JPH0590700U - 冗長回路を有する半導体メモリの試験装置 - Google Patents
冗長回路を有する半導体メモリの試験装置Info
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- JPH0590700U JPH0590700U JP2914692U JP2914692U JPH0590700U JP H0590700 U JPH0590700 U JP H0590700U JP 2914692 U JP2914692 U JP 2914692U JP 2914692 U JP2914692 U JP 2914692U JP H0590700 U JPH0590700 U JP H0590700U
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 230000008439 repair process Effects 0.000 claims abstract description 36
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- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 冗長回路を有する半導体メモリの試験装置の
半導体メモリ試験ユニットのスループットを向上せしめ
る。 【構成】 ドライバ信号、期待値パターンその他の信号
を発生する信号発生部1、試験されるべき半導体メモリ
2の出力データと期待値パターンとを比較する論理比較
部3および論理比較部3が出力するフェイル情報を記憶
するフェイル・メモリ4より成る半導体メモリ試験ユニ
ットを具備し、フェイル・メモリ4に記憶されるフェイ
ル情報を転送記憶するバッファ・メモリ6およびバッフ
ァ・メモリ6にアクセスして半導体メモリ2をリペアす
るリペア解析部5より成る救済処理ユニットを具備す
る。
半導体メモリ試験ユニットのスループットを向上せしめ
る。 【構成】 ドライバ信号、期待値パターンその他の信号
を発生する信号発生部1、試験されるべき半導体メモリ
2の出力データと期待値パターンとを比較する論理比較
部3および論理比較部3が出力するフェイル情報を記憶
するフェイル・メモリ4より成る半導体メモリ試験ユニ
ットを具備し、フェイル・メモリ4に記憶されるフェイ
ル情報を転送記憶するバッファ・メモリ6およびバッフ
ァ・メモリ6にアクセスして半導体メモリ2をリペアす
るリペア解析部5より成る救済処理ユニットを具備す
る。
Description
【0001】
この考案は、冗長回路を有する半導体メモリの試験装置に関し、特にフェイル ・メモリに記憶されるフェイル情報を転送記憶するバッファ・メモリを具備する 半導体メモリ試験装置に関する。
【0002】
冗長回路を有する半導体メモリの試験装置の従来例を図1(a)を参照して説 明する。1は信号発生部であり、タイミング・ジェネレータ、パターン・ジェネ レータ、フォーマット・コントローラ、電圧入出力回路その他の回路より成り、 試験されるべき半導体メモリ2に供給されるドライバ信号、論理比較部3におい て使用される期待値パターン、タイミング信号、その他の信号を発生するもので ある。試験されるべき半導体メモリ2は冗長回路を有する半導体メモリであり、 その内部セルには信号発生部1が出力するドライバ信号を印加してライト動作が 実施され、次いでリード動作を実施することにより得られるデータを論理比較部 3に供給する。論理比較部3は、試験されるべき半導体メモリ2から供給される データと信号発生部1から供給される期待値パターン・データとを、信号発生部 1から供給されるタイミング信号により指定されるタイミングにおいて論理比較 し、その結果即ち半導体メモリ2についての良否判定結果をフェイル情報として フェイル・メモリ4に送り込むものである。このフェイル・メモリ4に送り込ま れるフェイル情報の内容は、フェイル・セルのアドレス情報、半導体メモリ情報 、データ・ビット情報その他の情報である。5はリペア解析部であり、フェイル ・メモリ4に記憶されたフェイル情報に基づいて冗長回路を有する半導体メモリ 2の救済解を求め、これに救済処理を施すものである。なお、試験の流れは図1 (b)に示される通りである。
【0003】 この従来例の半導体メモリ試験ユニットは信号発生部1、論理比較部3および フェイル・メモリ4より成り、救済処理ユニットはフェイル・メモリ4およびリ ペア解析部5より成る。
【0004】
上述した通りの冗長回路を有する半導体メモリの試験装置は、試験されるべき 半導体メモリ2から供給されるデータと信号発生部1から供給される期待値パタ ーン・データとを論理比較部3において論理比較し、その結果即ち半導体メモリ 2についての良否判定結果をフェイル情報としてフェイル・メモリ4に送り込ん だところで、これに直接にリペア解析部5がアクセスすることにより救済解を求 める構成とされている。そのために、救済処理が終了するまで試験が完了したも のとは言えず、フェイル・メモリ4のフェイル情報内容をリセットすることはで きない。即ち、リペア解析部5による救済処理が終了したところでフェイル情報 内容をリセットし、ここにおいて初めて次の試験にとりかかることができる、と いうものである。試験の開始からこれが完了する迄の全試験時間は、半導体メモ リ試験ユニットが動作する純粋の試験時間と救済処理ユニットが動作する救済処 理時間をとを相加した時間である。半導体メモリ試験ユニットのみのスループッ トをみると、このスループットは救済処理ユニットが動作する救済処理時間によ り低下せしめられる。
【0005】 この考案は、冗長回路を有する半導体メモリの試験装置の半導体メモリ試験ユ ニットのスループットを向上せしめようとするものである。
【0006】
ドライバ信号、期待値パターンその他の信号を発生する信号発生部1、試験さ れるべき半導体メモリ2の出力データと期待値パターンとを比較する論理比較部 3および論理比較部3が出力するフェイル情報を記憶するフェイル・メモリ4よ り成る半導体メモリ試験ユニットを具備し、フェイル・メモリ4に記憶されるフ ェイル情報を転送記憶するバッファ・メモリ6およびバッファ・メモリ6にアク セスして半導体メモリ2をリペアするリペア解析部5より成る救済処理ユニット を具備することを特徴とする冗長回路を有する半導体メモリの試験装置、を構成 した。
【0007】
この考案の実施例を図2を参照して説明する。 図2(a)において、1は信号発生部であり、タイミング・ジェネレータ、パ ターン・ジェネレータ、フォーマット・コントローラ、電圧入出力回路その他の 回路より成り、試験されるべき半導体メモリ2に供給されるドライバ信号、論理 比較部3において使用される期待値パターン、タイミング信号、その他の信号を 発生するものである。試験されるべき半導体メモリ2は冗長回路を有する半導体 メモリであり、その内部セルには信号発生部1が出力するドライバ信号を印加し てライト動作が実施され、次いでリード動作を実施することにより得られるデー タを論理比較部3に供給する。論理比較部3は、試験されるべき半導体メモリ2 から供給されるデータと信号発生部1から供給される期待値パターン・データと を、信号発生部1から供給されるタイミング信号により指定されるタイミングに おいて論理比較し、その結果即ち半導体メモリ2についての良否判定結果をフェ イル情報としてフェイル・メモリ4に送り込むものである。このフェイル・メモ リ4に送り込まれるフェイル情報の内容は、フェイル・セルのアドレス情報、半 導体メモリ情報、データ・ビット情報その他の情報である。6はこの考案により 付加されたバッファ・メモリである。このバッファ・メモリ6は従来例における フェイル・メモリ4とリペア解析部5との間に介在接続され、フェイル・メモリ 4の記憶内容がそのまま転送記憶されるメモリである。5はリペア解析部である が、従来例とは異なってフェイル・メモリ4の記憶内容に直接アクセスすること はせずに、フェイル・メモリ4からバッファ・メモリ6にそのまま転送記憶され たフェイル情報にアクセスし、このフェイル情報に基づいて冗長回路を有する半 導体メモリ2の救済解を求め、これに救済処理を施すものである。
【0008】 この考案の半導体メモリ試験ユニットは、従来例と同様に、信号発生部1、論 理比較部3およびフェイル・メモリ4より成る。救済処理ユニットは、従来例と は異なり、バッファ・メモリ6およびリペア解析部5より成る。 半導体メモリ試験装置の半導体メモリ試験ユニットは、冗長回路を有する半導 体メモリ2を試験してその試験データに基づいてこれを救済するに際して、半導 体メモリ2についての良否判定結果であるフェイル情報がフェイル・メモリ4に 送り込まれると、このフェイル情報を直ちにバッファ・メモリ6にそのまま転送 記憶せしめる。なお、試験の流れは図2(b)に示される通りである。フェイル 情報がフェイル・メモリ4からバッファ・メモリ6に転送記憶せしめられたとこ ろでフェイル・メモリ4をリセットし、直ちに次の試験を開始することができる 。救済処理ユニットは、半導体メモリ試験ユニットとは独立に並列的に、リペア 解析部5がバッファ・メモリ6にアクセスして半導体メモリ2の救済処理を実施 する。
【0009】
冗長回路を有する半導体メモリ2についての上述の通りの試験においては、一 般に、半導体メモリ試験ユニットによる良否判定試験時間と救済処理ユニットに よる救済処理時間はほぼ等しく、フェイル・メモリ4からバッファ・メモリ6へ のフェイル情報の転送時間はこれらの1/10程度である。
【0010】 試験の開始からこれが完了する迄の全試験時間についてみると、これはフェイ ル情報の転送時間が付加される分だけ増加し、従って半導体メモリ試験装置のス ループットは低下する。しかし、半導体メモリ試験ユニットが動作する純粋の試 験時間についてみると、フェイル情報の転送時間は救済処理時間と比較して上述 の通り小さいので、これは(救済処理時間−フェイル情報の転送時間)減少する 分だけ減少し、従って半導体メモリ試験ユニットのスループットは向上するに到 る。
【0011】 以上の通りであって、半導体メモリ試験装置のスループットは低下するように みえても、半導体メモリ試験ユニット自体のスループットを向上せしめることに よる半導体メモリ試験装置の利用効率の向上、半導体メモリ試験の作業性の向上 その他の効果を勘案すると、結局、冗長回路を有する半導体メモリの試験および 救済処理は容易になる。
【図1】半導体メモリ試験装置の従来例を説明する図で
あり、図1(a)はそのブロック図、図2(b)はその
試験の流れを示す図である。
あり、図1(a)はそのブロック図、図2(b)はその
試験の流れを示す図である。
【図2】この考案の実施例を説明する図であり、図2
(a)はこの考案の半導体メモリ試験装置のブロック
図、図2(b)はこの考案の半導体メモリ試験装置の試
験の流れを示す図である。
(a)はこの考案の半導体メモリ試験装置のブロック
図、図2(b)はこの考案の半導体メモリ試験装置の試
験の流れを示す図である。
1 信号発生部 2 試験されるべき半導体メモリ 3 論理比較部 4 フェイル・メモリ 5 リペア解析部 6 バッファ・メモリ
【手続補正書】
【提出日】平成5年5月26日
【手続補正1】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図2
【補正方法】変更
【補正内容】
【図2】
Claims (1)
- 【請求項1】 ドライバ信号、期待値パターンその他の
信号を発生する信号発生部、試験されるべき半導体メモ
リの出力データと期待値パターンとを比較する論理比較
部および論理比較部が出力するフェイル情報を記憶する
フェイル・メモリより成る半導体メモリ試験ユニットを
具備し、フェイル・メモリに記憶されるフェイル情報を
転送記憶するバッファ・メモリおよびバッファ・メモリ
にアクセスして半導体メモリをリペアするリペア解析部
より成る救済処理ユニットを具備することを特徴とする
冗長回路を有する半導体メモリの試験装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992029146U JP2581788Y2 (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | 冗長回路を有する半導体メモリの試験装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992029146U JP2581788Y2 (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | 冗長回路を有する半導体メモリの試験装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590700U true JPH0590700U (ja) | 1993-12-10 |
| JP2581788Y2 JP2581788Y2 (ja) | 1998-09-24 |
Family
ID=12268128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992029146U Expired - Lifetime JP2581788Y2 (ja) | 1992-05-01 | 1992-05-01 | 冗長回路を有する半導体メモリの試験装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2581788Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003034082A1 (en) * | 2001-10-15 | 2003-04-24 | Advantest Corporation | Application specific event based semiconductor memory test system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0453100A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-20 | Hitachi Ltd | メモリ試験装置 |
-
1992
- 1992-05-01 JP JP1992029146U patent/JP2581788Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0453100A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-20 | Hitachi Ltd | メモリ試験装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003034082A1 (en) * | 2001-10-15 | 2003-04-24 | Advantest Corporation | Application specific event based semiconductor memory test system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2581788Y2 (ja) | 1998-09-24 |
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