JPH0593277A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH0593277A JPH0593277A JP25377691A JP25377691A JPH0593277A JP H0593277 A JPH0593277 A JP H0593277A JP 25377691 A JP25377691 A JP 25377691A JP 25377691 A JP25377691 A JP 25377691A JP H0593277 A JPH0593277 A JP H0593277A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波電極に接地電極を対向させたプラズマ
ＣＶＤ装置において、成膜へのパーティクル付着や混入
を従来より防止し、また、高速成膜を行う。 【構成】 高周波電極２と接地電極を兼ねる基体ホルダ
３を対向させたプラズマＣＶＤ装置において、高周波電
極２と基体ホルダ３との間にメッシュ状の中間電極１０
を配置し、該中間電極に電源１０ａにて接地に対して正
電圧を印加できるようにし、高周波電極２はマグネトロ
ンタイプとしたプラズマＣＶＤ装置。
ＣＶＤ装置において、成膜へのパーティクル付着や混入
を従来より防止し、また、高速成膜を行う。 【構成】 高周波電極２と接地電極を兼ねる基体ホルダ
３を対向させたプラズマＣＶＤ装置において、高周波電
極２と基体ホルダ３との間にメッシュ状の中間電極１０
を配置し、該中間電極に電源１０ａにて接地に対して正
電圧を印加できるようにし、高周波電極２はマグネトロ
ンタイプとしたプラズマＣＶＤ装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は各種半導体デバイスの製
造、液晶表示装置の製造、基体上への超電導膜の形成、
機械部品等への耐腐食性、耐磨耗性膜の形成等に利用さ
れるプラズマＣＶＤ装置、特に、高周波電極と接地電極
を対向させたプラズマＣＶＤ装置に関する。
造、液晶表示装置の製造、基体上への超電導膜の形成、
機械部品等への耐腐食性、耐磨耗性膜の形成等に利用さ
れるプラズマＣＶＤ装置、特に、高周波電極と接地電極
を対向させたプラズマＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波電極と接地電極を対向させたプラ
ズマＣＶＤ装置は、代表例として平行平板電極型のプラ
ズマＣＶＤ装置を挙げることができるが、それは図２に
例示するように、真空室１中に平板状の高周波電極２
と、平板状の接地電極を兼ねる基体ホルダ３とを平行に
向かい合わせて配置し、高周波電極２にはマッチングボ
ックス４を介して高周波電源５を接続するとともに、基
体ホルダ３を接地し、且つ、ヒータ６にて基体ホルダ３
上に設置される基体９を成膜温度に制御できるように
し、さらに、真空室１内を所定の成膜真空度に維持する
ための真空ポンプを含む排気系７及び真空室１内に原料
ガスを供給するためのガス導入口８を設けたものであ
る。高周波電極２は原料ガスの噴射ノズルを兼ねてい
る。
ズマＣＶＤ装置は、代表例として平行平板電極型のプラ
ズマＣＶＤ装置を挙げることができるが、それは図２に
例示するように、真空室１中に平板状の高周波電極２
と、平板状の接地電極を兼ねる基体ホルダ３とを平行に
向かい合わせて配置し、高周波電極２にはマッチングボ
ックス４を介して高周波電源５を接続するとともに、基
体ホルダ３を接地し、且つ、ヒータ６にて基体ホルダ３
上に設置される基体９を成膜温度に制御できるように
し、さらに、真空室１内を所定の成膜真空度に維持する
ための真空ポンプを含む排気系７及び真空室１内に原料
ガスを供給するためのガス導入口８を設けたものであ
る。高周波電極２は原料ガスの噴射ノズルを兼ねてい
る。
【０００３】基体ホルダ３には、例えば半導体デバイス
基板９が設置され、しかるのち、該基板９がヒータ６に
て所定の成膜温度に制御されるとともに真空室１内が所
定の成膜真空度に維持されつつガス導入口８から原料ガ
スが供給され、このガスに高周波電極２から高周波電圧
が印加されることで該ガスがプラズマ化し、このプラズ
マに基板９表面が曝されることで、該表面に所望の薄膜
が形成される。
基板９が設置され、しかるのち、該基板９がヒータ６に
て所定の成膜温度に制御されるとともに真空室１内が所
定の成膜真空度に維持されつつガス導入口８から原料ガ
スが供給され、このガスに高周波電極２から高周波電圧
が印加されることで該ガスがプラズマ化し、このプラズ
マに基板９表面が曝されることで、該表面に所望の薄膜
が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この種の従来
プラズマＣＶＤ装置においては、例えば、原料ガスとし
てモノシラン、ジシラン、モノクロルシラン、トリクロ
ルシラン等で代表されるＳｉ無機化合物ガスを主たる親
ガスとする原料ガスを供給し、１Ｔｏｒｒ前後の成膜真
空度のもとに、該ガスを高周波電圧（ラジオ高周波）印
加にてプラズマ分解し、Ｓｉ膜（主としてアモルファス
シリコン膜）、ＳｉＮｘ膜に代表されるＳｉ化合物膜を
シリコンウエハ基板、ガラス基板等に形成する場合、中
性又はイオン化したラジカルがガス放電空間で発生した
あと消滅しがたく、親ガス分子と２次反応して高次のＳ
ｉ化合物を形成し、これが成長して膜欠陥の原因となる
パーティクルとなり、基板膜に付着したり、混入したり
する。パーティクルの発生が多い状態で成膜すると、高
次Ｓｉ化合物が基板トレーや真空室内壁に付着して、や
がて剥落し、ダストパーティクルとして基板上に降り注
ぐ現象が短時間のうちに発生し、基板膜に付着したり、
混入したりする。また、高速成膜の目的でＲＦ電力を上
げると、さらにパーティクルの発生が顕著となり、生産
性（スループット）向上の上で大きな障害となってい
る。
プラズマＣＶＤ装置においては、例えば、原料ガスとし
てモノシラン、ジシラン、モノクロルシラン、トリクロ
ルシラン等で代表されるＳｉ無機化合物ガスを主たる親
ガスとする原料ガスを供給し、１Ｔｏｒｒ前後の成膜真
空度のもとに、該ガスを高周波電圧（ラジオ高周波）印
加にてプラズマ分解し、Ｓｉ膜（主としてアモルファス
シリコン膜）、ＳｉＮｘ膜に代表されるＳｉ化合物膜を
シリコンウエハ基板、ガラス基板等に形成する場合、中
性又はイオン化したラジカルがガス放電空間で発生した
あと消滅しがたく、親ガス分子と２次反応して高次のＳ
ｉ化合物を形成し、これが成長して膜欠陥の原因となる
パーティクルとなり、基板膜に付着したり、混入したり
する。パーティクルの発生が多い状態で成膜すると、高
次Ｓｉ化合物が基板トレーや真空室内壁に付着して、や
がて剥落し、ダストパーティクルとして基板上に降り注
ぐ現象が短時間のうちに発生し、基板膜に付着したり、
混入したりする。また、高速成膜の目的でＲＦ電力を上
げると、さらにパーティクルの発生が顕著となり、生産
性（スループット）向上の上で大きな障害となってい
る。
【０００５】そこで本発明は、高周波電極に接地電極を
対向させたプラズマＣＶＤ装置であって、成膜へのパー
ティクル付着や混入を従来より防止できるプラズマＣＶ
Ｄ装置を提供することを課題とする。また、本発明は、
高周波電極に接地電極を対向させたプラズマＣＶＤ装置
であって、高速成膜を行える前記プラズマＣＶＤ装置を
提供することを課題とする。
対向させたプラズマＣＶＤ装置であって、成膜へのパー
ティクル付着や混入を従来より防止できるプラズマＣＶ
Ｄ装置を提供することを課題とする。また、本発明は、
高周波電極に接地電極を対向させたプラズマＣＶＤ装置
であって、高速成膜を行える前記プラズマＣＶＤ装置を
提供することを課題とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は前記課題を解
決するにあたり、プラズマＣＶＤ装置の気相中に発生す
るパーティクル生成の原因となる特定のラジカルは、通
常、負に帯電していること、従って、基体ホルダの前に
正電位部を設ければ、この部分で負帯電ラジカルがトラ
ップされ、成膜に寄与する中性又は正に帯電したラジカ
ルを優先的に基体へ進め得ることに着目し、また、高周
波電極をマグネトロンタイプに形成すれば、親ガスの分
解速度が速くなり、それだけ成膜速度を上げ得ることに
着目し、本発明を完成した。
決するにあたり、プラズマＣＶＤ装置の気相中に発生す
るパーティクル生成の原因となる特定のラジカルは、通
常、負に帯電していること、従って、基体ホルダの前に
正電位部を設ければ、この部分で負帯電ラジカルがトラ
ップされ、成膜に寄与する中性又は正に帯電したラジカ
ルを優先的に基体へ進め得ることに着目し、また、高周
波電極をマグネトロンタイプに形成すれば、親ガスの分
解速度が速くなり、それだけ成膜速度を上げ得ることに
着目し、本発明を完成した。
【０００７】すなわち本発明は、先ず、高周波電極と接
地電極を対向させたプラズマＣＶＤ装置において、前記
高周波電極と接地電極との間にメッシュ状の中間電極を
配置し、該中間電極に接地に対して正電圧を印加できる
ように構成したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置を
提供するものである。また、本発明は、高速成膜を実現
するために、高周波電極をマグネトロンタイプに形成し
た前記プラズマＣＶＤ装置を提供するものである。
地電極を対向させたプラズマＣＶＤ装置において、前記
高周波電極と接地電極との間にメッシュ状の中間電極を
配置し、該中間電極に接地に対して正電圧を印加できる
ように構成したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置を
提供するものである。また、本発明は、高速成膜を実現
するために、高周波電極をマグネトロンタイプに形成し
た前記プラズマＣＶＤ装置を提供するものである。
【０００８】前記メッシュ状電極の材質としては、ステ
ンレススチール、モリブデン、カーボン等が考えられ
る。また、この電極の開口形状も四角形、丸形等各種考
えられる。開口寸法も本発明の課題を解決できる範囲で
任意であり、例えば四角開口、丸形開口については、一
辺又は直径が０．５〜２ｍｍ程度を例示できる。前記メ
ッシュ状電極に印加する正電圧の大きさは、基体の種
類、形成すべき膜の種類、高周波電力の大きさ等の条件
によって異なるが、一般的な成膜条件では、例えば０＜
正電圧＜２００Ｖの範囲を例示できる。但しこれに限定
されない。ガラス基板やシリコンウエハにａ−Ｓｉ膜や
ＳｉＮｘ膜を形成するときは、略この範囲でよい。
ンレススチール、モリブデン、カーボン等が考えられ
る。また、この電極の開口形状も四角形、丸形等各種考
えられる。開口寸法も本発明の課題を解決できる範囲で
任意であり、例えば四角開口、丸形開口については、一
辺又は直径が０．５〜２ｍｍ程度を例示できる。前記メ
ッシュ状電極に印加する正電圧の大きさは、基体の種
類、形成すべき膜の種類、高周波電力の大きさ等の条件
によって異なるが、一般的な成膜条件では、例えば０＜
正電圧＜２００Ｖの範囲を例示できる。但しこれに限定
されない。ガラス基板やシリコンウエハにａ−Ｓｉ膜や
ＳｉＮｘ膜を形成するときは、略この範囲でよい。
【０００９】
【作用】本発明装置によると、成膜中、高周波電極と接
地電極との間に設けたメッシュ状電極に正電圧を印加す
ることにより、気相中に発生するパーティクル生成の原
因となる負帯電ラジカルがこのメッシュ状電極と高周波
電極の間にトラップされる一方、成膜に寄与するラジカ
ルが優先的に基体へ進行し、基体膜へのパーティクルの
付着や混入が従来より防止される。
地電極との間に設けたメッシュ状電極に正電圧を印加す
ることにより、気相中に発生するパーティクル生成の原
因となる負帯電ラジカルがこのメッシュ状電極と高周波
電極の間にトラップされる一方、成膜に寄与するラジカ
ルが優先的に基体へ進行し、基体膜へのパーティクルの
付着や混入が従来より防止される。
【００１０】高周波電極をマグネトロンタイプに形成す
るときは、高周波電極に設けた磁石に基づくＥ（電界）
×Ｂ（磁場）効果により、電子旋回及びドリフト運動
（電子のサイクロトロン運動）が生じ、高周波電極近傍
のプラズマ密度が高くなり、原料ガスの分解速度が速ま
り、成膜速度向上に寄与するラジカルの濃度が高められ
る。
るときは、高周波電極に設けた磁石に基づくＥ（電界）
×Ｂ（磁場）効果により、電子旋回及びドリフト運動
（電子のサイクロトロン運動）が生じ、高周波電極近傍
のプラズマ密度が高くなり、原料ガスの分解速度が速ま
り、成膜速度向上に寄与するラジカルの濃度が高められ
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の一実施例の概略構成を示してい
る。このプラズマＣＶＤ装置は平行平板電極型プラズマ
ＣＶＤ装置で、高周波電極２と基体ホルダ３との間にメ
ッシュ状電極１０を配置し、これに電圧可変の電源１０
ａから正電圧を印加できるようにしてある点、及び高周
波電極の裏面に複数の永久磁石Ｍが配置してあり、高周
波電極２がマグネトロンタイプに形成されている点を除
いて、図２の従来装置と同構造である。従来装置におけ
る部品と同じ部品については同じ参照符号を付してあ
る。
する。図１は本発明の一実施例の概略構成を示してい
る。このプラズマＣＶＤ装置は平行平板電極型プラズマ
ＣＶＤ装置で、高周波電極２と基体ホルダ３との間にメ
ッシュ状電極１０を配置し、これに電圧可変の電源１０
ａから正電圧を印加できるようにしてある点、及び高周
波電極の裏面に複数の永久磁石Ｍが配置してあり、高周
波電極２がマグネトロンタイプに形成されている点を除
いて、図２の従来装置と同構造である。従来装置におけ
る部品と同じ部品については同じ参照符号を付してあ
る。
【００１２】磁石Ｍは、それぞれ円筒形のもので、２重
リング形に配置してある。この装置によると、基体ホル
ダ３には、例えば半導体デバイス基板９が設置され、し
かるのち、該基板９がヒータ６にて所定の成膜温度に制
御されるとともに真空室１内が所定の成膜真空度に維持
されつつガス導入口８から原料ガスが供給され、このガ
スに高周波電極２から高周波電圧が印加されることで該
ガスがプラズマ化し、このプラズマに基板９表面が曝さ
れることで、該表面に所望の薄膜が形成される。
リング形に配置してある。この装置によると、基体ホル
ダ３には、例えば半導体デバイス基板９が設置され、し
かるのち、該基板９がヒータ６にて所定の成膜温度に制
御されるとともに真空室１内が所定の成膜真空度に維持
されつつガス導入口８から原料ガスが供給され、このガ
スに高周波電極２から高周波電圧が印加されることで該
ガスがプラズマ化し、このプラズマに基板９表面が曝さ
れることで、該表面に所望の薄膜が形成される。
【００１３】この薄膜形成中、高周波電極２と接地電極
である基体ホルダ３との間に設けたメッシュ状電極１０
に電源１０ａにて正電圧が印加され、気相中に発生する
パーティクル生成の原因となる負帯電ラジカルがこのメ
ッシュ状電極１０と高周波電極２の間にトラップされる
一方、成膜に寄与するラジカルが優先的に基体９へ進行
し、基体膜へのパーティクルの付着や混入が従来より防
止される。
である基体ホルダ３との間に設けたメッシュ状電極１０
に電源１０ａにて正電圧が印加され、気相中に発生する
パーティクル生成の原因となる負帯電ラジカルがこのメ
ッシュ状電極１０と高周波電極２の間にトラップされる
一方、成膜に寄与するラジカルが優先的に基体９へ進行
し、基体膜へのパーティクルの付着や混入が従来より防
止される。
【００１４】高周波電極２はマグネトロンタイプに形成
してあるので、該高周波電極に設けた永久磁石Ｍと電界
の作用で電子のサイクロトロン運動が生じ、高周波電極
２近傍のガスの分解速度が速まり、成膜速度向上に寄与
するラジカルの濃度が高められ、それだけ高速成膜され
る。具体的実施例として次の条件で成膜を行ってみた。 実施例１：アモルファスシリコン膜の形成 成膜条件 成膜真空度 ： ０．５〜１．０Ｔｏｒｒ 基板温度 ： ３００℃ 高周波電極 ： 直径 ８インチ （但し、マグネ
トロンタイプでなく従来タイプのものを使用） 高周波電力 ： ２００Ｗ １３．５６ＭＨｚ 基体ホルダ ： 直径 ８インチ 使用ガス ： ＳｉＨ4 ５０ＣＣＭ Ｈ2 １５０ＣＣＭ メッシュ状電極 ： ステンレス鋼製、各開口は一辺１
ｍｍの四角形、全体サイズ 直径１０インチ 印加電圧 ＋５０Ｖ 基板 ： ６インチ シリコンウエハ 結果 成膜速度 ： 約２５０Å／ｍｉｎ 膜厚 ： ３０００Å パーティクル欠陥： μｍオーダー以上の欠陥無し。
してあるので、該高周波電極に設けた永久磁石Ｍと電界
の作用で電子のサイクロトロン運動が生じ、高周波電極
２近傍のガスの分解速度が速まり、成膜速度向上に寄与
するラジカルの濃度が高められ、それだけ高速成膜され
る。具体的実施例として次の条件で成膜を行ってみた。 実施例１：アモルファスシリコン膜の形成 成膜条件 成膜真空度 ： ０．５〜１．０Ｔｏｒｒ 基板温度 ： ３００℃ 高周波電極 ： 直径 ８インチ （但し、マグネ
トロンタイプでなく従来タイプのものを使用） 高周波電力 ： ２００Ｗ １３．５６ＭＨｚ 基体ホルダ ： 直径 ８インチ 使用ガス ： ＳｉＨ4 ５０ＣＣＭ Ｈ2 １５０ＣＣＭ メッシュ状電極 ： ステンレス鋼製、各開口は一辺１
ｍｍの四角形、全体サイズ 直径１０インチ 印加電圧 ＋５０Ｖ 基板 ： ６インチ シリコンウエハ 結果 成膜速度 ： 約２５０Å／ｍｉｎ 膜厚 ： ３０００Å パーティクル欠陥： μｍオーダー以上の欠陥無し。
【００１５】なお、メッシュ状電極を設置しなかった点
を除いて、上記と同じ成膜状件で従来装置により膜形成
を行い、膜厚３０００Å形成後、該膜内に存在するパー
ティクル欠陥を測定したところ、μｍオーダーの欠陥が
１０個／ｃｍ2 、１０μｍオーダーの欠陥が２〜３個／
ｃｍ2 存在した。 実施例２：アモルファスシリコン膜の形成 成膜条件 高周波電極 ： 直径 ８インチ（マグネトロンタ
イプ） 永久磁石 ： Ｓｍ−Ｃｏ系の磁力約５０００ガ
ウスの円筒形磁石を２重リング形に配置 使用ガス ： ＳｉＨ4 ５０ＣＣＭ Ｈ2 １５０ＣＣＭ メッシュ状電極 ： 実施例１と同じ 印加電圧 ＋６０Ｖ その他の成膜状件は実施例１と同じ。 結果 成膜速度 ： 約４００Å／ｍｉｎ 膜厚 ： ２０００Å パーティクル欠陥： μｍオーダー以上の欠陥無し。 実施例３：アモルファスシリコン膜の形成 高周波電極がマグネトロンタイプでなく、従来タイプの
ものである点を除いて、実施例２と同じ成膜状件による
膜形成も行ったが、同様にμｍオーダー以上のパーティ
クル欠陥は認められなかった。しかし、マグネトロンタ
イプの高周波電極を採用しなかったので、成膜速度は実
施例２の方がこの実施例３より１．５倍速かった。
を除いて、上記と同じ成膜状件で従来装置により膜形成
を行い、膜厚３０００Å形成後、該膜内に存在するパー
ティクル欠陥を測定したところ、μｍオーダーの欠陥が
１０個／ｃｍ2 、１０μｍオーダーの欠陥が２〜３個／
ｃｍ2 存在した。 実施例２：アモルファスシリコン膜の形成 成膜条件 高周波電極 ： 直径 ８インチ（マグネトロンタ
イプ） 永久磁石 ： Ｓｍ−Ｃｏ系の磁力約５０００ガ
ウスの円筒形磁石を２重リング形に配置 使用ガス ： ＳｉＨ4 ５０ＣＣＭ Ｈ2 １５０ＣＣＭ メッシュ状電極 ： 実施例１と同じ 印加電圧 ＋６０Ｖ その他の成膜状件は実施例１と同じ。 結果 成膜速度 ： 約４００Å／ｍｉｎ 膜厚 ： ２０００Å パーティクル欠陥： μｍオーダー以上の欠陥無し。 実施例３：アモルファスシリコン膜の形成 高周波電極がマグネトロンタイプでなく、従来タイプの
ものである点を除いて、実施例２と同じ成膜状件による
膜形成も行ったが、同様にμｍオーダー以上のパーティ
クル欠陥は認められなかった。しかし、マグネトロンタ
イプの高周波電極を採用しなかったので、成膜速度は実
施例２の方がこの実施例３より１．５倍速かった。
【００１６】なお、高周波電極がマグネトロンタイプで
なく、従来タイプのものである点、及びメッシュ状電極
を設置しなかった点を除いて、実施例２、３と同じ成膜
状件で従来装置により膜形成を行い、膜厚２０００Å形
成後、該膜内に存在するパーティクル欠陥を測定したと
ころ、μｍオーダーの欠陥が４個／ｃｍ2 、１０μｍオ
ーダーの欠陥が１〜２個／ｃｍ2 存在した。 実施例４：ａ−ＳｉＮｘ膜の形成 成膜条件 成膜真空度 ： ０．５〜１．０Ｔｏｒｒ 基板温度 ： ３５０℃ 高周波電極 ： 直径 ８インチ （但し、マグネ
トロンタイプでなく従来タイプのものを使用） 高周波電力 ： ２００Ｗ １３．５６ＭＨｚ 基体ホルダ ： 直径 ８インチ 使用ガス ： ＳｉＨ4 ５０ＣＣＭ Ｎ2 ５０ＣＣＭ ＮＨ3 １５０ＣＣＭ メッシュ状電極 ： 実施例１と同じ 印加電圧 ＋４０Ｖ 基板 ： ６インチ シリコンウエハ 結果 成膜速度 ： 約５００Å／ｍｉｎ 膜厚 ： ３０００Å パーティクル欠陥： μｍオーダー以上の欠陥無し。
なく、従来タイプのものである点、及びメッシュ状電極
を設置しなかった点を除いて、実施例２、３と同じ成膜
状件で従来装置により膜形成を行い、膜厚２０００Å形
成後、該膜内に存在するパーティクル欠陥を測定したと
ころ、μｍオーダーの欠陥が４個／ｃｍ2 、１０μｍオ
ーダーの欠陥が１〜２個／ｃｍ2 存在した。 実施例４：ａ−ＳｉＮｘ膜の形成 成膜条件 成膜真空度 ： ０．５〜１．０Ｔｏｒｒ 基板温度 ： ３５０℃ 高周波電極 ： 直径 ８インチ （但し、マグネ
トロンタイプでなく従来タイプのものを使用） 高周波電力 ： ２００Ｗ １３．５６ＭＨｚ 基体ホルダ ： 直径 ８インチ 使用ガス ： ＳｉＨ4 ５０ＣＣＭ Ｎ2 ５０ＣＣＭ ＮＨ3 １５０ＣＣＭ メッシュ状電極 ： 実施例１と同じ 印加電圧 ＋４０Ｖ 基板 ： ６インチ シリコンウエハ 結果 成膜速度 ： 約５００Å／ｍｉｎ 膜厚 ： ３０００Å パーティクル欠陥： μｍオーダー以上の欠陥無し。
【００１７】なお、メッシュ状電極を設置しなかった点
を除いて、前記と同じ成膜状件で従来装置により膜形成
を行い、膜厚３０００Å形成後、該膜内に存在するパー
ティクル欠陥を測定したところ、μｍオーダーの欠陥が
９個／ｃｍ2 、１０μｍオーダーの欠陥が３〜４個／ｃ
ｍ2 存在した。
を除いて、前記と同じ成膜状件で従来装置により膜形成
を行い、膜厚３０００Å形成後、該膜内に存在するパー
ティクル欠陥を測定したところ、μｍオーダーの欠陥が
９個／ｃｍ2 、１０μｍオーダーの欠陥が３〜４個／ｃ
ｍ2 存在した。
【００１８】
【発明の効果】本発明によると、高周波電極に接地電極
を対向させたプラズマＣＶＤ装置において、成膜へのパ
ーティクル付着や混入を従来より防止できる効果があ
る。また、前記高周波電極をマグネトロンタイプに形成
するときは、高速成膜を行える。
を対向させたプラズマＣＶＤ装置において、成膜へのパ
ーティクル付着や混入を従来より防止できる効果があ
る。また、前記高周波電極をマグネトロンタイプに形成
するときは、高速成膜を行える。
【図１】本発明の一実施例の概略構成を示す図である。
【図２】従来例の概略構成を示す図である。
１ 真空室 ２ 高周波電極 Ｍ 永久磁石 ３ 基体ホルダ ４ マッチングボックス ５ 高周波電源 ６ ヒータ ７ 排気系 ８ ガス導入口 ９ 基板 １０ メッシュ状電極 １０ａ 電源
Claims (2)
- 【請求項１】 高周波電極と接地電極を対向させたプラ
ズマＣＶＤ装置において、前記高周波電極と接地電極と
の間にメッシュ状の中間電極を配置し、該中間電極に接
地に対して正電圧を印加できるように構成したことを特
徴とするプラズマＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記高周波電極をマグネトロンタイプに
形成した請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25377691A JPH0593277A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25377691A JPH0593277A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0593277A true JPH0593277A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=17255992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25377691A Pending JPH0593277A (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0593277A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010001535A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Fujifilm Corp | ガスバリア膜の形成方法およびガスバリア膜 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63286570A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-24 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜形成装置 |
-
1991
- 1991-10-01 JP JP25377691A patent/JPH0593277A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63286570A (ja) * | 1987-05-15 | 1988-11-24 | Nissin Electric Co Ltd | 薄膜形成装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010001535A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Fujifilm Corp | ガスバリア膜の形成方法およびガスバリア膜 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19950711 |