JPH0588349A - レチクルマスク及び投影露光方法 - Google Patents
レチクルマスク及び投影露光方法Info
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- JPH0588349A JPH0588349A JP3249398A JP24939891A JPH0588349A JP H0588349 A JPH0588349 A JP H0588349A JP 3249398 A JP3249398 A JP 3249398A JP 24939891 A JP24939891 A JP 24939891A JP H0588349 A JPH0588349 A JP H0588349A
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- Japan
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、半導体装置の製造工程で用いるレチ
クルマスク及び投影露光方法に関し、分割露光法のよう
に２枚のレチクルマスクを形成することなく、露光時に
レチクルマスクの交換及び位置合わせを行わずに、従来
の露光光学系の解像度の限界を超える微細パターンを形
成することができるレチクルマスク及び投影露光方法を
提供することを目的とする。 【構成】石英基板１と、石英基板１上に形成された遮光
膜３と、遮光膜３の一部を開口して形成した複数の開口
部２とを備えたレチクルマスクにおいて、複数の開口部
２は、所定の偏光方向を有する第１の偏光層４が形成さ
れた第１の開口部２と、第１の偏光層４の偏光方向とほ
ぼ直角の偏光方向を有する第２の偏光層５が形成された
第２の開口部２とが交互に形成されているように構成す
る。
クルマスク及び投影露光方法に関し、分割露光法のよう
に２枚のレチクルマスクを形成することなく、露光時に
レチクルマスクの交換及び位置合わせを行わずに、従来
の露光光学系の解像度の限界を超える微細パターンを形
成することができるレチクルマスク及び投影露光方法を
提供することを目的とする。 【構成】石英基板１と、石英基板１上に形成された遮光
膜３と、遮光膜３の一部を開口して形成した複数の開口
部２とを備えたレチクルマスクにおいて、複数の開口部
２は、所定の偏光方向を有する第１の偏光層４が形成さ
れた第１の開口部２と、第１の偏光層４の偏光方向とほ
ぼ直角の偏光方向を有する第２の偏光層５が形成された
第２の開口部２とが交互に形成されているように構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
で用いるレチクルマスク及び投影露光方法に関する。
で用いるレチクルマスク及び投影露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体装置の高集積化に伴い、ハ
ーフミクロンパターンの加工技術が要求されているが、
生産性の高さやコストの点を考慮して、可視光又は紫外
線を光源として使用する従来の投影露光装置を用いるこ
とが望まれている。従来の投影露光に用いるレチクルマ
スクを図３を用いて説明する。
ーフミクロンパターンの加工技術が要求されているが、
生産性の高さやコストの点を考慮して、可視光又は紫外
線を光源として使用する従来の投影露光装置を用いるこ
とが望まれている。従来の投影露光に用いるレチクルマ
スクを図３を用いて説明する。
【０００３】図３（ａ）は従来のレチクルマスク２０の
平面図である。このレチクルマスク２０は、ハーフミク
ロンパターンの加工に用いることを目的としたラインア
ンドスペースパターンの開口部を有するレチクルマスク
である。レチクルマスク２０は、石英基板１上に形成さ
れたクロム遮光膜３の一部を剥離して、ラインアンドス
ペースパターンのスペース部２を開口したものである。
図３（ａ）中隣り合うスペース部２間のライン部の幅を
Ａ、スペース部２の幅をＢとするとＡ＋Ｂがラインアン
ドスペースパターンのピッチとなる。
平面図である。このレチクルマスク２０は、ハーフミク
ロンパターンの加工に用いることを目的としたラインア
ンドスペースパターンの開口部を有するレチクルマスク
である。レチクルマスク２０は、石英基板１上に形成さ
れたクロム遮光膜３の一部を剥離して、ラインアンドス
ペースパターンのスペース部２を開口したものである。
図３（ａ）中隣り合うスペース部２間のライン部の幅を
Ａ、スペース部２の幅をＢとするとＡ＋Ｂがラインアン
ドスペースパターンのピッチとなる。
【０００４】このレチクルマスク２０を縮小投影露光装
置にセットして、レチクルマスク２０に形成されたライ
ンアンドスペースパターンをウェーハ上に露光して転写
する場合、縮小投影露光装置の露光光学系の有する解像
度が問題となる。図３（ａ）に示すラインアンドスペー
スパターンのピッチＡ＋Ｂが、露光光学系の解像度λ／
ＮＡ（λは入射光波長、ＮＡは開口数である。）の値よ
り小さい場合にはラインアンドスペースパターンの解像
が困難になる。ピッチが露光光学系の解像度以下の間隔
で並んだパターンでは、光の回折により像面であるウェ
ーハ上での光強度が広く分布して重なり合うからであ
る。
置にセットして、レチクルマスク２０に形成されたライ
ンアンドスペースパターンをウェーハ上に露光して転写
する場合、縮小投影露光装置の露光光学系の有する解像
度が問題となる。図３（ａ）に示すラインアンドスペー
スパターンのピッチＡ＋Ｂが、露光光学系の解像度λ／
ＮＡ（λは入射光波長、ＮＡは開口数である。）の値よ
り小さい場合にはラインアンドスペースパターンの解像
が困難になる。ピッチが露光光学系の解像度以下の間隔
で並んだパターンでは、光の回折により像面であるウェ
ーハ上での光強度が広く分布して重なり合うからであ
る。
【０００５】この問題を解決するため、レチクルマスク
のパターンを分割して露光を行う分割露光方法が用いら
れている。この露光方法に用いるレチクルマスクを図３
（ｂ）及び図３（ｃ）に示す。図３（ｂ）及び図３
（ｃ）に示すレチクルマスク２１、２２は分割露光に用
いるレチクルマスクの平面図を示す。レチクルマスク２
１は、図３（ａ）に示したレチクルマスク２０のライン
アンドスペースパターンのスペース部２を一つおきに並
べたスペース部２ａを有している。レチクルマスク２２
は、図３（ａ）に示したレチクルマスク２０のラインア
ンドスペースパターンのスペース部２をレチクルマスク
２１のスペース部２ａより１ピッチ分ずらして一つおき
に並べたスペース部２ｂを有している。従って、これら
二つのレチクルマスク２１、２２を重ねるとレチクルマ
スク２０のラインアンドスペースパターンと同形状とな
る。これら二つのレチクルマスク２１、２２のピッチを
Ｃとすると、Ｃ＝２（Ａ＋Ｂ）である。
のパターンを分割して露光を行う分割露光方法が用いら
れている。この露光方法に用いるレチクルマスクを図３
（ｂ）及び図３（ｃ）に示す。図３（ｂ）及び図３
（ｃ）に示すレチクルマスク２１、２２は分割露光に用
いるレチクルマスクの平面図を示す。レチクルマスク２
１は、図３（ａ）に示したレチクルマスク２０のライン
アンドスペースパターンのスペース部２を一つおきに並
べたスペース部２ａを有している。レチクルマスク２２
は、図３（ａ）に示したレチクルマスク２０のラインア
ンドスペースパターンのスペース部２をレチクルマスク
２１のスペース部２ａより１ピッチ分ずらして一つおき
に並べたスペース部２ｂを有している。従って、これら
二つのレチクルマスク２１、２２を重ねるとレチクルマ
スク２０のラインアンドスペースパターンと同形状とな
る。これら二つのレチクルマスク２１、２２のピッチを
Ｃとすると、Ｃ＝２（Ａ＋Ｂ）である。
【０００６】この２枚のレチクルマスク２１とレチクル
マスク２２を順次用いて投影露光を行いウェーハ上にラ
インアンドスペースパターンを形成する。各々の露光に
おけるピッチＣが、露光光学系の解像度より大きくとれ
るかぎり、回折の影響によるコントラストの低下を防止
でき、良好なラインアンドスペースをウェーハ上に形成
することができる。
マスク２２を順次用いて投影露光を行いウェーハ上にラ
インアンドスペースパターンを形成する。各々の露光に
おけるピッチＣが、露光光学系の解像度より大きくとれ
るかぎり、回折の影響によるコントラストの低下を防止
でき、良好なラインアンドスペースをウェーハ上に形成
することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記分割露光
方法を用いると、レチクルマスクを２枚形成しなければ
ならず、レチクルマスクの製造工程が増えてしまうとい
う問題がある。さらに、投影露光時にこれら２枚のレチ
クルマスクの位置合わせを行う必要があり、位置合わせ
精度いかんで、ウェーハ上に形成される、例えばライン
アンドスペースのスペース部（又はライン部）の間隔が
予定量からずれてしまうという問題がある。
方法を用いると、レチクルマスクを２枚形成しなければ
ならず、レチクルマスクの製造工程が増えてしまうとい
う問題がある。さらに、投影露光時にこれら２枚のレチ
クルマスクの位置合わせを行う必要があり、位置合わせ
精度いかんで、ウェーハ上に形成される、例えばライン
アンドスペースのスペース部（又はライン部）の間隔が
予定量からずれてしまうという問題がある。
【０００８】本発明の目的は、分割露光法のように２枚
のレチクルマスクを形成することなく、露光時にレチク
ルマスクの交換及び位置合わせを行わずに、従来の露光
光学系の解像度の限界を超える微細パターンを形成する
ことができるレチクルマスク及び投影露光方法を提供す
ることにある。
のレチクルマスクを形成することなく、露光時にレチク
ルマスクの交換及び位置合わせを行わずに、従来の露光
光学系の解像度の限界を超える微細パターンを形成する
ことができるレチクルマスク及び投影露光方法を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は、石英基板
と、前記石英基板上に形成された遮光膜と、前記遮光膜
の一部を開口して形成した複数の開口部とを備えたレチ
クルマスクにおいて、前記複数の開口部は、所定の偏光
方向を有する第１の偏光層が形成された第１の開口部
と、前記第１の偏光層の偏光方向とほぼ直角の偏光方向
を有する第２の偏光層が形成された第２の開口部とが交
互に形成されてなることを特徴とするレチクルマスクに
よって達成される。
と、前記石英基板上に形成された遮光膜と、前記遮光膜
の一部を開口して形成した複数の開口部とを備えたレチ
クルマスクにおいて、前記複数の開口部は、所定の偏光
方向を有する第１の偏光層が形成された第１の開口部
と、前記第１の偏光層の偏光方向とほぼ直角の偏光方向
を有する第２の偏光層が形成された第２の開口部とが交
互に形成されてなることを特徴とするレチクルマスクに
よって達成される。
【００１０】また、上記目的は、可視光又は紫外光を発
する光源から射出した光をコンデンサレンズで集光して
レチクルマスクに照射し、前記レチクルマスクの開口部
を透過した光を投影レンズにより集光して被露光基板上
に露光することにより、前記被露光基板上にパターンを
形成する投影露光方法において、前記レチクルマスクに
請求項１記載のレチクルマスクを使用し、前記コンデン
サレンズと前記レチクルマスクの間に偏光板を挿入し、
前記レチクルマスクの前記第１の開口部の前記第１の偏
光層の偏光方向に前記偏光板の偏光方向を一致させるこ
とにより、前記第１の開口部の開口パターンのみを前記
被露光基板上に選択的に露光し、前記レチクルマスクの
前記第２の開口部の前記第２の偏光層の偏光方向に前記
偏光板の偏光方向を一致させることにより、前記第２の
開口部の開口パターンのみを前記被露光基板上に選択的
に露光して、前記複数の開口部の開口パターンを前記被
露光基板上に形成することを特徴とする投影露光方法に
よって達成される。
する光源から射出した光をコンデンサレンズで集光して
レチクルマスクに照射し、前記レチクルマスクの開口部
を透過した光を投影レンズにより集光して被露光基板上
に露光することにより、前記被露光基板上にパターンを
形成する投影露光方法において、前記レチクルマスクに
請求項１記載のレチクルマスクを使用し、前記コンデン
サレンズと前記レチクルマスクの間に偏光板を挿入し、
前記レチクルマスクの前記第１の開口部の前記第１の偏
光層の偏光方向に前記偏光板の偏光方向を一致させるこ
とにより、前記第１の開口部の開口パターンのみを前記
被露光基板上に選択的に露光し、前記レチクルマスクの
前記第２の開口部の前記第２の偏光層の偏光方向に前記
偏光板の偏光方向を一致させることにより、前記第２の
開口部の開口パターンのみを前記被露光基板上に選択的
に露光して、前記複数の開口部の開口パターンを前記被
露光基板上に形成することを特徴とする投影露光方法に
よって達成される。
【００１１】
【作用】本発明によれば、１枚のレチクルマスクで露光
光学系の解像度以下の微細パターンを形成することがで
き、また、レチクルマスクが１枚であるから、露光時に
レチクルマスクの交換及び位置合わせをする必要がない
投影露光を行うことができる。
光学系の解像度以下の微細パターンを形成することがで
き、また、レチクルマスクが１枚であるから、露光時に
レチクルマスクの交換及び位置合わせをする必要がない
投影露光を行うことができる。
【００１２】
【実施例】本発明の一実施例によるレチクルマスク及び
投影露光方法を図１及び図２を用いて説明する。図１に
本発明の一実施例によるレチクルマスクを示す。図１
（ａ）は本実施例のレチクルマスクの平面図、図１
（ｂ）は本実施例のレチクルマスクのＸ−Ｘ断面図を示
す。
投影露光方法を図１及び図２を用いて説明する。図１に
本発明の一実施例によるレチクルマスクを示す。図１
（ａ）は本実施例のレチクルマスクの平面図、図１
（ｂ）は本実施例のレチクルマスクのＸ−Ｘ断面図を示
す。
【００１３】本実施例によるレチクルマスク１３は、ラ
インアンドスペースパターンの開口部を有するレチクル
マスクである。レチクルマスク１３は、石英基板１上に
厚さ８０〜１００ｎｍのクロム薄膜を堆積して形成した
クロム遮光膜３の一部を剥離して、ラインアンドスペー
スパターンの複数のスペース部２を開口したものであ
る。図１（ａ）に示す、隣り合うスペース部２間のライ
ン部の幅Ａ及びスペース部２の幅Ｂは、共に１．０μｍ
である。
インアンドスペースパターンの開口部を有するレチクル
マスクである。レチクルマスク１３は、石英基板１上に
厚さ８０〜１００ｎｍのクロム薄膜を堆積して形成した
クロム遮光膜３の一部を剥離して、ラインアンドスペー
スパターンの複数のスペース部２を開口したものであ
る。図１（ａ）に示す、隣り合うスペース部２間のライ
ン部の幅Ａ及びスペース部２の幅Ｂは、共に１．０μｍ
である。
【００１４】このスペース部２に、互いに直角な偏光方
向を有する偏光層４及び５が交互に埋め込んである。こ
うすることにより、一枚のレチクルマスク１３だけで微
細なラインアンドスペースパターンをウェーハ上に形成
することができる。図２に本実施例のレチクルパターン
１３を使用してウェーハ上にパターンを露光する場合の
露光方法を示す。本実施例では、０．２μｍ幅の１対１
ラインアンドスペースパターンをウェーハ上に露光する
例を示す。また、露光波長λ＝３６５ｎｍのｉ線を光源
に使用し、レンズの開口数ＮＡ＝０．５４の縮小投影露
光装置で露光する場合について説明する。
向を有する偏光層４及び５が交互に埋め込んである。こ
うすることにより、一枚のレチクルマスク１３だけで微
細なラインアンドスペースパターンをウェーハ上に形成
することができる。図２に本実施例のレチクルパターン
１３を使用してウェーハ上にパターンを露光する場合の
露光方法を示す。本実施例では、０．２μｍ幅の１対１
ラインアンドスペースパターンをウェーハ上に露光する
例を示す。また、露光波長λ＝３６５ｎｍのｉ線を光源
に使用し、レンズの開口数ＮＡ＝０．５４の縮小投影露
光装置で露光する場合について説明する。
【００１５】本実施例では倍率が１／５倍の縮小投影露
光を行うことにして、ライン部の幅Ａ及びスペース部の
幅Ｂが、ウェーハ上での幅０．２μｍの５倍、即ち１．
０μｍの上記レチクルパターンを使用する。この場合、
露光装置の解像度λ／ＮＡは約０．６７μｍとなる。ウ
ェーハ上に形成しようとするラインアンドスペースパタ
ーンの１ピッチは、Ａ＋Ｂ＝０．２＋０．２＝０．４μ
ｍであり、露光装置の解像度より小さい。従って、従来
の一枚のレチクルマスクで解像することは不可能であ
る。
光を行うことにして、ライン部の幅Ａ及びスペース部の
幅Ｂが、ウェーハ上での幅０．２μｍの５倍、即ち１．
０μｍの上記レチクルパターンを使用する。この場合、
露光装置の解像度λ／ＮＡは約０．６７μｍとなる。ウ
ェーハ上に形成しようとするラインアンドスペースパタ
ーンの１ピッチは、Ａ＋Ｂ＝０．２＋０．２＝０．４μ
ｍであり、露光装置の解像度より小さい。従って、従来
の一枚のレチクルマスクで解像することは不可能であ
る。
【００１６】上記条件のもと、本実施例のレチクルマス
クを用いたラインアンドスペースの露光方法を説明す
る。ｉ線光源１０から射出した光がコンデンサレンズ１
１で集光され、ほぼ平行光となって本実施例のレチクル
マスク１３に入射する。このとき、コンデンサレンズ１
１とレチクルマスク１３の間に、偏光方向を回転させる
ことができる偏光板１２を挿入しておく。
クを用いたラインアンドスペースの露光方法を説明す
る。ｉ線光源１０から射出した光がコンデンサレンズ１
１で集光され、ほぼ平行光となって本実施例のレチクル
マスク１３に入射する。このとき、コンデンサレンズ１
１とレチクルマスク１３の間に、偏光方向を回転させる
ことができる偏光板１２を挿入しておく。
【００１７】まず、偏光板１２を回転させて、偏光板１
２の偏光方向を偏光層４の偏光方向に一致させる。コン
デンサレンズ１１からの平行光は、偏光板１２を通過し
て偏光層４の偏光方向に一致する偏光面を有する直線偏
光となり、偏光層４の形成されたスペース部２のみを通
過する。偏光層４の偏光方向と直角の偏光方向の偏光層
５を有するスペース部２は光が通過しない。
２の偏光方向を偏光層４の偏光方向に一致させる。コン
デンサレンズ１１からの平行光は、偏光板１２を通過し
て偏光層４の偏光方向に一致する偏光面を有する直線偏
光となり、偏光層４の形成されたスペース部２のみを通
過する。偏光層４の偏光方向と直角の偏光方向の偏光層
５を有するスペース部２は光が通過しない。
【００１８】従って、偏光層４を有するスペース部２を
通過した光だけが投影レンズ１４により縮小されてウェ
ーハ１５の所定の位置に露光される。偏光層４を有する
スペース部２は、図１（ａ）に示す幅Ｃのピッチを有す
るから、Ｃ＝２（Ａ＋Ｂ）＝２×０．４＝０．８μｍの
ピッチで露光される。このピッチは、露光光学系の解像
度λ／ＮＡ＝０．６７μｍより大きく、ウェーハ上で十
分な結像コントラストを得ることができる。
通過した光だけが投影レンズ１４により縮小されてウェ
ーハ１５の所定の位置に露光される。偏光層４を有する
スペース部２は、図１（ａ）に示す幅Ｃのピッチを有す
るから、Ｃ＝２（Ａ＋Ｂ）＝２×０．４＝０．８μｍの
ピッチで露光される。このピッチは、露光光学系の解像
度λ／ＮＡ＝０．６７μｍより大きく、ウェーハ上で十
分な結像コントラストを得ることができる。
【００１９】次に、偏光板１２をほぼ９０度回転させ
て、偏光板１２の偏光方向を偏光層５の偏光方向に一致
させる。コンデンサレンズ１１からの平行光は、偏光板
１２を通過して偏光層５の偏光方向に一致する偏光面を
有する直線偏光となり、偏光層５の形成されたスペース
部２のみを通過する。偏光層５の偏光方向と直角の偏光
方向の偏光層４を有するスペース部２は光が通過しな
い。
て、偏光板１２の偏光方向を偏光層５の偏光方向に一致
させる。コンデンサレンズ１１からの平行光は、偏光板
１２を通過して偏光層５の偏光方向に一致する偏光面を
有する直線偏光となり、偏光層５の形成されたスペース
部２のみを通過する。偏光層５の偏光方向と直角の偏光
方向の偏光層４を有するスペース部２は光が通過しな
い。
【００２０】従って、偏光層５を有するスペース部２を
通過した光だけが投影レンズ１４により縮小されてウェ
ーハ１５の所定の位置に露光される。偏光層５を有する
スペース部２も、偏光層４を有するスペース部２と同じ
ピッチＣを有するから、ウェーハ上で十分な結像コント
ラストが得られる。このようにして、回折の影響による
コントラストの低下を防止した、良好なラインアンドス
ペースをウェーハ上に形成することができる。
通過した光だけが投影レンズ１４により縮小されてウェ
ーハ１５の所定の位置に露光される。偏光層５を有する
スペース部２も、偏光層４を有するスペース部２と同じ
ピッチＣを有するから、ウェーハ上で十分な結像コント
ラストが得られる。このようにして、回折の影響による
コントラストの低下を防止した、良好なラインアンドス
ペースをウェーハ上に形成することができる。
【００２１】本発明は、上記実施例に限らず種々の変形
が可能である。例えば、上記実施例においては、ライン
アンドスぺースパターンの形成に本発明を適用したが、
他の微細パターンの形成に本発明を適用することももち
ろん可能である。また、上記実施例では一枚の偏光板１
２を用い、その偏光方向を回転させて使用したが、偏光
方向が相互に直交した２枚の偏光板を予め用意して各露
光時に差替えて使用してもよい。
が可能である。例えば、上記実施例においては、ライン
アンドスぺースパターンの形成に本発明を適用したが、
他の微細パターンの形成に本発明を適用することももち
ろん可能である。また、上記実施例では一枚の偏光板１
２を用い、その偏光方向を回転させて使用したが、偏光
方向が相互に直交した２枚の偏光板を予め用意して各露
光時に差替えて使用してもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、露光時に
マスクの交換及び位置合わせをする必要がないレチクル
マスクを実現でき、本発明のレチクルマスクを使用して
露光光学系の解像度の限界以下の微細パターンの形成が
可能となる。従って、半導体装置の高集積化、高精度化
に対応した量産技術に貢献することができる。
マスクの交換及び位置合わせをする必要がないレチクル
マスクを実現でき、本発明のレチクルマスクを使用して
露光光学系の解像度の限界以下の微細パターンの形成が
可能となる。従って、半導体装置の高集積化、高精度化
に対応した量産技術に貢献することができる。
【図１】本発明の一実施例によるレチクルマスクを示す
図である。
図である。
【図２】本発明の一実施例によるレチクルマスクを用い
た露光方法を示す図である。
た露光方法を示す図である。
【図３】従来のレチクルマスクを示す図である。
１…石英基板 ２…スペース部 ２ａ…スペース部 ２ｂ…スペース部 ３…クロム遮光膜 ４…偏光層 ５…偏光層 １０…光源 １１…コンデンサレンズ １２…偏光板 １３…レチクルマスク １４…投影レンズ １５…ウェーハ ２０…レチクルマスク ２１…レチクルマスク ２２…レチクルマスク
Claims (2)
- 【請求項１】 石英基板と、前記石英基板上に形成され
た遮光膜と、前記遮光膜の一部を開口して形成した複数
の開口部とを備えたレチクルマスクにおいて、 前記複数の開口部は、所定の偏光方向を有する第１の偏
光層が形成された第１の開口部と、前記第１の偏光層の
偏光方向とほぼ直角の偏光方向を有する第２の偏光層が
形成された第２の開口部とが交互に形成されてなること
を特徴とするレチクルマスク。 - 【請求項２】 可視光又は紫外光を発する光源から射出
した光をコンデンサレンズで集光してレチクルマスクに
照射し、 前記レチクルマスクの開口部を透過した光を投影レンズ
により集光して被露光基板上に露光することにより、 前記被露光基板上にパターンを形成する投影露光方法に
おいて、 前記レチクルマスクに請求項１記載のレチクルマスクを
使用し、 前記コンデンサレンズと前記レチクルマスクの間に偏光
板を挿入し、 前記レチクルマスクの前記第１の開口部の前記第１の偏
光層の偏光方向に前記偏光板の偏光方向を一致させるこ
とにより、前記第１の開口部の開口パターンのみを前記
被露光基板上に選択的に露光し、 前記レチクルマスクの前記第２の開口部の前記第２の偏
光層の偏光方向に前記偏光板の偏光方向を一致させるこ
とにより、前記第２の開口部の開口パターンのみを前記
被露光基板上に選択的に露光して、 前記複数の開口部の開口パターンを前記被露光基板上に
形成することを特徴とする投影露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249398A JPH0588349A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | レチクルマスク及び投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3249398A JPH0588349A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | レチクルマスク及び投影露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0588349A true JPH0588349A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17192399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3249398A Withdrawn JPH0588349A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | レチクルマスク及び投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0588349A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007511799A (ja) * | 2003-11-18 | 2007-05-10 | マイクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド | 偏光レチクル・フォトリソグラフィ・システム、及び偏光レチクルを偏光とともに用いてパターンを形成する方法 |
| JP2008033329A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィシステムにおける最小寸法の不均一性を補償するシステムおよび方法 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3249398A patent/JPH0588349A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007511799A (ja) * | 2003-11-18 | 2007-05-10 | マイクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド | 偏光レチクル・フォトリソグラフィ・システム、及び偏光レチクルを偏光とともに用いてパターンを形成する方法 |
| JP2008033329A (ja) * | 2006-07-27 | 2008-02-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィシステムにおける最小寸法の不均一性を補償するシステムおよび方法 |
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