……加熱装置。
エピタキシヤル成長装置の一実施例を示す構成
図、第３図および第４図は本発明装置における反
応流体の噴出手段の構成例を示す図である。 １……ベルジヤー、２……シリンダ型サセプタ
（第１サセプタ）、３，６……シヤフト、４……ウ
エハ、５……第２サセプタ、７……排出路、８…
…回転装置、９……ノズル体、１０……ガス制御
装置、１１，１２……反射板、１３……高周波誘
導加熱コイル、１４……加熱装置。
Claims (1)
- １ 反応流体が随時流入するとともに排出する反
応炉と、この反応炉内の垂直方向に設けられ複数
の被処理体を縦横に載置する多角柱等の第１サセ
プタと、前記反応炉内で前記第１セサプタを囲う
如く設けられ前記被処理体と対向する位置に被処
理体を複数縦横に載置する第２サセプタと、これ
ら第１および第２サセプタの少なくともいずれか
一方を回転させる回転機構とを具備したことを特
徴とするバレル型エピタキシヤル成長装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61291468A JPS63144513A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | バレル型エピタキシヤル成長装置 |
| CA000557115A CA1313813C (en) | 1986-12-09 | 1988-01-22 | Film forming apparatus |
| US07/162,064 US4848272A (en) | 1986-12-09 | 1988-02-29 | Apparatus for forming thin films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61291468A JPS63144513A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | バレル型エピタキシヤル成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63144513A JPS63144513A (ja) | 1988-06-16 |
| JPH0587128B2 true JPH0587128B2 (ja) | 1993-12-15 |
Family
ID=17769259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61291468A Granted JPS63144513A (ja) | 1986-12-09 | 1986-12-09 | バレル型エピタキシヤル成長装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4848272A (ja) |
| JP (1) | JPS63144513A (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR910003742B1 (ko) | 1986-09-09 | 1991-06-10 | 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 | Cvd장치 |
| US6217662B1 (en) * | 1997-03-24 | 2001-04-17 | Cree, Inc. | Susceptor designs for silicon carbide thin films |
| US20040175901A1 (en) * | 1999-02-10 | 2004-09-09 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for forming an optical silicon layer on a support and use of said method in the production of optical components |
| US6475284B1 (en) * | 1999-09-20 | 2002-11-05 | Moore Epitaxial, Inc. | Gas dispersion head |
| JP4116449B2 (ja) * | 2001-05-18 | 2008-07-09 | マットソン サーマル プロダクツ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 対象物の操作のための操作装置 |
| KR20030002070A (ko) * | 2001-06-30 | 2003-01-08 | 삼성전자 주식회사 | 원심력을 이용한 비점착 웨이퍼 건조방법 및 장치 |
| US6592675B2 (en) | 2001-08-09 | 2003-07-15 | Moore Epitaxial, Inc. | Rotating susceptor |
| KR20030059745A (ko) * | 2002-01-04 | 2003-07-10 | 주성엔지니어링(주) | 반사기를 이용한 웨이퍼 온도 보상기 |
| US7794667B2 (en) * | 2005-10-19 | 2010-09-14 | Moore Epitaxial, Inc. | Gas ring and method of processing substrates |
| TW201122148A (en) * | 2009-12-24 | 2011-07-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Chemical vapor deposition device |
| TWI460067B (zh) * | 2010-02-24 | 2014-11-11 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 表面活化處理裝置 |
| CN102189617B (zh) * | 2010-03-03 | 2014-02-19 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 表面活化处理装置 |
| CN103985657A (zh) * | 2014-05-19 | 2014-08-13 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 桶式炉和半导体制造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3594227A (en) * | 1968-07-12 | 1971-07-20 | Bell Telephone Labor Inc | Method for treating semiconductor slices with gases |
| DE3485898D1 (de) * | 1983-12-09 | 1992-10-01 | Applied Materials Inc | Induktiv beheitzter reaktor zur chemischen abscheidung aus der dampfphase. |
| US4632060A (en) * | 1984-03-12 | 1986-12-30 | Toshiba Machine Co. Ltd | Barrel type of epitaxial vapor phase growing apparatus |
| US4597986A (en) * | 1984-07-31 | 1986-07-01 | Hughes Aircraft Company | Method for photochemical vapor deposition |
| US4694779A (en) * | 1984-10-19 | 1987-09-22 | Tetron, Inc. | Reactor apparatus for semiconductor wafer processing |
| JPH0639358B2 (ja) * | 1984-11-27 | 1994-05-25 | ソニー株式会社 | 有機金属気相成長装置 |
| FR2587731B1 (fr) * | 1985-09-23 | 1988-01-08 | Centre Nat Rech Scient | Procede et dispositif de depot chimique de couches minces uniformes sur de nombreux substrats plans a partir d'une phase gazeuse |
-
1986
- 1986-12-09 JP JP61291468A patent/JPS63144513A/ja active Granted
-
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| Publication number | Publication date |
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