JPH0590404A - チツプ切削方法および装置 - Google Patents
チツプ切削方法および装置Info
- Publication number
- JPH0590404A JPH0590404A JP27480491A JP27480491A JPH0590404A JP H0590404 A JPH0590404 A JP H0590404A JP 27480491 A JP27480491 A JP 27480491A JP 27480491 A JP27480491 A JP 27480491A JP H0590404 A JPH0590404 A JP H0590404A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cutting
- chip
- wire saw
- chamfered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハーの切削と同時に面取りを行い、チッ
プ製作時間の短縮並びに面洗浄時によるエッジの破損を
防止する。 【構成】 光学研磨で仕上がったウエハー4の両面に、
研磨面を保護するためのカバーガラス3を接着剤で固定
しておき、このウエハー4をV型の切刃を有する切削用
ワイヤーソー1でチップ状に加工する。ウエハー4の両
面にはV型溝6,7が形成され、個々に切離したときに
は、面取りが施されたチップ5が得られる。
プ製作時間の短縮並びに面洗浄時によるエッジの破損を
防止する。 【構成】 光学研磨で仕上がったウエハー4の両面に、
研磨面を保護するためのカバーガラス3を接着剤で固定
しておき、このウエハー4をV型の切刃を有する切削用
ワイヤーソー1でチップ状に加工する。ウエハー4の両
面にはV型溝6,7が形成され、個々に切離したときに
は、面取りが施されたチップ5が得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物結晶から固体レ
ーザ発振素子を加工する場合において、結晶ウエハーか
ら正方形で、且つ面取りが施されたチップを製作する方
法及びこの方法に用いるチップ切削装置に関する。
ーザ発振素子を加工する場合において、結晶ウエハーか
ら正方形で、且つ面取りが施されたチップを製作する方
法及びこの方法に用いるチップ切削装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、結晶ウエハーの切削加工に際して
は、Nb:YVO4単結晶(以下NYVと略記する)か
らレーザ発振に適した面方位をX線測定で確認の後、ダ
イヤモンドワイヤーソーによって切削速度を0.5mm
/minとして、切削面に冷却用オイルを加えながら厚
さ1.5mmのウエハーに切削加工される。
は、Nb:YVO4単結晶(以下NYVと略記する)か
らレーザ発振に適した面方位をX線測定で確認の後、ダ
イヤモンドワイヤーソーによって切削速度を0.5mm
/minとして、切削面に冷却用オイルを加えながら厚
さ1.5mmのウエハーに切削加工される。
【0003】次いで、前記ウェハーの両面を面精度λ/
10以下(λ6328nm)、平行度10秒以内で、厚
さ1mmの光学研磨に仕上げた後、ダイシングマシーン
装置によって3mm角で、厚さ1mmのチップに切断さ
れる。
10以下(λ6328nm)、平行度10秒以内で、厚
さ1mmの光学研磨に仕上げた後、ダイシングマシーン
装置によって3mm角で、厚さ1mmのチップに切断さ
れる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】レーザ発振用NYVチ
ップには、一般的に光学研磨を施した面に、レーザ発振
波長にあったハードコートならび励起光に対する無反射
コート膜が作成される。
ップには、一般的に光学研磨を施した面に、レーザ発振
波長にあったハードコートならび励起光に対する無反射
コート膜が作成される。
【0005】その際、研磨面には、ほこり,油膜,キ
ズ,研磨剤等が一切ない状態でコーティングしなければ
ならない。
ズ,研磨剤等が一切ない状態でコーティングしなければ
ならない。
【0006】しかし、チップ面を清浄にするための洗浄
で、チップ面の面取りができていないと、面洗浄に用い
る綿棒等がエッジ部分に引っかかりエッジが欠け、研磨
面にキズを生じさせ、さらに洗浄が不完全になりやすい
ためコーティング膜の接着力が弱まり、これが剥がれの
原因となる。このため、従来は切削後の後処理としてチ
ップに面取り加工を行っていた。
で、チップ面の面取りができていないと、面洗浄に用い
る綿棒等がエッジ部分に引っかかりエッジが欠け、研磨
面にキズを生じさせ、さらに洗浄が不完全になりやすい
ためコーティング膜の接着力が弱まり、これが剥がれの
原因となる。このため、従来は切削後の後処理としてチ
ップに面取り加工を行っていた。
【0007】本発明の目的は、前記課題を解決したチッ
プ切削方法及び装置を提供することにある。
プ切削方法及び装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るチップ切削方法においては、切削用ワ
イヤーソーを用い、切削と面取りとを同時に行って、ウ
エハーから方形のチップを切り出すチップ切削方法であ
って、ウエハーの対応する両面に断面V型の溝を形成す
る工程と、V型の溝間でウエハーをチップに切離す工程
とを有するものである。
め、本発明に係るチップ切削方法においては、切削用ワ
イヤーソーを用い、切削と面取りとを同時に行って、ウ
エハーから方形のチップを切り出すチップ切削方法であ
って、ウエハーの対応する両面に断面V型の溝を形成す
る工程と、V型の溝間でウエハーをチップに切離す工程
とを有するものである。
【0009】また、チップ切削装置においては、ウエハ
ー切削用のワイヤーソーを有するチップ切削装置であっ
て、ワイヤーソーは、断面V型の切刃を有し、切刃の表
面には微粒子ダイヤモンドが埋込まれたものである。
ー切削用のワイヤーソーを有するチップ切削装置であっ
て、ワイヤーソーは、断面V型の切刃を有し、切刃の表
面には微粒子ダイヤモンドが埋込まれたものである。
【0010】
【作用】ウエハーを溝間で切離せば、面取りが施された
正方形のチップが得られる。
正方形のチップが得られる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図により説明す
る。
る。
【0012】本発明のチップ切削装置のポイントは切削
用ワイヤーソーの形状にあり、その断面は、図1に示す
ように、ワイヤーソー1の表面にダイヤモンド2が埋め
込まれたV字形断面の切刃を有する。
用ワイヤーソーの形状にあり、その断面は、図1に示す
ように、ワイヤーソー1の表面にダイヤモンド2が埋め
込まれたV字形断面の切刃を有する。
【0013】本発明のチップ切削装置には、長さ10m
のワイヤーソー1を切削面が左右にぶれないように取り
付ける。
のワイヤーソー1を切削面が左右にぶれないように取り
付ける。
【0014】次に図2(a)に示すように、1mmの厚
さに光学研磨されたウエハー4の両面に、厚さ0.3m
mのカバーガラス3を接着剤で固定した後、ダイヤモン
ドワイヤーソーの試料取り付け台に、チップ数量が最も
多く取れる向きに固定後、切削加工を行う。
さに光学研磨されたウエハー4の両面に、厚さ0.3m
mのカバーガラス3を接着剤で固定した後、ダイヤモン
ドワイヤーソーの試料取り付け台に、チップ数量が最も
多く取れる向きに固定後、切削加工を行う。
【0015】図2(b)において、切削加工は、加工ウ
エハーの一面をAとし、裏面をBとし、まず、A面につ
いて、ワイヤーソー1の移動速度を10m/minで、
試料へ切り込む速度を0.1mm/minとし、0.8
mmの深さに達したら次の切削に移り、3mm間隔で平
行移動し、ウエハーから外れた所で試料台を90度回転
後、再び前記と同じ操作を行ってA面側にV型溝6を3
mm角の正方形に形成する。
エハーの一面をAとし、裏面をBとし、まず、A面につ
いて、ワイヤーソー1の移動速度を10m/minで、
試料へ切り込む速度を0.1mm/minとし、0.8
mmの深さに達したら次の切削に移り、3mm間隔で平
行移動し、ウエハーから外れた所で試料台を90度回転
後、再び前記と同じ操作を行ってA面側にV型溝6を3
mm角の正方形に形成する。
【0016】A面が終わったところで加工ウエハーを裏
返し、B面を上にしてA面と同じ位置,間隔で切削を始
め、同じ操作を行い、V型溝7を形成し、個々に切離せ
ば図2(b)に示す面取りのできた状態のチップ5が製
作できる。加工ウエハーのA,B面の全てに3mm角の
正方形ができた後、有機溶剤による洗浄でカバーガラス
3を取り除き、チップ面にほこり,油膜,キズ,接着剤
等の不純物がないことを確認の後、密封容器に保管す
る。
返し、B面を上にしてA面と同じ位置,間隔で切削を始
め、同じ操作を行い、V型溝7を形成し、個々に切離せ
ば図2(b)に示す面取りのできた状態のチップ5が製
作できる。加工ウエハーのA,B面の全てに3mm角の
正方形ができた後、有機溶剤による洗浄でカバーガラス
3を取り除き、チップ面にほこり,油膜,キズ,接着剤
等の不純物がないことを確認の後、密封容器に保管す
る。
【0017】
【発明の効果】本発明によれば、切削後に総面取りのた
めの時間が不要となり、更に研磨面を損傷する要因が低
減することで良品率を向上できる効果を有する。
めの時間が不要となり、更に研磨面を損傷する要因が低
減することで良品率を向上できる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明装置に用いるワイヤーソーの切断面図で
ある。
ある。
【図2】(a)は、ウエハーにカバーグラスを取付けた
状態、(b)は、切削されたウエハーの切断面図であ
る。
状態、(b)は、切削されたウエハーの切断面図であ
る。
【符号の説明】 1 ワイヤーソー 2 ダイヤモンド 3 カバーガラス 4 ウエハー 5 チップ 6,7 V型溝
Claims (2)
- 【請求項1】 切削用ワイヤーソーを用い、切削と面取
りとを同時に行って、ウエハーから方形のチップを切り
出すチップ切削方法であって、 ウエハーの対応する両面に断面V型の溝を形成する工程
と、 V型の溝間でウエハーをチップに切離す工程とを有する
ことを特徴とするチップ切削方法。 - 【請求項2】 ウエハー切削用のワイヤーソーを有する
チップ切削装置であって、 ワイヤーソーは、断面V型の切刃を有し、 切刃の表面には微粒子ダイヤモンドが埋込まれたもので
あることを特徴とするチップ切削装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27480491A JPH0590404A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | チツプ切削方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27480491A JPH0590404A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | チツプ切削方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590404A true JPH0590404A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17546801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27480491A Pending JPH0590404A (ja) | 1991-09-26 | 1991-09-26 | チツプ切削方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590404A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003056613A1 (fr) * | 2001-12-25 | 2003-07-10 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur et procede de fabrication correspondant |
| CN100355030C (zh) * | 2002-09-02 | 2007-12-12 | 新光电气工业株式会社 | 半导体芯片及其制造方法 |
| CN114800212A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-07-29 | 东方日升新能源股份有限公司 | 一种hit用电池硅片及其制备方法 |
-
1991
- 1991-09-26 JP JP27480491A patent/JPH0590404A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003056613A1 (fr) * | 2001-12-25 | 2003-07-10 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur et procede de fabrication correspondant |
| CN100355030C (zh) * | 2002-09-02 | 2007-12-12 | 新光电气工业株式会社 | 半导体芯片及其制造方法 |
| CN114800212A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-07-29 | 东方日升新能源股份有限公司 | 一种hit用电池硅片及其制备方法 |
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