JPH0590163A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPH0590163A JPH0590163A JP3248787A JP24878791A JPH0590163A JP H0590163 A JPH0590163 A JP H0590163A JP 3248787 A JP3248787 A JP 3248787A JP 24878791 A JP24878791 A JP 24878791A JP H0590163 A JPH0590163 A JP H0590163A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空予備室を大気に戻した時、大気が混入し
真空予備室内壁に付着するのを防ぐことのできる薄膜形
成装置を提供することを目的とする。 【構成】 ウエハ移載時に大気が混入するロード・アン
ロード室３、移載室２、真空予備室内に加熱手段８、
９、１０を設けることにより、内壁及びカセット表面の
感想、さらにウエハのロード・アンロード時に混入する
大気成分の吸着を低減させる。
真空予備室内壁に付着するのを防ぐことのできる薄膜形
成装置を提供することを目的とする。 【構成】 ウエハ移載時に大気が混入するロード・アン
ロード室３、移載室２、真空予備室内に加熱手段８、
９、１０を設けることにより、内壁及びカセット表面の
感想、さらにウエハのロード・アンロード時に混入する
大気成分の吸着を低減させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製品や電子部品
等の製造工程における薄膜形成装置に関するものであ
る。
等の製造工程における薄膜形成装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のロードロック式薄膜形成
装置の要部構成を模式的に表す。
装置の要部構成を模式的に表す。
【０００３】薄膜形成装置にあっては、最近、半導体製
品の製造におけるウエハの大口径化や自動化・無人化に
対応するため、反応室が横型から縦型に移行してきてい
る。
品の製造におけるウエハの大口径化や自動化・無人化に
対応するため、反応室が横型から縦型に移行してきてい
る。
【０００４】また、反応室内部でのフレーク削減や気相
静澄前のウエハへの空気中の酸素成分によるウエハの熱
酸化防止のため、ロードロック式が採られることも多
い。
静澄前のウエハへの空気中の酸素成分によるウエハの熱
酸化防止のため、ロードロック式が採られることも多
い。
【０００５】薄膜形成装置は、反応室７１と反応室７１
の下側に設けられた被処理体移載室７２とを備えると共
に、移載室７２の側方に設けられたロード・アンロード
室７３を備えている。
の下側に設けられた被処理体移載室７２とを備えると共
に、移載室７２の側方に設けられたロード・アンロード
室７３を備えている。
【０００６】反応室７１の外側には上下方向に長い加熱
部８１が配置され、反応室７１には真空排気手段８２ａ
が接続されており、さらに、反応室７１には反応ガス供
給口８３が開いている。
部８１が配置され、反応室７１には真空排気手段８２ａ
が接続されており、さらに、反応室７１には反応ガス供
給口８３が開いている。
【０００７】移載室７２には被処理体載置要ボート８６
及び被処理体載置要ボート８６の昇降機構が配置され、
移載室７２には真空排気手段８２ｂが接続されている。
昇降機構は移載室７２上下方向に軸方向に向けて設置さ
れたネジ部材８７とネジ係合する腕部材８８とを有し、
ボート８６が腕部材８８で支持されており、ネジ部材８
７の回転による腕部材８８の上下動にともない被処理体
載置用ボート８６が反応室８１と移載室８２の間を昇降
するようになっている。
及び被処理体載置要ボート８６の昇降機構が配置され、
移載室７２には真空排気手段８２ｂが接続されている。
昇降機構は移載室７２上下方向に軸方向に向けて設置さ
れたネジ部材８７とネジ係合する腕部材８８とを有し、
ボート８６が腕部材８８で支持されており、ネジ部材８
７の回転による腕部材８８の上下動にともない被処理体
載置用ボート８６が反応室８１と移載室８２の間を昇降
するようになっている。
【０００８】ロード・アンロード室７３には、真空排気
手段８２ｃが接続され、室内には被処理体を保持してお
くカセット９０が設けられている。ロード・アンロード
室７３と移載室７２の間にはゲートバルブ９２を介し通
じている。
手段８２ｃが接続され、室内には被処理体を保持してお
くカセット９０が設けられている。ロード・アンロード
室７３と移載室７２の間にはゲートバルブ９２を介し通
じている。
【０００９】この薄膜形成装置による処理は以下の通り
である。まず、ゲートバルブ９１を開いて被処理体をカ
セット９０に載せた後ゲートバルブ９１を閉じロード・
アンロード室７３を真空排気しておく。被処理体の移送
タイミングがくると、ゲートバルブ９２を開き、予め真
空排気された移載室７２のボート８６へ被処理体を移載
アーム（図示省略）を使って移し載せる。
である。まず、ゲートバルブ９１を開いて被処理体をカ
セット９０に載せた後ゲートバルブ９１を閉じロード・
アンロード室７３を真空排気しておく。被処理体の移送
タイミングがくると、ゲートバルブ９２を開き、予め真
空排気された移載室７２のボート８６へ被処理体を移載
アーム（図示省略）を使って移し載せる。
【００１０】そして、ネジ部材８７を回転駆動部８９に
より回転させ、ボート８６を加熱手段８１で熱せられた
反応室７１内の所定位置まで上昇させる。ボート８６上
昇後、反応ガス導入口８３から反応ガスを導入し気相反
応させる。気相反応が終わったら、反応ガス導入停止と
真空排気を行っておいてから、ネジ部材８７を回転駆動
部８９により逆回転させ、ボート８６を移載室７２内の
所定位置まで下降させる。
より回転させ、ボート８６を加熱手段８１で熱せられた
反応室７１内の所定位置まで上昇させる。ボート８６上
昇後、反応ガス導入口８３から反応ガスを導入し気相反
応させる。気相反応が終わったら、反応ガス導入停止と
真空排気を行っておいてから、ネジ部材８７を回転駆動
部８９により逆回転させ、ボート８６を移載室７２内の
所定位置まで下降させる。
【００１１】続いて、ゲートバルブ９２を開いて被処理
体をボート８６よりカセット９０に移しゲートバルブ９
２を閉じ、ロード・アンロード室７３を常圧にしたあと
ゲートバルブ９１を開き、処理済みの被処理体をロード
・アンロード室７３から取り出せば、作業は終わりであ
る。
体をボート８６よりカセット９０に移しゲートバルブ９
２を閉じ、ロード・アンロード室７３を常圧にしたあと
ゲートバルブ９１を開き、処理済みの被処理体をロード
・アンロード室７３から取り出せば、作業は終わりであ
る。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、ウエハのロード・アンロード時にロード
・アンロード室に混入する大気を真空排気することによ
り、大気成分（Ｏ２，Ｎ ２，Ｈ２Ｏ等）の吸着を低減す
ることができるため、気相成長前のウエハの熱酸化を減
少させることができる。
来の構成では、ウエハのロード・アンロード時にロード
・アンロード室に混入する大気を真空排気することによ
り、大気成分（Ｏ２，Ｎ ２，Ｈ２Ｏ等）の吸着を低減す
ることができるため、気相成長前のウエハの熱酸化を減
少させることができる。
【００１３】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１４】ず１は本発明の第１の実施例における薄膜
形成装置の概略構造図を示すものである。
形成装置の概略構造図を示すものである。
【００１５】図１において、１は反応室、２は移載室、
３はロード・アンロード室、８は加熱手段、１１は加熱
部、１２ａ，１２ｂ，１２ｃは真空排気手段、１３は反
応ガス導入口、２１はボート、２２はネジ部材、２３は
腕部材、２７は回転駆動部、３０はカセット、３３、３
４はゲートバルブである。
３はロード・アンロード室、８は加熱手段、１１は加熱
部、１２ａ，１２ｂ，１２ｃは真空排気手段、１３は反
応ガス導入口、２１はボート、２２はネジ部材、２３は
腕部材、２７は回転駆動部、３０はカセット、３３、３
４はゲートバルブである。
【００１６】以上のように構成された熱処理装置につい
て、以下その動作を説明する。まず、ゲートバルブ３４
を開いて被処理体をカセット３０に載せた後ゲートバル
ブ３４を閉じ加熱手段８により内壁を加熱されたロード
・アンロード室３を真空排気しておく。被処理体の移送
タイミングがくると、ゲートバルブ３３を開き、予め真
空排気された移載室２のボート２１へ被処理体を移載ア
ーム（図示省略）を使って移し載せる。
て、以下その動作を説明する。まず、ゲートバルブ３４
を開いて被処理体をカセット３０に載せた後ゲートバル
ブ３４を閉じ加熱手段８により内壁を加熱されたロード
・アンロード室３を真空排気しておく。被処理体の移送
タイミングがくると、ゲートバルブ３３を開き、予め真
空排気された移載室２のボート２１へ被処理体を移載ア
ーム（図示省略）を使って移し載せる。
【００１７】そして、ネジ部材２２を回転駆動部２７に
より回転させ、ボート２１を加熱部１１で熱せられた反
応室１内の所定位置まで上昇させる。ボート２１上昇
後、反応ガス導入口１３から反応ガスを導入し気相反応
させる。気相反応が終わったら、反応がす導入停止と真
空排気を行っておいてから、ネジ部材２２を回転駆動部
２７により逆回転させ、ボート２１を移載室２内の所定
位置まで下降させる。続いて、ゲートバルブ３３を開い
て被処理体をボート２１よりカセット３０に移しゲート
バルブ３３を閉じ、ロード・アンロード室３を常圧にし
たあとゲートバルブ３４を開き、処理済みの被処理体を
加熱手段８により内壁えお加熱されたロード・アンロー
ド室３から取り出せば、作業は終わりである。
より回転させ、ボート２１を加熱部１１で熱せられた反
応室１内の所定位置まで上昇させる。ボート２１上昇
後、反応ガス導入口１３から反応ガスを導入し気相反応
させる。気相反応が終わったら、反応がす導入停止と真
空排気を行っておいてから、ネジ部材２２を回転駆動部
２７により逆回転させ、ボート２１を移載室２内の所定
位置まで下降させる。続いて、ゲートバルブ３３を開い
て被処理体をボート２１よりカセット３０に移しゲート
バルブ３３を閉じ、ロード・アンロード室３を常圧にし
たあとゲートバルブ３４を開き、処理済みの被処理体を
加熱手段８により内壁えお加熱されたロード・アンロー
ド室３から取り出せば、作業は終わりである。
【００１８】ところで、この薄膜形成装置にはロード・
アンロード室３の内壁及びカセット３０の表面を加熱す
る加熱手段８が設けられている。この加熱手段８は電気
ヒータを用いて８０〜１００℃に加熱している。これに
よりろーど・アンロード室３の内壁及びカセット３０の
表面は乾燥し、さらにウエハのロード・アンロード時に
ロード・アンロード室３に混入する大気成分（Ｏ２，Ｎ
２，Ｈ２Ｏ等）の吸着を低減することができるため、真
空到達度の向上と気相成長前のウエハの熱酸化を減少さ
せることができる。
アンロード室３の内壁及びカセット３０の表面を加熱す
る加熱手段８が設けられている。この加熱手段８は電気
ヒータを用いて８０〜１００℃に加熱している。これに
よりろーど・アンロード室３の内壁及びカセット３０の
表面は乾燥し、さらにウエハのロード・アンロード時に
ロード・アンロード室３に混入する大気成分（Ｏ２，Ｎ
２，Ｈ２Ｏ等）の吸着を低減することができるため、真
空到達度の向上と気相成長前のウエハの熱酸化を減少さ
せることができる。
【００１９】以下本発明の第２の実施例について図面を
参照しながら説明する。図２は本発明の第２の実施例に
おける熱処理装置の概略構造図を示すものである。図２
において、１は反応室、２は移載室、３はロード・アン
ロード室、８は加熱手段、１１は加熱部、１２ａ，１２
ｂ，１２ｃは真空排気手段１３は反応ガス導入口、２１
はボート、２２はネジ部材、２３は腕部材、２７は回転
駆動部、３０はカセット、３３、３４はゲートバルブ
で、以上は図１の構成と同様なものである。図１の構成
と異なるのは移載室２の内壁を加熱するため、加熱手段
９を設けた点である。
参照しながら説明する。図２は本発明の第２の実施例に
おける熱処理装置の概略構造図を示すものである。図２
において、１は反応室、２は移載室、３はロード・アン
ロード室、８は加熱手段、１１は加熱部、１２ａ，１２
ｂ，１２ｃは真空排気手段１３は反応ガス導入口、２１
はボート、２２はネジ部材、２３は腕部材、２７は回転
駆動部、３０はカセット、３３、３４はゲートバルブ
で、以上は図１の構成と同様なものである。図１の構成
と異なるのは移載室２の内壁を加熱するため、加熱手段
９を設けた点である。
【００２０】以上のように構成された薄膜形成装置の動
作は第１の実施例と同じであるが、移載室２の内壁もロ
ード・アンロード室３の内壁同様に加熱手段９で８０〜
１００℃に加熱されているため乾燥し、さらにウエハの
移替え時に移載室２に混入する大気成分（Ｏ２，Ｎ２，
Ｈ２Ｏ等）の吸着を低減することができるため、真空到
達度の向上と気相成長前のウエハの熱酸化を減少させる
ことができる。
作は第１の実施例と同じであるが、移載室２の内壁もロ
ード・アンロード室３の内壁同様に加熱手段９で８０〜
１００℃に加熱されているため乾燥し、さらにウエハの
移替え時に移載室２に混入する大気成分（Ｏ２，Ｎ２，
Ｈ２Ｏ等）の吸着を低減することができるため、真空到
達度の向上と気相成長前のウエハの熱酸化を減少させる
ことができる。
【００２１】以下本発明の第３の実施例について図面を
参照しながら説明する。図３は本発明の第３の実施例に
おける薄膜形成装置の概略構造図を示すものである。図
３において、１は反応室、１５は真空予備室、１０は加
熱手段、１１は加熱部、１２ａ，１２ｂは真空排気手
段、１３は反応ガス導入口、２１はボート、２２はネジ
部材、２３は腕部材、２７は回転駆動部、５５、５６は
ゲートバルブである。図１の構成と異なるのは移載室と
ロード・アンロード室を一体とした真空予備室１５を設
け、表面を加熱する加熱手段１０が設けた点である。こ
の加熱手段１０は電気ヒータを用いて８０〜１００℃に
加熱している。これにより真空予備室１５の内壁は乾燥
し、さらにウエハのロード・アンロード時に真空予備室
１５に混入する大気成分（Ｏ２，Ｎ２，Ｈ２Ｏ等）の吸
着を低減することができるため、真空到達度の向上と気
相成長前のウエハの熱酸化を減少させることができる。
参照しながら説明する。図３は本発明の第３の実施例に
おける薄膜形成装置の概略構造図を示すものである。図
３において、１は反応室、１５は真空予備室、１０は加
熱手段、１１は加熱部、１２ａ，１２ｂは真空排気手
段、１３は反応ガス導入口、２１はボート、２２はネジ
部材、２３は腕部材、２７は回転駆動部、５５、５６は
ゲートバルブである。図１の構成と異なるのは移載室と
ロード・アンロード室を一体とした真空予備室１５を設
け、表面を加熱する加熱手段１０が設けた点である。こ
の加熱手段１０は電気ヒータを用いて８０〜１００℃に
加熱している。これにより真空予備室１５の内壁は乾燥
し、さらにウエハのロード・アンロード時に真空予備室
１５に混入する大気成分（Ｏ２，Ｎ２，Ｈ２Ｏ等）の吸
着を低減することができるため、真空到達度の向上と気
相成長前のウエハの熱酸化を減少させることができる。
【００２２】以上のように構成された薄膜形成装置につ
いて、以下その動作を説明する。まず、ゲートバルブ５
５を開いて被処理体をボート２１に載せた後ゲートバル
ブ５５を閉じ加熱手段１０により内壁を加熱された真空
予備室１５を真空排気し、所定圧力に到達後、ゲートバ
ルブ５６を開き、ネジ部材２２を回転駆動部２７により
回転させ、ボート２１を加熱部１１で熱せられた反応室
１内の所定位置まで上昇させる。ボート２１上昇後、反
応ガス導入口１３から反応ガスを導入し気相反応させ
る。気相反応が終わったら反応ガス導入停止と真空排気
を行っておいてから、ネジ部材２２を回転駆動部２７に
より逆回転させ、ボート２１を真空に保たれた真空予備
室１５内の所定位置まで下降させる。
いて、以下その動作を説明する。まず、ゲートバルブ５
５を開いて被処理体をボート２１に載せた後ゲートバル
ブ５５を閉じ加熱手段１０により内壁を加熱された真空
予備室１５を真空排気し、所定圧力に到達後、ゲートバ
ルブ５６を開き、ネジ部材２２を回転駆動部２７により
回転させ、ボート２１を加熱部１１で熱せられた反応室
１内の所定位置まで上昇させる。ボート２１上昇後、反
応ガス導入口１３から反応ガスを導入し気相反応させ
る。気相反応が終わったら反応ガス導入停止と真空排気
を行っておいてから、ネジ部材２２を回転駆動部２７に
より逆回転させ、ボート２１を真空に保たれた真空予備
室１５内の所定位置まで下降させる。
【００２３】続いて、ゲートバルブ５６を閉じ、真空予
備室１５を常圧にしたあとゲートバルブ５５を開き、処
理済みの被処理体を加熱手段１０により内壁を加熱され
た真空予備室１５から取り出せば、作業は終わりであ
る。
備室１５を常圧にしたあとゲートバルブ５５を開き、処
理済みの被処理体を加熱手段１０により内壁を加熱され
た真空予備室１５から取り出せば、作業は終わりであ
る。
【００２４】この発明は上記実施例に限らない。加熱手
段はランプであってもよい。
段はランプであってもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明はウエハ移載時に大
気が混入するロード・アンロード室・移載室・真空予備
室内に加熱手段を設けることにより、内壁及びカセット
表面の感想、さらにウエハのロード・アンロード時に混
入する大気成分（Ｏ２，Ｎ２，Ｈ２Ｏ等）の吸着を低減
することができるため、気相成長前のウエハの熱酸化を
減少することができ、その効果は大なるものである。
気が混入するロード・アンロード室・移載室・真空予備
室内に加熱手段を設けることにより、内壁及びカセット
表面の感想、さらにウエハのロード・アンロード時に混
入する大気成分（Ｏ２，Ｎ２，Ｈ２Ｏ等）の吸着を低減
することができるため、気相成長前のウエハの熱酸化を
減少することができ、その効果は大なるものである。
【図１】本発明の一実施例における薄膜形成装置の構成
図
図
【図２】本発明の第２実施例における薄膜形成装置の構
成図
成図
【図３】本発明の第３実施例における薄膜形成装置の構
成図
成図
【図４】従来の薄膜形成装置の構成図
１ 反応室 ２ 移載室 ３ ロード・アンロード室 ８、９、１０ 加熱手段 １５ 真空予備室 ２１ ボート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松下 圭成 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 真空排気手段と反応ガス導入口と周辺に
上下方向に配置した温度制御可能な加熱体とを備えた反
応室と、基板を保持し前記反応室内部を上下方向に移動
可能な昇降手段とを備えた移載室と、基板の移載手段と
真空排気手段と不活性ガス導入口を有すると共に前記移
載室に対して開閉可能に接続されたロード・アンロード
室から成り、前記ロード・アンロード室内に加熱手段を
設けたことを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】 真空排気手段と反応ガス導入口と周辺に
上下方向に配置した温度制御可能な加熱体とを備えた反
応室と、基板を保持し前記反応室内部を上下方向に移動
可能な昇降手段とを備えた移載室と、基板の移載手段と
真空排気手段と不活性ガス導入口を有すると共に前記移
載室に対して開閉可能に接続されたロード・アンロード
室から成り、前記移載室及びロード・アンロード室内に
加熱手段を設けたことを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項３】 真空排気手段と反応ガス導入口と周辺に
上下方向に配置した温度制御可能な加熱体とを備えた反
応室と、基板を保持し前記反応室内部を上下方向に移動
可能な昇降手段と真空排気手段と不活性ガス導入口を有
する真空予備室から成り、前記真空予備室内に加熱手段
を設けたことを特徴とする薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3248787A JPH0590163A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3248787A JPH0590163A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590163A true JPH0590163A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17183394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3248787A Pending JPH0590163A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590163A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5909994A (en) * | 1996-11-18 | 1999-06-08 | Applied Materials, Inc. | Vertical dual loadlock chamber |
| WO1999053534A1 (en) * | 1998-04-09 | 1999-10-21 | Ohmi, Tadahiro | Process system |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3248787A patent/JPH0590163A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5909994A (en) * | 1996-11-18 | 1999-06-08 | Applied Materials, Inc. | Vertical dual loadlock chamber |
| WO1999053534A1 (en) * | 1998-04-09 | 1999-10-21 | Ohmi, Tadahiro | Process system |
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