JPH0591006U - Dielectric resonator - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【構成】誘電体ユニット１の内部には内導体を形成し、
誘電体基板４の表面には付加電極膜形成パターンと同様
の溝を形成し、その溝内に付加電極膜を設けて、誘電体
基板４の表面を平滑化し、この誘電体基板４を誘電体ユ
ニット１に接合する。
【効果】付加電極膜部に空気層が形成されず、このこと
によりたとえばフィルタとしての電気的特性が安定化
し、挿入損失も抑えられる。
(57) [Abstract] [Structure] An inner conductor is formed inside the dielectric unit 1.
A groove similar to the additional electrode film forming pattern is formed on the surface of the dielectric substrate 4, an additional electrode film is provided in the groove, the surface of the dielectric substrate 4 is smoothed, and the dielectric substrate 4 is formed into a dielectric material. Join to unit 1. [Effect] An air layer is not formed in the additional electrode film portion, which stabilizes electrical characteristics as a filter and suppresses insertion loss.
Description
【０００１】[0001]
この考案は誘電体基板または誘電体ブロックに共振電極とともに付加電極を形 成してなる誘電体共振器に関する。 The present invention relates to a dielectric resonator formed by forming an additional electrode together with a resonance electrode on a dielectric substrate or a dielectric block.
【０００２】[0002]
誘電体ブロックの内部に共振電極（内導体）を形成し、誘電体ブロックの外面 にアース電極（外導体）を形成してなる誘電体共振器や、それぞれ誘電体基板の 表面に共振電極（ストリップライン）を形成し、対向面にアース電極を形成した 二枚の誘電体基板を接合してなる誘電体共振器が、たとえばマイクロ波帯におけ るフィルタ等として用いられている。 A dielectric resonator in which a resonance electrode (inner conductor) is formed inside the dielectric block, and a ground electrode (outer conductor) is formed on the outer surface of the dielectric block, or a resonance electrode (strip) on the surface of the dielectric substrate. A dielectric resonator formed by joining two dielectric substrates each having a line) and an earth electrode formed on the opposite surface is used as, for example, a filter in the microwave band.
【０００３】 このような一体型の誘電体フィルタでは、たとえば複数の誘電体共振器を用い るディスクリートタイプの誘電体フィルタとは異なり、各共振器間の結合等を行 うためのコイル、コンデンサおよびこれらを搭載する基板等を必要とせず、組み 立て作業工程が単純であり、安定した特性が得られるという特徴がある。ところ が、このような一体型の誘電体フィルタにおいては、誘電体基板または誘電体ブ ロックに形成する共振電極やアース電極のパターン形成だけでは限られた特性の フィルタしか得られない。In such an integrated type dielectric filter, unlike a discrete type dielectric filter that uses a plurality of dielectric resonators, for example, a coil, a capacitor, and It has the features that it does not require a substrate to mount these components, the assembly process is simple, and stable characteristics are obtained. However, in such an integrated dielectric filter, only a filter having a limited characteristic can be obtained only by forming a pattern of a resonance electrode or a ground electrode formed on a dielectric substrate or a dielectric block.
【０００４】 そこで、アース電極（外導体）の一部をパターン化して平面回路等を構成する ことによって、所定の共振器間の結合や整合を行うことが考えられる。ここで、 内部に内導体を形成した誘電体ユニットに対し、予め付加電極を形成した誘電体 基板を貼付してなる誘電体共振器の例を図７および図８に示す。Therefore, it is conceivable to form a planar circuit or the like by patterning a part of the ground electrode (outer conductor) to perform coupling or matching between predetermined resonators. Here, FIGS. 7 and 8 show an example of a dielectric resonator in which a dielectric substrate having an additional electrode formed in advance is attached to a dielectric unit having an inner conductor formed therein.
【０００５】 図７は誘電体ブロックと誘電体基板との接合前の断面図である。図７において １は誘電体ブロックであり、その内部に断面円形の内導体形成孔を形成している とともに、その内周面に内導体２１，２２，２３を形成している。また、誘電体 ブロック１の外面には、図における底面部を除き略全面に外導体１２を形成して いる。一方、図７において４は誘電体基板であり、誘電体ブロック１との対向面 に３つの付加電極Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ１３を形成し、その反対面側および側面の 略全面に外導体１２を形成している。FIG. 7 is a cross-sectional view before joining the dielectric block and the dielectric substrate. In FIG. 7, reference numeral 1 denotes a dielectric block having an inner conductor forming hole having a circular cross section formed therein and inner conductors 21, 22, 23 formed on the inner peripheral surface thereof. Further, an outer conductor 12 is formed on the outer surface of the dielectric block 1 on substantially the entire surface except the bottom surface portion in the figure. On the other hand, reference numeral 4 in FIG. 7 denotes a dielectric substrate, three additional electrodes C11, C12, C13 are formed on the surface facing the dielectric block 1, and the outer conductor 12 is formed on substantially the opposite surface and side surface. is doing.
【０００６】 図８は図７に示した誘電体ブロック１に対し誘電体基板４を接合して得られる 誘電体共振器の断面図である。このように、付加電極Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ１３は 内導体２１，２２，２３のそれぞれ開放端付近に対向して、容量結合する。付加 電極Ｃ１１−Ｃ１２間およびＣ１２−Ｃ１３間にはたとえばインダクタとして作 用する電極パターンを形成しておくことによって、等価的には、隣接する共振器 間をそれぞれコンデンサとコイルで接続することになり、これを３段の帯域阻止 フィルタとして用いることができる。FIG. 8 is a sectional view of a dielectric resonator obtained by joining the dielectric substrate 1 to the dielectric block 1 shown in FIG. In this way, the additional electrodes C11, C12, C13 face the open ends of the inner conductors 21, 22, 23, respectively, and are capacitively coupled. By forming an electrode pattern to be used as an inductor, for example, between the additional electrodes C11-C12 and between C12-C13, equivalently, adjacent resonators are respectively connected by capacitors and coils. , Can be used as a three-stage band elimination filter.
【０００７】[0007]
ところが、図７および図８に示したような構造の従来の誘電体共振器において は、付加電極を予め形成した誘電体基板を誘電体ユニットに接合した際、誘電体 基板側に形成されている付加電極膜の膜厚の分だけ空気層が生じる。付加電極の 膜厚はたとえば１０μｍ程度と、誘電体共振器全体のサイズからすれば薄いもの であるが、前記空気層は内導体と外導体間に部分的に形成され、しかもその間隙 は安定しないため、特性にばらつきが生じることになる。 However, in the conventional dielectric resonator having the structure as shown in FIGS. 7 and 8, when the dielectric substrate on which the additional electrode is formed in advance is bonded to the dielectric unit, it is formed on the dielectric substrate side. An air layer is generated by the thickness of the additional electrode film. The film thickness of the additional electrode is, for example, about 10 μm, which is thin in view of the size of the entire dielectric resonator, but the air layer is partially formed between the inner conductor and the outer conductor, and the gap is not stable. Therefore, the characteristics vary.
【０００８】 この考案の目的は、誘電体ユニットと誘電体基板との接合の際、付加電極部分 に生じる空気層による問題を解消して、安定した特性の得られる誘電体共振器を 提供することにある。An object of the present invention is to provide a dielectric resonator in which stable characteristics can be obtained by solving a problem due to an air layer generated in an additional electrode portion when a dielectric unit and a dielectric substrate are joined. It is in.
【０００９】[0009]
この考案の請求項１に係る誘電体共振器は、内部に共振電極を形成した誘電体 ユニットに対し、表面に付加電極膜を形成した誘電体基板を接合してなる誘電体 共振器において、 誘電体基板表面に付加電極膜形成パターンと同様の溝を形成し、その溝内に付 加電極膜を設けるとともに、前記付加電極膜表面を前記誘電体基板表面と略同一 面とし、前記誘電体基板の付加電極膜形成面側を誘電体ユニットに貼付したこと を特徴とする。 The dielectric resonator according to claim 1 of the present invention is a dielectric resonator in which a dielectric unit having a resonance electrode formed therein and a dielectric substrate having an additional electrode film formed on the surface thereof are bonded to each other. A groove similar to the additional electrode film forming pattern is formed on the surface of the body substrate, and an additional electrode film is provided in the groove, and the surface of the additional electrode film is made substantially flush with the surface of the dielectric substrate. It is characterized in that the side of the additional electrode film formation of is attached to the dielectric unit.
【００１０】 請求項２に係る誘電体共振器は、内部に共振電極を形成し、表面の一部に付加 電極膜を形成した誘電体ユニットに対し、前記付加電極膜形成面に誘電体基板を 接合してなる誘電体共振器において、 誘電体ユニット表面に付加電極膜形成パターンと同様の溝を形成し、その溝内 に付加電極膜を設けるとともに、前記付加電極膜表面を前記誘電体ユニット表面 と略同一面としたことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, there is provided a dielectric resonator in which a resonance electrode is formed inside and an additional electrode film is formed on a part of a surface of the dielectric unit, and a dielectric substrate is provided on the additional electrode film formation surface. In the joined dielectric resonator, a groove similar to the additional electrode film forming pattern is formed on the surface of the dielectric unit, the additional electrode film is provided in the groove, and the surface of the additional electrode film is formed on the surface of the dielectric unit. It is characterized in that it is substantially the same surface as.
【００１１】[0011]
この考案の請求項１に係る誘電体共振器では、内部に共振電極が形成された誘 電体ユニットに対し接合する誘電体基板の表面に、付加電極膜形成パターンと同 様の溝が形成され、その溝内に付加電極膜が設けられ、付加電極膜表面が誘電体 基板表面と略同一面を成している。したがって、誘電体ユニットに対する誘電体 基板の接合面は略全面にわたって平坦となり、空気層は生じない。 In the dielectric resonator according to claim 1 of the present invention, a groove similar to the additional electrode film forming pattern is formed on the surface of the dielectric substrate that is joined to the dielectric unit having the resonance electrode formed therein. The additional electrode film is provided in the groove, and the surface of the additional electrode film is substantially flush with the surface of the dielectric substrate. Therefore, the bonding surface of the dielectric substrate to the dielectric unit is flat over almost the entire surface, and no air layer is generated.
【００１２】 請求項２に係る誘電体共振器では、誘電体基板が接合される誘電体ユニットの 表面に、付加電極膜形成パターンと同様の溝が形成され、その溝内に付加電極膜 が設けられて、付加電極膜表面が誘電体ユニットの表面と略同一面を成している 。したがって、この付加電極膜の形成された誘電体ユニットに対し誘電体基板を 接合した際、空気層は生じない。In the dielectric resonator according to claim 2, a groove similar to the additional electrode film forming pattern is formed on the surface of the dielectric unit to which the dielectric substrate is joined, and the additional electrode film is provided in the groove. The surface of the additional electrode film is substantially flush with the surface of the dielectric unit. Therefore, when the dielectric substrate is bonded to the dielectric unit on which the additional electrode film is formed, no air layer is generated.
【００１３】 このように、付加電極膜部分で誘電体ユニットと誘電体基板間に空気層が形成 されないため、実効比誘電率（εreff）が誘電体ユニットおよび誘電体基板の比 誘電率と等しくなり、共振器長を短くすることができ、また、空気層のばらつき による実効比誘電率のばらつきもなくなるため、たとえばフィルタとしての電気 的特性が安定する。また、付加電極膜の膜厚を薄くしなくとも、付加電極膜形成 部に空気層が形成されないため、たとえば比較的深い溝を形成し、その溝内に付 加電極膜を形成することによって、表皮深さ（ｓｋｉｎ ｄｅｐｔｈ）に対して 充分な厚みを得ることができ、導体損が減少し、たとえばフィルタとしての挿入 損失を低減することができる。As described above, since the air layer is not formed between the dielectric unit and the dielectric substrate in the additional electrode film portion, the effective relative permittivity (ε reff ) is equal to the relative permittivity of the dielectric unit and the dielectric substrate. Therefore, the resonator length can be shortened, and the variation of the effective relative permittivity due to the variation of the air layer is eliminated, so that the electrical characteristics of the filter are stabilized, for example. Even if the additional electrode film is not thinned, an air layer is not formed in the additional electrode film forming portion. Therefore, for example, by forming a relatively deep groove and forming the additional electrode film in the groove, A sufficient thickness can be obtained with respect to the skin depth, conductor loss can be reduced, and, for example, insertion loss as a filter can be reduced.
【００１４】[0014]
〈第１の実施例〉 この考案の実施例である誘電体共振器の構造を図１〜図６に示す。 <First Embodiment> FIGS. 1 to 6 show the structure of a dielectric resonator according to an embodiment of the present invention.
【００１５】 図１は誘電体共振器の外観斜視図、図２はその分解斜視図である。図２におい て１は誘電体ユニット、４は誘電体基板である。誘電体ユニット１には、５，６ ，７で示す３つの内導体形成孔を設け、その内面に内導体をそれぞれ形成してい る。内導体形成孔５，６，７の一方の開口部付近において内導体の開放部を形成 し、その箇所で外導体との間で先端容量を形成している。誘電体ユニット１の図 における上面およびこの上面にそれぞれ直交する四側面には略全面に外導体１２ を形成している。内導体形成孔５，６，７の他方の開口部においては、内導体が 外導体と連続していて、共振器の短絡端を形成している。これにより３組のλ／ ４ＴＥＭモード誘電体共振器として作用する。ただし誘電体ユニット１の図にお ける底面には電極膜を形成していない。一方、誘電体基板４の図における上面に は付加電極膜を形成し、２つの対向する側面には信号入出力電極を形成している （１５はその内の一方の信号入出力電極を示す）。また、誘電体基板４の図にお ける底面および前記信号入出力電極形成部を除く四側面の略全面に外導体１２を 形成している。FIG. 1 is an external perspective view of the dielectric resonator, and FIG. 2 is an exploded perspective view thereof. In FIG. 2, 1 is a dielectric unit and 4 is a dielectric substrate. The dielectric unit 1 is provided with three inner conductor forming holes 5, 6, and 7, and inner conductors are formed on the inner surfaces thereof. An open part of the inner conductor is formed near one opening of the inner conductor forming holes 5, 6, 7 and a tip capacitance is formed with the outer conductor at that part. Outer conductors 12 are formed on substantially the entire upper surface of the dielectric unit 1 in the figure and the four side surfaces orthogonal to the upper surface. In the other opening of the inner conductor forming holes 5, 6, 7 the inner conductor is continuous with the outer conductor and forms the short-circuit end of the resonator. This acts as three sets of λ / 4 TEM mode dielectric resonators. However, no electrode film is formed on the bottom surface of the dielectric unit 1 in the figure. On the other hand, an additional electrode film is formed on the upper surface of the dielectric substrate 4 in the drawing, and signal input / output electrodes are formed on two opposing side surfaces (15 indicates one of the signal input / output electrodes). .. Further, the outer conductor 12 is formed on substantially the entire bottom surface of the dielectric substrate 4 in the drawing and the four side surfaces except the signal input / output electrode forming portion.
【００１６】 図１に示した誘電体基板４を作成するためには、先ず誘電体セラミクスの成型 工程において、プレス金型に予め溝形成用パターンを設けておき、プレス成型の 後、焼成することによって、たとえば深さ１０μｍの溝付誘電体ユニットを作成 する。その後、前記溝に沿って膜厚１０μｍの付加電極膜を設け、また、誘電体 基板の付加電極形成面の裏面側と四側面に外導体および信号入出力電極を形成す る。In order to produce the dielectric substrate 4 shown in FIG. 1, first, in the molding process of the dielectric ceramics, a press die is provided with a groove forming pattern in advance, and after press molding, firing is performed. By, for example, a grooved dielectric unit having a depth of 10 μm is formed. Thereafter, an additional electrode film having a film thickness of 10 μm is provided along the groove, and outer conductors and signal input / output electrodes are formed on the back surface side and four side surfaces of the additional electrode formation surface of the dielectric substrate.
【００１７】 図２に示した誘電体ユニット１の底面に誘電体基板４を接合することによって 図１に示す誘電体共振器を構成する。The dielectric substrate shown in FIG. 1 is constructed by joining the dielectric substrate 4 to the bottom surface of the dielectric unit 1 shown in FIG.
【００１８】 図３は図２に示した誘電体基板４に形成する付加電極膜のパターンを示す平面 図である。図３においてＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３は誘電体ユニット１側に設けて いる内導体形成孔５，６，７の内周面に形成した内導体の開放端部とそれぞれ容 量結合するキャパシタ電極、Ｌ１，Ｌ２は各キャパシタ電極間を接続するインダ クタ電極である。FIG. 3 is a plan view showing a pattern of the additional electrode film formed on the dielectric substrate 4 shown in FIG. In FIG. 3, C11, C12, and C13 are capacitor electrodes L1 that are capacitively coupled to the open ends of the inner conductors formed on the inner peripheral surfaces of the inner conductor forming holes 5, 6, and 7 provided on the dielectric unit 1 side, respectively. , L2 are inductor electrodes that connect between the capacitor electrodes.
【００１９】 図４は図２に示した誘電体ユニット１の内導体の開放端付近および誘電体基板 ４のキャパシタ電極形成部を通る断面図である。図４に示すように、３つの内導 体形成孔の内周面には２１，２２，２３で示す内導体をそれぞれ形成している。FIG. 4 is a cross-sectional view through the vicinity of the open end of the inner conductor of the dielectric unit 1 shown in FIG. 2 and the capacitor electrode forming portion of the dielectric substrate 4. As shown in FIG. 4, inner conductors 21, 22, and 23 are formed on the inner peripheral surfaces of the three inner conductor forming holes, respectively.
【００２０】 誘電体基板４の誘電体ユニット１に対する接合面には、付加電極膜の形成パター ンと同様の溝を形成し、その溝内に付加電極膜を形成している。図４においては キャパシタ電極Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ１３の電極膜表面が誘電体基板４の表面と略 同一面を成している。A groove similar to the pattern for forming the additional electrode film is formed on the bonding surface of the dielectric substrate 4 with respect to the dielectric unit 1, and the additional electrode film is formed in the groove. In FIG. 4, the electrode film surfaces of the capacitor electrodes C11, C12, C13 are substantially flush with the surface of the dielectric substrate 4.
【００２１】 図５は図１に示した誘電体共振器における内導体の開放端付近を通る断面図で ある。このように誘電体ユニット１と誘電体基板４との接合面には空気層がほと んど形成されず、誘電体ブロック内に付加電極が埋設されたのと同様の状態とな る。図５においては、内導体２１，２２，２３の開放端付近とキャパシタ電極Ｃ １１，Ｃ１２，Ｃ１３との間にそれぞれ容量が形成される。FIG. 5 is a cross-sectional view passing through the vicinity of the open end of the inner conductor in the dielectric resonator shown in FIG. As described above, almost no air layer is formed on the joint surface between the dielectric unit 1 and the dielectric substrate 4, and the state is the same as when the additional electrode is embedded in the dielectric block. In FIG. 5, capacitances are formed between the open ends of the inner conductors 21, 22, 23 and the capacitor electrodes C 11, C 12, C 13, respectively.
【００２２】 図６は以上のようにして構成した誘電体共振器の等価回路図である。図６にお いてＲ１，Ｒ２，Ｒ３は図１に示した内導体形成孔５，６，７内の内導体による 共振器、Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は図３に示したキャパシタ電極Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ１ ３と各内導体間に形成されるキャパシタ、Ｌ１，Ｌ２は図３に示した電極Ｌ１， Ｌ２によるインダクタである。この構成により、１４，１５を信号入出力端子と する３段の帯域阻止フィルタとして作用する。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of the dielectric resonator configured as described above. 6, R1, R2 and R3 are resonators formed by the inner conductors in the inner conductor forming holes 5, 6 and 7 shown in FIG. 1, and C1, C2 and C3 are capacitor electrodes C11 and C12 shown in FIG. Capacitors L1 and L2 formed between C1 3 and each inner conductor are inductors including electrodes L1 and L2 shown in FIG. With this configuration, it functions as a three-stage band elimination filter using 14 and 15 as signal input / output terminals.
【００２３】 〈第２の実施例〉 第１の実施例では誘電体基板側に付加電極膜を形成し、この誘電体基板を誘電 体ユニットに接合する例であったが、逆に誘電体ユニット側に付加電極膜を形成 し、その付加電極膜形成面に誘電体基板を接合することによって誘電体共振器を 構成する。この場合、図３に示した付加電極膜と同一パターンを図２に示した誘 電体ユニット１の図における底面に形成する。一方の誘電体基板４側には付加電 極膜を形成せず、接合によって付加電極の一部に接続される信号入出力端子と外 導体のみを形成する。Second Embodiment In the first embodiment, the additional electrode film is formed on the dielectric substrate side, and this dielectric substrate is bonded to the dielectric unit. An additional electrode film is formed on the side, and a dielectric substrate is bonded to the additional electrode film formation surface to form a dielectric resonator. In this case, the same pattern as the additional electrode film shown in FIG. 3 is formed on the bottom surface of the dielectric body unit 1 shown in FIG. No additional electrode film is formed on the side of the one dielectric substrate 4, and only the signal input / output terminal and the outer conductor connected to a part of the additional electrode by bonding are formed.
【００２４】 前記誘電体ユニットを作成するためには、先ず誘電体セラミクスの成型工程に おいて、プレス金型に予め溝形成用パターンを設けておき、プレス成型の後、焼 成して溝付の誘電体ユニットを作成する。その後、内導体形成孔の内周面に内導 体、外表面に外導体を、さらに前記溝に沿って付加電極膜を設ける。In order to manufacture the dielectric unit, first, in the molding process of the dielectric ceramics, a groove forming pattern is provided in advance in a press die, and after press molding, baking is performed to form a groove. Create a dielectric unit. Then, an inner conductor is provided on the inner peripheral surface of the inner conductor forming hole, an outer conductor is provided on the outer surface, and an additional electrode film is provided along the groove.
【００２５】 なお、第１の実施例または第２の実施例において、誘電体基板または誘電体ユ ニットに設けるべき溝の深さを充分に深くし、その溝内に膜厚の厚い付加電極膜 を形成することによって、付加電極膜の表皮効果による影響を少なくし、これに より導体損を減少し、たとえばフィルタとしての挿入損失を低く抑えることがで きる。In the first or second embodiment, the depth of the groove to be provided in the dielectric substrate or the dielectric unit is sufficiently deep, and the additional electrode film having a large film thickness is formed in the groove. By forming the film, it is possible to reduce the influence of the skin effect of the additional electrode film, to reduce the conductor loss, and to suppress the insertion loss as a filter, for example.
【００２６】[0026]
この考案によれば、誘電体ユニットと誘電体基板間に空気層がほとんど形成さ れないため、実効比誘電率が誘電体ユニットおよび誘電体基板の比誘電率と等し くなり、これにより共振器長を短くすることができる。また、実効比誘電率のば らつきも少なくなるため、たとえばフィルタとしての電気的特性が安定化する。 According to this invention, since an air layer is hardly formed between the dielectric unit and the dielectric substrate, the effective relative permittivity becomes equal to the relative permittivity of the dielectric unit and the dielectric substrate, which causes resonance. The length of the vessel can be shortened. Further, the fluctuation of the effective relative permittivity is reduced, so that the electrical characteristics as a filter are stabilized, for example.
【００２７】 また、付加電極膜の膜厚を薄くしなくとも、必要な膜厚に応じた深さの溝を形 成すれば、表皮深さに対して充分な膜厚を得ることができ、これにより導体損が 減少し、たとえばフィルタとしての挿入損失を抑えることもできる。Further, even if the thickness of the additional electrode film is not thinned, if the groove having a depth corresponding to the required film thickness is formed, a sufficient film thickness with respect to the skin depth can be obtained. As a result, the conductor loss is reduced and, for example, the insertion loss as a filter can be suppressed.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】この考案の第１の実施例に係る誘電体共振器の
外観斜視図である。FIG. 1 is an external perspective view of a dielectric resonator according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１に示す誘電体共振器の分解斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of the dielectric resonator shown in FIG.
【図３】図２に示す誘電体基板４の平面図である。3 is a plan view of a dielectric substrate 4 shown in FIG.
【図４】図２に示す主要部の断面図である。4 is a cross-sectional view of the main part shown in FIG.
【図５】図１に示す主要部の断面図である。5 is a cross-sectional view of the main part shown in FIG.
【図６】誘電体共振器の等価回路図である。FIG. 6 is an equivalent circuit diagram of a dielectric resonator.
【図７】従来の誘電体共振器の主要部の分解断面図であ
る。FIG. 7 is an exploded cross-sectional view of a main part of a conventional dielectric resonator.
【図８】従来の誘電体共振器の主要部の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of a main part of a conventional dielectric resonator.
１−誘電体ユニット ４−誘電体基板 ５，６，７−内導体形成孔 １２−外導体 ２１，２２，２３−内導体 Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ１３−キャパシタ電極 Ｌ１，Ｌ２−インダクタ電極 1-Dielectric unit 4-Dielectric substrate 5,6,7-Inner conductor forming hole 12-Outer conductor 21,22,23-Inner conductor C11, C12, C13-Capacitor electrode L1, L2-Inductor electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 加藤 英幸 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)考案者 北市 幸裕 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)考案者 辻口 達也 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)考案者 毛利 久志 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Hideyuki Kato, 26-20 Tenjin, Tenjin, Nagaokakyo, Kyoto Prefecture Murata Manufacturing Co., Ltd. (72) Yukio Kitaichi 2-26-10, Tenjin, Nagaokakyo, Kyoto Murata Manufacturing (72) Inventor Tatsuya Tsujiguchi 2 26-10 Tenjin Tenjin, Nagaokakyo, Kyoto Murata Manufacturing (72) Inventor Hisashi Mohri 2 26-10 Tenjin Nagaokakyo, Kyoto Murata Manufacturing Co., Ltd.
Claims (2)
に対し、表面に付加電極膜を形成した誘電体基板を接合
してなる誘電体共振器において、 誘電体基板表面に付加電極膜形成パターンと同様の溝を
形成し、その溝内に付加電極膜を設けるとともに、前記
付加電極膜表面を前記誘電体基板表面と略同一面とし、
前記誘電体基板の付加電極膜形成面側を誘電体ユニット
に貼付したことを特徴とする誘電体共振器。1. A dielectric resonator comprising a dielectric unit having a resonance electrode formed therein and a dielectric substrate having an additional electrode film formed on the surface of the dielectric unit, wherein an additional electrode film forming pattern is formed on the surface of the dielectric substrate. Forming a groove similar to the above, providing an additional electrode film in the groove, and making the surface of the additional electrode film substantially flush with the surface of the dielectric substrate,
A dielectric resonator in which an additional electrode film formation surface side of the dielectric substrate is attached to a dielectric unit.
加電極膜を形成した誘電体ユニットに対し、前記付加電
極膜形成面に誘電体基板を接合してなる誘電体共振器に
おいて、 誘電体ユニット表面に付加電極膜形成パターンと同様の
溝を形成し、その溝内に付加電極膜を設けるとともに、
前記付加電極膜表面を前記誘電体ユニット表面と略同一
面としたことを特徴とする誘電体共振器。2. A dielectric resonator in which a resonance electrode is formed inside and an additional electrode film is formed on a part of the surface of the dielectric unit, and a dielectric substrate is bonded to the additional electrode film formation surface. , A groove similar to the additional electrode film forming pattern is formed on the surface of the dielectric unit, and the additional electrode film is provided in the groove,
A dielectric resonator, wherein the surface of the additional electrode film is substantially flush with the surface of the dielectric unit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992030994U JP2571291Y2 (en) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | Dielectric resonator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992030994U JP2571291Y2 (en) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | Dielectric resonator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0591006U true JPH0591006U (en) | 1993-12-10 |
| JP2571291Y2 JP2571291Y2 (en) | 1998-05-18 |
Family
ID=12319160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992030994U Expired - Lifetime JP2571291Y2 (en) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | Dielectric resonator |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2571291Y2 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01106602A (en) * | 1987-10-20 | 1989-04-24 | Fujitsu Ltd | Microstrip line and its manufacture |
| JPH02290303A (en) * | 1989-02-28 | 1990-11-30 | Sumitomo Metal Ind Ltd | High frequency dielectric component and its manufacture |
| JPH03254201A (en) * | 1990-03-03 | 1991-11-13 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | Dielectric band stop filter |
-
1992
- 1992-05-12 JP JP1992030994U patent/JP2571291Y2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01106602A (en) * | 1987-10-20 | 1989-04-24 | Fujitsu Ltd | Microstrip line and its manufacture |
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| JPH03254201A (en) * | 1990-03-03 | 1991-11-13 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | Dielectric band stop filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2571291Y2 (en) | 1998-05-18 |
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