JPH0590862A - 半導体複合素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体複合素子およびその製造方法Info
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- JPH0590862A JPH0590862A JP24974891A JP24974891A JPH0590862A JP H0590862 A JPH0590862 A JP H0590862A JP 24974891 A JP24974891 A JP 24974891A JP 24974891 A JP24974891 A JP 24974891A JP H0590862 A JPH0590862 A JP H0590862A
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Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面弾性波素子およびその周辺回路を備える
デバイスにおいて、より小型化が可能なデバイスを提供
する。 【構成】 半導体基板１と、半導体基板１上の所定の領
域Ａに設けられるダイヤモンド層２と、ダイヤモンド層
２上では少なくともくし型電極５ａおよび５ｂにされ、
かつダイヤモンド層２上および半導体基板１上にわたっ
て設けられる導電層４と、ダイヤモンド層２上にくし型
電極５ａおよび５ｂを挟んで設けられる圧電体層７と、
半導体基板１でダイヤモンド層２が設けられた領域Ａの
近傍Ｂに設けられ、配線層６を介してくし型電極５ｂと
電気的に接続される半導体回路（図示省略）とを備える
半導体複合素子。
デバイスにおいて、より小型化が可能なデバイスを提供
する。 【構成】 半導体基板１と、半導体基板１上の所定の領
域Ａに設けられるダイヤモンド層２と、ダイヤモンド層
２上では少なくともくし型電極５ａおよび５ｂにされ、
かつダイヤモンド層２上および半導体基板１上にわたっ
て設けられる導電層４と、ダイヤモンド層２上にくし型
電極５ａおよび５ｂを挟んで設けられる圧電体層７と、
半導体基板１でダイヤモンド層２が設けられた領域Ａの
近傍Ｂに設けられ、配線層６を介してくし型電極５ｂと
電気的に接続される半導体回路（図示省略）とを備える
半導体複合素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高周波フィルタなど
に用いられる表面弾性波素子とその周辺回路を備える半
導体複合素子およびその製造方法に関する。
に用いられる表面弾性波素子とその周辺回路を備える半
導体複合素子およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面弾性波素子は、弾性体表面を伝播す
る表面波を利用した電気−機械変換素子であり、たとえ
ば、図２に示すような一般的構造を有する。表面弾性波
素子２０において、表面波の励振には圧電体２１による
圧電現象が利用される。圧電体２１に設けられた一方の
くし型電極２２に電気信号を印加すると、圧電体２１に
歪が生じ、これが表面弾性波となって圧電体２１を伝播
し、もう一方のくし型電極２３で電気信号として取出さ
れる。この素子の周波数特性は、図に示すように、くし
型電極における電極の周期をλ0 、表面弾性波の速度を
νとすれば、ｆ0 ＝ν／λ0 で定められる周波数ｆ0 を
中心とした帯域通過特性となる。
る表面波を利用した電気−機械変換素子であり、たとえ
ば、図２に示すような一般的構造を有する。表面弾性波
素子２０において、表面波の励振には圧電体２１による
圧電現象が利用される。圧電体２１に設けられた一方の
くし型電極２２に電気信号を印加すると、圧電体２１に
歪が生じ、これが表面弾性波となって圧電体２１を伝播
し、もう一方のくし型電極２３で電気信号として取出さ
れる。この素子の周波数特性は、図に示すように、くし
型電極における電極の周期をλ0 、表面弾性波の速度を
νとすれば、ｆ0 ＝ν／λ0 で定められる周波数ｆ0 を
中心とした帯域通過特性となる。
【０００３】表面弾性波素子は部品点数が少なく、小型
にすることができ、しかも表面波の伝播経路上において
信号の出入れが容易である。この素子は、フィルタ、遅
延線、発振器、共振器、コンボルバおよび相関器等に応
用することができる。特に、表面弾性波フィルタは、早
くからテレビの中間周波数フィルタとして実用化され、
さらにＶＴＲおよび各種の通信機器用フィルタに応用さ
れてきている。
にすることができ、しかも表面波の伝播経路上において
信号の出入れが容易である。この素子は、フィルタ、遅
延線、発振器、共振器、コンボルバおよび相関器等に応
用することができる。特に、表面弾性波フィルタは、早
くからテレビの中間周波数フィルタとして実用化され、
さらにＶＴＲおよび各種の通信機器用フィルタに応用さ
れてきている。
【０００４】この表面弾性波素子は、ＬｉＮｂＯ3 やＬ
ｉＴａＯ3 等の圧電体単結晶上にくし型電極を形成する
ことによって製造されてきたが、近年、ＺｎＯ等の圧電
体薄膜をガラス等の基板上にスパッタ等の技術で成膜し
たものが用いられるようになってきている。しかしなが
ら、ガラス上に成膜したＺｎＯ等の圧電体薄膜は通常配
向性のある多結晶質であり、散乱により損失が多く、ま
た１００ＭＨｚ以上の高周波帯で使用するには適してい
なかった。
ｉＴａＯ3 等の圧電体単結晶上にくし型電極を形成する
ことによって製造されてきたが、近年、ＺｎＯ等の圧電
体薄膜をガラス等の基板上にスパッタ等の技術で成膜し
たものが用いられるようになってきている。しかしなが
ら、ガラス上に成膜したＺｎＯ等の圧電体薄膜は通常配
向性のある多結晶質であり、散乱により損失が多く、ま
た１００ＭＨｚ以上の高周波帯で使用するには適してい
なかった。
【０００５】一方、上記表面弾性波素子に関して、たと
えば、移動通信等の分野に用いられる表面弾性波フィル
タなどは、より高い周波数域で使用できる素子が望まれ
ている。上式で示されるように、電極の周期λ0 がより
小さくなるか、または表面波の速度νがより大きくなれ
ば、素子の周波数特性はより高い中心周波数ｆ0 を有す
るようになる。
えば、移動通信等の分野に用いられる表面弾性波フィル
タなどは、より高い周波数域で使用できる素子が望まれ
ている。上式で示されるように、電極の周期λ0 がより
小さくなるか、または表面波の速度νがより大きくなれ
ば、素子の周波数特性はより高い中心周波数ｆ0 を有す
るようになる。
【０００６】そこで、弾性波がより速く伝播される材料
（たとえばサファイアおよびダイヤモンド等）上に圧電
体膜を積層させた表面弾性波素子が開発されてきている
（たとえば、特開昭５４−３８８７４および特開昭６４
−６２９１１）。
（たとえばサファイアおよびダイヤモンド等）上に圧電
体膜を積層させた表面弾性波素子が開発されてきている
（たとえば、特開昭５４−３８８７４および特開昭６４
−６２９１１）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したより高い周波
数域で使用できる素子に関して、特にダイヤモンドを用
いる素子はｆ0 をより大きくする点で優れている。この
ダイヤモンドを用いる素子において、たとえば表面弾性
波フィルタは増幅回路等に接続されて用いられる。この
場合、たとえば増幅回路となる半導体集積回路と表面弾
性波フィルタは従来、それぞれ単独で作製され、機器に
組込まれてきた。また、最近では移動体通信デバイスに
おいて、表面弾性波フィルタはダウンサイジングのため
デバイス内に表面実装されてきている。しかしながら、
このような形態で半導体回路および表面弾性波素子を備
えるデバイスをより小型化するには限界があった。
数域で使用できる素子に関して、特にダイヤモンドを用
いる素子はｆ0 をより大きくする点で優れている。この
ダイヤモンドを用いる素子において、たとえば表面弾性
波フィルタは増幅回路等に接続されて用いられる。この
場合、たとえば増幅回路となる半導体集積回路と表面弾
性波フィルタは従来、それぞれ単独で作製され、機器に
組込まれてきた。また、最近では移動体通信デバイスに
おいて、表面弾性波フィルタはダウンサイジングのため
デバイス内に表面実装されてきている。しかしながら、
このような形態で半導体回路および表面弾性波素子を備
えるデバイスをより小型化するには限界があった。
【０００８】この発明の目的は、表面弾性波素子および
その周辺回路を備えるデバイスにおいて、より小型化が
可能なデバイスを提供することにある。
その周辺回路を備えるデバイスにおいて、より小型化が
可能なデバイスを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の発明に従う半導体
複合素子は、少なくとも表面弾性波素子を備える素子で
あって、半導体基板と、半導体基板上の所定の領域に設
けられるダイヤモンド層と、ダイヤモンド層上では少な
くともくし型電極にされ、かつダイヤモンド層上および
半導体基板にわたって設けられる導電層と、ダイヤモン
ド層上にくし型電極と密着して設けられる圧電体層と、
半導体基板でダイヤモンド層が設けられた領域の近傍に
設けられ、導電層を介してくし型電極と電気的に接続さ
れる半導体集積回路とを備える。
複合素子は、少なくとも表面弾性波素子を備える素子で
あって、半導体基板と、半導体基板上の所定の領域に設
けられるダイヤモンド層と、ダイヤモンド層上では少な
くともくし型電極にされ、かつダイヤモンド層上および
半導体基板にわたって設けられる導電層と、ダイヤモン
ド層上にくし型電極と密着して設けられる圧電体層と、
半導体基板でダイヤモンド層が設けられた領域の近傍に
設けられ、導電層を介してくし型電極と電気的に接続さ
れる半導体集積回路とを備える。
【００１０】第２の発明に従う半導体複合素子の製造方
法は、少なくとも表面弾性波素子を備える素子の製造方
法であって、半導体基板を準備する工程と、半導体基板
の所定の領域にダイヤモンド層を設ける工程と、ダイヤ
モンド層および半導体基板を覆う導電層を形成する工程
と、少なくともダイヤモンド層上にくし型電極を形成す
るため、導電層をパターニングする工程と、ダイヤモン
ド層上にくし型電極と密着する圧電体層を設ける工程
と、半導体基板でダイヤモンド層が設けられた領域の近
傍に導電層を介してくし型電極と電気的に接続される半
導体回路を形成する工程とを備える。
法は、少なくとも表面弾性波素子を備える素子の製造方
法であって、半導体基板を準備する工程と、半導体基板
の所定の領域にダイヤモンド層を設ける工程と、ダイヤ
モンド層および半導体基板を覆う導電層を形成する工程
と、少なくともダイヤモンド層上にくし型電極を形成す
るため、導電層をパターニングする工程と、ダイヤモン
ド層上にくし型電極と密着する圧電体層を設ける工程
と、半導体基板でダイヤモンド層が設けられた領域の近
傍に導電層を介してくし型電極と電気的に接続される半
導体回路を形成する工程とを備える。
【００１１】第１および第２の発明において、半導体基
板は、ＳｉおよびＧｅ等の半導体基板、ＧａＡｓおよび
ＩｎＰ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板、ならびにＣ
ｄＴｅ等のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体基板等を用いるこ
とができる。
板は、ＳｉおよびＧｅ等の半導体基板、ＧａＡｓおよび
ＩｎＰ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板、ならびにＣ
ｄＴｅ等のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体基板等を用いるこ
とができる。
【００１２】第１の発明に従うダイヤモンド層は、単結
晶および多結晶のいずれであってもよい。また、ダイヤ
モンド層は、たとえば、炭化水素等を原料ガスとする気
相合成によって形成することができるほか、温度差法に
より超高圧下で合成した単結晶ダイヤモンドを加工して
準備することができる。
晶および多結晶のいずれであってもよい。また、ダイヤ
モンド層は、たとえば、炭化水素等を原料ガスとする気
相合成によって形成することができるほか、温度差法に
より超高圧下で合成した単結晶ダイヤモンドを加工して
準備することができる。
【００１３】第１および第２の発明に従う導電層は、耐
熱性金属で形成することが好ましく、たとえば、ＷＡ
ｌ、Ｗ、ＷＮまたはＷＳｉ等で導電層を形成することに
よって、熱拡散やイオン注入後のアニール等、高温下で
のプロセスが可能になる。
熱性金属で形成することが好ましく、たとえば、ＷＡ
ｌ、Ｗ、ＷＮまたはＷＳｉ等で導電層を形成することに
よって、熱拡散やイオン注入後のアニール等、高温下で
のプロセスが可能になる。
【００１４】第１および第２の発明に従う圧電体層は、
ＺｎＯ、ＡｌＮ、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 、（Ｐｂ，Ｌ
ａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂ
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＢｅＯ、Ｌ
ｉ2 Ｂ4 Ｏ7 、ＫＮｂＯ3 、ＺｎＳ、ＺｎＳｅおよびＣ
ｄＳからなる群から選択された１つまたは２つ以上の化
合物を主成分とすることができる。圧電体層は単結晶お
よび多結晶のいずれであってもよいが、素子をより高周
波域で使用するためには、表面波の散乱が少ない単結晶
がより好ましい。
ＺｎＯ、ＡｌＮ、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 、（Ｐｂ，Ｌ
ａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3 、ＬｉＴａＯ3 、ＬｉＮｂ
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＢｅＯ、Ｌ
ｉ2 Ｂ4 Ｏ7 、ＫＮｂＯ3 、ＺｎＳ、ＺｎＳｅおよびＣ
ｄＳからなる群から選択された１つまたは２つ以上の化
合物を主成分とすることができる。圧電体層は単結晶お
よび多結晶のいずれであってもよいが、素子をより高周
波域で使用するためには、表面波の散乱が少ない単結晶
がより好ましい。
【００１５】一方、第２の発明に従う半導体複合素子の
製造方法において、半導体基板の所定の領域にダイヤモ
ンド層を設ける工程では、たとえば、半導体基板の所定
の領域を傷つけ処理し、気相合成法により傷つけ処理し
た領域にのみ選択的にダイヤモンド層を堆積させる方
法、または、基板の所定の領域にダイヤモンド結晶体を
接着させる方法等を用いることができる。上記気相合成
法は、電子放射材を加熱して原料ガスを活性化する方
法、プラズマにより原料ガスを励起する方法、光により
原料ガスを分解励起する方法およびイオン衝撃により原
料ガスから多結晶ダイヤモンドを成長させる方法等を含
む。一方、ダイヤモンド結晶体を準備する方法は、たと
えば、温度差法により超高圧下で合成した単結晶ダイヤ
モンドを加工する方法等がある。
製造方法において、半導体基板の所定の領域にダイヤモ
ンド層を設ける工程では、たとえば、半導体基板の所定
の領域を傷つけ処理し、気相合成法により傷つけ処理し
た領域にのみ選択的にダイヤモンド層を堆積させる方
法、または、基板の所定の領域にダイヤモンド結晶体を
接着させる方法等を用いることができる。上記気相合成
法は、電子放射材を加熱して原料ガスを活性化する方
法、プラズマにより原料ガスを励起する方法、光により
原料ガスを分解励起する方法およびイオン衝撃により原
料ガスから多結晶ダイヤモンドを成長させる方法等を含
む。一方、ダイヤモンド結晶体を準備する方法は、たと
えば、温度差法により超高圧下で合成した単結晶ダイヤ
モンドを加工する方法等がある。
【００１６】ダイヤモンド層を気相合成により形成する
場合、気相合成直後の層はしばしば表面抵抗が低い、こ
のような層をそのまま使用して、その上に電極や圧電体
を形成すると電極または圧電体に印加される電圧に損失
が生じる。そこで、気相合成直後の層を酸化処理するこ
によって高抵抗化させることが望ましい。酸化処理は、
たとえばダイヤモンド層を０．０１Ｔｏｒｒ以上、特に
好ましくは１０Ｔｏｒｒ以上の酸素含有雰囲気中で１５
０℃以上に加熱する方法、または上記層を酸素分圧が１
×１０-5Ｔｏｒｒ以上の酸素含有プラズマにさらす方法
等により達成することができる。このような酸化処理を
行なうことによって、抵抗値を１０5 〜１０10倍上げる
ことができる。なお、このときたとえばＳｉ基板を用い
る場合、基板表面にＳｉＯ2 膜を形成することができ
る。
場合、気相合成直後の層はしばしば表面抵抗が低い、こ
のような層をそのまま使用して、その上に電極や圧電体
を形成すると電極または圧電体に印加される電圧に損失
が生じる。そこで、気相合成直後の層を酸化処理するこ
によって高抵抗化させることが望ましい。酸化処理は、
たとえばダイヤモンド層を０．０１Ｔｏｒｒ以上、特に
好ましくは１０Ｔｏｒｒ以上の酸素含有雰囲気中で１５
０℃以上に加熱する方法、または上記層を酸素分圧が１
×１０-5Ｔｏｒｒ以上の酸素含有プラズマにさらす方法
等により達成することができる。このような酸化処理を
行なうことによって、抵抗値を１０5 〜１０10倍上げる
ことができる。なお、このときたとえばＳｉ基板を用い
る場合、基板表面にＳｉＯ2 膜を形成することができ
る。
【００１７】また、ダイヤモンド結晶体を基板上に接着
する方法には、たとえば、接着剤を用いる方法およびろ
う付けを行なう方法がある。接着剤としては、耐熱性お
よび耐薬品性を備えるものが好ましく、たとえば、エポ
キシ樹脂系接着剤および無機接着剤等がある。また、芳
香族ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニルスルホンお
よびポリベンズイミダゾール等の耐熱性樹脂も接着剤と
して使用できるであろう。
する方法には、たとえば、接着剤を用いる方法およびろ
う付けを行なう方法がある。接着剤としては、耐熱性お
よび耐薬品性を備えるものが好ましく、たとえば、エポ
キシ樹脂系接着剤および無機接着剤等がある。また、芳
香族ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニルスルホンお
よびポリベンズイミダゾール等の耐熱性樹脂も接着剤と
して使用できるであろう。
【００１８】ダイヤモンド層は、基板上において所定の
箇所に所望の数だけ形成することができる。それぞれの
ダイヤモンド層について表面弾性波素子およびその周辺
回路を形成することによって、同一基板上に複数の半導
体複合素子を形成することができる。なお、基板上に設
けられたダイヤモンド層は、必要に応じてその表面を研
磨することが好ましい。
箇所に所望の数だけ形成することができる。それぞれの
ダイヤモンド層について表面弾性波素子およびその周辺
回路を形成することによって、同一基板上に複数の半導
体複合素子を形成することができる。なお、基板上に設
けられたダイヤモンド層は、必要に応じてその表面を研
磨することが好ましい。
【００１９】ダイヤモンド層および半導体基板を覆う導
電層を形成する工程では、蒸着法、スパッタ法、イオン
プレーティング法およびＣＶＤ法等、半導体素子の製造
における通常の方法を用いればよい。また、導電層をパ
ターニングする工程では、たとえばエッチング法を用い
ればよい。
電層を形成する工程では、蒸着法、スパッタ法、イオン
プレーティング法およびＣＶＤ法等、半導体素子の製造
における通常の方法を用いればよい。また、導電層をパ
ターニングする工程では、たとえばエッチング法を用い
ればよい。
【００２０】第２の発明において圧電体層を形成する工
程では、たとえばＺｎＯ、ＡｌＮおよびＰｂ（Ｚｒ，Ｔ
ｉ）Ｏ3 等の圧電体層はＣＶＤ法またはスパッタリング
法によって形成することができる。また、半導体回路を
構成する工程では、通常の半導体デバイスの製造方法を
用いればよい。
程では、たとえばＺｎＯ、ＡｌＮおよびＰｂ（Ｚｒ，Ｔ
ｉ）Ｏ3 等の圧電体層はＣＶＤ法またはスパッタリング
法によって形成することができる。また、半導体回路を
構成する工程では、通常の半導体デバイスの製造方法を
用いればよい。
【００２１】
【発明の作用効果】第１および第２の発明によって提供
される複合素子では、ダイヤモンド層、くし型電極およ
び圧電体層から構成される表面弾性波素子と半導体回路
とが導電層を介して電気的に接続され、かつ同一半導体
基板上に作りこまれている。このように表面弾性波素子
と半導体回路をモノリシック化することによって、表面
弾性波素子を介する電気信号の処理をワンチップで行な
う複合素子が実現される。このような複合素子は、モノ
リシック化のためより小型化が可能であり、小型化に従
って伝送損失も低減される。さらに、モノリシック化す
ることで素子のコストも低減される。
される複合素子では、ダイヤモンド層、くし型電極およ
び圧電体層から構成される表面弾性波素子と半導体回路
とが導電層を介して電気的に接続され、かつ同一半導体
基板上に作りこまれている。このように表面弾性波素子
と半導体回路をモノリシック化することによって、表面
弾性波素子を介する電気信号の処理をワンチップで行な
う複合素子が実現される。このような複合素子は、モノ
リシック化のためより小型化が可能であり、小型化に従
って伝送損失も低減される。さらに、モノリシック化す
ることで素子のコストも低減される。
【００２２】
【実施例】図１（ａ）を参照して、まず１０×１０×１
ｍｍのＳｉ単結晶基板を準備し、その表面の所定の領域
Ａに傷つけ処理を施した。
ｍｍのＳｉ単結晶基板を準備し、その表面の所定の領域
Ａに傷つけ処理を施した。
【００２３】次に、基板１をマイクロ波プラズマＣＶＤ
装置に設置し、反応室を排気するとともに反応室内にＣ
Ｈ4 ：Ｈ2 ＝１：２００の混合ガスを約２０ｓｃｃｍで
導入した。反応室内の圧力を約４０ｍＴｏｒｒに維持
し、基板温度を８５０℃に設定して電力密度０．８Ｗ／
ｃｍ2 で放電してプラズマ状態とし、基板１の所定の領
域Ａにのみ選択的に厚さ２５μｍのダイヤモンド層２を
成長させた（図１（ｂ））。
装置に設置し、反応室を排気するとともに反応室内にＣ
Ｈ4 ：Ｈ2 ＝１：２００の混合ガスを約２０ｓｃｃｍで
導入した。反応室内の圧力を約４０ｍＴｏｒｒに維持
し、基板温度を８５０℃に設定して電力密度０．８Ｗ／
ｃｍ2 で放電してプラズマ状態とし、基板１の所定の領
域Ａにのみ選択的に厚さ２５μｍのダイヤモンド層２を
成長させた（図１（ｂ））。
【００２４】次いで、大気中に４５０℃で１０分間放置
してダイヤモンド層の抵抗値を高めるとともに、基板１
の表面にＳｉＯ2 膜３を形成した（図１（ｃ））。
してダイヤモンド層の抵抗値を高めるとともに、基板１
の表面にＳｉＯ2 膜３を形成した（図１（ｃ））。
【００２５】ダイヤモンド層の表面を研磨した後、スパ
ッタリングによりダイヤモンド層２および基板１上にＷ
Ａｌ層４を形成した（図１（ｄ））。
ッタリングによりダイヤモンド層２および基板１上にＷ
Ａｌ層４を形成した（図１（ｄ））。
【００２６】次に、フォトリソグラフィを用いてレジス
トパターンを形成し、エッチングの後レジストを除去し
て、ダイヤモンド層２上にくし型電極５ａおよび５ｂ、
基板１上に必要な配線パターン６を形成した（図１
（ｅ））。
トパターンを形成し、エッチングの後レジストを除去し
て、ダイヤモンド層２上にくし型電極５ａおよび５ｂ、
基板１上に必要な配線パターン６を形成した（図１
（ｅ））。
【００２７】基板をマグネトロンスパッタリング装置に
移し、ダイヤモンド層２以外の部分をマスクして、スパ
ッタ出力１５０Ｗ、基板温度３８０℃の条件下、ＺｎＯ
多結晶体をＡｒ：Ｏ2 ＝１：１の混合ガスでスパッタす
るマグネトロンスパッタリングにより、くし型電極５ａ
および５ｂ上にＺｎＯ膜７を堆積させた（図１
（ｆ））。その後、図１（ｆ）に示すＢ領域に、通常の
半導体集積回路製造プロセスを用い、ＷＡｌ層４を介し
てくし型電極と電気的に接続される増幅回路（図示省
略）を作製した。
移し、ダイヤモンド層２以外の部分をマスクして、スパ
ッタ出力１５０Ｗ、基板温度３８０℃の条件下、ＺｎＯ
多結晶体をＡｒ：Ｏ2 ＝１：１の混合ガスでスパッタす
るマグネトロンスパッタリングにより、くし型電極５ａ
および５ｂ上にＺｎＯ膜７を堆積させた（図１
（ｆ））。その後、図１（ｆ）に示すＢ領域に、通常の
半導体集積回路製造プロセスを用い、ＷＡｌ層４を介し
てくし型電極と電気的に接続される増幅回路（図示省
略）を作製した。
【図１】この発明に従う半導体複合素子の製造工程につ
いて、その概略を示す断面図である。
いて、その概略を示す断面図である。
【図２】表面弾性波素子の一般的構成を示す斜視図であ
る。
る。
１ 基板 ２ ダイヤモンド層 ３ ＳｉＯ2 ４ ＷＡｌ層 ５ａ、５ｂ くし型電極 ７ ＺｎＯ膜
フロントページの続き (72)発明者 藤森 直治 兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友 電気工業株式会社伊丹製作所内
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも表面弾性波素子を備える半導
体複合素子であって、 半導体基板と、 前記半導体基板上の所定の領域に設けられるダイヤモン
ド層と、 前記ダイヤモンド層上では少なくともくし型電極にさ
れ、かつ前記ダイヤモンド層上および前記半導体基板上
にわたって設けられる導電層と、 前記ダイヤモンド層上に前記くし型電極と密着して設け
られる圧電体層と、 前記半導体基板で前記ダイヤモンド層が設けられた領域
の近傍に設けられ、前記導電層を介して前記くし型電極
と電気的に接続される半導体回路とを備える、 半導体複合素子。 - 【請求項２】 少なくとも表面弾性波素子を備える半導
体複合素子の製造方法であって、 半導体基板を準備する工程と、 前記半導体基板上の所定の領域にダイヤモンド層を設け
る工程と、 前記ダイヤモンド層および前記半導体基板を覆う導電層
を形成する工程と、 少なくとも前記ダイヤモンド層上にくし型電極を形成す
るため、前記導電層をパターニングする工程と、 前記ダイヤモンド層上に前記くし型電極と密着する圧電
体層を設ける工程と、 前記半導体基板で前記ダイヤモンド層が設けられた領域
の近傍に前記導電層を介して前記くし型電極と電気的に
接続される半導体回路を形成する工程とを備える、半導
体複合素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24974891A JPH0590862A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体複合素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24974891A JPH0590862A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体複合素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590862A true JPH0590862A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17197634
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24974891A Pending JPH0590862A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 半導体複合素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590862A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5872415A (en) * | 1996-08-16 | 1999-02-16 | Kobe Steel Usa Inc. | Microelectronic structures including semiconductor islands |
| US5907768A (en) * | 1996-08-16 | 1999-05-25 | Kobe Steel Usa Inc. | Methods for fabricating microelectronic structures including semiconductor islands |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP24974891A patent/JPH0590862A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5872415A (en) * | 1996-08-16 | 1999-02-16 | Kobe Steel Usa Inc. | Microelectronic structures including semiconductor islands |
| US5907768A (en) * | 1996-08-16 | 1999-05-25 | Kobe Steel Usa Inc. | Methods for fabricating microelectronic structures including semiconductor islands |
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