JPH0588752B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0588752B2 JPH0588752B2 JP61040379A JP4037986A JPH0588752B2 JP H0588752 B2 JPH0588752 B2 JP H0588752B2 JP 61040379 A JP61040379 A JP 61040379A JP 4037986 A JP4037986 A JP 4037986A JP H0588752 B2 JPH0588752 B2 JP H0588752B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polysiloxane
- group
- viscosity
- weight
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01515—Forming coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
＜産業上の利用分野＞
本発明は半導体チツプの表面を保護するための
いわゆるインナーコート用樹脂組成物に関する。 ＜従来の技術＞ 半導体のインナーコートとは半導体チツプを樹
脂で封止加工する際および該樹脂の硬化の収縮応
力による半導体表面の損傷防止、あるいはボンデ
イングワイヤーの接続を保護するために、半導体
チツプ表面に予め保護層としてコーテイングする
ものである。 第１図は半導体チツプにインナーコートを施し
た半導体装置の一例を示すものであり、すなわち
インナーコート層１を有する半導体チツプ２が半
導体基板としてのリードフレーム７ａ上にダイボ
ンデイング用接着層６により接着固定された状態
を示す。３は上記チツプ２上に形成された電極５
と他のリードフレーム７ｂ，７ｃとを接続したボ
ンデイングワイヤーで４は該ボンデイングワイヤ
ーの先端部であり、又、８は上記各構成要素の封
止樹脂である。 半導体チツプ上に樹脂をインナーコートするに
は通常、デイスペンサーのごとき装置を使用し、
細孔より定量された樹脂組成物を液滴としてチツ
プ表面に自然落下させ、チツプ表面全域およびボ
ンデイングワイヤー先端部を十分被覆するよう液
滴を拡散後、硬化して被覆層を形成するものであ
る。 従来のインナーコート用樹脂はシリコーン系の
ゲルやゴムが使用されてきた。こうしたシリコー
ン系のゲルとしては付加反応架橋型オルガノシロ
キサンゲルが知られ、またシリコーン系のゴムと
しては付加反応架橋型オルガノポリシロキサンゴ
ムや縮合反応架橋型もしくは室温加硫型オルガノ
ポリシロキサンゴムが知られ、かつ使用されてい
るが、下記に述べるとおり大きな問題をいくつか
有するものであつた。 第２図イに半導体装置を構成するボンデイング
ワイヤーの先端部周辺の拡大断面図を、又、同図
ロにインナーコート層周辺の拡大断面図を示す。
尚、ボンデイングワイヤーの先端部は電極への接
着手段により各種の形態があるが、本例では通常
多用されている第２図イに示すごとき形状のボー
ルボンデイングワイヤーを使用した場合について
述べる。 半導体チツプの表面にインナーコート層を設け
る際もつとも注意を要するのは、過激な温度変化
の繰り返しにより発生するボンデイングワイヤー
の切断（ワイヤーオープン）を防止するために、
硬化後のインナーコート層１がボンデイングワイ
ヤーの先端部４の側湾部Ｑの上方にまで被覆する
ようにコーテイングすることである。例えば第２
図ロで示すチツプの幅Ｚが７mm、チツプの表面か
らボンデイングワイヤー先端の側湾部Ｐまでの寸
法が40μmとすると、チツプ表面からワイヤー先
端部で必要なインナーコート層の被覆点Ｑまでの
塗布厚は約100μmを要する。この場合、被覆点Ｑ
までの所望の塗布厚を得るために従来のインナー
コート用樹脂を使用すると、インナーコート層中
央部の最大塗布厚Ｘは500〜600μmにも到達する。
一方、最近の半導体チツプの大型化、および実装
密度の向上、ICカード等の出現による封止樹脂
の薄型化の技術指向により、インナーコート層の
最大塗布厚Ｘは極力薄くしなければならない状況
にある。 然るに従来のインナーコート用樹脂では、塗布
厚Ｘが厚すぎるためにインナーコート層最上端部
に位置する狭部封止樹脂領域Ｙが薄くなりすぎ、
従つてＹの機械的強度が低下し、過激な温度サイ
クルの繰り返しにより半導体封止樹脂にクラツク
を生ずるという半導体装置として致命的な問題を
生ずるものであつた。又、従来のインナーコート
用樹脂はその粘性が不適当であるため、コーテイ
ングに際し半導体チツプ表面に液滴としてドロツ
プした後の拡散性が不良でチツプ表面のわずかな
溝や凹凸やボンデイングワイヤー周辺部への均一
な塗工がむずかしい。 さらに又、従来のインナーコート用樹脂は金ワ
イヤーからなるボンデイングワイヤー表面との親
和性が不良のためワイヤーオープンを生じやすい
問題をも有するものであつた。 ＜発明が解決しようとする問題点＞ 本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであ
り、とくに均一で薄膜のインナーコート層を形成
し、しかも過酷なヒートサイクルの条件下でもワ
イヤーオープンのないインナーコート用樹脂組成
物を提供するものである。 ＜問題点を解決するための手段＞ 即ち、本発明の組成物は (A) 一般式、
いわゆるインナーコート用樹脂組成物に関する。 ＜従来の技術＞ 半導体のインナーコートとは半導体チツプを樹
脂で封止加工する際および該樹脂の硬化の収縮応
力による半導体表面の損傷防止、あるいはボンデ
イングワイヤーの接続を保護するために、半導体
チツプ表面に予め保護層としてコーテイングする
ものである。 第１図は半導体チツプにインナーコートを施し
た半導体装置の一例を示すものであり、すなわち
インナーコート層１を有する半導体チツプ２が半
導体基板としてのリードフレーム７ａ上にダイボ
ンデイング用接着層６により接着固定された状態
を示す。３は上記チツプ２上に形成された電極５
と他のリードフレーム７ｂ，７ｃとを接続したボ
ンデイングワイヤーで４は該ボンデイングワイヤ
ーの先端部であり、又、８は上記各構成要素の封
止樹脂である。 半導体チツプ上に樹脂をインナーコートするに
は通常、デイスペンサーのごとき装置を使用し、
細孔より定量された樹脂組成物を液滴としてチツ
プ表面に自然落下させ、チツプ表面全域およびボ
ンデイングワイヤー先端部を十分被覆するよう液
滴を拡散後、硬化して被覆層を形成するものであ
る。 従来のインナーコート用樹脂はシリコーン系の
ゲルやゴムが使用されてきた。こうしたシリコー
ン系のゲルとしては付加反応架橋型オルガノシロ
キサンゲルが知られ、またシリコーン系のゴムと
しては付加反応架橋型オルガノポリシロキサンゴ
ムや縮合反応架橋型もしくは室温加硫型オルガノ
ポリシロキサンゴムが知られ、かつ使用されてい
るが、下記に述べるとおり大きな問題をいくつか
有するものであつた。 第２図イに半導体装置を構成するボンデイング
ワイヤーの先端部周辺の拡大断面図を、又、同図
ロにインナーコート層周辺の拡大断面図を示す。
尚、ボンデイングワイヤーの先端部は電極への接
着手段により各種の形態があるが、本例では通常
多用されている第２図イに示すごとき形状のボー
ルボンデイングワイヤーを使用した場合について
述べる。 半導体チツプの表面にインナーコート層を設け
る際もつとも注意を要するのは、過激な温度変化
の繰り返しにより発生するボンデイングワイヤー
の切断（ワイヤーオープン）を防止するために、
硬化後のインナーコート層１がボンデイングワイ
ヤーの先端部４の側湾部Ｑの上方にまで被覆する
ようにコーテイングすることである。例えば第２
図ロで示すチツプの幅Ｚが７mm、チツプの表面か
らボンデイングワイヤー先端の側湾部Ｐまでの寸
法が40μmとすると、チツプ表面からワイヤー先
端部で必要なインナーコート層の被覆点Ｑまでの
塗布厚は約100μmを要する。この場合、被覆点Ｑ
までの所望の塗布厚を得るために従来のインナー
コート用樹脂を使用すると、インナーコート層中
央部の最大塗布厚Ｘは500〜600μmにも到達する。
一方、最近の半導体チツプの大型化、および実装
密度の向上、ICカード等の出現による封止樹脂
の薄型化の技術指向により、インナーコート層の
最大塗布厚Ｘは極力薄くしなければならない状況
にある。 然るに従来のインナーコート用樹脂では、塗布
厚Ｘが厚すぎるためにインナーコート層最上端部
に位置する狭部封止樹脂領域Ｙが薄くなりすぎ、
従つてＹの機械的強度が低下し、過激な温度サイ
クルの繰り返しにより半導体封止樹脂にクラツク
を生ずるという半導体装置として致命的な問題を
生ずるものであつた。又、従来のインナーコート
用樹脂はその粘性が不適当であるため、コーテイ
ングに際し半導体チツプ表面に液滴としてドロツ
プした後の拡散性が不良でチツプ表面のわずかな
溝や凹凸やボンデイングワイヤー周辺部への均一
な塗工がむずかしい。 さらに又、従来のインナーコート用樹脂は金ワ
イヤーからなるボンデイングワイヤー表面との親
和性が不良のためワイヤーオープンを生じやすい
問題をも有するものであつた。 ＜発明が解決しようとする問題点＞ 本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであ
り、とくに均一で薄膜のインナーコート層を形成
し、しかも過酷なヒートサイクルの条件下でもワ
イヤーオープンのないインナーコート用樹脂組成
物を提供するものである。 ＜問題点を解決するための手段＞ 即ち、本発明の組成物は (A) 一般式、
【式】
〔式中、Ｖはビニル基、Meはメチル基、Phは
フエニル基、Ｒはメチル基またはフエニル基を示
す〕で表わされるビニル基含有ポリシロキサン
100重量部、 (B) 一般式、
フエニル基、Ｒはメチル基またはフエニル基を示
す〕で表わされるビニル基含有ポリシロキサン
100重量部、 (B) 一般式、
【式】
〔式中、Meはメチル基を示す〕で表わされる。
珪素原子に結合した水素原子を含有するポリシロ
キサン１〜35重量部、 (C) 一般式 R1Si（OR2）3 〔式中、R1は低級アルケニル基、R2は低級ア
ルキル基、又は一般式、R3（OCH2CH2）j（R3は
メチル基又はエチル基、ｊは１又は２）で示され
る基〕で表わされるアルケニル基含有シラン化合
物、上記（Ａ）及び（Ｂ）の合計量に対して0.01
〜2.0重量％、 (D) 白金系付加反応触媒 よりなる組成物であつて、（Ａ）のポリシロキ
サンが0.01〜0.2のｌ／（ｋ＋ｌ）値と温度25℃
における粘度100〜800cpsを有し、（Ｂ）のポリシ
ロキサンが0.05〜0.3のｎ／（ｍ＋ｎ）値と温度
25℃における粘度２〜500cpsを有する事を特徴と
するものである。 以下、本発明の構成を更に詳しく説明する。成
分（Ａ）のビニル基含有ポリシロキサンは両末端
のみにSi原子に結合したビニル基を有する直鎖状
のポリシロキサンであつて、該ポリシロキサンに
おける（PhRSiO）単位（Ｒはメチル基またはフ
エニル基を示す）のモル数ｌの、（Me2SiO）単
位のモル数Ｋと前記ｌとの合計値に対する比率が
0.01〜0.2であり又温度25℃における粘度100〜
800cpsを有するものでなければならない。この成
分（Ａ）の主鎖の部分を（Me2SiO）単位と
（PhRSiO）単位との共重合体とする目的は、フ
エニル基の導入によつて、本発明の組成物を使用
したインナーコート層の耐熱性を向上させること
にある。従って、（PhRSiO）単位中のＲはフエ
ニル基であることがより好ましい。また、この
ｌ／（ｋ＋ｌ）値は0.01より小さい範囲では目的
とする耐熱性が得られず、0.2を超える範囲では
耐熱性では問題ないものの成分（Ｂ）のSi原子に
結合した水素原子を含有するポリシロキサンとの
相溶性に問題が生じ、前記インナーコート層が白
濁するに至る。そして、このｌ／（ｋ＋ｌ）値の
好ましい範囲は0.03〜0.15である。また、温度25
℃における粘度が100cpsより小さい範囲では半導
体チツプ表面への拡散が速過ぎる結果、インナー
コート層があまりにも薄くなり過ぎボンデイング
ワイヤー周辺部を十分に被覆できなかつたり、チ
ツプ表面から流れ落ちてしまうなどの欠点があ
り、逆に該粘度が800cpsを越える範囲では半導体
チツプ表面への拡散性が不良となるため、目的と
する薄膜のインナーコート層が得られず又ボンデ
イングワイヤー周辺部への均一な塗工も難しくな
る。 次に、成分（Ｂ）の珪素原子に結合した水素原
子を含有するポリシロキサンは、両末端及び側鎖
にSi原子に結合した水素原子を含有する直鎖状の
ポリシロキサンであつて、主剤である成分（Ａ）
のビニル基含有ポリシロキサンに対し、そのビニ
ル基に対するSi−Ｈの付加反応即ちいわゆるヒド
ロシリル化反応による硬化剤として作用するもの
である。そしてこのポリシロキサンは一般式
（Ｂ）における（MeHSiO）単位のモル数ｎの、
（Me2SiO）単位のモル数ｍと前記ｎとの合計値
に対する比率が0.05〜0.3であり又温度25℃にお
ける粘度２〜500cpsを有するものでなければなら
ず、その使用量は成分（Ａ）100重量部に対して
１〜35重量部である。前記ｎ／（ｍ＋ｎ）値が
0.05より小さい範囲では硬化不十分となる可能性
が大きく0.3を越える範囲では過度の硬化反応に
よりやや柔軟性に欠ける膜になり易い。このｎ／
（ｍ＋ｎ）値が前記範囲の限界を少々外れた値で
あつても、成分（Ａ）及び（Ｂ）それぞれの粘度
或は（Ａ）に対する（Ｂ）の使用割合を変動させ
る事によつて好ましい硬化状態に調整出来るもの
ではあるが、その好ましい範囲は0.1〜0.2であ
る。また温度25℃における粘度が2cpsより低い範
囲では組成物の初期粘度を好ましい値に調整しづ
らいだけでなく該ポリシロキサンの分子量が小さ
いことに基づく硬化状態の不具合を招くことにな
る。逆に該粘度が500cpsを越える範囲でもまた組
成物の初期粘度を好ましい値に調整しづらいとい
う問題点が存在する。該粘度の好ましい範囲は５
〜150cpsである。そして該ポリシロキサンの使用
量が成分（Ａ）100重量部に対して１重量部より
少ない範囲では硬化不十分のインナーコート層に
なり易く、該使用量が35重量部を越える範囲では
反応性に富むSi−Ｈが未反応のまま残り易くその
結果硬化後の膜の安定性及び電気的諸特性に悪影
響が現れる。 尚、これら成分（Ａ）及び（Ｂ）のポリシロキ
サンは一般的に良く知られた方法で製造すること
ができる。例えば、（Ａ）のビニル基含有ポリシ
ロキサンの場合は、末端停止剤としてのジビニル
テトラメチルジシロキサンの存在下、ヘキサメチ
ルシクロトリシロキサンもしくはオクタメチルシ
クロテトラシロキサンと、ヘキサフエニルシクロ
トリシロキサンもしくはトリメチルトリフエニル
シクロシロキサンとを、硫酸、塩酸、活性白土等
の酸触媒、或は水酸化リチウム、水酸化カリウ
ム、水酸化セシウム、水酸化テトラメチルアンモ
ニウム、リチウムシラノレート、カリウムシラノ
レート、リチウムフエノキサイド等のアルカリ触
媒を用いて平衡化させた後、常法により触媒を除
去し、減圧下に加熱することにより低分子量のポ
リシロキサンを除去して精製する。又（Ｂ）の珪
素結合水素基を有するポリシロキサンの場合は、
末端停止剤としてテトラメチルジシロキサンを用
い、フエニル基含有環状ポリシロキサンに替えて
テトラメチルシクロテトラシロキサンを用いるこ
とにより、上記（Ａ）の場合と同様な操作で製造
することができる。尚上記それぞれの場合におい
て、原料の使用割合を調整することにより、粘度
及びフエニル基或は珪素結合水素基の含有量を所
望の値に調整できることも公知のことである。 成分（Ｃ）は一般式R1Si（OR2）3で表されるシ
ラン化合物であつて、R1は低級アルケニル基、
R2は低級アルキル基、又は一般式、R3（OCH2
CH2）j（R3はメチル基又はエチル基、ｊは１又は
２）で示される基」を示すものであり、半導体チ
ツプへの密着性向上の目的をもつて成分（Ａ）と
成分（Ｂ）との合計量に対して0.01〜2.0重量％
を使用する。R1の例としてはビニル基、アリル
基、１−プロペニル基或はイソプロペニル基等が
挙げられ、この内特にビニル基が好ましい。又
R2としてはメチル基、エチル基、プロピル基、
イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ある
いはメトキシエチレン基、エトキシエチレン基、
２−（２−メトキシエトキシ）エチレン基、２−
（２−エトキシエトキシ）エチレン基等が例示さ
れる。該シラン化合物の使用量が成分（Ａ）と成
分（Ｂ）との合計量に対し0.01重量％より少ない
範囲では前記密着性の向上が十分でなく、2.0重
量％を越えて使用しても密着性が格段に向上する
わけではないうえ、反応性に富むSiOR2基が増加
して硬化後の膜の安定性或は電気的諸特性に悪影
響を与える等不利な結果を招くことになる。該シ
ラン化合物の使用量の好ましい範囲は（Ａ）及び
（Ｂ）の合計量に対して0.05〜1.0重量％である。 成分（Ｄ）の白金系付加反応触媒は、ビニル基
と珪素結合水素との付加反応触媒として有効な公
知の白金触媒を全て包含する者であり、塩化白金
酸、塩化白金酸とオレフイン或はビニル基含有ポ
リシロキサン等の錯化合物、白金配位化合物等を
代表例として挙げることができる。そして、該付
加反応触媒の使用量は、温度条件との関係下に硬
化速度に影響を与えるだけであり特に限定する必
要はないが、実用的には（Ａ）及び（Ｂ）の合計
量に対して２〜6ppmの白金原子を与える量が好
ましい。又この際、付加反応触媒である白金を配
位させて一時的に触媒能を失活させる能力を有す
る化合物即ち付加反応遅延剤として知られる公知
の化合物を併用しても何等差し支えない。尚、本
発明の組成物に無機充填剤或は耐熱安定剤等を添
加することも、半導体インナーコートとして要求
される諸特性に影響を与えない限りにおいて許さ
れる。 なお、上記各成分を混合して組成物となす際に
は全ての配合成分を一度に混合しても構わない
が、各成分を２種類のグループに分けて予め混合
したものを用いる２液タイプの混合法が実用的で
ありまた一般的でもある。この際、成分（Ｂ）の
珪素結合水素含有ポリシロキサンには、珪素結合
水素の高い反応性のため成分（Ａ）のビニル基含
有ポリシロキサン以外の成分は予め混合しておく
ことができず、成分（Ｃ）の低級アルケニル基含
有シラン化合物、成分（Ｄ）の白金系付加反応触
媒、更には必要に応じて付加反応遅延剤、無機充
填剤或は耐熱安定剤等は成分（Ａ）のビニル基含
有ポリシロキサンに予め混合して使用される。 以下、本発明を実施例により説明するが、これ
らは説明のためのものに過ぎず本発明を制限する
ものではない。以下特に断らない限り実施例およ
び比較例中で部及び％とあるのは重量部及び重量
％を示し、また粘度は25℃における値を示す。 実施例 １ （Ph2SiO）単位のモル数ｌの（Me2SiO）単位
のモル数ｋと前記ｌとの合計値に対する比率が
0.06であり粘度360cpsである、両末端にビニル基
を有する直鎖状ポリシロキサンに、0.4％のビニ
ルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、及び
白金原子に換算して4ppmに相当する量のメチル
ビニル環状ポリシロキサンの塩化白金酸錯体を添
加して調製した混合液100部と、（MeHSiO）単
位のモル数ｎの（Me2SiO）単位のモル数ｍと前
記ｎとの合計値に対する比率が0.04であり粘度
87cpsである、両末端に珪素結合水素を有する直
鎖状ポリシロキサンと前記ビニル基含有ポリシロ
キサンとを10：１の割合で配合した混合液18部を
混合してインナーコート用樹脂組成物を得た。該
組成物の中のビニル基含有ポリシロキサンと珪素
結合水素含有ポリシロキサンとの比率は100：
16.1、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シ
ランの使用量はビニル基含有ポリシロキサンと珪
素結合水素含有ポリシロキサンの合計量に対して
0.34％、また白金触媒の使用量は前記両ポリシロ
キサンの合計量に対し白金原子換算3.4ppmと計
算される。以上のようにして調製した組成物を、
混合後直ちに脱泡処理を施した後、デイスペンサ
ーを用いて4.5×7.4m／ｍ四方の256kビツト
CMOS型RAS素子からなる半導体チツプ表面に
自然落下拡散させ、150℃で３時間加熱硬化しイ
ンナーコート層を形成した。その結果、第２図ロ
で示したインナーコート層中央部の最大塗布厚Ｘ
は230μmであつた。なお、この場合、液滴として
ドロツプした本発明の樹脂組成物の拡散性はきわ
めて良好であり、インナーコート層は素子表面お
よびボンデイングワイヤーに均一に密着してい
た。然るのちエポキシ樹脂組成物を用いて第２図
ロでいうＸ＋Ｙが700μmになるよう半導体チツプ
を封止した。 本発明のインナーコート用樹脂組成物で被覆後
エポキシ樹脂封止された半導体チツプをMIL−
STD−883B（日本電子機械工業会編）の試験番号
1010.2に規定された試験条件Ｃにより200サイク
ルの温度サイクル試験に供したところ、ボンデイ
ングワイヤーの脱線もなく、又、インナーコート
層最上部に位置する狭部封止樹脂領域Ｙの厚さが
470μmという十分な厚さを保持しているのでこの
部分での封止樹脂のクラツク等破損を生ずること
がなかつた。 さらに本発明により得られた半導体装置の耐湿
性をみるために121℃2atm.の条件で500時間のプ
レツシヤークツカー試験をおこなつたところ半導
体のパツド及び回路部の腐食はみられず実用上き
わめて高い信頼性を有することが確認された。 実施例 ２ （Ph2SiO）単位のモル数ｌの（Me2SiO）単位
のモル数ｋと前記ｌとの合計値に対する比率が
0.06であり粘度360cpsである、両末端にビニル基
を有する直鎖状ポリシロキサンに、0.4％のビニ
ルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、及び
白金原子に換算して4ppmに相当する量のメチル
ビニル環状ポリシロキサンの塩化白金酸錯体を添
加して調製した混合液100部と、（MeHSiO）単
位のモル数ｎの（Me2SiO）単位のモル数ｍと前
記ｎとの合計値に対する比率が0.04であり粘度
88cpsである、両末端に珪素結合水素を有する直
鎖状ポリシロキサンと前記ビニル基含有ポリシロ
キサンとを10：1.5の割合で配合した混合液18部
を混合してインナーコート用樹脂組成物を得た。
該樹脂組成物中のビニル基含有ポリシロキサンと
珪素結合水素含有ポリシロキサンとの比率は
100：15.3、ビニルトリス（２−メトキシエトキ
シ）シランの使用量はビニル基含有ポリシロキサ
ンと珪素結合水素含有ポリシロキサンの合計量に
対して0.34％、また白金触媒の使用量は前記両ポ
リシロキサンの合計量に対し白金原子換算
3.4ppmと計算される。以上のようにして調製し
た組成物を、混合後直ちに脱泡処理を施した後、
デイスペンサーを用いて4.5×7.4m／ｍ四方の
256kビツトCMOS型RAM素子からなる半導体チ
ツプ表面に自然落下拡散させ、150℃で３時間加
熱硬化し最大塗布厚Ｘが230μmのインナーコート
層を形成した。この場合液滴としてドロツプした
本発明の樹脂組成物の拡散性はきわめて良好であ
り、インナーコート層は素子表面およびボンデイ
ングワイヤーに均一に密着していた。然るのちエ
ポキシ樹脂組成物を用いて第２図ロでいうＸ＋Ｙ
が700μmになるよう半導体チツプを封止した。 本発明のインナーコート用樹脂組成物で被覆後
エポキシ樹脂封止された半導体チツプについて実
施例１と同様にして評価試験をおこなつたところ
封止樹脂の破損等生ずることなく実用上きわめて
高い信頼性を有するものであつた。 実施例 ３ （Ph2SiO）単位のモル数ｌの（Me2SiO）単位
のモル数ｋと前記ｌとの合計値に対する比率が
0.06であり粘度410cpsである、両末端にビニル基
を有する直鎖状ポリシロキサンに、0.4％のビニ
ルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、及び
白金原子に換算して4ppmに相当する量のメチル
ビニル環状ポリシロキサンの塩化白金酸錯体を添
加して調製した混合液100部と、（MeHSiO）単
位のモル数ｎの（Me2SiO）単位のモル数ｍと前
記ｎとの合計値に対する比率が0.04であり粘度
90cpsである、両末端に珪素結合水素を有する直
鎖状ポリシロキサンと前記ビニル基含有ポリシロ
キサンとを10：1.2の割合で配合した混合液18部
を混合してインナーコート用樹脂組成物を得た。
該樹脂組成物中のビニル基含有ポリシロキサンと
珪素結合水素含有ポリシロキサンとの比率は
100：15.8、ビニルトリス（２−メトキシエトキ
シ）シランの使用量はビニル基含有ポリシロキサ
ンと珪素結合水素含有ポリシロキサンの合計量に
対して0.34％、また白金触媒の使用量は前記両ポ
リシロキサンの合計量に対し白金原子換算
3.4ppmと計算される。以上のようにして調製し
た組成物を、混合後直ちに脱泡処理を施した後、
デイスペンサーを用いて4.5×7.4m／ｍ四方の
256KビツトCMOS型RAM素子からなる半導体チ
ツプ表面に自然落下拡散させ、150℃で３時間加
熱硬化することにより最大塗布厚Ｘが260μmのイ
ンナーコート層を得た。この場合液滴としてドロ
ツプした本発明の樹脂組成物の拡散性はきわめて
良好であり、インナーコート層は素子表面および
ボンデイングワイヤーに均一に密着していた。然
るのちエポキシ樹脂組成物を用いて第２図ロでい
うＸ＋Ｙが700μmになるよう半導体チツプを封止
した。 本発明のインナーコート用樹脂組成物で被覆後
エポキシ樹脂封止された半導体チツプについて実
施例１と同様にして評価試験をおこなつたところ
封止樹脂の破損等生ずることなく実用上きわめて
高い信頼性を有するものであつた。 比較例 両末端にビニル基を含有する粘度2200cpsの市
販の直鎖状ポリシロキサンと両末端に珪素結合水
素を有する粘度660cpsの直鎖状ポリシロキサンと
が10：１となるよう配合され、かつビニルトリス
（２−メトキシエトキシ）シランの使用量がビニ
ル基含有ポリシロキサンと珪素結合水素含有ポリ
シロキサンの合計量に対して0.34％、また白金触
媒の使用量が前記両ポリシロキサンの合計量に対
し白金原子換算3.4ppmになるよう調製された
2000cpsの粘度を有する比較用の半導体インナー
コート用樹脂組成物を使用して実施例１の要領に
て半導体チツプ上にインナーコート層を形成し
た。 得られたインナーコート層の最大塗布厚Ｘは
600μmであつた。然るのちエポキシ樹脂組成物を
用いて第２図ロでいうＸ＋Ｙが700μmになるよう
半導体チツプを封止した。 上記のごとき比較用のインナーコート用樹脂組
成物で被覆後エポキシ樹脂封止された半導体チツ
プについて実施例１の要領にて温度サイクル試験
をおこなつたところインナーコート層最上部に位
置する狭部封止樹脂領域Ｙの部分でクラツクが発
生し、信頼性を著しく欠くものであつた。 ＜発明の効果＞ 本発明は上記の構成からなるので半導体チツプ
表面のインナーコート層の厚さを大幅に薄くする
ことが可能となり、半導体チツプの大型化、もし
くはパツケージの薄型化に十分適合しうるもので
ある。
珪素原子に結合した水素原子を含有するポリシロ
キサン１〜35重量部、 (C) 一般式 R1Si（OR2）3 〔式中、R1は低級アルケニル基、R2は低級ア
ルキル基、又は一般式、R3（OCH2CH2）j（R3は
メチル基又はエチル基、ｊは１又は２）で示され
る基〕で表わされるアルケニル基含有シラン化合
物、上記（Ａ）及び（Ｂ）の合計量に対して0.01
〜2.0重量％、 (D) 白金系付加反応触媒 よりなる組成物であつて、（Ａ）のポリシロキ
サンが0.01〜0.2のｌ／（ｋ＋ｌ）値と温度25℃
における粘度100〜800cpsを有し、（Ｂ）のポリシ
ロキサンが0.05〜0.3のｎ／（ｍ＋ｎ）値と温度
25℃における粘度２〜500cpsを有する事を特徴と
するものである。 以下、本発明の構成を更に詳しく説明する。成
分（Ａ）のビニル基含有ポリシロキサンは両末端
のみにSi原子に結合したビニル基を有する直鎖状
のポリシロキサンであつて、該ポリシロキサンに
おける（PhRSiO）単位（Ｒはメチル基またはフ
エニル基を示す）のモル数ｌの、（Me2SiO）単
位のモル数Ｋと前記ｌとの合計値に対する比率が
0.01〜0.2であり又温度25℃における粘度100〜
800cpsを有するものでなければならない。この成
分（Ａ）の主鎖の部分を（Me2SiO）単位と
（PhRSiO）単位との共重合体とする目的は、フ
エニル基の導入によつて、本発明の組成物を使用
したインナーコート層の耐熱性を向上させること
にある。従って、（PhRSiO）単位中のＲはフエ
ニル基であることがより好ましい。また、この
ｌ／（ｋ＋ｌ）値は0.01より小さい範囲では目的
とする耐熱性が得られず、0.2を超える範囲では
耐熱性では問題ないものの成分（Ｂ）のSi原子に
結合した水素原子を含有するポリシロキサンとの
相溶性に問題が生じ、前記インナーコート層が白
濁するに至る。そして、このｌ／（ｋ＋ｌ）値の
好ましい範囲は0.03〜0.15である。また、温度25
℃における粘度が100cpsより小さい範囲では半導
体チツプ表面への拡散が速過ぎる結果、インナー
コート層があまりにも薄くなり過ぎボンデイング
ワイヤー周辺部を十分に被覆できなかつたり、チ
ツプ表面から流れ落ちてしまうなどの欠点があ
り、逆に該粘度が800cpsを越える範囲では半導体
チツプ表面への拡散性が不良となるため、目的と
する薄膜のインナーコート層が得られず又ボンデ
イングワイヤー周辺部への均一な塗工も難しくな
る。 次に、成分（Ｂ）の珪素原子に結合した水素原
子を含有するポリシロキサンは、両末端及び側鎖
にSi原子に結合した水素原子を含有する直鎖状の
ポリシロキサンであつて、主剤である成分（Ａ）
のビニル基含有ポリシロキサンに対し、そのビニ
ル基に対するSi−Ｈの付加反応即ちいわゆるヒド
ロシリル化反応による硬化剤として作用するもの
である。そしてこのポリシロキサンは一般式
（Ｂ）における（MeHSiO）単位のモル数ｎの、
（Me2SiO）単位のモル数ｍと前記ｎとの合計値
に対する比率が0.05〜0.3であり又温度25℃にお
ける粘度２〜500cpsを有するものでなければなら
ず、その使用量は成分（Ａ）100重量部に対して
１〜35重量部である。前記ｎ／（ｍ＋ｎ）値が
0.05より小さい範囲では硬化不十分となる可能性
が大きく0.3を越える範囲では過度の硬化反応に
よりやや柔軟性に欠ける膜になり易い。このｎ／
（ｍ＋ｎ）値が前記範囲の限界を少々外れた値で
あつても、成分（Ａ）及び（Ｂ）それぞれの粘度
或は（Ａ）に対する（Ｂ）の使用割合を変動させ
る事によつて好ましい硬化状態に調整出来るもの
ではあるが、その好ましい範囲は0.1〜0.2であ
る。また温度25℃における粘度が2cpsより低い範
囲では組成物の初期粘度を好ましい値に調整しづ
らいだけでなく該ポリシロキサンの分子量が小さ
いことに基づく硬化状態の不具合を招くことにな
る。逆に該粘度が500cpsを越える範囲でもまた組
成物の初期粘度を好ましい値に調整しづらいとい
う問題点が存在する。該粘度の好ましい範囲は５
〜150cpsである。そして該ポリシロキサンの使用
量が成分（Ａ）100重量部に対して１重量部より
少ない範囲では硬化不十分のインナーコート層に
なり易く、該使用量が35重量部を越える範囲では
反応性に富むSi−Ｈが未反応のまま残り易くその
結果硬化後の膜の安定性及び電気的諸特性に悪影
響が現れる。 尚、これら成分（Ａ）及び（Ｂ）のポリシロキ
サンは一般的に良く知られた方法で製造すること
ができる。例えば、（Ａ）のビニル基含有ポリシ
ロキサンの場合は、末端停止剤としてのジビニル
テトラメチルジシロキサンの存在下、ヘキサメチ
ルシクロトリシロキサンもしくはオクタメチルシ
クロテトラシロキサンと、ヘキサフエニルシクロ
トリシロキサンもしくはトリメチルトリフエニル
シクロシロキサンとを、硫酸、塩酸、活性白土等
の酸触媒、或は水酸化リチウム、水酸化カリウ
ム、水酸化セシウム、水酸化テトラメチルアンモ
ニウム、リチウムシラノレート、カリウムシラノ
レート、リチウムフエノキサイド等のアルカリ触
媒を用いて平衡化させた後、常法により触媒を除
去し、減圧下に加熱することにより低分子量のポ
リシロキサンを除去して精製する。又（Ｂ）の珪
素結合水素基を有するポリシロキサンの場合は、
末端停止剤としてテトラメチルジシロキサンを用
い、フエニル基含有環状ポリシロキサンに替えて
テトラメチルシクロテトラシロキサンを用いるこ
とにより、上記（Ａ）の場合と同様な操作で製造
することができる。尚上記それぞれの場合におい
て、原料の使用割合を調整することにより、粘度
及びフエニル基或は珪素結合水素基の含有量を所
望の値に調整できることも公知のことである。 成分（Ｃ）は一般式R1Si（OR2）3で表されるシ
ラン化合物であつて、R1は低級アルケニル基、
R2は低級アルキル基、又は一般式、R3（OCH2
CH2）j（R3はメチル基又はエチル基、ｊは１又は
２）で示される基」を示すものであり、半導体チ
ツプへの密着性向上の目的をもつて成分（Ａ）と
成分（Ｂ）との合計量に対して0.01〜2.0重量％
を使用する。R1の例としてはビニル基、アリル
基、１−プロペニル基或はイソプロペニル基等が
挙げられ、この内特にビニル基が好ましい。又
R2としてはメチル基、エチル基、プロピル基、
イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ある
いはメトキシエチレン基、エトキシエチレン基、
２−（２−メトキシエトキシ）エチレン基、２−
（２−エトキシエトキシ）エチレン基等が例示さ
れる。該シラン化合物の使用量が成分（Ａ）と成
分（Ｂ）との合計量に対し0.01重量％より少ない
範囲では前記密着性の向上が十分でなく、2.0重
量％を越えて使用しても密着性が格段に向上する
わけではないうえ、反応性に富むSiOR2基が増加
して硬化後の膜の安定性或は電気的諸特性に悪影
響を与える等不利な結果を招くことになる。該シ
ラン化合物の使用量の好ましい範囲は（Ａ）及び
（Ｂ）の合計量に対して0.05〜1.0重量％である。 成分（Ｄ）の白金系付加反応触媒は、ビニル基
と珪素結合水素との付加反応触媒として有効な公
知の白金触媒を全て包含する者であり、塩化白金
酸、塩化白金酸とオレフイン或はビニル基含有ポ
リシロキサン等の錯化合物、白金配位化合物等を
代表例として挙げることができる。そして、該付
加反応触媒の使用量は、温度条件との関係下に硬
化速度に影響を与えるだけであり特に限定する必
要はないが、実用的には（Ａ）及び（Ｂ）の合計
量に対して２〜6ppmの白金原子を与える量が好
ましい。又この際、付加反応触媒である白金を配
位させて一時的に触媒能を失活させる能力を有す
る化合物即ち付加反応遅延剤として知られる公知
の化合物を併用しても何等差し支えない。尚、本
発明の組成物に無機充填剤或は耐熱安定剤等を添
加することも、半導体インナーコートとして要求
される諸特性に影響を与えない限りにおいて許さ
れる。 なお、上記各成分を混合して組成物となす際に
は全ての配合成分を一度に混合しても構わない
が、各成分を２種類のグループに分けて予め混合
したものを用いる２液タイプの混合法が実用的で
ありまた一般的でもある。この際、成分（Ｂ）の
珪素結合水素含有ポリシロキサンには、珪素結合
水素の高い反応性のため成分（Ａ）のビニル基含
有ポリシロキサン以外の成分は予め混合しておく
ことができず、成分（Ｃ）の低級アルケニル基含
有シラン化合物、成分（Ｄ）の白金系付加反応触
媒、更には必要に応じて付加反応遅延剤、無機充
填剤或は耐熱安定剤等は成分（Ａ）のビニル基含
有ポリシロキサンに予め混合して使用される。 以下、本発明を実施例により説明するが、これ
らは説明のためのものに過ぎず本発明を制限する
ものではない。以下特に断らない限り実施例およ
び比較例中で部及び％とあるのは重量部及び重量
％を示し、また粘度は25℃における値を示す。 実施例 １ （Ph2SiO）単位のモル数ｌの（Me2SiO）単位
のモル数ｋと前記ｌとの合計値に対する比率が
0.06であり粘度360cpsである、両末端にビニル基
を有する直鎖状ポリシロキサンに、0.4％のビニ
ルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、及び
白金原子に換算して4ppmに相当する量のメチル
ビニル環状ポリシロキサンの塩化白金酸錯体を添
加して調製した混合液100部と、（MeHSiO）単
位のモル数ｎの（Me2SiO）単位のモル数ｍと前
記ｎとの合計値に対する比率が0.04であり粘度
87cpsである、両末端に珪素結合水素を有する直
鎖状ポリシロキサンと前記ビニル基含有ポリシロ
キサンとを10：１の割合で配合した混合液18部を
混合してインナーコート用樹脂組成物を得た。該
組成物の中のビニル基含有ポリシロキサンと珪素
結合水素含有ポリシロキサンとの比率は100：
16.1、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シ
ランの使用量はビニル基含有ポリシロキサンと珪
素結合水素含有ポリシロキサンの合計量に対して
0.34％、また白金触媒の使用量は前記両ポリシロ
キサンの合計量に対し白金原子換算3.4ppmと計
算される。以上のようにして調製した組成物を、
混合後直ちに脱泡処理を施した後、デイスペンサ
ーを用いて4.5×7.4m／ｍ四方の256kビツト
CMOS型RAS素子からなる半導体チツプ表面に
自然落下拡散させ、150℃で３時間加熱硬化しイ
ンナーコート層を形成した。その結果、第２図ロ
で示したインナーコート層中央部の最大塗布厚Ｘ
は230μmであつた。なお、この場合、液滴として
ドロツプした本発明の樹脂組成物の拡散性はきわ
めて良好であり、インナーコート層は素子表面お
よびボンデイングワイヤーに均一に密着してい
た。然るのちエポキシ樹脂組成物を用いて第２図
ロでいうＸ＋Ｙが700μmになるよう半導体チツプ
を封止した。 本発明のインナーコート用樹脂組成物で被覆後
エポキシ樹脂封止された半導体チツプをMIL−
STD−883B（日本電子機械工業会編）の試験番号
1010.2に規定された試験条件Ｃにより200サイク
ルの温度サイクル試験に供したところ、ボンデイ
ングワイヤーの脱線もなく、又、インナーコート
層最上部に位置する狭部封止樹脂領域Ｙの厚さが
470μmという十分な厚さを保持しているのでこの
部分での封止樹脂のクラツク等破損を生ずること
がなかつた。 さらに本発明により得られた半導体装置の耐湿
性をみるために121℃2atm.の条件で500時間のプ
レツシヤークツカー試験をおこなつたところ半導
体のパツド及び回路部の腐食はみられず実用上き
わめて高い信頼性を有することが確認された。 実施例 ２ （Ph2SiO）単位のモル数ｌの（Me2SiO）単位
のモル数ｋと前記ｌとの合計値に対する比率が
0.06であり粘度360cpsである、両末端にビニル基
を有する直鎖状ポリシロキサンに、0.4％のビニ
ルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、及び
白金原子に換算して4ppmに相当する量のメチル
ビニル環状ポリシロキサンの塩化白金酸錯体を添
加して調製した混合液100部と、（MeHSiO）単
位のモル数ｎの（Me2SiO）単位のモル数ｍと前
記ｎとの合計値に対する比率が0.04であり粘度
88cpsである、両末端に珪素結合水素を有する直
鎖状ポリシロキサンと前記ビニル基含有ポリシロ
キサンとを10：1.5の割合で配合した混合液18部
を混合してインナーコート用樹脂組成物を得た。
該樹脂組成物中のビニル基含有ポリシロキサンと
珪素結合水素含有ポリシロキサンとの比率は
100：15.3、ビニルトリス（２−メトキシエトキ
シ）シランの使用量はビニル基含有ポリシロキサ
ンと珪素結合水素含有ポリシロキサンの合計量に
対して0.34％、また白金触媒の使用量は前記両ポ
リシロキサンの合計量に対し白金原子換算
3.4ppmと計算される。以上のようにして調製し
た組成物を、混合後直ちに脱泡処理を施した後、
デイスペンサーを用いて4.5×7.4m／ｍ四方の
256kビツトCMOS型RAM素子からなる半導体チ
ツプ表面に自然落下拡散させ、150℃で３時間加
熱硬化し最大塗布厚Ｘが230μmのインナーコート
層を形成した。この場合液滴としてドロツプした
本発明の樹脂組成物の拡散性はきわめて良好であ
り、インナーコート層は素子表面およびボンデイ
ングワイヤーに均一に密着していた。然るのちエ
ポキシ樹脂組成物を用いて第２図ロでいうＸ＋Ｙ
が700μmになるよう半導体チツプを封止した。 本発明のインナーコート用樹脂組成物で被覆後
エポキシ樹脂封止された半導体チツプについて実
施例１と同様にして評価試験をおこなつたところ
封止樹脂の破損等生ずることなく実用上きわめて
高い信頼性を有するものであつた。 実施例 ３ （Ph2SiO）単位のモル数ｌの（Me2SiO）単位
のモル数ｋと前記ｌとの合計値に対する比率が
0.06であり粘度410cpsである、両末端にビニル基
を有する直鎖状ポリシロキサンに、0.4％のビニ
ルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、及び
白金原子に換算して4ppmに相当する量のメチル
ビニル環状ポリシロキサンの塩化白金酸錯体を添
加して調製した混合液100部と、（MeHSiO）単
位のモル数ｎの（Me2SiO）単位のモル数ｍと前
記ｎとの合計値に対する比率が0.04であり粘度
90cpsである、両末端に珪素結合水素を有する直
鎖状ポリシロキサンと前記ビニル基含有ポリシロ
キサンとを10：1.2の割合で配合した混合液18部
を混合してインナーコート用樹脂組成物を得た。
該樹脂組成物中のビニル基含有ポリシロキサンと
珪素結合水素含有ポリシロキサンとの比率は
100：15.8、ビニルトリス（２−メトキシエトキ
シ）シランの使用量はビニル基含有ポリシロキサ
ンと珪素結合水素含有ポリシロキサンの合計量に
対して0.34％、また白金触媒の使用量は前記両ポ
リシロキサンの合計量に対し白金原子換算
3.4ppmと計算される。以上のようにして調製し
た組成物を、混合後直ちに脱泡処理を施した後、
デイスペンサーを用いて4.5×7.4m／ｍ四方の
256KビツトCMOS型RAM素子からなる半導体チ
ツプ表面に自然落下拡散させ、150℃で３時間加
熱硬化することにより最大塗布厚Ｘが260μmのイ
ンナーコート層を得た。この場合液滴としてドロ
ツプした本発明の樹脂組成物の拡散性はきわめて
良好であり、インナーコート層は素子表面および
ボンデイングワイヤーに均一に密着していた。然
るのちエポキシ樹脂組成物を用いて第２図ロでい
うＸ＋Ｙが700μmになるよう半導体チツプを封止
した。 本発明のインナーコート用樹脂組成物で被覆後
エポキシ樹脂封止された半導体チツプについて実
施例１と同様にして評価試験をおこなつたところ
封止樹脂の破損等生ずることなく実用上きわめて
高い信頼性を有するものであつた。 比較例 両末端にビニル基を含有する粘度2200cpsの市
販の直鎖状ポリシロキサンと両末端に珪素結合水
素を有する粘度660cpsの直鎖状ポリシロキサンと
が10：１となるよう配合され、かつビニルトリス
（２−メトキシエトキシ）シランの使用量がビニ
ル基含有ポリシロキサンと珪素結合水素含有ポリ
シロキサンの合計量に対して0.34％、また白金触
媒の使用量が前記両ポリシロキサンの合計量に対
し白金原子換算3.4ppmになるよう調製された
2000cpsの粘度を有する比較用の半導体インナー
コート用樹脂組成物を使用して実施例１の要領に
て半導体チツプ上にインナーコート層を形成し
た。 得られたインナーコート層の最大塗布厚Ｘは
600μmであつた。然るのちエポキシ樹脂組成物を
用いて第２図ロでいうＸ＋Ｙが700μmになるよう
半導体チツプを封止した。 上記のごとき比較用のインナーコート用樹脂組
成物で被覆後エポキシ樹脂封止された半導体チツ
プについて実施例１の要領にて温度サイクル試験
をおこなつたところインナーコート層最上部に位
置する狭部封止樹脂領域Ｙの部分でクラツクが発
生し、信頼性を著しく欠くものであつた。 ＜発明の効果＞ 本発明は上記の構成からなるので半導体チツプ
表面のインナーコート層の厚さを大幅に薄くする
ことが可能となり、半導体チツプの大型化、もし
くはパツケージの薄型化に十分適合しうるもので
ある。
第１図は本発明の半導体インナーコート用樹脂
組成物が適用される半導体装置の一例を示す断面
図、第２図イはボンデイングワイヤー先端部周辺
の拡大断面図、第２図ロはインナーコート層周辺
の拡大断面図を示す。 １……インナーコート層、２……半導体チツ
プ、３……ボンデイングワイヤー、４……先端
部、５……電極、６……ダイボンデイング層、７
ａ，７ｂ，７ｃ……リードフレーム、８……封止
樹脂、Ｐ……側湾部、Ｑ……被覆点、Ｘ……最大
塗布厚、Ｙ……狭部封止樹脂領域、Ｚ……半導体
チツプの幅。
組成物が適用される半導体装置の一例を示す断面
図、第２図イはボンデイングワイヤー先端部周辺
の拡大断面図、第２図ロはインナーコート層周辺
の拡大断面図を示す。 １……インナーコート層、２……半導体チツ
プ、３……ボンデイングワイヤー、４……先端
部、５……電極、６……ダイボンデイング層、７
ａ，７ｂ，７ｃ……リードフレーム、８……封止
樹脂、Ｐ……側湾部、Ｑ……被覆点、Ｘ……最大
塗布厚、Ｙ……狭部封止樹脂領域、Ｚ……半導体
チツプの幅。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (A) 一般式、 【式】 〔式中、Ｖはビニル基、Meはメチル基、Phは
フエニル基、Ｒはメチル基またはフエニル基を示
す〕で表されるビニル基含有ポリシロキサン100
重量部、 (B) 一般式、 【式】 〔式中、Meはメチル基を示す〕で表される、
珪素原子に結合した水素原子を含有するポリシロ
キサン１〜35重量部、 (C) 一般式 R1Si（OR2）3 〔式中、R1は低級アルケニル基、R2は低級ア
ルキル基、又は一般式、R3（OCH2CH2）j（R3は
メチル基又はエチル基、ｊは１又は２）で示され
る基〕で表されるアルケニル基含有シラン化合物
を上記（Ａ）及び（Ｂ）の合計量に対して0.01〜
2.0重量％、 (D) 白金系付加反応触媒 よりなる組成物であつて、（Ａ）のポリシロキ
サンが0.01〜2.0のｌ／（ｋ＋ｌ）値と温度25℃
における粘度100〜800cpsを有し、（Ｂ）のポリシ
ロキサンが0.05〜0.3のｎ／（ｍ＋ｎ）値と温度
25℃における粘度２〜500cpsを有する事を特徴と
する半導体インナーコート用樹脂組成物。 ２ （Ａ）のポリシロキサンの温度25℃における
粘度が200〜500cpsであり、（Ｂ）のポリシロキサ
ンの温度25℃における粘度が５〜150cpsである特
許請求の範囲第１項記載の組成物。 ３ （Ａ）におけるｌ／（ｋ＋ｌ）値が0.03〜
0.15である特許請求の範囲第１項乃至第２項のい
ずれか１項に記載の組成物。 ４ （Ｂ）におけるｎ／（ｍ＋ｎ）値が0.1〜0.2
である特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれ
か１項に記載の組成物。 ５ （Ａ）のポリシロキサン100重量部に対する
（Ｂ）のポリシロキサンの使用量が５〜25重量部
である特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれ
か１項に記載の組成物。 ６ （Ａ）におけるＲがフエニル基である特許請
求の範囲第１項乃至第５項のいずれか１項に記載
の組成物。 ７ （Ｃ）におけるR1がビニル基である特許請
求の範囲第１項乃至第６項のいずれか１項に記載
の組成物。 ８ （Ｃ）のシラン化合物の使用量が（Ａ）及び
（Ｂ）の合計量に対して0.05〜1.0重量％である特
許請求の範囲第１項乃至第７項のいずれか１項に
記載の組成物。 ９ 白金系付加反応触媒の使用量が（Ａ）及び
（Ｂ）の合計量に対して２〜6ppmの白金原子を与
える量である特許請求の範囲第１項乃至第８項の
いずれか１項に記載の組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61040379A JPS62199661A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 半導体インナ−コ−ト用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61040379A JPS62199661A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 半導体インナ−コ−ト用樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62199661A JPS62199661A (ja) | 1987-09-03 |
| JPH0588752B2 true JPH0588752B2 (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=12579017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61040379A Granted JPS62199661A (ja) | 1986-02-27 | 1986-02-27 | 半導体インナ−コ−ト用樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62199661A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2714729B2 (ja) * | 1991-06-18 | 1998-02-16 | 信越化学工業株式会社 | 電子部品含浸用シリコーン組成物及びその硬化物 |
| CN102007166B (zh) * | 2008-03-12 | 2013-03-06 | 陶氏康宁公司 | 硅氧烷聚合物分散体及其形成方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5239751A (en) * | 1975-09-26 | 1977-03-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Curable organopolysiloxane compositions |
| JPS5434362A (en) * | 1977-08-24 | 1979-03-13 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Curable organopolysiloxane composition |
| JPS59122558A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-16 | Toray Silicone Co Ltd | 半導体素子被覆用オルガノポリシロキサン組成物 |
-
1986
- 1986-02-27 JP JP61040379A patent/JPS62199661A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62199661A (ja) | 1987-09-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP2061839B1 (en) | Curable silicone composition and electronic component | |
| CN104662100B (zh) | 光半导体元件密封用有机硅组合物以及光半导体装置 | |
| EP0757080A2 (en) | Curable organosiloxane compositions and semiconductor devices | |
| EP2099867B1 (en) | Curable silicone composition and electronic component | |
| US9403982B2 (en) | Curable silicone composition and cured product thereof | |
| JP4479882B2 (ja) | 砲弾型発光半導体装置 | |
| KR101187594B1 (ko) | 경화성 오가노폴리실록산 조성물 | |
| JP2002322364A (ja) | シリコーンゲル組成物 | |
| KR101280277B1 (ko) | 절연성 액상 다이 결합제 및 반도체 디바이스 | |
| JP3865639B2 (ja) | 半導体封止用シリコーン組成物および半導体装置 | |
| KR102769563B1 (ko) | 다이 본딩용 실리콘 조성물, 그의 경화물 및 광반도체 장치 | |
| EP0727462B1 (en) | Silicone gel composition | |
| JPH0948916A (ja) | 導電性シリコーンゴム組成物および半導体装置 | |
| US5096990A (en) | Resin composition for inner coat of semiconductor chip | |
| JP3519779B2 (ja) | 接着剤および半導体装置 | |
| KR20200108047A (ko) | 경화성 실리콘 조성물, 이의 경화물, 및 광반도체 장치 | |
| KR102829126B1 (ko) | 부가 경화형 실리콘 수지 조성물, 그의 경화물, 및 광반도체 장치 | |
| JP3691587B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 | |
| TW202313855A (zh) | 導熱性矽酮組成物 | |
| EP0769528A2 (en) | Organopolysiloxane composition for impregnating electronic components and electronic components impregnated therewith | |
| TWI798500B (zh) | 加成硬化型聚矽氧樹脂組成物、其硬化物及光半導體裝置 | |
| JPH0588752B2 (ja) | ||
| CN113493677B (zh) | 固晶用有机硅组合物、其固化物及光半导体装置 | |
| JP2005294437A (ja) | 半導体素子封止剤、半導体装置および半導体装置の実装方法 | |
| JPH02196861A (ja) | 半導体インナーコート用樹脂組成物 |