JPH0587991A - Ｓｏｒ用ミラー - Google Patents

Ｓｏｒ用ミラー

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JPH0587991A
JPH0587991A JP3278330A JP27833091A JPH0587991A JP H0587991 A JPH0587991 A JP H0587991A JP 3278330 A JP3278330 A JP 3278330A JP 27833091 A JP27833091 A JP 27833091A JP H0587991 A JPH0587991 A JP H0587991A
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四郎 保立
Hiroshi Yamazaki
拓 山崎
Teruo Sugai
照夫 菅井
Shigeo Kato
茂男 加藤
Haruo Tazoe
春夫 田添
Hiroaki Koike
弘明 小池
Takeshi Inaba
毅 稲葉
Eiichi Sotodani
栄一 外谷
Shinichi Inoue
新一 井上
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 反射率を向上させる。 【構成】 耐熱性セラミックス基材１の表面に、ＣＶＤ
法によりコーティングされ、上面に研磨を施した所要厚
さのＳｉＣ膜３，４を、少なくとも２層積層することに
より、下層側のＳｉＣ膜上面の研磨によって、上層側の
ＳｉＣ膜の結晶の成長や異方性を抑制し、ＳｉＣ膜全体
の厚さが厚くなっても欠陥を少なくする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＳＯＲ（シンクロトロ
ン放射光）用ミラーに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のＳＯＲ用ミラーとして
は、黒鉛、ＳｉＣ（炭化けい素）等の耐熱性セラミック
ス基材の表面に、連続長時間のあるいは複数回のＣＶＤ
（化学蒸着）法によりＳｉＣ膜を所要厚さ（数百μｍ）
にコーティングし、ＳｉＣ膜の上面に鏡面研磨を施した
ものが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＳＯＲ用ミラーにおいては、ＳｉＣ膜の膜厚が増加
するに従って、粒子の吸蔵（ｏｃｃｌｕｓｉｏｎ）によ
る欠陥や結晶粒成長による結晶粒界の欠陥が生じ、反射
率が低下する問題がある。
【０００４】そこで、本発明は、反射率を向上し得るＳ
ＯＲ用ミラーの提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明のＳＯＲ用ミラーは、耐熱性セラミックス基
材の表面に、ＣＶＤ法によりコーティングされ、上面に
研磨を施した所要厚さのＳｉＣ膜を、少なくとも２層積
層したものである。
【０００６】
【作用】上記手段においては、下層側のＳｉＣ膜上面の
研磨により、上層側のＳｉＣ膜の結晶の成長や異方性が
抑制され、ＳｉＣ膜全体の厚さが厚くなっても欠陥が少
なくなる。
【０００７】各層のＳｉＣ膜の厚さは、３０〜３００μ
ｍが好ましい。３０μｍ未満であると、ＣＶＤ膜が島状
構造となり膜をなさなかったり、研磨時に下層表面が露
出することとなり、３００μｍを超えると、結晶の成長
や異方性が抑制されず、研磨後に結晶粒界でチッピング
等の欠陥の発生率が高くなる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【０００９】図１，図２は本発明の一実施例のＳＯＲ用
ミラーの断面図、要部の拡大断面図である。
【００１０】このＳＯＲ用ミラーは、矩形板状（１００
mm×３００mm×２０mm）のＳｉＣ基材１の全表面に、Ｃ
ＶＤ法により厚さ３０〜３００μｍのＳｉＣ膜２をコー
ティングし、かつ反射面となる一面（図１においては上
面）を表面粗さＲmsが１０〜５０００オングストローム
以下となるように研磨を施して研磨ＳｉＣ膜３とし、こ
の研磨ＳｉＣ膜３の上面に、同様にＣＶＤ法により厚さ
３０〜３００μｍのＳｉＣ膜をコーティングし、かつこ
のＳｉＣ膜の反射面となる上面を表面粗さＲmsが３〜２
０オングストローム以下となるように鏡面研磨を施して
研磨ＳｉＣ膜４とした、いわばＳｉＣ基材１の反射面に
研磨ＳｉＣ膜３，４を２層積層した構造とされている。
【００１１】この際、中間層となる研磨ＳｉＣ膜３の表
面粗さＲmsは、１０〜５０００オングストロームが好ま
しい。Ｒms１０オングストローム未満であると加工費が
かかりコスト的に採算があわなくなる。一方、Ｒms５０
００オングストロームを超えると表面の凹凸が上に積層
されるＳｉＣ膜４の結晶形態に影響を及ぼし、最終的に
反射面に欠陥が発生し易くなる。又、最終的な反射面と
なる最外側の研磨ＳｉＣ膜４は、ミラーとしての作用を
なすものであるため、Ｒms３〜１０オングストロームの
鏡面研磨を施すことが必要である。
【００１２】上記構造のＳＯＲ用ミラーの製造に際して
は、先ず、ＳｉＣ材を所要の寸法形状に加工して複数の
ＳｉＣ基材１とし、これらを１２５０℃の温度下でＨＣ
ｌガスを用いて洗浄処理した後、図３に示すように、Ｃ
ＶＤ法により処理時間を変えて種々の厚さのＳｉＣ膜２
を全面にコーティングした。
【００１３】ＣＶＤ条件は、次の通りである。
【００１４】次いで、各ＳｉＣ基材１における反射面と
なる一面のＳｉＣ膜２に、ラッピング、ポリッシング等
によりＲms１０オングストロームとなるような研磨を施
し、図４に示すように、研磨ＳｉＣ膜３とした。表１に
この時のＣＶＤ膜厚と表面に観察された欠陥数との関係
を示した。
【００１５】
【表１】 従って、試料No．２〜４の膜厚のものが、欠陥数の点で
優れていることがわかった。
【００１６】次に、ＳｉＣ基材１の全表面に１００μｍ
のＳｉＣ膜２をコーティングし、フライス、ラッピン
グ、ポリッシング等により、種々の表面粗さを有する研
磨ＳｉＣ膜３を形成した。その後、ＣＶＤ法により研磨
ＳｉＣ膜３の上に１００μｍのＳｉＣ膜５をコーティン
グした。
【００１７】ＣＶＤ条件は、次の通りである。 原料ガス：ＭＴＣＳ（トリメチルクロロシラン） ０．２４ｌ／min Ｈ2 ０．７０ｌ／min 温 度：１３００℃
【００１８】次いで、各ＳｉＣ基材１のＳｉＣ膜５にラ
ッピング、ポリッシング等により鏡面研磨を施し、図６
に示すように研磨ＳｉＣ膜４とした後、１２５０℃の温
度下でＨＣｌガスを用いて洗浄処理し、ＳＯＲ用ミラー
を得た。
【００１９】研磨ＳｉＣ膜４の表面の欠陥数を観察した
ところ、表２の結果を得た。
【００２０】
【表２】 従って、中間層（境界層）となる研磨ＳｉＣ膜３の表面
粗さＲmsは、５０００オングストローム以下が好ましい
ことがわかった。
【００２１】又、各ＳＯＲ用ミラーの表面の欠陥数と反
射率との関係を表３に示した。
【００２２】
【表３】 従って、各層のＳｉＣ膜の膜厚を３０〜３００μｍに設
定し、かつ境界層となる研磨ＳｉＣ膜の表面粗さＲmsを
１０〜５０００オングストロームに設定することによ
り、表面に観察される欠陥数を０．３個／cm2 以下に限
定することが可能となり、反射率９３〜９５％のＳＯＲ
用ミラーを得ることができ、従来のものの反射率（８５
％）より大幅に向上できることがわかった。
【００２３】なお、上述した実施例においては、１層目
と２層目のＳｉＣ膜２，５をＣＶＤコーティングする際
の原料ガスを異ならせているが、いずれか一方の原料ガ
スのみを用いてＣＶＤコーティングしてもよい。
【００２４】又、基材は、ＳｉＣに限らず、黒鉛、Ｓｉ
含浸ＳｉＣ又はＳｉ単結晶その他を用いてもよい。
【００２５】更に、研磨ＳｉＣ膜は、２層とする場合に
限らず、基材との熱膨張率による剥離を生じない範囲
で、３層以上積層してもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＳＯＲ用
ミラーによれば、下層側のＳｉＣ膜上面の研磨により、
上層側のＳｉＣ膜の結晶の成長や異方性が抑制され、Ｓ
ｉＣ膜全体の厚さが厚くなっても欠陥が少なくなるの
で、従来のものに比して反射率を大幅に向上することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例のＳＯＲ用ミラーの断面図で
ある。
【図２】本発明の一実施例のＳＯＲ用ミラーの要部の断
面図である。
【図３】本発明の一実施例のＳＯＲ用ミラーの製造工程
１を示す要部の断面図である。
【図４】本発明の一実施例のＳＯＲ用ミラーの製造工程
２を示す要部の断面図である。
【図５】本発明の一実施例のＳＯＲ用ミラーの製造工程
３を示す要部の断面図である。
【図６】本発明の一実施例のＳＯＲ用ミラーの製造工程
４を示す要部の断面図である。
【符号の説明】
１ ＳｉＣ基材 ２ ＳｉＣ膜 ３ 研磨ＳｉＣ膜 ４ 研磨ＳｉＣ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加藤 茂男 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミツクス株式会社小国製造所内 (72)発明者 田添 春夫 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミツクス株式会社小国製造所内 (72)発明者 小池 弘明 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミツクス株式会社小国製造所内 (72)発明者 稲葉 毅 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミツクス株式会社小国製造所内 (72)発明者 外谷 栄一 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミツクス株式会社小国製造所内 (72)発明者 井上 新一 山形県西置賜郡小国町大字小国町378番地 東芝セラミツクス株式会社小国製造所内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 耐熱性セラミックス基材の表面に、ＣＶ
    Ｄ法によりコーティングされ、上面に研磨を施した所要
    厚さのＳｉＣ膜を、少なくとも２層積層したことを特徴
    とするＳＯＲ用ミラー。
JP3278330A 1991-09-30 1991-09-30 Ｓｏｒ用ミラー Expired - Fee Related JPH0774839B2 (ja)

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US08/029,648 US5448418A (en) 1991-09-30 1993-03-10 Mirror for SOR
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US5448418A (en) 1995-09-05
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