JPH0590337A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0590337A JPH0590337A JP3248086A JP24808691A JPH0590337A JP H0590337 A JPH0590337 A JP H0590337A JP 3248086 A JP3248086 A JP 3248086A JP 24808691 A JP24808691 A JP 24808691A JP H0590337 A JPH0590337 A JP H0590337A
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- semiconductor integrated
- conductive film
- transparent conductive
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、多ピン化されたリードフレームへの
半導体集積回路の実装を容易に行なえ、かつ半導体集積
回路のクラック等の発生を防止でき、しかも放熱性を著
しく向上できることを目的としている。 【構成】中心部に形成されたアイランド、および当該ア
イランドの周囲に形成されたインナーリードから成るリ
ードフレームのアイランド上に、透明導電膜によるリー
ド状の配線回路を有するガラス基板を介して、ＩＣ，Ｌ
ＳＩ等の半導体集積回路を実装し、かつ透明導電膜と半
導体集積回路とをバンプにより、または異方性導電樹脂
により、もしくはワイヤーボンディングにより接続する
と共に、透明導電膜とインナーリードとをワイヤーボン
ディングにより接続することを特徴としている。
半導体集積回路の実装を容易に行なえ、かつ半導体集積
回路のクラック等の発生を防止でき、しかも放熱性を著
しく向上できることを目的としている。 【構成】中心部に形成されたアイランド、および当該ア
イランドの周囲に形成されたインナーリードから成るリ
ードフレームのアイランド上に、透明導電膜によるリー
ド状の配線回路を有するガラス基板を介して、ＩＣ，Ｌ
ＳＩ等の半導体集積回路を実装し、かつ透明導電膜と半
導体集積回路とをバンプにより、または異方性導電樹脂
により、もしくはワイヤーボンディングにより接続する
と共に、透明導電膜とインナーリードとをワイヤーボン
ディングにより接続することを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、中心部に形成されたア
イランド、およびアイランドの周囲に形成されたインナ
ーリードから成るリードフレームのアイランド上に、Ｉ
Ｃ，ＬＳＩ等の半導体集積回路を実装して成る半導体装
置に係り、特に多ピン化されたリードフレームへの半導
体集積回路の実装を容易に行なえ、かつ半導体集積回路
のクラック等の発生を防止でき、しかも放熱性を著しく
向上させ得るようにした半導体装置に関するものであ
る。
イランド、およびアイランドの周囲に形成されたインナ
ーリードから成るリードフレームのアイランド上に、Ｉ
Ｃ，ＬＳＩ等の半導体集積回路を実装して成る半導体装
置に係り、特に多ピン化されたリードフレームへの半導
体集積回路の実装を容易に行なえ、かつ半導体集積回路
のクラック等の発生を防止でき、しかも放熱性を著しく
向上させ得るようにした半導体装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、例えばＩＣ，ＬＳＩ等の半導体
集積回路は、中心部に形成されたアイランド、およびこ
のアイランドの周囲に形成されたインナーリードから成
るリードフレームのアイランド上に固定され、ワイヤー
ボンディングによって半導体集積回路とインナーリード
との接続を行ない、樹脂封止することによって、半導体
装置を構成している。
集積回路は、中心部に形成されたアイランド、およびこ
のアイランドの周囲に形成されたインナーリードから成
るリードフレームのアイランド上に固定され、ワイヤー
ボンディングによって半導体集積回路とインナーリード
との接続を行ない、樹脂封止することによって、半導体
装置を構成している。
【０００３】しかしながら、最近、ＩＣ，ＬＳＩ等の半
導体集積回路が高密度化する中で、従来の半導体装置で
は、リードフレームのリードの数が増加して、リードピ
ッチが高精細化するに伴ない、ＩＣ，ＬＳＩチップ等の
半導体集積回路の実装や接続が困難となりつつある。
導体集積回路が高密度化する中で、従来の半導体装置で
は、リードフレームのリードの数が増加して、リードピ
ッチが高精細化するに伴ない、ＩＣ，ＬＳＩチップ等の
半導体集積回路の実装や接続が困難となりつつある。
【０００４】また、従来の半導体装置に用いられるリー
ドフレームの材料である、鉄−ニッケル系合金（Ｎｉ：
４２〜５０．５ｗｔ％程度、４２合金が代表的）や、銅
系合金では、実装される半導体集積回路との熱膨脹率が
異なるため、半導体集積回路にクラック等の発生が起き
ている。
ドフレームの材料である、鉄−ニッケル系合金（Ｎｉ：
４２〜５０．５ｗｔ％程度、４２合金が代表的）や、銅
系合金では、実装される半導体集積回路との熱膨脹率が
異なるため、半導体集積回路にクラック等の発生が起き
ている。
【０００５】さらに、放熱性能の向上の問題について
も、現在の半導体装置の構造では、その放熱能力が低す
ぎる等の問題がある。
も、現在の半導体装置の構造では、その放熱能力が低す
ぎる等の問題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
半導体装置においては、多ピン化されたリードフレーム
への半導体集積回路の実装や接続が困難であるばかりで
なく、半導体集積回路にクラック等が発生したり、放熱
能力が低いという問題があった。
半導体装置においては、多ピン化されたリードフレーム
への半導体集積回路の実装や接続が困難であるばかりで
なく、半導体集積回路にクラック等が発生したり、放熱
能力が低いという問題があった。
【０００７】本発明は、上記のような問題を解決するた
めに成されたもので、その目的は多ピン化されたリード
フレームへの半導体集積回路の実装を容易に行なうこと
ができ、かつ半導体集積回路のクラック等の発生を防止
することができ、しかも放熱性を著しく向上させること
が可能な極めて信頼性の高い半導体装置を提供すること
にある。
めに成されたもので、その目的は多ピン化されたリード
フレームへの半導体集積回路の実装を容易に行なうこと
ができ、かつ半導体集積回路のクラック等の発生を防止
することができ、しかも放熱性を著しく向上させること
が可能な極めて信頼性の高い半導体装置を提供すること
にある。
【０００８】
【問題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、まず、請求項１に記載の発明による半導体装置
は、中心部に形成されたアイランド、および当該アイラ
ンドの周囲に形成されたインナーリードから成るリード
フレームのアイランド上に、透明導電膜によるリード状
の配線回路を有するガラス基板を介して、ＩＣ，ＬＳＩ
等の半導体集積回路を実装し、かつ透明導電膜と半導体
集積回路とをバンプにより接続すると共に、透明導電膜
とインナーリードとを、ワイヤーボンディングにより接
続するようにしている。
めに、まず、請求項１に記載の発明による半導体装置
は、中心部に形成されたアイランド、および当該アイラ
ンドの周囲に形成されたインナーリードから成るリード
フレームのアイランド上に、透明導電膜によるリード状
の配線回路を有するガラス基板を介して、ＩＣ，ＬＳＩ
等の半導体集積回路を実装し、かつ透明導電膜と半導体
集積回路とをバンプにより接続すると共に、透明導電膜
とインナーリードとを、ワイヤーボンディングにより接
続するようにしている。
【０００９】また、請求項３に記載の発明による半導体
装置は、中心部に形成されたアイランド、および当該ア
イランドの周囲に形成されたインナーリードから成るリ
ードフレームのアイランド上に、透明導電膜によるリー
ド状の配線回路を有するガラス基板を介して、ＩＣ，Ｌ
ＳＩ等の半導体集積回路を実装し、かつ透明導電膜と半
導体集積回路とを異方性導電樹脂により接続すると共
に、透明導電膜とインナーリードとを、ワイヤーボンデ
ィングにより接続するようにしている。
装置は、中心部に形成されたアイランド、および当該ア
イランドの周囲に形成されたインナーリードから成るリ
ードフレームのアイランド上に、透明導電膜によるリー
ド状の配線回路を有するガラス基板を介して、ＩＣ，Ｌ
ＳＩ等の半導体集積回路を実装し、かつ透明導電膜と半
導体集積回路とを異方性導電樹脂により接続すると共
に、透明導電膜とインナーリードとを、ワイヤーボンデ
ィングにより接続するようにしている。
【００１０】さらに、請求項４に記載の発明による半導
体装置は、中心部に形成されたアイランド、および当該
アイランドの周囲に形成されたインナーリードから成る
リードフレームのアイランド上に、透明導電膜によるリ
ード状の配線回路を有するガラス基板を介して、ＩＣ，
ＬＳＩ等の半導体集積回路を実装し、かつ透明導電膜と
半導体集積回路とをワイヤーボンディングにより接続す
ると共に、透明導電膜とインナーリードとを、ワイヤー
ボンディングにより接続するようにしている。
体装置は、中心部に形成されたアイランド、および当該
アイランドの周囲に形成されたインナーリードから成る
リードフレームのアイランド上に、透明導電膜によるリ
ード状の配線回路を有するガラス基板を介して、ＩＣ，
ＬＳＩ等の半導体集積回路を実装し、かつ透明導電膜と
半導体集積回路とをワイヤーボンディングにより接続す
ると共に、透明導電膜とインナーリードとを、ワイヤー
ボンディングにより接続するようにしている。
【００１１】ここで、特に透明導電膜上に、金属体を形
成するようにしている。
成するようにしている。
【００１２】また、透明導電膜と半導体集積回路とを、
半田バンプまたは金バンプにより接続するようにしてい
る。
半田バンプまたは金バンプにより接続するようにしてい
る。
【００１３】
【作用】従って、本発明の半導体装置においては、リー
ドフレームのアイランド上に、透明導電膜によるリード
状の配線回路を有するガラス基板を備えることにより、
半導体集積回路と透明導電膜（リード）との接続にバン
プによる接続が使用できるため、高密度化され、多ピン
のリードフレームを必要とする半導体集積回路の実装を
容易にすることができる。
ドフレームのアイランド上に、透明導電膜によるリード
状の配線回路を有するガラス基板を備えることにより、
半導体集積回路と透明導電膜（リード）との接続にバン
プによる接続が使用できるため、高密度化され、多ピン
のリードフレームを必要とする半導体集積回路の実装を
容易にすることができる。
【００１４】また、透明導電膜（リード）を有する基板
は、ガラスであることにより、半導体集積回路（シリコ
ン等）との熱膨張率が同じであり、半導体集積回路への
余分な応力を緩和して、半導体集積回路のクラックの発
生を防止することができる。
は、ガラスであることにより、半導体集積回路（シリコ
ン等）との熱膨張率が同じであり、半導体集積回路への
余分な応力を緩和して、半導体集積回路のクラックの発
生を防止することができる。
【００１５】さらに、半導体集積回路の実装は、リード
フレーム上で行なわなくとも、透明導電膜（リード）を
有するガラス基板上で行なえるため、実装時の信頼性の
向上を図ることができる。
フレーム上で行なわなくとも、透明導電膜（リード）を
有するガラス基板上で行なえるため、実装時の信頼性の
向上を図ることができる。
【００１６】さらにまた、リードフレームのアイランド
上に、ガラス基板を介して半導体集積回路を実装するこ
とにより、放熱性能を著しく向上させることができる。
上に、ガラス基板を介して半導体集積回路を実装するこ
とにより、放熱性能を著しく向上させることができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
【００１８】図１は、本発明による半導体装置の構成例
を示す断面図である。すなわち、本実施例の半導体装置
は、図１に示すように、中心部に形成されたアイランド
１、およびこのアイランド１の周囲に形成されたインナ
ーリード２から成るリードフレームのアイランド１上
に、透明導電膜によるリード状の配線回路（以下、透明
導電膜層と称する）３、およびこの透明導電膜層３上に
形成された金属膜４を有するガラス基板５を介して、Ｉ
Ｃ，ＬＳＩ等の半導体集積回路（チップ）６を実装し、
さらに金属膜４と半導体集積回路６とを、バンプ７によ
り接続すると共に、金属膜４とインナーリード２とを、
ワイヤーボンディング８により接続する構成としてい
る。
を示す断面図である。すなわち、本実施例の半導体装置
は、図１に示すように、中心部に形成されたアイランド
１、およびこのアイランド１の周囲に形成されたインナ
ーリード２から成るリードフレームのアイランド１上
に、透明導電膜によるリード状の配線回路（以下、透明
導電膜層と称する）３、およびこの透明導電膜層３上に
形成された金属膜４を有するガラス基板５を介して、Ｉ
Ｃ，ＬＳＩ等の半導体集積回路（チップ）６を実装し、
さらに金属膜４と半導体集積回路６とを、バンプ７によ
り接続すると共に、金属膜４とインナーリード２とを、
ワイヤーボンディング８により接続する構成としてい
る。
【００１９】次に、本実施例の半導体装置の具体的な作
製法について説明する。
製法について説明する。
【００２０】すなわち、まずガラス基板（例えば、ＩＴ
Ｏ基板、シート抵抗３０オーム ：松崎真空株式会社
製）上に、透明導電膜によるリード状の配線回路をエッ
チングにより設ける。
Ｏ基板、シート抵抗３０オーム ：松崎真空株式会社
製）上に、透明導電膜によるリード状の配線回路をエッ
チングにより設ける。
【００２１】次に、このリード状の透明導電層を有する
ガラス基板上に、めっき液（例えばメルテックス株式会
社製のメルブレートプロセス）によって、金属膜である
ニッケル（Ｎｉ）ならびに金（Ａｕ）めっき膜を形成す
る。
ガラス基板上に、めっき液（例えばメルテックス株式会
社製のメルブレートプロセス）によって、金属膜である
ニッケル（Ｎｉ）ならびに金（Ａｕ）めっき膜を形成す
る。
【００２２】次に、このニッケルならびに金めっき膜と
ＩＣチップとを、半田バンプにより接続すると共に、同
ニッケルならびに金めっき膜とリードフレームのインナ
ーリードとを、ワイヤーボンディングにより接続する。
ＩＣチップとを、半田バンプにより接続すると共に、同
ニッケルならびに金めっき膜とリードフレームのインナ
ーリードとを、ワイヤーボンディングにより接続する。
【００２３】その後、これを樹脂封止することによっ
て、信頼性の高いＩＣパッケージを作製する。
て、信頼性の高いＩＣパッケージを作製する。
【００２４】以上のように構成した半導体装置において
は、リードフレームのアイランド１上に、透明導電膜に
よるリード状の配線回路３を有するガラス基板５を備え
ることにより、半導体集積回路６と透明導電膜層（リー
ド）３との接続にバンプ７による接続が使用できるた
め、高密度化され、多ピンのリードフレームを必要とす
る半導体集積回路の実装を容易にできる。
は、リードフレームのアイランド１上に、透明導電膜に
よるリード状の配線回路３を有するガラス基板５を備え
ることにより、半導体集積回路６と透明導電膜層（リー
ド）３との接続にバンプ７による接続が使用できるた
め、高密度化され、多ピンのリードフレームを必要とす
る半導体集積回路の実装を容易にできる。
【００２５】また、透明導電膜層（リード）３を有する
基板は、ガラス基板であることにより、半導体集積回路
（シリコン等）６との熱膨張率が同じであり、半導体集
積回路６への余分な応力を緩和して、半導体集積回路６
のクラックの発生を防止できる。
基板は、ガラス基板であることにより、半導体集積回路
（シリコン等）６との熱膨張率が同じであり、半導体集
積回路６への余分な応力を緩和して、半導体集積回路６
のクラックの発生を防止できる。
【００２６】さらに、半導体集積回路６の実装は、リー
ドフレーム上で行なわなくとも、透明導電膜層（リー
ド）３を有するガラス基板５上で行なえるため、実装時
の信頼性の向上を図れる。
ドフレーム上で行なわなくとも、透明導電膜層（リー
ド）３を有するガラス基板５上で行なえるため、実装時
の信頼性の向上を図れる。
【００２７】さらにまた、リードフレームのアイランド
１上に、ガラス基板５を介して半導体集積回路６を実装
することにより、放熱性能を著しく向上できる。
１上に、ガラス基板５を介して半導体集積回路６を実装
することにより、放熱性能を著しく向上できる。
【００２８】上述したように、本実施例の半導体装置
は、中心部に形成されたアイランド１、およびこのアイ
ランド１の周囲に形成されたインナーリード２から成る
リードフレームのアイランド１上に、透明導電膜による
リード状の配線回路３、およびこの透明導電膜層３上に
形成された金属膜４を有するガラス基板５を介して、Ｉ
Ｃ，ＬＳＩ等の半導体集積回路６を実装し、さらに金属
膜４と半導体集積回路６とを、バンプ７により接続する
と共に、金属膜４とインナーリード２とを、ワイヤーボ
ンディング８により接続する構成としたものである。
は、中心部に形成されたアイランド１、およびこのアイ
ランド１の周囲に形成されたインナーリード２から成る
リードフレームのアイランド１上に、透明導電膜による
リード状の配線回路３、およびこの透明導電膜層３上に
形成された金属膜４を有するガラス基板５を介して、Ｉ
Ｃ，ＬＳＩ等の半導体集積回路６を実装し、さらに金属
膜４と半導体集積回路６とを、バンプ７により接続する
と共に、金属膜４とインナーリード２とを、ワイヤーボ
ンディング８により接続する構成としたものである。
【００２９】従って、次のような種々の効果が得られる
ものである。
ものである。
【００３０】（ａ）リードフレームのアイランド１上
に、透明導電膜によるリード状の配線回路３を有したガ
ラス板５を介して、半導体集積回路６を実装するように
しているので、多ピン化されたリードフレームへの半導
体集積回路６の実装が容易に可能となる。
に、透明導電膜によるリード状の配線回路３を有したガ
ラス板５を介して、半導体集積回路６を実装するように
しているので、多ピン化されたリードフレームへの半導
体集積回路６の実装が容易に可能となる。
【００３１】（ｂ）半導体集積回路６の実装にバンブ７
を用いるているので、高密度化され、多ピンのリードフ
レームを必要とする半導体集積回路の実装が容易とな
る。
を用いるているので、高密度化され、多ピンのリードフ
レームを必要とする半導体集積回路の実装が容易とな
る。
【００３２】（ｃ）透明導電膜層３を有する基板として
は、ガラス基板５を使用しているので、半導体集積回路
６への余分な応力を緩和できると共に、バンブ７の位置
合わせ、位置ずれの確認が容易になる。
は、ガラス基板５を使用しているので、半導体集積回路
６への余分な応力を緩和できると共に、バンブ７の位置
合わせ、位置ずれの確認が容易になる。
【００３３】（ｄ）リードフレームのアイランド１上
に、ガラス基板５を介して半導体集積回路６を実装して
いるので、従来の半導体装置よりも放熱性能を著しく向
上させることが可能となる。
に、ガラス基板５を介して半導体集積回路６を実装して
いるので、従来の半導体装置よりも放熱性能を著しく向
上させることが可能となる。
【００３４】以上により、半導体集積回路の多機能化、
高集積化、高精細化、および高速処理化という、市場動
向に伴なう要求に十分に対応することができる。
高集積化、高精細化、および高速処理化という、市場動
向に伴なう要求に十分に対応することができる。
【００３５】次に、本発明の他の実施例について説明す
る。
る。
【００３６】図２は、本発明による半導体装置の他の構
成例を示す断面図であり、図１と同一要素には同一符号
を付して示している。すなわち、本実施例の半導体装置
は、図２に示すように、中心部に形成されたアイランド
１、およびこのアイランド１の周囲に形成されたインナ
ーリード２から成るリードフレームのアイランド１上
に、透明導電膜によるリード状の配線回路（透明導電膜
層）３、およびこの透明導電膜層３上に形成された金属
膜４を有するガラス基板５を介して、ＩＣ，ＬＳＩ等の
半導体集積回路（チップ）６を実装し、さらに金属膜４
と半導体集積回路６とを、ワイヤーボンディング９によ
り接続すると共に、金属膜４とインナーリード２とを、
ワイヤーボンディング８により接続する構成としてい
る。
成例を示す断面図であり、図１と同一要素には同一符号
を付して示している。すなわち、本実施例の半導体装置
は、図２に示すように、中心部に形成されたアイランド
１、およびこのアイランド１の周囲に形成されたインナ
ーリード２から成るリードフレームのアイランド１上
に、透明導電膜によるリード状の配線回路（透明導電膜
層）３、およびこの透明導電膜層３上に形成された金属
膜４を有するガラス基板５を介して、ＩＣ，ＬＳＩ等の
半導体集積回路（チップ）６を実装し、さらに金属膜４
と半導体集積回路６とを、ワイヤーボンディング９によ
り接続すると共に、金属膜４とインナーリード２とを、
ワイヤーボンディング８により接続する構成としてい
る。
【００３７】本実施例の半導体においても、図１の実施
例の場合と同様の効果を得ることができる。
例の場合と同様の効果を得ることができる。
【００３８】尚、本発明は上記各実施例に限定されるも
のではなく、次のようにしても同様に実施して、同様の
効果が得られるものである。
のではなく、次のようにしても同様に実施して、同様の
効果が得られるものである。
【００３９】上記図１の実施例では、金属膜４と半導体
集積回路６とを、バンプ７により接続し、また上記図２
の実施例では、金属膜４と半導体集積回路６とを、ワイ
ヤーボンディング９により接続する場合について説明し
たが、これに限らず金属膜４と半導体集積回路６とを、
異方性導電樹脂により接続するようにしても、前述の場
合と同様の効果が得られるものである。
集積回路６とを、バンプ７により接続し、また上記図２
の実施例では、金属膜４と半導体集積回路６とを、ワイ
ヤーボンディング９により接続する場合について説明し
たが、これに限らず金属膜４と半導体集積回路６とを、
異方性導電樹脂により接続するようにしても、前述の場
合と同様の効果が得られるものである。
【００４０】また、上記各実施例では、金属膜４として
ニッケル（Ｎｉ）ならびに金（Ａｕ）めっき膜を形成す
る場合について説明したが、これに限らず金属膜４とし
て他の金属を形成するようにしてもよいものである。
ニッケル（Ｎｉ）ならびに金（Ａｕ）めっき膜を形成す
る場合について説明したが、これに限らず金属膜４とし
て他の金属を形成するようにしてもよいものである。
【００４１】さらに、上記図１の実施例では、金属膜４
と半導体集積回路６とを、半田バンプ７により接続する
場合について説明したが、これに限らず金属膜４と半導
体集積回路６とを、金バンプにより接続するようにして
も、前述の場合と同様の効果が得られるものである。
と半導体集積回路６とを、半田バンプ７により接続する
場合について説明したが、これに限らず金属膜４と半導
体集積回路６とを、金バンプにより接続するようにして
も、前述の場合と同様の効果が得られるものである。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、中
心部に形成されたアイランド、および当該アイランドの
周囲に形成されたインナーリードから成るリードフレー
ムのアイランド上に、透明導電膜によるリード状の配線
回路を有するガラス基板を介して、ＩＣ，ＬＳＩ等の半
導体集積回路を実装し、かつ透明導電膜と半導体集積回
路とをバンプにより、または異方性導電樹脂により、も
しくはワイヤーボンディングにより接続すると共に、透
明導電膜とインナーリードとをワイヤーボンディングに
より接続するようにしたので、多ピン化されたリードフ
レームへの半導体集積回路の実装を容易に行なうことが
でき、かつ半導体集積回路のクラック等の発生を防止す
ることができ、しかも放熱性を著しく向上させることが
可能な極めて信頼性の高い半導体装置が提供できる。
心部に形成されたアイランド、および当該アイランドの
周囲に形成されたインナーリードから成るリードフレー
ムのアイランド上に、透明導電膜によるリード状の配線
回路を有するガラス基板を介して、ＩＣ，ＬＳＩ等の半
導体集積回路を実装し、かつ透明導電膜と半導体集積回
路とをバンプにより、または異方性導電樹脂により、も
しくはワイヤーボンディングにより接続すると共に、透
明導電膜とインナーリードとをワイヤーボンディングに
より接続するようにしたので、多ピン化されたリードフ
レームへの半導体集積回路の実装を容易に行なうことが
でき、かつ半導体集積回路のクラック等の発生を防止す
ることができ、しかも放熱性を著しく向上させることが
可能な極めて信頼性の高い半導体装置が提供できる。
【図１】本発明による半導体装置の一実施例を示す断面
図。
図。
【図２】本発明による半導体装置の他の実施例を示す断
面図。
面図。
１…アイランド、２…インナーリード、３…透明導電膜
層（リード状の配線回路）、４…金属膜、５…ガラス基
板、６…半導体集積回路、７…バンプ接続部、８，９…
ワイヤーボンディング。
層（リード状の配線回路）、４…金属膜、５…ガラス基
板、６…半導体集積回路、７…バンプ接続部、８，９…
ワイヤーボンディング。
Claims (5)
- 【請求項１】 中心部に形成されたアイランド、および
当該アイランドの周囲に形成されたインナーリードから
成るリードフレームの前記アイランド上に、透明導電膜
によるリード状の配線回路を有するガラス基板を介し
て、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体集積回路を実装し、かつ前
記透明導電膜と前記半導体集積回路とをバンプにより接
続すると共に、前記透明導電膜と前記インナーリードと
を、ワイヤーボンディングにより接続するようにしたこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記透明導電膜と前記半導体集積回路と
を、半田バンプまたは金バンプにより接続するようにし
たことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 中心部に形成されたアイランド、および
当該アイランドの周囲に形成されたインナーリードから
成るリードフレームの前記アイランド上に、透明導電膜
によるリード状の配線回路を有するガラス基板を介し
て、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体集積回路を実装し、かつ前
記透明導電膜と前記半導体集積回路とを異方性導電樹脂
により接続すると共に、前記透明導電膜と前記インナー
リードとを、ワイヤーボンディングにより接続するよう
にしたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 中心部に形成されたアイランド、および
当該アイランドの周囲に形成されたインナーリードから
成るリードフレームの前記アイランド上に、透明導電膜
によるリード状の配線回路を有するガラス基板を介し
て、ＩＣ，ＬＳＩ等の半導体集積回路を実装し、かつ前
記透明導電膜と前記半導体集積回路とをワイヤーボンデ
ィングにより接続すると共に、前記透明導電膜と前記イ
ンナーリードとを、ワイヤーボンディングにより接続す
るようにしたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】 前記透明導電膜上に金属体を形成するよ
うにしたことを特徴とする請求項１ないし請求項４のい
ずれか１項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3248086A JPH0590337A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3248086A JPH0590337A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590337A true JPH0590337A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17173003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3248086A Pending JPH0590337A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590337A (ja) |
-
1991
- 1991-09-26 JP JP3248086A patent/JPH0590337A/ja active Pending
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