JPH0590229A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH0590229A JPH0590229A JP25089191A JP25089191A JPH0590229A JP H0590229 A JPH0590229 A JP H0590229A JP 25089191 A JP25089191 A JP 25089191A JP 25089191 A JP25089191 A JP 25089191A JP H0590229 A JPH0590229 A JP H0590229A
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- JP
- Japan
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- plasma
- processing chamber
- cleaning
- processing
- wall
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】処理室１の下部および排気管６の内部にクリー
ニング用電極１０を設け、これに高周波を印加すること
により、この部分でクリーニング用ガスのプラズマ１１
を発生させ、内壁に堆積した膜をエッチング除去する。 【効果】処理室内壁及び排気管内壁を容易に全てクリー
ニングすることができ、半導体デバイス製造の生産性お
よび歩留まりが向上する。
ニング用電極１０を設け、これに高周波を印加すること
により、この部分でクリーニング用ガスのプラズマ１１
を発生させ、内壁に堆積した膜をエッチング除去する。 【効果】処理室内壁及び排気管内壁を容易に全てクリー
ニングすることができ、半導体デバイス製造の生産性お
よび歩留まりが向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体デバイスを製造す
るプラズマ処理装置の処理室に係り、特に、処理室の内
壁をプラズマを用いてクリーニングするのに好適なプラ
ズマ処理装置に関する。
るプラズマ処理装置の処理室に係り、特に、処理室の内
壁をプラズマを用いてクリーニングするのに好適なプラ
ズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスでは、成
膜やエッチングなどプラズマを利用したプロセスが多く
用いられている。これらのプロセスでは処理ガス（成膜
用のガスやエッチングガスなど）を処理室に導入してこ
れをプラズマ化し、ここで生成されたイオンや活性種を
ウェハ上に導いて反応させる。このとき、イオンや活性
種は処理室内の隅々まで拡散するため、ウェハ上だけで
なく処理室の内壁にも膜が堆積する。内壁に堆積した膜
は処理の回数を重ねるにつれてその厚さを増し、やがて
剥がれ落ちる。剥がれ落ちた膜は処理室内を漂い、処理
中のウェハ表面に落ちることもあり不良の原因となる。
半導体デバイスの高密度化に伴い、異物（剥がれ落ちた
膜）を徹底的に排除することが重要になっている。そこ
で従来は、時々処理室を開放し内壁についた膜を取り除
く作業を行っていた。この作業を行うこと自体が空気中
の塵や水分を処理室内に入れることになり好ましくな
い。そのため処理室を開放せずにこの膜を取り除く方法
として、クリーニング用ガスを処理室内に導入し、プラ
ズマを発生させて膜をエッチング除去していた。しか
し、従来の処理装置は特開昭６２ー４３３３５号公報に
あるようにプラズマが処理室全領域にひろがらないた
め、エッチング除去できない部分が残る結果となってい
た。
膜やエッチングなどプラズマを利用したプロセスが多く
用いられている。これらのプロセスでは処理ガス（成膜
用のガスやエッチングガスなど）を処理室に導入してこ
れをプラズマ化し、ここで生成されたイオンや活性種を
ウェハ上に導いて反応させる。このとき、イオンや活性
種は処理室内の隅々まで拡散するため、ウェハ上だけで
なく処理室の内壁にも膜が堆積する。内壁に堆積した膜
は処理の回数を重ねるにつれてその厚さを増し、やがて
剥がれ落ちる。剥がれ落ちた膜は処理室内を漂い、処理
中のウェハ表面に落ちることもあり不良の原因となる。
半導体デバイスの高密度化に伴い、異物（剥がれ落ちた
膜）を徹底的に排除することが重要になっている。そこ
で従来は、時々処理室を開放し内壁についた膜を取り除
く作業を行っていた。この作業を行うこと自体が空気中
の塵や水分を処理室内に入れることになり好ましくな
い。そのため処理室を開放せずにこの膜を取り除く方法
として、クリーニング用ガスを処理室内に導入し、プラ
ズマを発生させて膜をエッチング除去していた。しか
し、従来の処理装置は特開昭６２ー４３３３５号公報に
あるようにプラズマが処理室全領域にひろがらないた
め、エッチング除去できない部分が残る結果となってい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、処
理室の内壁全面に膜が堆積するのに対して、プラズマに
よるエッチング除去がプラズマにさらされる範囲に限ら
れるという問題点があった。すなわち、プラズマに接し
ない部分の壁面はクリーニングできないことになる。
理室の内壁全面に膜が堆積するのに対して、プラズマに
よるエッチング除去がプラズマにさらされる範囲に限ら
れるという問題点があった。すなわち、プラズマに接し
ない部分の壁面はクリーニングできないことになる。
【０００４】本発明の目的は処理室内にくまなくプラズ
マを発生させる手段により処理室内壁を全てクリーニン
グする手段を提供することにある。
マを発生させる手段により処理室内壁を全てクリーニン
グする手段を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明はウェハを処理するために用いるプラズマ発
生の手段に加えて、クリーニングのためのプラズマを発
生させる手段を別に設けて、処理室の全体にプラズマを
発生させる。
に、本発明はウェハを処理するために用いるプラズマ発
生の手段に加えて、クリーニングのためのプラズマを発
生させる手段を別に設けて、処理室の全体にプラズマを
発生させる。
【０００６】
【作用】半導体デバイスのプラズマ処理室において、ウ
ェハ処理に用いるプラズマはウェハの上に発生させる。
従って、ウェハ載置電極の裏側や排気配管の内側などは
プラズマには接していない。そのため、これらの部分に
は別の手段によりプラズマを発生させる必要がある。
ェハ処理に用いるプラズマはウェハの上に発生させる。
従って、ウェハ載置電極の裏側や排気配管の内側などは
プラズマには接していない。そのため、これらの部分に
は別の手段によりプラズマを発生させる必要がある。
【０００７】処理室や排気管は通常アースに接続されて
いるため、これをアノードとして別にカソードとなるべ
き電極を設ける。この電極に高周波を印加すればウェハ
載置電極の裏側や排気配管の内部でクリーニング用ガス
がプラズマ化し、内壁に堆積した膜をエッチング除去す
ることができる。
いるため、これをアノードとして別にカソードとなるべ
き電極を設ける。この電極に高周波を印加すればウェハ
載置電極の裏側や排気配管の内部でクリーニング用ガス
がプラズマ化し、内壁に堆積した膜をエッチング除去す
ることができる。
【０００８】
【実施例】本発明の一実施例を図１により説明する。図
１において処理室１は図示していない真空排気系により
排気管６を通じて真空排気されており、かつ図示してい
ないガス流量調整器を通じて流量調整された処理ガスが
処理室１に導入され所定の圧力に保持されている。ここ
へマイクロ波を導入し、（導入機構は図示していない）
ウェハ３を処理するためのプラズマ２を発生させ、ウェ
ハ３の処理（成膜、エッチング等）を行う。このとき、
処理速度を向上させるため処理用プラズマ２からイオン
を引き込むためにウェハ３を載置する電極に高周波を印
加する。この電極は高周波印加電極４、絶縁体５、アー
スシールド１３より構成されており、高周波印加電極４
はバイアス用高周波電源９により処理中に高周波が印加
される。一方、アースシールド１３は接地されている。
処理用プラズマ２中で生成されたイオンや活性種はウェ
ハ３を処理するだけでなく処理室１内や排気管６内に拡
散し、この内壁に膜が堆積する。この膜は随時剥がれ落
ちて処理室内を漂い、異物として処理に悪影響を及ぼす
ため除去することが必要である。
１において処理室１は図示していない真空排気系により
排気管６を通じて真空排気されており、かつ図示してい
ないガス流量調整器を通じて流量調整された処理ガスが
処理室１に導入され所定の圧力に保持されている。ここ
へマイクロ波を導入し、（導入機構は図示していない）
ウェハ３を処理するためのプラズマ２を発生させ、ウェ
ハ３の処理（成膜、エッチング等）を行う。このとき、
処理速度を向上させるため処理用プラズマ２からイオン
を引き込むためにウェハ３を載置する電極に高周波を印
加する。この電極は高周波印加電極４、絶縁体５、アー
スシールド１３より構成されており、高周波印加電極４
はバイアス用高周波電源９により処理中に高周波が印加
される。一方、アースシールド１３は接地されている。
処理用プラズマ２中で生成されたイオンや活性種はウェ
ハ３を処理するだけでなく処理室１内や排気管６内に拡
散し、この内壁に膜が堆積する。この膜は随時剥がれ落
ちて処理室内を漂い、異物として処理に悪影響を及ぼす
ため除去することが必要である。
【０００９】ところが処理用プラズマ２は処理室１の下
部、アースシールド１３のまわりや排気管６の内部には
入り込めないため、このままの状態でクリーニング用の
ガスを導入して放電してもこの部分に堆積した膜をエッ
チング除去することは不可能である。この部分をクリー
ニングするために、排気管６内にクリーニング用電極７
を、処理室１の下部（処理室壁面とアースシールド１３
の間）にクリーニング用電極１０を設け、クリーニング
用高周波電源８に接続し高周波を印加する。処理室は接
地されており、またアースシールド１３も接地されてい
るため、クリーニング用電極７、１０と処理室内壁や排
気管内壁との間でクリーニング用ガスが放電し、クリー
ニング用プラズマ１１が発生する。クリーニング用プラ
ズマ１１及び処理用プラズマ２により容易に処理室や排
気管の内壁に堆積した膜を全てエッチング除去すること
ができる。この方法によりウェハの処理が終わる毎に、
クリーニングを行うことが可能となり、処理室内壁に膜
が堆積することはない。
部、アースシールド１３のまわりや排気管６の内部には
入り込めないため、このままの状態でクリーニング用の
ガスを導入して放電してもこの部分に堆積した膜をエッ
チング除去することは不可能である。この部分をクリー
ニングするために、排気管６内にクリーニング用電極７
を、処理室１の下部（処理室壁面とアースシールド１３
の間）にクリーニング用電極１０を設け、クリーニング
用高周波電源８に接続し高周波を印加する。処理室は接
地されており、またアースシールド１３も接地されてい
るため、クリーニング用電極７、１０と処理室内壁や排
気管内壁との間でクリーニング用ガスが放電し、クリー
ニング用プラズマ１１が発生する。クリーニング用プラ
ズマ１１及び処理用プラズマ２により容易に処理室や排
気管の内壁に堆積した膜を全てエッチング除去すること
ができる。この方法によりウェハの処理が終わる毎に、
クリーニングを行うことが可能となり、処理室内壁に膜
が堆積することはない。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、プラズマ処理装置の処
理室内壁の全面が容易にクリーニングできるので、異物
の発生が抑えられて歩留まり向上が図れ、クリーニング
の手順が簡略なため生産性向上も図れる。
理室内壁の全面が容易にクリーニングできるので、異物
の発生が抑えられて歩留まり向上が図れ、クリーニング
の手順が簡略なため生産性向上も図れる。
【図１】本発明の一実施例の断面図。
１…処理室、 ２…処理用プラズマ、 ３…ウェハ、 ４…高周波印加電極、 ５…絶縁体、 ６…排気管、 ７…クリーニング用電極、 ８…クリーニング用高周波電源、 ９…バイアス用高周波電源、 １０…クリーニング用電極、 １１…クリーニング用プラズマ、 １２…接地、 １３…アースシールド。
Claims (1)
- 【請求項１】真空を保持する構造の処理室と、前記処理
室に処理ガスを導入する手段と前記処理室内にプラズマ
を発生維持する手段を設けたプラズマ処理装置におい
て、前記処理室内に処理のためのプラズマ発生機構とは
別に前記処理室の内壁をプラズマでクリーニングするた
めのプラズマ発生機構を備えたことを特徴とするプラズ
マ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25089191A JPH0590229A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25089191A JPH0590229A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590229A true JPH0590229A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17214564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25089191A Pending JPH0590229A (ja) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590229A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217118A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Japan Pionics Co Ltd | 窒化ガリウム膜半導体の製造装置、排ガス浄化装置、及び製造設備 |
| KR100415435B1 (ko) * | 1999-09-21 | 2004-01-31 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 소자 제조장치 |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP25089191A patent/JPH0590229A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100415435B1 (ko) * | 1999-09-21 | 2004-01-31 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 소자 제조장치 |
| JP2002217118A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Japan Pionics Co Ltd | 窒化ガリウム膜半導体の製造装置、排ガス浄化装置、及び製造設備 |
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