JPH0587182B2 - - Google Patents
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- JPH0587182B2 JPH0587182B2 JP63322810A JP32281088A JPH0587182B2 JP H0587182 B2 JPH0587182 B2 JP H0587182B2 JP 63322810 A JP63322810 A JP 63322810A JP 32281088 A JP32281088 A JP 32281088A JP H0587182 B2 JPH0587182 B2 JP H0587182B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- molding material
- semiconductor encapsulation
- encapsulation
- semiconductor
- Prior art date
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
この発明は、半導体封止用樹脂成形材料に関す
るものである。さらに詳しくは、熱放散性と低応
力化に優れ、かつリーク不良の発生率を低下さ
せ、成形性を向上させた半導体封止用樹脂成形材
料に関するものである。 （従来の技術） 半導体素子の封止用樹脂成形材料としては、従
来より耐湿性、耐熱性等の性能や、価格などの点
においてエポキシ樹脂を主成分とするものが広く
使用されているが、近年では、半導体素子の高密
度、高集積化に伴い、素子の発熱による熱疲労を
低減すべく熱放散性を向上させること、半導体素
子と封止用樹脂との間に発生する熱応力を低減さ
せること、および成形性や耐湿信頼性を向上させ
ることが必要になつている。 このような半導体素子封止の熱放散性の向上、
低応力化等のために、一般には、熱放散性のよい
結晶性シリカやアルミナ等のフイラーをエポキシ
樹脂等の封止用樹脂組成物に配合することがなさ
れている。また、これらフイラーの配合について
の様々な試みも提案されている。 たとえばこのような試みとしては、水酸化アル
ミニウムと水酸化アルミニウムによつて表面処理
した赤燐の粉末とをエポキシ樹脂に配合する方法
（特開昭61−276816）が提案されている。 また、この発明の発明者らは、従来の結晶性シ
リカやアルミナ等のフイラーに比べて高い放熱散
性と低応力化を実現することのできる窒化珪素フ
イラーを使用することをすでに提案してもいる。 （発明が解決しようとする課題） しかしながら、これらのフイラーは硬度が大き
く、また封止用成形材料に大きな割合で充填しな
くてはならないので、封止用成形材料の混練行程
や成型行程で混練機や金型を摩耗させ、封止用成
形材料中の磁性成分を増加させてリーク不良を発
生させる原因となつている。 また、これらのフイラーの高充填は封止用成形
材料の粘度を高めるので、ワイヤー変形、カスレ
あるいは未充填部等を生じさせるなど成形性を低
下させる原因ともなつている。 このような磁性成分の増加によるリーク不良の
発生や封止用成形材料の高粘度化による成形性の
低下に対してこれまでにも種々の研究がなされて
きており、たとえばアルミナのフイラーについて
はフイラーの形状を球形にすることが有効である
ことが見出されている。しかし、アルミナのフイ
ラーは封止の耐湿性を低下させるので実際上の使
用には問題があり、一方、結晶性シリカや窒化珪
素のフイラーについてはこれまでに有効な方法は
見出されていない。 このため、フイラーの充填により熱放散性の向
上や低応力化を図り、それと同時にリーク不良の
発生の防止や成形性の向上も図るということを満
足に達成できないのが実状である。 この発明は以上の通り事情に鑑みてなされたも
のであり、従来の半導体封止用の樹脂成形材料の
欠点を改善し、封止の熱放散性と低応力化に優
れ、かつ、磁性成分を増加させないようにしてリ
ーク不良の発生率を低下させ、低粘度化して成形
性を向上させた半導体封止用樹脂成形材料を提供
することを目的としている。 （課題を解決するための手段） この発明は、上記の目的を実現するため、フイ
ラーとして、封止用樹脂と同種の樹脂でメカノケ
ミカルコーテイングした無機質基材を配合してな
る半導体封止用樹脂成形材料を提供する。 すなわち、この発明は、半導体封止の熱放散性
の向上や低応力化を図るためには、フイラー表面
をメカノケミカル的に封止樹脂と同種の樹脂によ
つてコーテイングすることが有効であり、この樹
脂コーテイングにより封止用樹脂成形材料中に磁
性成分が混入することを防止し、リーク不良の発
生を有効に抑止することができ、また、封止用樹
脂成形材料の粘度を低下させることができるので
成形性も著しく向上するとの知見に基づいてなさ
れたものである。 この発明で使用する無機質基材としては、従来
より広くフイラーとして用いられているものを使
用することができる。 特に好ましい無機質基材としては、結晶シリカ
および／または窒化珪素を例示することができ、
その全量を結晶シリカや窒化珪素としてもよく、
他の無機質基材と併用してもよい。 無機質基材の粒径は、樹脂のメカノケミカルコ
ーテイングを好適に施せるように、1000μm以下
程度とするのが好ましい。 この発明で採用することのできる樹脂のメカノ
ケミカルコーテイング法は、超微粉粉砕機として
使用される粉砕処理装置を用いることにより無機
質基材を樹脂で表面処理する方法であり、この方
法による場合には、粉砕処理装置の強い圧縮力と
摩擦力により、たとえば第１図に示したように、
20μm以下、さらには5μm以下の粒径の微細無機
質基材の粒子１に樹脂２をコーテイングして、大
きな流動性を付与することが可能となる。 このメカノケミカルコーテイングに使用できる
装置には特に制限はなが、超微粉粉砕機としての
ホソカワミクロン株式会社製のオングミルや字部
興産製のCFミル等を例示することができる。 また、このメカノケミカルコーテイングに使用
する樹脂としては、半導体封止成形材料のベース
樹脂と同種のものとし、たとえば、エポキシ樹脂
等を使用することができる。 このメカノケミカルコーテイングにおいては、
予め無機質基材をシラン系カツプリング剤やシリ
コーンオイルで表面処理し、その後樹脂をコーテ
イングしたものとしてもよい。予めアルコキシシ
ラン、エポキシシラン、アミノシラン等のカツプ
リング剤やシリコーンオイルで表面処理しておく
と封止の耐湿性を向上させることができ、リーク
不良の発生率を一層低下させることができる。 この発明の半導体封止用成形材料において、フ
イラー配合するベース樹脂としては、耐湿性、耐
熱性等の性能の良好なものとして知られている従
来公知のエポキシ樹脂等を適宜使用することがで
きる。たとえばエポキシ樹脂としては、ノボラツ
ク型エポキシ樹脂、ビスフエノールＡ型エポキシ
樹脂、ビスフエノールＦ型エポキシ樹脂、脂環式
エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂などを例
示することができる。 また、硬化剤としてもノボラツク型フエノール
樹脂など従来より使用されているもを用いること
ができる。特に、ノボラツク型フエノール樹脂と
しては、１分子中に２個以上のフエノール性水酸
基を有するものを好適な硬化剤として例示するこ
とができる。 以上のように、この発明の半導体封止用樹脂成
形材料は、従来のエポキシ樹脂等を樹脂成分とす
る半導体封止用組成物において、フイラーとして
樹脂をメカノケミカルコーテイングしたものを配
合するものであるが、さらに封止用樹脂としての
特性を損なわない限り他の種々の添加剤を添加す
ることができる。たとえば、シリコーン系改質
剤、難燃剤、硬化促進剤、離型剤、着色剤、充填
剤などを半導体素子の種類、用途に応じて適宜配
合することができる。 また、この発明の半導体封止用樹脂成形材料を
用いて半導体を封止する方法としては、従来と同
様の方法を封止する半導体素子等に応じて適宜採
用することができる。 （作用） この発明の半導体封止用樹脂成形材料は、フイ
ラーの表面を樹脂でメカノケミカルコーテイング
することにより、半導体封止の熱放散性を向上さ
せ、低応力性を図ると共に成形材料中にフイラー
を高充填しても、磁性成分の増加によるリーク不
良の発生や高粘度化による成形性の低下を防止す
ることができる。 （実施例） 以下、実施例を示して、この発明の半導体封止
用成形材料について具体的に説明する。 実施例 １ クレゾールノボラツク型エポキシ樹脂に硬化剤
としてフエノールノボラツク系硬化剤を配合し、
フイラーとして、結晶シリカ（最大粒径850μm、
平均粒径560μm）に上記のクレゾールノボラツク
型エポキシ樹脂を重量比10：１でメカノケミカル
コーテングしたもの（平均粒径8μm）を85wt％
添加して半導体封止用樹脂成形材料を調整した。 得られた半導体封止用樹脂成形材料により半導
体素子を封止し、その封止の熱伝導率、150℃に
おける溶融粘度、磁性分量、成形性、初期リーク
不良発生率およびPCT（5at％ 100％ RH 100
時間）後のリーク不良発生率について評価した。 この場合、磁性分量は、自動磁性分析計
（MAONE TIC ANALYZER）により測定し
た。 また、リーク不良発生率の評価については、評
価素子としてNOS TEG（松下電工株式会社製）
を用い、第２図に示す測定回路において試料を恒
温槽１（100℃）中に設置し、VDS＝VGS＝10Vと
してリーク電流IDSが10mAに達する時間を測定し
（測定時はスイツチsw１ OFF状態、スイツチ
sw２ OFF状態、非測定時はsw１ OFF状態、
スイツチsw2 ON状態）、その時間が100秒未満、
100〜1000秒、1000秒を越えるものの３段階に判
定し、1000秒を超えるものを不良とした。 これらの評価結果は表１に示す通りであつた。
後述の比較例との対比からも明らかなように、熱
放散性は良好で、成形性、リーク不良発生の防止
にも優れていた。 実施例 ２ 結晶シリカ（最大粒径700μm、平均粒径
490μm）を予めシラン系カツプリング剤（0.5wt
％）で表面処理し、その後実施例１と同様にして
エポキシ樹脂をメカノケミカルコーテングしたも
の（平均粒径13μm）をフイラーとして85wt％添
加して半導体封止用樹脂成形材料を調整した。得
られた成形材料により半導体素子を封止して性質
を評価した。 結果を表１に示した。 溶融粘度は低く、磁性分量は少なかつた。
PCT後でもリーク不良発生率は比較例に比べて
著しく低下した。 実施例 ３ 結晶シリカ（最大粒径800μm、平均粒径
630μm）を予めシリコーンオイル（0.5wt％）で
表面処理し、その後実施例１と同様にしてエポキ
シ樹脂をメカノケミカルコーテイングしたもの
（平均粒径8μm）をフイラーとして85wt％添加し
て半導体封止用樹脂成形材料を調整し、その成形
材料により半導体素子を封止して性質を評価し
た。 結果を表１に示した。 実施例２と同様にその特性は優れていた。 実施例 ４ 結晶シリカ（最大粒径800μm、平均粒径
630μm）と窒化珪素（最大粒径560μm、平均粒径
410μm）を重量比１：１において予めシラン系カ
ツプリング剤（0.5wt％）で表面処理し、その後
実施例１と同様にしてエポキシ樹脂をメカノケミ
カルコーテイングしたものを各々45wt％、40wt
％添加して半導体封止用成形材料を調整し、その
成形材料により半導体素子を封止して性質を評価
した。 結果を表１に示した。 実施例２〜３と同様に、その特性は優れてい
た。 比較例 １ エポキシ樹脂をメカノケミカルコーテイングす
ることなく、シラン系カツプリング剤（0.5wt％）
で表面処理しただけの結晶シリカ（平均粒径
560μm）をフイラーとして85wt％添加して半導
体封止用樹脂成形材料を調整し、封止してその性
質を評価した。 結果を表１に示した。 溶融粘度は大きく、磁性分量も大きい。リーク
発生率も実施例に比べてはるかに高かつた。 比較例 ２ エポキシ樹脂をメカノケミカルコーテイングす
ることなく、シラン系カツプリング剤（0.5wt％）
で表面処理しただけの実施例４の結晶シリカと窒
化珪素とをそれぞれ45wt％、40wt％添加して半
導体封止用成形材料を調整し、封止してその性質
を評価した。 結果を表１に示した。 比較例１と同様に特性は劣つていた。 比較例 ３ 実施例１において、メカノケミカルコーテイン
グを行うことなく、エポキシ樹脂とフイラーとを
通常のヘンシエルミキサーによつて混合し、この
混合物（平均粒径180μm）を85wt％添加して半
導体封止用成形材料とした。 この成形材料を用いて封止し、その性能を評価
した。特性は実施例に比べてかなり劣つていた。
るものである。さらに詳しくは、熱放散性と低応
力化に優れ、かつリーク不良の発生率を低下さ
せ、成形性を向上させた半導体封止用樹脂成形材
料に関するものである。 （従来の技術） 半導体素子の封止用樹脂成形材料としては、従
来より耐湿性、耐熱性等の性能や、価格などの点
においてエポキシ樹脂を主成分とするものが広く
使用されているが、近年では、半導体素子の高密
度、高集積化に伴い、素子の発熱による熱疲労を
低減すべく熱放散性を向上させること、半導体素
子と封止用樹脂との間に発生する熱応力を低減さ
せること、および成形性や耐湿信頼性を向上させ
ることが必要になつている。 このような半導体素子封止の熱放散性の向上、
低応力化等のために、一般には、熱放散性のよい
結晶性シリカやアルミナ等のフイラーをエポキシ
樹脂等の封止用樹脂組成物に配合することがなさ
れている。また、これらフイラーの配合について
の様々な試みも提案されている。 たとえばこのような試みとしては、水酸化アル
ミニウムと水酸化アルミニウムによつて表面処理
した赤燐の粉末とをエポキシ樹脂に配合する方法
（特開昭61−276816）が提案されている。 また、この発明の発明者らは、従来の結晶性シ
リカやアルミナ等のフイラーに比べて高い放熱散
性と低応力化を実現することのできる窒化珪素フ
イラーを使用することをすでに提案してもいる。 （発明が解決しようとする課題） しかしながら、これらのフイラーは硬度が大き
く、また封止用成形材料に大きな割合で充填しな
くてはならないので、封止用成形材料の混練行程
や成型行程で混練機や金型を摩耗させ、封止用成
形材料中の磁性成分を増加させてリーク不良を発
生させる原因となつている。 また、これらのフイラーの高充填は封止用成形
材料の粘度を高めるので、ワイヤー変形、カスレ
あるいは未充填部等を生じさせるなど成形性を低
下させる原因ともなつている。 このような磁性成分の増加によるリーク不良の
発生や封止用成形材料の高粘度化による成形性の
低下に対してこれまでにも種々の研究がなされて
きており、たとえばアルミナのフイラーについて
はフイラーの形状を球形にすることが有効である
ことが見出されている。しかし、アルミナのフイ
ラーは封止の耐湿性を低下させるので実際上の使
用には問題があり、一方、結晶性シリカや窒化珪
素のフイラーについてはこれまでに有効な方法は
見出されていない。 このため、フイラーの充填により熱放散性の向
上や低応力化を図り、それと同時にリーク不良の
発生の防止や成形性の向上も図るということを満
足に達成できないのが実状である。 この発明は以上の通り事情に鑑みてなされたも
のであり、従来の半導体封止用の樹脂成形材料の
欠点を改善し、封止の熱放散性と低応力化に優
れ、かつ、磁性成分を増加させないようにしてリ
ーク不良の発生率を低下させ、低粘度化して成形
性を向上させた半導体封止用樹脂成形材料を提供
することを目的としている。 （課題を解決するための手段） この発明は、上記の目的を実現するため、フイ
ラーとして、封止用樹脂と同種の樹脂でメカノケ
ミカルコーテイングした無機質基材を配合してな
る半導体封止用樹脂成形材料を提供する。 すなわち、この発明は、半導体封止の熱放散性
の向上や低応力化を図るためには、フイラー表面
をメカノケミカル的に封止樹脂と同種の樹脂によ
つてコーテイングすることが有効であり、この樹
脂コーテイングにより封止用樹脂成形材料中に磁
性成分が混入することを防止し、リーク不良の発
生を有効に抑止することができ、また、封止用樹
脂成形材料の粘度を低下させることができるので
成形性も著しく向上するとの知見に基づいてなさ
れたものである。 この発明で使用する無機質基材としては、従来
より広くフイラーとして用いられているものを使
用することができる。 特に好ましい無機質基材としては、結晶シリカ
および／または窒化珪素を例示することができ、
その全量を結晶シリカや窒化珪素としてもよく、
他の無機質基材と併用してもよい。 無機質基材の粒径は、樹脂のメカノケミカルコ
ーテイングを好適に施せるように、1000μm以下
程度とするのが好ましい。 この発明で採用することのできる樹脂のメカノ
ケミカルコーテイング法は、超微粉粉砕機として
使用される粉砕処理装置を用いることにより無機
質基材を樹脂で表面処理する方法であり、この方
法による場合には、粉砕処理装置の強い圧縮力と
摩擦力により、たとえば第１図に示したように、
20μm以下、さらには5μm以下の粒径の微細無機
質基材の粒子１に樹脂２をコーテイングして、大
きな流動性を付与することが可能となる。 このメカノケミカルコーテイングに使用できる
装置には特に制限はなが、超微粉粉砕機としての
ホソカワミクロン株式会社製のオングミルや字部
興産製のCFミル等を例示することができる。 また、このメカノケミカルコーテイングに使用
する樹脂としては、半導体封止成形材料のベース
樹脂と同種のものとし、たとえば、エポキシ樹脂
等を使用することができる。 このメカノケミカルコーテイングにおいては、
予め無機質基材をシラン系カツプリング剤やシリ
コーンオイルで表面処理し、その後樹脂をコーテ
イングしたものとしてもよい。予めアルコキシシ
ラン、エポキシシラン、アミノシラン等のカツプ
リング剤やシリコーンオイルで表面処理しておく
と封止の耐湿性を向上させることができ、リーク
不良の発生率を一層低下させることができる。 この発明の半導体封止用成形材料において、フ
イラー配合するベース樹脂としては、耐湿性、耐
熱性等の性能の良好なものとして知られている従
来公知のエポキシ樹脂等を適宜使用することがで
きる。たとえばエポキシ樹脂としては、ノボラツ
ク型エポキシ樹脂、ビスフエノールＡ型エポキシ
樹脂、ビスフエノールＦ型エポキシ樹脂、脂環式
エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂などを例
示することができる。 また、硬化剤としてもノボラツク型フエノール
樹脂など従来より使用されているもを用いること
ができる。特に、ノボラツク型フエノール樹脂と
しては、１分子中に２個以上のフエノール性水酸
基を有するものを好適な硬化剤として例示するこ
とができる。 以上のように、この発明の半導体封止用樹脂成
形材料は、従来のエポキシ樹脂等を樹脂成分とす
る半導体封止用組成物において、フイラーとして
樹脂をメカノケミカルコーテイングしたものを配
合するものであるが、さらに封止用樹脂としての
特性を損なわない限り他の種々の添加剤を添加す
ることができる。たとえば、シリコーン系改質
剤、難燃剤、硬化促進剤、離型剤、着色剤、充填
剤などを半導体素子の種類、用途に応じて適宜配
合することができる。 また、この発明の半導体封止用樹脂成形材料を
用いて半導体を封止する方法としては、従来と同
様の方法を封止する半導体素子等に応じて適宜採
用することができる。 （作用） この発明の半導体封止用樹脂成形材料は、フイ
ラーの表面を樹脂でメカノケミカルコーテイング
することにより、半導体封止の熱放散性を向上さ
せ、低応力性を図ると共に成形材料中にフイラー
を高充填しても、磁性成分の増加によるリーク不
良の発生や高粘度化による成形性の低下を防止す
ることができる。 （実施例） 以下、実施例を示して、この発明の半導体封止
用成形材料について具体的に説明する。 実施例 １ クレゾールノボラツク型エポキシ樹脂に硬化剤
としてフエノールノボラツク系硬化剤を配合し、
フイラーとして、結晶シリカ（最大粒径850μm、
平均粒径560μm）に上記のクレゾールノボラツク
型エポキシ樹脂を重量比10：１でメカノケミカル
コーテングしたもの（平均粒径8μm）を85wt％
添加して半導体封止用樹脂成形材料を調整した。 得られた半導体封止用樹脂成形材料により半導
体素子を封止し、その封止の熱伝導率、150℃に
おける溶融粘度、磁性分量、成形性、初期リーク
不良発生率およびPCT（5at％ 100％ RH 100
時間）後のリーク不良発生率について評価した。 この場合、磁性分量は、自動磁性分析計
（MAONE TIC ANALYZER）により測定し
た。 また、リーク不良発生率の評価については、評
価素子としてNOS TEG（松下電工株式会社製）
を用い、第２図に示す測定回路において試料を恒
温槽１（100℃）中に設置し、VDS＝VGS＝10Vと
してリーク電流IDSが10mAに達する時間を測定し
（測定時はスイツチsw１ OFF状態、スイツチ
sw２ OFF状態、非測定時はsw１ OFF状態、
スイツチsw2 ON状態）、その時間が100秒未満、
100〜1000秒、1000秒を越えるものの３段階に判
定し、1000秒を超えるものを不良とした。 これらの評価結果は表１に示す通りであつた。
後述の比較例との対比からも明らかなように、熱
放散性は良好で、成形性、リーク不良発生の防止
にも優れていた。 実施例 ２ 結晶シリカ（最大粒径700μm、平均粒径
490μm）を予めシラン系カツプリング剤（0.5wt
％）で表面処理し、その後実施例１と同様にして
エポキシ樹脂をメカノケミカルコーテングしたも
の（平均粒径13μm）をフイラーとして85wt％添
加して半導体封止用樹脂成形材料を調整した。得
られた成形材料により半導体素子を封止して性質
を評価した。 結果を表１に示した。 溶融粘度は低く、磁性分量は少なかつた。
PCT後でもリーク不良発生率は比較例に比べて
著しく低下した。 実施例 ３ 結晶シリカ（最大粒径800μm、平均粒径
630μm）を予めシリコーンオイル（0.5wt％）で
表面処理し、その後実施例１と同様にしてエポキ
シ樹脂をメカノケミカルコーテイングしたもの
（平均粒径8μm）をフイラーとして85wt％添加し
て半導体封止用樹脂成形材料を調整し、その成形
材料により半導体素子を封止して性質を評価し
た。 結果を表１に示した。 実施例２と同様にその特性は優れていた。 実施例 ４ 結晶シリカ（最大粒径800μm、平均粒径
630μm）と窒化珪素（最大粒径560μm、平均粒径
410μm）を重量比１：１において予めシラン系カ
ツプリング剤（0.5wt％）で表面処理し、その後
実施例１と同様にしてエポキシ樹脂をメカノケミ
カルコーテイングしたものを各々45wt％、40wt
％添加して半導体封止用成形材料を調整し、その
成形材料により半導体素子を封止して性質を評価
した。 結果を表１に示した。 実施例２〜３と同様に、その特性は優れてい
た。 比較例 １ エポキシ樹脂をメカノケミカルコーテイングす
ることなく、シラン系カツプリング剤（0.5wt％）
で表面処理しただけの結晶シリカ（平均粒径
560μm）をフイラーとして85wt％添加して半導
体封止用樹脂成形材料を調整し、封止してその性
質を評価した。 結果を表１に示した。 溶融粘度は大きく、磁性分量も大きい。リーク
発生率も実施例に比べてはるかに高かつた。 比較例 ２ エポキシ樹脂をメカノケミカルコーテイングす
ることなく、シラン系カツプリング剤（0.5wt％）
で表面処理しただけの実施例４の結晶シリカと窒
化珪素とをそれぞれ45wt％、40wt％添加して半
導体封止用成形材料を調整し、封止してその性質
を評価した。 結果を表１に示した。 比較例１と同様に特性は劣つていた。 比較例 ３ 実施例１において、メカノケミカルコーテイン
グを行うことなく、エポキシ樹脂とフイラーとを
通常のヘンシエルミキサーによつて混合し、この
混合物（平均粒径180μm）を85wt％添加して半
導体封止用成形材料とした。 この成形材料を用いて封止し、その性能を評価
した。特性は実施例に比べてかなり劣つていた。
【表】
（発明の効果）
この発明の半導体封止用成形材料により、半導
体封止の熱放散性を向上させ、低応力化を図るこ
とができ、かつ、リーク不良の発生率を著しく低
滅させ、また、成形性も優れたものとすることが
できる。このため、発明の半導体素子封止用成形
材料を用いることにより、パワートランジスタデ
バイスや高集積化LSIの良好な樹脂封止が可能と
なる。
体封止の熱放散性を向上させ、低応力化を図るこ
とができ、かつ、リーク不良の発生率を著しく低
滅させ、また、成形性も優れたものとすることが
できる。このため、発明の半導体素子封止用成形
材料を用いることにより、パワートランジスタデ
バイスや高集積化LSIの良好な樹脂封止が可能と
なる。
第１図は樹脂のメカノケミカルコーテイングの
方法を示したプロセス状態図である。第２図はリ
ーク不良発生率の測定回路を示した回路図であ
る。 １……無機質基材粒子、２……樹脂。
方法を示したプロセス状態図である。第２図はリ
ーク不良発生率の測定回路を示した回路図であ
る。 １……無機質基材粒子、２……樹脂。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 封止用樹脂と同種の樹脂でメカノケミカルコ
ーテングした無機質基材を配合してなることを特
徴とする半導体封止用樹脂成形材料。 ２ シラン系カツプリング剤またはシリコーンオ
イルで表面処理後にエポキシ樹脂によりメカノケ
ミカルコーテングした無機質基材を配合してなる
請求項１記載の半導体封止用樹脂成形材料。 ３ 無機質基材が、結晶シリカおよび／または窒
化珪素である請求項１または２記載の半導体封止
用樹脂成形材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32281088A JPH02166753A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 半導体封止用樹脂成形材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32281088A JPH02166753A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 半導体封止用樹脂成形材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02166753A JPH02166753A (ja) | 1990-06-27 |
| JPH0587182B2 true JPH0587182B2 (ja) | 1993-12-15 |
Family
ID=18147871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32281088A Granted JPH02166753A (ja) | 1988-12-21 | 1988-12-21 | 半導体封止用樹脂成形材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02166753A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2929896B2 (ja) * | 1993-04-09 | 1999-08-03 | 信越化学工業株式会社 | 半導体封止用成形材料の製造方法 |
| EP1383169B1 (en) | 2001-04-23 | 2014-06-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Heat radiating member |
| JP2010270262A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び該組成物を用いて半導体素子が封止された半導体装置 |
| JP5592174B2 (ja) * | 2010-06-24 | 2014-09-17 | パナソニック株式会社 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置 |
| JP5921723B2 (ja) | 2013-01-11 | 2016-05-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP6327549B2 (ja) * | 2013-12-06 | 2018-05-23 | ナガセケムテックス株式会社 | 熱硬化性樹脂組成物および熱伝導性シート |
| JP7119528B2 (ja) * | 2018-04-18 | 2022-08-17 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62101649A (ja) * | 1985-10-30 | 1987-05-12 | Hitachi Chem Co Ltd | 半導体封止用熱硬化性樹脂組成物 |
-
1988
- 1988-12-21 JP JP32281088A patent/JPH02166753A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02166753A (ja) | 1990-06-27 |
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