JPH0590700A

JPH0590700A - 半導体発光装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH0590700A
Application number: JP25147491A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Matsumoto; 信一松本; Kazuo Kasatani; 和生笠谷; Hiroshi Yasaka; 洋八坂
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: NTT Inc
Priority date: 1991-09-30
Filing date: 1991-09-30
Publication date: 1993-04-09

Abstract

(57)【要約】【目的】高抵抗層埋め込み構造半導体レーザにおい
て、素子の直列抵抗が低減され、かつ複数の電極を必要
とする素子に適用した場合、電極間の分離抵抗が十分に
とれるようにする。【構成】第１の導電型を有する半導体基板４と、この
基板上に配置され、第１の導電型を有するバッファ層
２、活性層１、および第２の導電型を有するクラッド層
３を少なくとも含み、かつストライプ状に形成されたメ
サストライプと、このメサストライプの両側面に配置さ
れた半絶縁性高抵抗層５を少なくとも備えた半導体発光
装置である。メサストライプの上面において、メサスト
ライプに沿って配置され、メサストライプよりも幅の広
い、第２の導電型を有するクラッド層８と電極層９から
なるストライプ状の積層体１３と、この第２の導電型を
有するストライプ状の積層体１３の両側面に配置された
半絶縁性高抵抗層６とを具えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体発光装置に関
し、特に光伝送用光源として重要である高抵抗層埋め込
み構造半導体レーザ、およびその製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】半絶縁性ＩｎＰ結晶を埋め込み層とする
高抵抗層埋め込み構造半導体レーザは、素子容量が小さ
く、高速変調が可能となることから、大容量光伝送用光
源として重要視されている。

【０００３】図５に、従来の高抵抗層埋め込み構造半導
体レーザの構造の断面図を示す（参考文献：佐々木達也
ほかジャーナルオブライトウェイブテクノロジー
（ＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉｇｈｔｗａｖｅＴｅｃ
ｈｎｏｌｏｇｙ）ｖｏｌ．８（１９９０）１３４３−
１３４９）。この素子は、ｎ−ＩｎＰ基板３１にｎ−Ｉ
ｎＧａＡｓＰガイド層３２、活性層３３を含むメサスト
ライプを形成し、その両わきを半絶縁性ＩｎＰ結晶を含
む電流阻止層３４によって埋め込んだ後、その上にｎ型
ＩｎＰバッファ層３５，さらに全面にｐ型ＩｎＰクラッ
ド層３６およびｐ型ＩｎＧａＡｓＰ電極層３７を形成
し、さらに両面にｎ型電極３８およびＰ型電極３９を形
成したものである。なお、４０は電極３９からの拡散防
止および絶縁のためのＳｉＯ₂ 層である。この素子で
は、活性層を含むメサストライプの両わきを、半絶縁性
ＩｎＰ結晶を含む電流阻止層によって埋め込んだのち、
素子全面にｐ型ＩｎＰクラッド層、およびｐ型ＩｎＧａ
ＡｓＰ電極層を形成している。これにより、素子内のｐ
型半導体層による抵抗が低減され、素子の直列抵抗が小
さくなり、高速動作、および高出力動作を実現するうえ
で有利となる。

【０００４】しかしながら、図５に示すような構造の埋
め込み構造半導体レーザを、複数の電極を有する素子に
適用しようとした場合、図６のように分離溝４１を形成
しても、素子全面にｐ型半導体層が形成されているた
め、広範囲にわたって電極間の導通経路が形成されてし
まう。このため、電極間の分離抵抗を十分にとることが
できない。

【０００５】図７に示すような、ｎ型バッファ層４２，
活性層４３，ｐ型クラッド層４４を含むメサストライプ
の両側を高抵抗の半絶縁性電流阻止層３４によって埋め
込んだだけの構造では、メサストライプ内のｐ型クラッ
ド層４４のみが電極間の導通経路となり、電極間の分離
抵抗をある程度確保することができる。しかしながら、
抵抗の大きなｐ型半導体層がストライプ幅に限定されて
いるため、図５に示した素子構造のように直列抵抗を低
減できず、高速動作、高出力動作を実現する上で不利と
なる。

【０００６】このように、従来の高抵抗層埋め込み構造
半導体レーザを、複数の電極を有する素子に適用しよう
とした場合、電極間の分離抵抗の確保と直列抵抗の低減
を同時に実現することが困難であった。

【０００７】さらに、高抵抗層埋め込み構造半導体レー
ザでは、素子容量低減のため、３μｍ程度の厚い高抵抗
層を必要とする。このため、メサストライプの高さもま
た高くなり、このような高いメサストライプの両わき
を、ＩｎＰへのＦｅドーピングが容易な有機金属気相成
長法によって埋め込む場合、異常成長が発生し、素子の
平坦化を実現することができない。このため、従来、メ
サストライプの形成工程において、図８に示すようなマ
スク４６に庇４６Ａを設け、異常成長の発生を抑えてい
た（参考文献：真田達行ほかアプライドフィジックス
レターズ（ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃＬｅｔｔ
ｅｒｓ）ｖｏｌ．５１（１９８７）１０５４−１０
５６）。しかし、庇の形成は、プロセスが複雑となるば
かりではなく、共振器方向に沿って活性層幅を均一に揃
えることが困難となる。また、プロセス工程の途中にお
いて庇が破損すると、平坦化埋め込みができなくなり、
素子作製歩留まりを著しく損うことになる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上述
した従来の問題を解決し、素子の直列抵抗が低減され、
かつ複数の電極を必要とする素子に適用しようとした場
合、電極間の分離抵抗が十分にとれる構造を有した高抵
抗層埋め込み構造半導体レーザを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明による半導体発光
装置は第１の導電型を有する半導体基板と、該基板上に
配置され、第１の導電型を有するバッファ層、活性層、
および第２の導電型を有するクラッド層を少なくとも含
み、かつストライプ状に形成されたメサストライプと、
該メサストライプの両側面に配置された半絶縁性高抵抗
層を少なくとも備えた半導体発光装置において、前記メ
サストライプの上面において、該メサストライプに沿っ
て配置され、該メサストライプよりも幅の広い、第２の
導電型を有するクラッド層と電極層からなるストライプ
状の積層体と、前記第２の導電型を有するストライプ状
の積層体の両側面に配置された半絶縁性高抵抗層とを具
えていることを特徴とする。

【００１０】本発明による製造方法は第１の導電型を有
する半導体基板上に、第１の導電型を有するクラッド
層、活性層、および第２の導電型を有するクラッド層を
この順序に積層して積層体を形成する工程と、前記積層
体の上に所定の形状のマスクを形成する工程と、前記マ
スクを介して、前記積層体を少なくとも前記活性層まで
エッチングしてメサストライプを形成する工程と、前記
メサストライプの両側面を半絶縁性高抵抗半導体層から
なる電流阻止層によって、埋め込む工程と、前記マスク
を除去して、前記メサストライプ、および前記電流阻止
層の上面に、第２の導電型を有するクラッド層、および
電極層を、この順序に積層して第２の積層体を形成する
工程と、前記第２の積層体の上に前記メサストライプよ
りも広い幅を有する、所定の形状の第２のマスクを形成
する工程と、前記第２のマスクを介して、前記第２の積
層体を少なくとも前記半絶縁性高抵抗ＩｎＰ半導体層に
至るまでエッチングして、第２の導電型を有するストラ
イプ状の積層体を形成する工程と、前記第２の導電型を
有するストライプ状の積層体の両側面を、半絶縁性高抵
抗半導体層からなる電流阻止層によって埋め込む工程と
を有することを特徴とする。

【００１１】さらに本発明による製造方法は第１の導電
型を有する半導体基板上に、第１の導電型を有するクラ
ッド層、活性層、および第２の導電型を有するクラッド
層をこの順序に積層して積層体を形成する工程と、前記
積層体の上に所定の形状のマスクを形成する工程と、前
記マスクを介して、前記積層体を少なくとも前記活性層
までエッチングしてメサストライプを形成する工程と、
前記メサストライプの両側面を、半絶縁性高抵抗半導体
層からなる電流阻止層によって埋め込む工程と、前記マ
スクを除去して、前記メサストライプ、および前記電流
阻止の上面に、第２の導電型を有するクラッド層、およ
び電極層を、この順序に積層して第２の積層体を形成す
る工程と、前記第２の積層体の上に少なくとも前記メサ
ストライプよりも広い幅を有する、所定の形状の第２の
マスクを形成する工程と、前記第２のマスクを介して、
前記第２の積層体を少なくとも前記半絶縁性高抵抗半導
体層に至るまでエッチングして、第２の導電型を有する
ストライプ状の積層体を形成し、同時に該第２の導電型
を有するストライプ状の積層体をメサストライプ方向に
沿って少なくとも２つ以上に分離する分離溝を形成する
工程と、前記第２の導電型を有するストライプ状の積層
体の両側面、および前記分離溝を、半絶縁性高抵抗半導
体層によって埋め込む工程とを有することを特徴とす
る。

【００１２】

【作用】本発明においては、活性層を含んだメサストラ
イプの上面において、メサストライプよりも幅が広く、
かつクラッド層と電極層から構成されたストライプ状の
積層体と、この積層体の両わきに配置された半絶縁性高
抵抗層とを有する。半絶縁高抵抗層はＦｅドーピングし
たＩｎＰ半導体結晶であることが望ましい。

【００１３】この素子では、複数の電極を有する素子に
適用しようとした場合、従来の素子構造では困難であっ
た電極間の分離抵抗の確保と、素子直列抵抗の低減を同
時に実現することができる。

【００１４】また、本発明では、３μｍ程度の厚い埋め
込み層を、２回の成長にわけて行うため、１回あたりの
埋め込み層の形成、すなわちメサストライプの高さが、
１．５μｍから２．０μｍと低くなる。このような低い
メサストライプの両わきは、マスクに庇を形成しなくて
も、有機金属気相成長法によって、平坦に埋め込むこと
ができる。このため、庇を備えたマスクの形成といった
複雑なプロセスが不要となり、素子の作製が容易とな
る。

【００１５】さらに、２回目の高抵抗埋め込み層形成時
において、第２の導電型を有するストライプ状の積層体
内に、積層体を少なくとも２つ以上の領域に分離する電
極間分離用の溝を形成しておけば、メサストライプ両わ
きの埋め込み層の形成と、分離溝内への電極分離層の形
成を同時に行うことができ、分離抵抗がより大きい素子
構造を実現することができる。

【００１６】

【実施例】以下に、本発明の実施例を図面を用いて説明
する。

【００１７】（実施例１）図１は、本発明の一実施例で
ある、ｎ基板ＦｅドープＩｎＰ埋め込み構造半導体レー
ザの構造を示す断面図である。

【００１８】活性層１は、発光波長１．３０μｍに相当
するＩｎＧａＡｓＰ半導体結晶である。活性層１は、ｎ
型（１００）ＩｎＰ基板４上のメサストライプ１２にお
いて、第１のｐ型ＩｎＰクラッド層３とｎ型ＩｎＰバッ
ファ層２に上下から挟まれている。

【００１９】メサストライプ１２の両わきは、第１の半
絶縁性ＩｎＰ電流阻止層５とｎ型ＩｎＰからなる導電性
ブロック層７によって埋め込まれている。

【００２０】第１のｐ型ＩｎＰクラッド層３の上には、
第２のｐ型ＩｎＰクラッド層８が、またその上には、ｐ
型電極１１と良好なコンタクトが得られるように、ｐ型
ＩｎＧａＡｓＰからなる電極層９が設けられている。

【００２１】第１の半絶縁性ＩｎＰ電流阻止層５と第２
のｐ型ＩｎＰクラッド層８との間に設置されている導電
性ブロック層７は、第２のｐ型ＩｎＰクラッド層８から
第１の半絶縁性電流阻止層５への正孔の注入を防ぎ、ダ
ブルインジェクションによるリーク電流の発生を抑えて
いる。

【００２２】第２のｐ型ＩｎＰクラッド層８と電極層９
から構成される積層体１３の両わきは、第２の半絶縁性
ＩｎＰ電流阻止層６によって埋め込まれており、素子の
平坦化が実現されている。

【００２３】ｎ型電極１０はｎ型ＩｎＰ基板４の全面
に、またｐ型電極１１は素子上面に形成されている。

【００２４】図２に本実施例の製造工程の各段階におい
て形成される構造の断面図を示す。

【００２５】まず、（１００）面ｎ型ＩｎＰ基板４（キ
ャリア濃度２×１０¹⁸ｃｍ^-3）上に、Ｓｅをドーパント
とするｎ型ＩｎＰバッファ層２（キャリア濃度１×１０
¹⁸ｃｍ^-3、厚さ１μｍ）、発光波長１．３０μｍに相当
するノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層１（厚さ０．１５
μｍ）、Ｚｎをドーパントとする第１のｐ型ＩｎＰクラ
ッド層３（キャリア濃度３×１０¹⁸ｃｍ^-3、厚さ０．２
μｍ）、発光波長１．３０μｍに相当するノンドープＩ
ｎＧａＡｓＰバッファ層１５（厚さ０．１μｍ）を減圧
有機金属気相成長法により形成したのち、ＳｉＯ₂ 膜１
４（厚さ０．１μｍ）からなる所定の形状のマスクを用
いて、高さ約２．０μｍ、幅約１．５μｍのメサストラ
イプ１２を作成する（図２（ａ））。

【００２６】次にメサストライプ１２の両わきを、減圧
有機金属気相成長法を用いて、ＦｅドープＩｎＰ層によ
って埋め込み、第１の半絶縁性電流阻止層５、およびＳ
ｅをドーパントとするｎ型ＩｎＰ導電性ブロック層７
（キャリア濃度１×１０¹⁸ｃｍ^-3、厚さ０．３μｍ）を
形成する（図２（ｂ））。

【００２７】こののち、ＳｉＯ₃ 膜１４、およびＩｎＧ
ａＡｓＰバッファ層１５を除去し、減圧有機金属気相成
長法によって、第２のｐ型ＩｎＰクラッド層８（キャリ
ア濃度１×１０¹⁸ｃｍ^-3、厚さ１μｍ）、およびｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ電極層９（キャリア濃度１×１０¹⁸ｃ
ｍ^-3、厚さ０．５μｍ）を形成する（図２（ｃ））。そ
してＳｉＯ₂ 膜１６（厚さ０．１μｍ）からなる所定の
形状のマスクを用いて、第１の半絶縁性電流阻止層５に
至るまでエッチングし、高さ約２．０μｍ、幅約５．０
μｍ程度のストライプ状の積層体１３を作成する（図２
（ｄ））。

【００２８】このストライプ状の積層体１３の両わき
を、減圧有機金属気相成長法を用いて、ＦｅドープＩｎ
Ｐ層によって埋め込み、第２の半絶縁性電流阻止層６を
形成する。

【００２９】最後に、電極１０および１１を形成し、個
々のレーザチップに切り出して、図１に示すような構造
のレーザを得た。

【００３０】製作された半導体レーザの室温における特
性は、発振しきい値電流１２ｍＡ、外部微分量子効率
０．２５ｍＷ／ｍＡ、最高出力２０ｍＷであった。素子
の直列抵抗は、３Ω程度と低く、変調強度が３ｄＢ低下
する遮断周波数も１３ＧＨｚであった。

【００３１】（実施例２）図３は、本発明の一実施例で
ある、ｎ基板ＦｅドープＩｎＰ埋め込み構造半導体レー
ザの構造を示す断面図である。

【００３２】活性層１は、発光波長１．３０μｍに相当
するＩｎＧａＡｓＰ半導体結晶である。また、ガイド層
１６は、発光波長１．１μｍに相当するＩｎＧａＡｓＰ
半導体結晶である。活性層１、およびガイド層１６は、
ｎ型ＩｎＰ基板４上のメサストライプ１２において、第
１のｐ型ＩｎＰクラッド層３とｎ型ＩｎＰバッファ層２
に上下から挟まれている。

【００３３】メサストライプ１２の両わきは、第１の半
絶縁性ＩｎＰ電流阻止層５とｎ型ＩｎＰからなる導電性
ブロック層７によって埋め込まれている。

【００３４】第１のｐ型ＩｎＰクラッド層３の上には、
第２のｐ型ＩｎＰクラッド層８が、またその上には、ｐ
型電極１１と良好なコンタクトが得られるように、ｐ型
ＩｎＧａＡｓＰからなる電極層９が設けられている。

【００３５】第１の半絶縁性ＩｎＰ電流阻止層５と第２
のｐ型ＩｎＰクラッド層８との間に設置されている導電
性ブロック層７は、第２のｐ型ＩｎＰクラッド層８から
第１の半絶縁性電流阻止層５への正孔の注入を防ぎ、ダ
ブルインジェクションによるリーク電流の発生を抑えて
いる。

【００３６】第２のｐ型ＩｎＰクラッド層８と電極層９
から構成されるストライプ状の積層体１３の両わきは、
第２の半絶縁性ＩｎＰ電流阻止層６によって埋め込まれ
ており、素子の平坦化が実現されている。また、積層体
１３は、電極間分離層１７によって、第１の注入領域１
８と、第２の注入領域１９の２つの領域に分離されてい
る。

【００３７】ｎ型電極１０はｎ型ＩｎＰ基板４の全面
に、またｐ型電極１１および２０がそれぞれ第１の注入
領域１８と第２の注入領域１９の各電極の上面に形成さ
れている。

【００３８】図４に本実施例の製造工程の各段階におい
て形成される構造を示す。図４（ａ）〜（ｄ）はそれぞ
れ断面図、（ｅ）は斜視図、（ｆ）は図２（ｅ）におけ
るＡ−Ａ′線に沿った断面図である。

【００３９】まず、（１００）面ｎ型ＩｎＰ基板４（キ
ャリア濃度２×１０¹⁸ｃｍ^-3）上に、Ｓｅをドーパント
とするｎ型ＩｎＰバッファ層２（キャリア濃度１×１０
¹⁸ｃｍ^-3、厚さ１μｍ）、発光波長１．３０μｍに相当
するノンドープＩｎＧａＡｓＰ活性層１（厚さ０．１５
μｍ）、発光波長１．０μｍに相当するノンドープＩｎ
ＧａＡｓＰガイド層１６（厚さ０．１０μｍ）、および
Ｚｎをドーパントとする第１のｐ型ＩｎＰクラッド層３
（キャリア濃度３×１０¹⁸ｃｍ^-3、厚さ０．２μｍ）、
発光波長１．３０μｍに相当するノンドープＩｎＧａＡ
ｓＰバッファ層１５（厚さ０．１μｍ）を減圧有機金属
気相成長法により形成したのちＳｉＯ₂膜１４（厚さ
０．１μｍ）からなる所定の形状のマスクを用いて、高
さ約２．０μｍ、幅約１．５μｍのメサストライプ１２
を作成する（図４（ａ））。

【００４０】次にメサストライプ１２の両わきを、減圧
有機金属気相成長法を用いて、ＦｅドープＩｎＰ層によ
って埋め込み、第１の半絶縁性電流阻止層５、およびＳ
ｅをドーパントとするｎ型ＩｎＰ導電性ブロック層７
（キャリア濃度１×１０¹⁸ｃｍ^-3、厚さ０．３μｍ）を
形成する（図４（ｂ））。

【００４１】こののち、ＳｉＯ₂ 膜１４、およびＩｎＧ
ａＡｓＰバッファ層１５を除去し、減圧有機金属気相成
長法によって、第２のｐ型ＩｎＰクラッド層８（キャリ
ア濃度１×１０¹⁸ｃｍ^-3、厚さ１μｍ）、およびｐ型Ｉ
ｎＧａＡｓＰ電極層９（キャリア濃度１×１０¹⁸ｃ
ｍ^-3、厚さ１μｍ）を形成する（図４（ｃ））。そし
て、ＳｉＯ₂ 膜２１（厚さ０．１μｍ）からなる所定の
形状のマスクを用いて、第１の半絶縁性電流阻止層５に
至るまでエッチングし、高さ約２．０μｍ、幅約５．０
μｍ程度のストライプ状の積層体１３、および分離溝２
２を形成し、第１の注入領域１７と第２の注入領域１８
を形成する（図４（ｄ）、（ｅ））。

【００４２】分離溝の形成は、ＩｎＰとＩｎＧａＡｓＰ
の選択エッチング液を用い、ＩｎＰのみをエッチングす
る。このとき、図４（ｅ）のＡ−Ａ′に沿った断面図で
ある図４（ｆ）に示すように、オーバーエッチングにな
ったとしてもガイド層１６がエッチングストッパー層と
なり、活性層下のｎ型ＩｎＰバッファ層が逆メサ形状に
なるだけで、素子製作上問題を生じない。

【００４３】そして、このストライプ状の積層体１３の
両わき、および分離溝２２を、減圧有機金属気相成長法
を用いて、ＦｅドープＩｎＰ層によって埋め込み、第２
の半絶縁性電流阻止層６、および電極間分離層１７を形
成する。

【００４４】最後に、電極１０、および１１，２０を形
成し、個々のレーザチップに切り出して、図３に示すよ
うな構造のレーザを得た。

【００４５】第１および第２の注入領域のｐ型電極間
に、１０Ｖ印加したときのリーク電流から求めた分離抵
抗は１０Ω以上であり、十分な電極間分離抵抗を確保す
ることができた。

【００４６】

【発明の効果】以上述べてきたように、本発明によれば
素子上面の全面にクラッド層、および電極層を形成する
ことなく、素子の直列抵抗の低い高抵抗層埋め込み構造
半導体レーザを作製することができた。また、埋め込み
層の形成を２回に分けることで、従来厚い埋め込み層の
形成に必要であった、庇を備えたマスクを用いることな
く、異常成長のない平坦化埋め込み成長が実現できた。
これにより、庇を備えたマスクの作製といった複雑なプ
ロセスが省略され、素子作製が容易になるとともに、素
子作製中における庇の破損といった問題がなくなり、素
子作製歩留りが著しく向上した。

【００４７】また、本発明による素子を、複数の電極を
備えた素子に適用した場合、電極間の導通経路がストラ
イプ幅に限定されるため、電極間の分離抵抗を十分に確
保することができた。

【００４８】さらに、本発明では、高抵抗層の形成を２
回に分けて行うため、２回めの高抵抗埋め込み成長時に
おいて、メサストライプに分離溝を形成しておくこと
で、電極分離層の形成と高抵抗埋め込み層の形成を同時
に行うことができた。これにより、電極間の分離抵抗が
大きな素子を、簡便なプロセスによって作製することが
できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一の実施例である高抵抗層埋め込み
構造半導体レーザの斜視図である。

【図２】第一の実施例の製造工程の各段階において形成
される構造を示す断面図である。

【図３】本発明の第二の実施例である高抵抗層埋め込み
構造半導体レーザの断面図である。

【図４】第二の実施例の製造工程の各段階において形成
される構造を示す図である。

【図５】素子上面の全面にクラッド層と電極層を有する
従来の高抵抗層埋め込み構造半導体レーザの一例を示す
断面図である。

【図６】素子上面の全面にクラッド層と電極層を有する
従来の高抵抗層埋め込み構造半導体レーザを、複数の電
極を有する素子に適用した場合の素子構造を示す斜視図
である。

【図７】メサストライプ内にクラッド層と電極層を有す
る従来の高抵抗層埋め込み構造半導体レーザの断面図で
ある。

【図８】従来技術における平坦化埋め込み成長のために
メサストライプ上に設けられた庇を有するマスクを示す
断面図である。

【符号の説明】

１活性層２ｎ型ＩｎＰバッファ層３第１のｐ型ＩｎＰクラッド層４ｎ型ＩｎＰ基板５第１の半絶縁性電流阻止層６第２の半絶縁性電流阻止層７ｎ型ＩｎＰ導電性ブロック層８第２のｐ型ＩｎＰクラッド層９ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ電極層１０ｎ型電極１１ｐ型電極１２メサストライプ１３積層体１４，２１ＳｉＯ₂ マスク１５ＩｎＧａＡｓＰバッファ層１６ガイド層１７電極間分離層１８第１の注入領域１９第２の注入領域２０ｐ型電極２２電極間分離溝

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の導電型を有する半導体基板と、該基板上に配置され、第１の導電型を有するバッファ
層、活性層、および第２の導電型を有するクラッド層を
少なくとも含み、かつストライプ状に形成されたメサス
トライプと、該メサストライプの両側面に配置された半絶縁性高抵抗
層を少なくとも備えた半導体発光装置において、前記メサストライプの上面において、該メサストライプ
に沿って配置され、該メサストライプよりも幅の広い、
第２の導電型を有するクラッド層と電極層からなるスト
ライプ状の積層体と、前記第２の導電型を有するストライプ状の積層体の両側
面に配置された半絶縁性高抵抗層とを具えていることを
特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】前記第２の導電型を有するストライプ状
の積層体が、半絶縁性高抵抗半導体からなる電極分離層
によって、少なくとも２つ以上の領域に分離されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】前記半絶縁性高抵抗層がＦｅをドーピン
グしたＩｎＰ層であることを特徴とする請求項１または
２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】第１の導電型を有する半導体基板上に、
第１の導電型を有するクラッド層、活性層、および第２
の導電型を有するクラッド層をこの順序に積層して積層
体を形成する工程と、前記積層体の上に所定の形状のマスクを形成する工程
と、前記マスクを介して、前記積層体を少なくとも前記活性
層までエッチングしてメサストライプを形成する工程
と、前記メサストライプの両側面を半絶縁性高抵抗半導体層
からなる電流阻止層によって埋め込む工程と、前記マスクを除去して、前記メサストライプ、および前
記電流阻止層の上面に、第２の導電型を有するクラッド
層、および電極層を、この順序に積層して第２の積層体
を形成する工程と、前記第２の積層体の上に前記メサストライプよりも広い
幅を有する、所定の形状の第２のマスクを形成する工程
と、前記第２のマスクを介して、前記第２の積層体を少なく
とも前記半絶縁性高抵抗ＩｎＰ半導体層に至るまでエッ
チングして、第２の導電型を有するストライプ状の積層
体を形成する工程と、前記第２の導電型を有するストライプ状の積層体の両側
面を、半絶縁性高抵抗半導体層からなる電流阻止層によ
って埋め込む工程と、を有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項５】第１の導電型を有する半導体基板上に、
第１の導電型を有するクラッド層、活性層、および第２
の導電型を有するクラッド層をこの順序に積層して積層
体を形成する工程と、前記積層体の上に所定の形状のマスクを形成する工程
と、前記マスクを介して、前記積層体を少なくとも前記活性
層までエッチングしてメサストライプを形成する工程
と、前記メサストライプの両側面を、半絶縁性高抵抗半導体
層からなる電流阻止層によって埋め込む工程と、前記マスクを除去して、前記メサストライプ、および前
記電流阻止の上面に、第２の導電型を有するクラッド
層、および電極層を、この順序に積層して第２の積層体
を形成する工程と、前記第２の積層体の上に少なくとも前記メサストライプ
よりも広い幅を有する、所定の形状の第２のマスクを形
成する工程と、前記第２のマスクを介して、前記第２の積層体を少なく
とも前記半絶縁性高抵抗半導体層に至るまでエッチング
して、第２の導電型を有するストライプ状の積層体を形
成し、同時に該第２の導電型を有するストライプ状の積
層体をメサストライプ方向に沿って少なくとも２つ以上
に分離する分離溝を形成する工程と、前記第２の導電型を有するストライプ状の積層体の両側
面、および前記分離溝を、半絶縁性高抵抗半導体層によ
って埋め込む工程と、を有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。