JPH0594798A - 焦点深度切り換え可能な電子顕微鏡等の電子光学観察装置 - Google Patents
焦点深度切り換え可能な電子顕微鏡等の電子光学観察装置Info
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- JPH0594798A JPH0594798A JP3115740A JP11574091A JPH0594798A JP H0594798 A JPH0594798 A JP H0594798A JP 3115740 A JP3115740 A JP 3115740A JP 11574091 A JP11574091 A JP 11574091A JP H0594798 A JPH0594798 A JP H0594798A
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- electron
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- focusing lens
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 モード切り換えによって焦点深度を変更する
ことができる電子顕微鏡等において、モード切り換えの
際に広い試料位置範囲で一定の像回転補正で何れのモー
ドでも像回転が殆どなしに観察可能にする。 【構成】 高分解能を得る従来モードにおける第2集束
レンズ2の結像位置Yから対物レンズ3までの距離b、
及び、焦点深度の深いモードにおける対物レンズ3から
第2集束レンズ2の結像位置Qまでの距離aを、対物レ
ンズ3から最も離れた試料位置S2 までの距離w2 に比
較して十分大きく設定して、何れの試料位置においても
モード変換に伴う像回転をほぼ同じ角度にし、試料位置
を変えたときのモード変換に伴う像回転補正を広い範囲
の作動距離について同じ角度にしても、その変換による
像回転を極めて小さくする。
ことができる電子顕微鏡等において、モード切り換えの
際に広い試料位置範囲で一定の像回転補正で何れのモー
ドでも像回転が殆どなしに観察可能にする。 【構成】 高分解能を得る従来モードにおける第2集束
レンズ2の結像位置Yから対物レンズ3までの距離b、
及び、焦点深度の深いモードにおける対物レンズ3から
第2集束レンズ2の結像位置Qまでの距離aを、対物レ
ンズ3から最も離れた試料位置S2 までの距離w2 に比
較して十分大きく設定して、何れの試料位置においても
モード変換に伴う像回転をほぼ同じ角度にし、試料位置
を変えたときのモード変換に伴う像回転補正を広い範囲
の作動距離について同じ角度にしても、その変換による
像回転を極めて小さくする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームを試料面に
集束して照射することによりその表面形状、物性の違い
等を観察する電子顕微鏡等の電子光学観察装置に関し、
特に、異なるモードに切り換えることにより焦点深度切
り換え可能な電子顕微鏡等の電子光学観察装置に関す
る。
集束して照射することによりその表面形状、物性の違い
等を観察する電子顕微鏡等の電子光学観察装置に関し、
特に、異なるモードに切り換えることにより焦点深度切
り換え可能な電子顕微鏡等の電子光学観察装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】図5に凹凸のある試料Sに入射する電子
ビーム(プローブ)Bの開き角αとプローブ径dP と走
査線間の距離Sr を示すが、従来の走査型電子顕微鏡
(SEM)、電子プローブマイクロアナライザ(EPM
A)、オージェ電子分光装置(AES)等においては、
試料Sに照射するプローブ電流IP を決めたとき、この
I P の値に対して試料S上でのプローブ径dP が最小値
になるように、又は、最小値に近づくように電子光学系
を制御していた(例えば、特公昭56−10740号、
特開平1−159943号)。この結果、観察倍率Mが
低いときには、試料S面を走査する電子プローブBの走
査線間の距離Sr はプローブ径dPよりもはるかに大き
くなり、試料Sに入射するビームBの開き角αも大きな
値(例えば、0.5〜1×10-2rad)になってい
た。したがって、次式(1.1)で定義される焦点深度
DF も小さな値になっていた。
ビーム(プローブ)Bの開き角αとプローブ径dP と走
査線間の距離Sr を示すが、従来の走査型電子顕微鏡
(SEM)、電子プローブマイクロアナライザ(EPM
A)、オージェ電子分光装置(AES)等においては、
試料Sに照射するプローブ電流IP を決めたとき、この
I P の値に対して試料S上でのプローブ径dP が最小値
になるように、又は、最小値に近づくように電子光学系
を制御していた(例えば、特公昭56−10740号、
特開平1−159943号)。この結果、観察倍率Mが
低いときには、試料S面を走査する電子プローブBの走
査線間の距離Sr はプローブ径dPよりもはるかに大き
くなり、試料Sに入射するビームBの開き角αも大きな
値(例えば、0.5〜1×10-2rad)になってい
た。したがって、次式(1.1)で定義される焦点深度
DF も小さな値になっていた。
【0003】 DF =±(r/M−dP )/2α ・・・(1.1) ここで、rは人間の目が許容するボケの値(通常、0.
2mmと言われている。)である。したがって、dP ≪
r/Mの場合には、M=100×では、r/M=2×1
0-3mmであるから、2α=1〜2×10-2radを代
入すると、最大でもDF =±0.1〜±0.2mmとな
る。特に、SEMの試料としては、表面の凹凸が±0.
2mmを越えるものは日常的であるから、焦点深度は必
ずしも十分なものではなかった。
2mmと言われている。)である。したがって、dP ≪
r/Mの場合には、M=100×では、r/M=2×1
0-3mmであるから、2α=1〜2×10-2radを代
入すると、最大でもDF =±0.1〜±0.2mmとな
る。特に、SEMの試料としては、表面の凹凸が±0.
2mmを越えるものは日常的であるから、焦点深度は必
ずしも十分なものではなかった。
【0004】従来のSEMにおけるこのような縮小レン
ズ系(対物レンズ等は、電子銃の像を試料上に縮小して
結像するので、このように呼ばれる。)において、あえ
て焦点深度を深くする方法としては、 (A)対物レンズの前段に配置されている対物絞り(図
2の5)径を小さくする(例えば、〜10μm)。 (B)作動距離を大きくする(例えば、〜50mm)。 等が考えられる。
ズ系(対物レンズ等は、電子銃の像を試料上に縮小して
結像するので、このように呼ばれる。)において、あえ
て焦点深度を深くする方法としては、 (A)対物レンズの前段に配置されている対物絞り(図
2の5)径を小さくする(例えば、〜10μm)。 (B)作動距離を大きくする(例えば、〜50mm)。 等が考えられる。
【0005】また、 (C)任意のプローブ電流IP に対してプローブ径dP
を最小にする制御方式から切り換えて、任意のプローブ
電流IP と任意の観察倍率Mに対して、常に焦点深度を
最大にする(例えば、特開平1−236563号)。 のような新しい考え方もある。これは、図5と同様な図
6に示すように、プローブ径dP が大きくなっても観察
倍率Mが小さければ、dP は試料S面上の走査線の間隔
Sr よりも小さくなることを利用するものである。通
常、間隔Sr は観察倍率Mで拡大しても人間の目に認識
されないように選ばれるので(Sr ・M≦0.2m
m)、当然dP ・M<0.2mmとなり、dP が大きい
ことによるボケも認識されない。したがって、ボケが認
識されない範囲で焦点深度を最大にしようとするもので
ある。
を最小にする制御方式から切り換えて、任意のプローブ
電流IP と任意の観察倍率Mに対して、常に焦点深度を
最大にする(例えば、特開平1−236563号)。 のような新しい考え方もある。これは、図5と同様な図
6に示すように、プローブ径dP が大きくなっても観察
倍率Mが小さければ、dP は試料S面上の走査線の間隔
Sr よりも小さくなることを利用するものである。通
常、間隔Sr は観察倍率Mで拡大しても人間の目に認識
されないように選ばれるので(Sr ・M≦0.2m
m)、当然dP ・M<0.2mmとなり、dP が大きい
ことによるボケも認識されない。したがって、ボケが認
識されない範囲で焦点深度を最大にしようとするもので
ある。
【0006】次に、従来のSEMよりもさらに高分解能
を目指して強励磁対物レンズを用いる超高分解能のSE
Mでは、レンズの収差係数を小さくするために、対物レ
ンズのポールピースの間隙を小さくし、この間隙内に試
料を入れるような方式をとっている。この場合、倍率を
小さくするには、対物レンズの励磁を弱める必要がある
ので、次のような手法をとっている。
を目指して強励磁対物レンズを用いる超高分解能のSE
Mでは、レンズの収差係数を小さくするために、対物レ
ンズのポールピースの間隙を小さくし、この間隙内に試
料を入れるような方式をとっている。この場合、倍率を
小さくするには、対物レンズの励磁を弱める必要がある
ので、次のような手法をとっている。
【0007】(D)対物レンズの励磁を切って、その前
段の集束レンズによってフォーカス調整を行う。 (E)対物レンズの励磁を倍率に応じて変え、小さい倍
率ほど対物レンズの励磁を弱め、フォーカス調整は対物
レンズの前段の集束レンズの焦点距離を変えることによ
って行う。この時、対物レンズ主面上のビーム径は、集
束レンズの絞り径で制限されている(例えば、特公昭4
9−40380号)。
段の集束レンズによってフォーカス調整を行う。 (E)対物レンズの励磁を倍率に応じて変え、小さい倍
率ほど対物レンズの励磁を弱め、フォーカス調整は対物
レンズの前段の集束レンズの焦点距離を変えることによ
って行う。この時、対物レンズ主面上のビーム径は、集
束レンズの絞り径で制限されている(例えば、特公昭4
9−40380号)。
【0008】上記(D)では、前段の集束レンズと試料
の距離が離れているため(例えば、150mm)、前段
の集束レンズの主面にφ300μmの絞りを入れておけ
ば、試料に入射するビームの開き角αは容易に1×10
-3radが得られる。また、(E)では、特公昭49−
36769号に示すように、前段の集束レンズによって
対物レンズの主面上のビーム径が小さくなるように制御
すれば、焦点深度を大きくできることがわかる。なお、
(D)や(E)は低倍観察が主な目的であり、上記の焦
点深度が大きくなるのは2次的な効果である。
の距離が離れているため(例えば、150mm)、前段
の集束レンズの主面にφ300μmの絞りを入れておけ
ば、試料に入射するビームの開き角αは容易に1×10
-3radが得られる。また、(E)では、特公昭49−
36769号に示すように、前段の集束レンズによって
対物レンズの主面上のビーム径が小さくなるように制御
すれば、焦点深度を大きくできることがわかる。なお、
(D)や(E)は低倍観察が主な目的であり、上記の焦
点深度が大きくなるのは2次的な効果である。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記
(A)の方法では、まず絞り交換の操作が必要であり、
交換の後は、絞りの軸調整が必要になる。また、例えば
焦点深度を5倍にしようとすれば、少なくとも絞り径は
1/5にしなければならず、製作上の精度の問題や絞り
の汚染が絞りを通過するビームに影響を与える問題が発
生する。また、プローブ電流を増やすために、第2集束
レンズ(図2の2)の結像点を絞り(図2の5)に接近
させるような装置では、プローブ電流の増大と共に試料
に入射するビーム角αも増大する。
(A)の方法では、まず絞り交換の操作が必要であり、
交換の後は、絞りの軸調整が必要になる。また、例えば
焦点深度を5倍にしようとすれば、少なくとも絞り径は
1/5にしなければならず、製作上の精度の問題や絞り
の汚染が絞りを通過するビームに影響を与える問題が発
生する。また、プローブ電流を増やすために、第2集束
レンズ(図2の2)の結像点を絞り(図2の5)に接近
させるような装置では、プローブ電流の増大と共に試料
に入射するビーム角αも増大する。
【0010】また、前記(B)の方法では、作動距離を
変えるための操作が必要になる。また、2次電子検子器
の電界が電子プローブに影響を及ぼす空間が長くなるた
め、観察視野が移動する。低加速電圧になるとこの効果
が顕著になる。
変えるための操作が必要になる。また、2次電子検子器
の電界が電子プローブに影響を及ぼす空間が長くなるた
め、観察視野が移動する。低加速電圧になるとこの効果
が顕著になる。
【0011】前記(C)の方法では、理想的な制御が行
われる反面、対物レンズの前段の集束レンズの結像点が
対物レンズとその前段の集束レンズの間にあって移動す
る場合には、対物レンズの焦点距離が大幅に変化する場
合があり、像回転補正を対物レンズ励磁と連動して行う
必要がある。
われる反面、対物レンズの前段の集束レンズの結像点が
対物レンズとその前段の集束レンズの間にあって移動す
る場合には、対物レンズの焦点距離が大幅に変化する場
合があり、像回転補正を対物レンズ励磁と連動して行う
必要がある。
【0012】さらに、前記(D)の方法では、対物レン
ズの励磁がゼロから最強励磁まで変化するために、光学
系の軸ずれが生じ、視野が〜50μm以上ずれることも
ある。また、対物レンズの上部ポールピース上方に2次
電子検出器があるため、対物レンズ励磁をゼロにするこ
とによって2次電子の検出効率が下がり、像が暗くなっ
てしまう。また、対物レンズの前段の集束レンズによっ
てフォーカス調整を行う場合に、対物絞りがこの集束レ
ンズの主面位置上にない場合には、フォーカス調整でプ
ローブ電流が変化し、像の明るさが変わるため、調整し
難いことがある。
ズの励磁がゼロから最強励磁まで変化するために、光学
系の軸ずれが生じ、視野が〜50μm以上ずれることも
ある。また、対物レンズの上部ポールピース上方に2次
電子検出器があるため、対物レンズ励磁をゼロにするこ
とによって2次電子の検出効率が下がり、像が暗くなっ
てしまう。また、対物レンズの前段の集束レンズによっ
てフォーカス調整を行う場合に、対物絞りがこの集束レ
ンズの主面位置上にない場合には、フォーカス調整でプ
ローブ電流が変化し、像の明るさが変わるため、調整し
難いことがある。
【0013】また、前記(E)の方法では、作動距離が
大きく変化したとき、つまり、図7に示すように、対物
レンズ3主面位置と試料面との間の距離wが対物レンズ
3の焦点距離fよりも大きくなったときには、対物レン
ズ3の主面からビームの進む方向に測定した対物レンズ
3の前段の第2集束レンズ2の結像点Qまでの距離a
(図1参照)が、 a=fw/(f−w)<0 ・・・(1.2) となってしまうため、集束レンズ2のみではフォーカス
が追い切れないことになる。強励磁対物レンズの場合、
対物レンズ励磁の変更は観察可能な最低倍の変更につな
がり、また、対物レンズ主面と試料面までの距離が極端
に短いため、作動距離の大きな変化はそのまま対物レン
ズ焦点距離の変化になり、像回転補正の連動が複雑にな
る。
大きく変化したとき、つまり、図7に示すように、対物
レンズ3主面位置と試料面との間の距離wが対物レンズ
3の焦点距離fよりも大きくなったときには、対物レン
ズ3の主面からビームの進む方向に測定した対物レンズ
3の前段の第2集束レンズ2の結像点Qまでの距離a
(図1参照)が、 a=fw/(f−w)<0 ・・・(1.2) となってしまうため、集束レンズ2のみではフォーカス
が追い切れないことになる。強励磁対物レンズの場合、
対物レンズ励磁の変更は観察可能な最低倍の変更につな
がり、また、対物レンズ主面と試料面までの距離が極端
に短いため、作動距離の大きな変化はそのまま対物レン
ズ焦点距離の変化になり、像回転補正の連動が複雑にな
る。
【0014】ところで、本出願人は、特願平1−248
794号において、電子ビームの進行方向に、電子銃、
第1集束レンズ、第2集束レンズ、対物絞り、対物レン
ズを順に配置し、任意のプローブ電流に対して、対物レ
ンズの焦点距離を変更することなしに、第1集束レンズ
及び第2集束レンズの焦点距離を制御して、大きい焦点
深度に変更することが可能な電子顕微鏡等の焦点深度調
整装置を提案した。また、この場合、プローブ電流を変
えると焦点深度も変化する高分解能の従来モードに切り
換え可能に構成して多様な観察ができるようにすること
も提案した。
794号において、電子ビームの進行方向に、電子銃、
第1集束レンズ、第2集束レンズ、対物絞り、対物レン
ズを順に配置し、任意のプローブ電流に対して、対物レ
ンズの焦点距離を変更することなしに、第1集束レンズ
及び第2集束レンズの焦点距離を制御して、大きい焦点
深度に変更することが可能な電子顕微鏡等の焦点深度調
整装置を提案した。また、この場合、プローブ電流を変
えると焦点深度も変化する高分解能の従来モードに切り
換え可能に構成して多様な観察ができるようにすること
も提案した。
【0015】しかしながら、特願平1−248794号
においては、高分解能の従来モードから焦点深度の深い
モードに切り換えた場合の像回転については何ら考慮を
はらっておらず、さらには、対物レンズに対する試料位
置が異なるときに従来モードから焦点深度の深いモード
に切り換えた場合の像回転についても何ら考慮をはらっ
ていない。
においては、高分解能の従来モードから焦点深度の深い
モードに切り換えた場合の像回転については何ら考慮を
はらっておらず、さらには、対物レンズに対する試料位
置が異なるときに従来モードから焦点深度の深いモード
に切り換えた場合の像回転についても何ら考慮をはらっ
ていない。
【0016】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、本出願人の提案に係る特願平
1−248794号のようにモード切り換えによって焦
点深度を変更することができる電子顕微鏡等において、
対物レンズに対する試料位置が広い範囲で異なっても試
料位置を変更しないで従来モードから焦点深度の深いモ
ードに切り換える限り、像回転量が何れの試料位置につ
いても殆ど同じになるようにして、モード切り換えの際
にこの広い試料位置範囲で一定の像回転補正で何れのモ
ードでも像回転が殆どなしに観察可能であり、かつ、上
記した従来技術(A)〜(E)の問題点を解決した焦点
深度切り換え可能な電子顕微鏡等の電子光学観察装置を
提供することである。
ものであり、その目的は、本出願人の提案に係る特願平
1−248794号のようにモード切り換えによって焦
点深度を変更することができる電子顕微鏡等において、
対物レンズに対する試料位置が広い範囲で異なっても試
料位置を変更しないで従来モードから焦点深度の深いモ
ードに切り換える限り、像回転量が何れの試料位置につ
いても殆ど同じになるようにして、モード切り換えの際
にこの広い試料位置範囲で一定の像回転補正で何れのモ
ードでも像回転が殆どなしに観察可能であり、かつ、上
記した従来技術(A)〜(E)の問題点を解決した焦点
深度切り換え可能な電子顕微鏡等の電子光学観察装置を
提供することである。
【0017】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の焦点深度切り換え可能な電子顕微鏡等の電子光学観
察装置は、電子ビームの進行方向に、少なくとも、電子
銃、第1集束レンズ、第2集束レンズ、対物絞り、走査
コイル、対物レンズが順に配置されてなり、第1集束レ
ンズ、第2集束レンズ、対物レンズの励磁を変更するこ
とにより、同一試料位置に対してフォーカスを変更する
ことなく、第2集束レンズによる電子銃の結像位置を対
物レンズの電子銃側及び試料側に変更して焦点深度が変
わる第1モード及び第2モードに変換可能な電子顕微鏡
等の電子光学観察装置において、第1モードにおける第
2集束レンズによる電子銃の結像位置から対物レンズ主
面位置までの距離、及び、第2モードにおける対物レン
ズ主面位置から第2集束レンズによる電子銃の結像位置
までの距離を、対物レンズ主面位置から最も離れた試料
位置までの距離に比較して十分大きく設定することによ
り、試料位置を変えたときのモード変換に伴う像回転補
正を同じ角度にしてもその変換による像回転を著しく小
さくしたことを特徴とするものである。
明の焦点深度切り換え可能な電子顕微鏡等の電子光学観
察装置は、電子ビームの進行方向に、少なくとも、電子
銃、第1集束レンズ、第2集束レンズ、対物絞り、走査
コイル、対物レンズが順に配置されてなり、第1集束レ
ンズ、第2集束レンズ、対物レンズの励磁を変更するこ
とにより、同一試料位置に対してフォーカスを変更する
ことなく、第2集束レンズによる電子銃の結像位置を対
物レンズの電子銃側及び試料側に変更して焦点深度が変
わる第1モード及び第2モードに変換可能な電子顕微鏡
等の電子光学観察装置において、第1モードにおける第
2集束レンズによる電子銃の結像位置から対物レンズ主
面位置までの距離、及び、第2モードにおける対物レン
ズ主面位置から第2集束レンズによる電子銃の結像位置
までの距離を、対物レンズ主面位置から最も離れた試料
位置までの距離に比較して十分大きく設定することによ
り、試料位置を変えたときのモード変換に伴う像回転補
正を同じ角度にしてもその変換による像回転を著しく小
さくしたことを特徴とするものである。
【0018】
【作用】本発明においては、第1モードにおける第2集
束レンズによる電子銃の結像位置から対物レンズ主面位
置までの距離、及び、第2モードにおける対物レンズ主
面位置から第2集束レンズによる電子銃の結像位置まで
の距離を、対物レンズ主面位置から最も離れた試料位置
までの距離に比較して十分大きく設定したので、何れの
試料位置においてもモード変換に伴う像回転はほぼ同じ
角度になり、そのため、試料位置を変えたときのモード
変換に伴う像回転補正を広い範囲の作動距離について同
じ角度にしても、その変換による像回転は極めて小さく
なる。
束レンズによる電子銃の結像位置から対物レンズ主面位
置までの距離、及び、第2モードにおける対物レンズ主
面位置から第2集束レンズによる電子銃の結像位置まで
の距離を、対物レンズ主面位置から最も離れた試料位置
までの距離に比較して十分大きく設定したので、何れの
試料位置においてもモード変換に伴う像回転はほぼ同じ
角度になり、そのため、試料位置を変えたときのモード
変換に伴う像回転補正を広い範囲の作動距離について同
じ角度にしても、その変換による像回転は極めて小さく
なる。
【0019】したがって、広い範囲の中の任意の作動距
離WD(例えば、10〜30mm)に対して焦点深度が
従来の数倍から1桁大きな焦点深度の深いモードに切り
換えても、像の明るさや視野ずれが少なく、また、像回
転も少なく(例えば、±2〜3°)なる。また、モード
切り換えに伴い対物レンズの励磁も余り大きく変化させ
なくともフォーカスが合う。このため、操作性が著しく
向上する。
離WD(例えば、10〜30mm)に対して焦点深度が
従来の数倍から1桁大きな焦点深度の深いモードに切り
換えても、像の明るさや視野ずれが少なく、また、像回
転も少なく(例えば、±2〜3°)なる。また、モード
切り換えに伴い対物レンズの励磁も余り大きく変化させ
なくともフォーカスが合う。このため、操作性が著しく
向上する。
【0020】
【実施例】次に、本発明の焦点深度切り換え可能な電子
顕微鏡等の電子光学観察装置の1実施例について、図面
を参照にして説明する。図1、図2は電子顕微鏡等にお
いて、電子銃から出た電子ビームを試料上に集束照射す
るまでのビームの経路を示すもので、図1は焦点深度が
深いモード(以下、LDFモードと言う。)にある場
合、図2は電子銃の像を高い縮小率で試料面に結像して
高分解能を得る従来モードにある場合を示す。図中、1
は第1集束レンズ、2は第2集束レンズ、3は対物レン
ズ、4は走査コイル、5は対物絞り、6は電子銃、7は
第1集束レンズ1、第2集束レンズ2、対物レンズ3、
走査コイル4の励磁を制御するための制御部、S1 、S
2 は異なる2つの試料位置を表し、対物レンズ3の主面
位置から各々w1 、w2 だけ離れているものとする。以
下、ここでは、対物レンズ3の主面位置から試料位置ま
での距離を結像距離と呼び、対物レンズ3の下面から試
料面までの距離を作動距離WDと言うことにする。点Q
は、LDFモードのときの第2集束レンズ2の仮想的な
結像点位置で、対物レンズ3の主面位置からaだけ離れ
ており、任意の照射電流あるいは加速電圧に対して定点
になっている(特願平1−248794号参照)。
顕微鏡等の電子光学観察装置の1実施例について、図面
を参照にして説明する。図1、図2は電子顕微鏡等にお
いて、電子銃から出た電子ビームを試料上に集束照射す
るまでのビームの経路を示すもので、図1は焦点深度が
深いモード(以下、LDFモードと言う。)にある場
合、図2は電子銃の像を高い縮小率で試料面に結像して
高分解能を得る従来モードにある場合を示す。図中、1
は第1集束レンズ、2は第2集束レンズ、3は対物レン
ズ、4は走査コイル、5は対物絞り、6は電子銃、7は
第1集束レンズ1、第2集束レンズ2、対物レンズ3、
走査コイル4の励磁を制御するための制御部、S1 、S
2 は異なる2つの試料位置を表し、対物レンズ3の主面
位置から各々w1 、w2 だけ離れているものとする。以
下、ここでは、対物レンズ3の主面位置から試料位置ま
での距離を結像距離と呼び、対物レンズ3の下面から試
料面までの距離を作動距離WDと言うことにする。点Q
は、LDFモードのときの第2集束レンズ2の仮想的な
結像点位置で、対物レンズ3の主面位置からaだけ離れ
ており、任意の照射電流あるいは加速電圧に対して定点
になっている(特願平1−248794号参照)。
【0021】図1のLDFモードにおいては、電子銃6
の像は第1集束レンズ1によってPの位置に一旦結像さ
れ、Pから出た電子ビームは第2集束レンズ2によって
点Qに向かって集束される。この集束ビームは、対物絞
り5によってプローブ電流が制限され、対物レンズ3に
入射する。対物絞り5によって制限された集束ビーム
は、対物レンズ3により試料面S1 又はS2 に集束され
る。対物レンズ3の主面上でのビーム径は小さくなるの
で、試料面S1 、S2 上に電子プローブを集束させたと
きのビームの光軸に対する角度α1 、α2 は小さくな
り、図2に示すような従来モードよりも焦点深度を大き
くすることができる。試料面S1 からS2 への結像の変
更は、従来モードからLDFモードに切り換えたときに
対物レンズ3の励磁を変更することにより行われ、モー
ド切り換え後の対物レンズ3の励磁は固定される。走査
コイル4は電子プローブを偏向させ、試料面S1 、S2
を走査する。試料面をS1 又はS2 に固定して、図2の
従来モードから図1のLDFモードに切り換えると、制
御部7により第1集束レンズ1、第2集束レンズ2、対
物レンズ3の励磁が変更され、第1集束レンズ1の結像
点はXからPへ移動し、第2集束レンズ2の結像点は、
試料面S1 、S2 より前側のYから対物レンズ3の後側
のQへ移動する(Yと対物レンズ3の主面との間の距離
をbとする。)。また、対物レンズ3の励磁は、試料面
S1 又はS2 にフォーカスが合うように変化する。な
お、このようなモード切り換えの際、及び、試料位置の
切り換えの際、対物レンズ3の励磁が変わることによる
像回転は、走査コイル4に印加する走査信号を公知の手
法によって変化させることにより補正される。
の像は第1集束レンズ1によってPの位置に一旦結像さ
れ、Pから出た電子ビームは第2集束レンズ2によって
点Qに向かって集束される。この集束ビームは、対物絞
り5によってプローブ電流が制限され、対物レンズ3に
入射する。対物絞り5によって制限された集束ビーム
は、対物レンズ3により試料面S1 又はS2 に集束され
る。対物レンズ3の主面上でのビーム径は小さくなるの
で、試料面S1 、S2 上に電子プローブを集束させたと
きのビームの光軸に対する角度α1 、α2 は小さくな
り、図2に示すような従来モードよりも焦点深度を大き
くすることができる。試料面S1 からS2 への結像の変
更は、従来モードからLDFモードに切り換えたときに
対物レンズ3の励磁を変更することにより行われ、モー
ド切り換え後の対物レンズ3の励磁は固定される。走査
コイル4は電子プローブを偏向させ、試料面S1 、S2
を走査する。試料面をS1 又はS2 に固定して、図2の
従来モードから図1のLDFモードに切り換えると、制
御部7により第1集束レンズ1、第2集束レンズ2、対
物レンズ3の励磁が変更され、第1集束レンズ1の結像
点はXからPへ移動し、第2集束レンズ2の結像点は、
試料面S1 、S2 より前側のYから対物レンズ3の後側
のQへ移動する(Yと対物レンズ3の主面との間の距離
をbとする。)。また、対物レンズ3の励磁は、試料面
S1 又はS2 にフォーカスが合うように変化する。な
お、このようなモード切り換えの際、及び、試料位置の
切り換えの際、対物レンズ3の励磁が変わることによる
像回転は、走査コイル4に印加する走査信号を公知の手
法によって変化させることにより補正される。
【0022】ところで、図2において、試料位置S1 、
S2 に対する対物レンズ3の焦点距離fN1、fN2は、各
々、 fN1=w1 ・b/(w1 +b) ・・・(2.1) fN2=w2 ・b/(w2 +b) ・・・(2.2) また、図1における試料位置S1 、S2 に対する対物レ
ンズ3の焦点距離も同様にfL1、fL2とおけば、 fL1=w1 ・a/(a−w1 ) ・・・(2.3) fL2=w2 ・a/(a−w2 ) ・・・(2.4) となるように、制御部7は対物レンズ3を制御する。こ
のとき、対物レンズ3の主面から第2集束レンズ2の結
像点Q、Yまで距離a、b(図示の場合、何れも正とす
る。)がw1 、w2 に比較して十分大きければ、 fN1≦fL1, fN1,fL1〜w1 ・・・(2.5) fN2≦fL2, fN2,fL2〜w2 ・・・(2.6) となることが(2.1)〜(2.4)から分る。例え
ば、(2.1)、(2.3)をw1 /b、w1 /aにつ
いて1次まで展開すれば、 fN1=w1 /{1+(w1 /b)}≒w1 {1−(w1 /b)+・・・} ・・・(2.7) fL1=w1 /{1−(w1 /a)}≒w1 {1+(w1 /a)−・・・} ・・・(2.8) となる。したがって、モード切り換えにおける焦点距離
の変化分は、試料面S1 において、 Δf1 =fL1−fN1≒w1 {(w1 /a)+(w1 /b)}・・(2.9) 同様にして、S2 においても、 Δf2 =fL2−fN2≒w2 {(w2 /a)+(w2 /b)}・・(2.10) となる。
S2 に対する対物レンズ3の焦点距離fN1、fN2は、各
々、 fN1=w1 ・b/(w1 +b) ・・・(2.1) fN2=w2 ・b/(w2 +b) ・・・(2.2) また、図1における試料位置S1 、S2 に対する対物レ
ンズ3の焦点距離も同様にfL1、fL2とおけば、 fL1=w1 ・a/(a−w1 ) ・・・(2.3) fL2=w2 ・a/(a−w2 ) ・・・(2.4) となるように、制御部7は対物レンズ3を制御する。こ
のとき、対物レンズ3の主面から第2集束レンズ2の結
像点Q、Yまで距離a、b(図示の場合、何れも正とす
る。)がw1 、w2 に比較して十分大きければ、 fN1≦fL1, fN1,fL1〜w1 ・・・(2.5) fN2≦fL2, fN2,fL2〜w2 ・・・(2.6) となることが(2.1)〜(2.4)から分る。例え
ば、(2.1)、(2.3)をw1 /b、w1 /aにつ
いて1次まで展開すれば、 fN1=w1 /{1+(w1 /b)}≒w1 {1−(w1 /b)+・・・} ・・・(2.7) fL1=w1 /{1−(w1 /a)}≒w1 {1+(w1 /a)−・・・} ・・・(2.8) となる。したがって、モード切り換えにおける焦点距離
の変化分は、試料面S1 において、 Δf1 =fL1−fN1≒w1 {(w1 /a)+(w1 /b)}・・(2.9) 同様にして、S2 においても、 Δf2 =fL2−fN2≒w2 {(w2 /a)+(w2 /b)}・・(2.10) となる。
【0023】ここで、対象としている結像距離wの範囲
内で、対物レンズ3のコイルの巻数N、励磁電流I、加
速電圧Vの相対論的な補正値V* に対して、励磁パラメ
ータJを、 J=NI/(V* )1/2 〔AT/V1/2 〕 ・・・(2.11) で定義したとき、対物レンズ3の焦点距離fとの間に、 J=40f-0.63 〔fはmm) ・・・(2.12) の関係があるとき(通常の対物レンズは、近似的にこの
ように表せる。)、 ΔJ≒dI/df×Δf=−25.2f-1.63 Δf ・・・(2.13) となる。数値例として、 a=b=200mm,w1 =20mm,w2 =40mm ・・・(2.14) を代入すれば、(2.7)と(2.9)から、 fN1≒18mm,Δf1 =4mm ・・・(2.15) 同様に、(2.8)と(2.10)から、 fN2≒32mm,Δf2 =16mm ・・・(2.16) したがって、(2.13)から、結像距離w1 及びw2 に
おいて、LDFモードでは、従来モードとの間に、各々 ΔJ1 =−25.2(18)-1.63 ×4=−0.91〔AT/V1/2 〕 ・・・(2.17) ΔJ2 =−25.2(32)-1.63 ×16=−1.42〔AT/V1/2 〕 ・・・(2.18) だけJの差がある。ところで、従来モードでは、(2.
12)に(2.15)、(2.16)の結果を代入すると、 J1 =6.47,J2 =4.51〔AT/V1/2 〕 ・・・(2.19) となる(図3参照)。ΔJ1 /J1 とΔJ2 /J2 を比
較するとやや大きな差になるが、ΔJ1 、ΔJ2 はあま
り変化せず、 ΔJ2 −ΔJ1 =−0.51〔AT/V1/2 〕 ・・・(2.20) となる(図4参照)。すなわち、|ΔJ2 −ΔJ1 |
は、|ΔJ1 |、|ΔJ2 |に比較して十分小さな値に
なる。
内で、対物レンズ3のコイルの巻数N、励磁電流I、加
速電圧Vの相対論的な補正値V* に対して、励磁パラメ
ータJを、 J=NI/(V* )1/2 〔AT/V1/2 〕 ・・・(2.11) で定義したとき、対物レンズ3の焦点距離fとの間に、 J=40f-0.63 〔fはmm) ・・・(2.12) の関係があるとき(通常の対物レンズは、近似的にこの
ように表せる。)、 ΔJ≒dI/df×Δf=−25.2f-1.63 Δf ・・・(2.13) となる。数値例として、 a=b=200mm,w1 =20mm,w2 =40mm ・・・(2.14) を代入すれば、(2.7)と(2.9)から、 fN1≒18mm,Δf1 =4mm ・・・(2.15) 同様に、(2.8)と(2.10)から、 fN2≒32mm,Δf2 =16mm ・・・(2.16) したがって、(2.13)から、結像距離w1 及びw2 に
おいて、LDFモードでは、従来モードとの間に、各々 ΔJ1 =−25.2(18)-1.63 ×4=−0.91〔AT/V1/2 〕 ・・・(2.17) ΔJ2 =−25.2(32)-1.63 ×16=−1.42〔AT/V1/2 〕 ・・・(2.18) だけJの差がある。ところで、従来モードでは、(2.
12)に(2.15)、(2.16)の結果を代入すると、 J1 =6.47,J2 =4.51〔AT/V1/2 〕 ・・・(2.19) となる(図3参照)。ΔJ1 /J1 とΔJ2 /J2 を比
較するとやや大きな差になるが、ΔJ1 、ΔJ2 はあま
り変化せず、 ΔJ2 −ΔJ1 =−0.51〔AT/V1/2 〕 ・・・(2.20) となる(図4参照)。すなわち、|ΔJ2 −ΔJ1 |
は、|ΔJ1 |、|ΔJ2 |に比較して十分小さな値に
なる。
【0024】次に、対物レンズ3の励磁パラメータJと
像回転角θの関係を考える。よく知られたように、像回
転角θは、 で与えられる。ここで、eは電子の電荷、mは電子の質
量、zは光軸を座標軸としたときの位置、B(z)はz
方向の軸上磁場分布である。zi は像面の位置、zo は
物面の位置、zi 、zo が|B(z)|>0となるzの
範囲の外側にあれば、次式のようになることが知られて
いる(岩波、裏克己著「電子光学」第4章41頁)。
像回転角θの関係を考える。よく知られたように、像回
転角θは、 で与えられる。ここで、eは電子の電荷、mは電子の質
量、zは光軸を座標軸としたときの位置、B(z)はz
方向の軸上磁場分布である。zi は像面の位置、zo は
物面の位置、zi 、zo が|B(z)|>0となるzの
範囲の外側にあれば、次式のようになることが知られて
いる(岩波、裏克己著「電子光学」第4章41頁)。
【0025】 θ=0.1863×NI/(V* )1/2 =0.1863J〔rad〕 ・・・(2.22) したがって、従来モードからLDFモードに切り換えた
ときに、結像距離w1 及びw2 において、各々(2.1
7)、(2.18)に示すように、JがΔJ1 、ΔJ2 だ
け変化するので、この変化に対応してθも(2.22)か
ら、 Δθ1 =0.1863ΔJ1 ≒0.17〔rad〕 ・・・(2.23) Δθ2 =0.1863ΔJ2 ≒0.26〔rad〕 ・・・(2.24) だけ変化する。つまり、9.7〜14.9〔deg〕だ
け像回転が生じる。
ときに、結像距離w1 及びw2 において、各々(2.1
7)、(2.18)に示すように、JがΔJ1 、ΔJ2 だ
け変化するので、この変化に対応してθも(2.22)か
ら、 Δθ1 =0.1863ΔJ1 ≒0.17〔rad〕 ・・・(2.23) Δθ2 =0.1863ΔJ2 ≒0.26〔rad〕 ・・・(2.24) だけ変化する。つまり、9.7〜14.9〔deg〕だ
け像回転が生じる。
【0026】ここで、w1 とw2 の間の適当な結像距離
w(w1 <w<w2 )において、従来モードからLDF
モードに切り換えたときに像回転が生じないように、例
えば上記Δθ1 とΔθ2 の平均値の像回転角 (9.7+14.9)/2=12.3〔deg〕 ・・・(2.25) を補正するように制御部7により走査コイル4を制御し
て、その結像距離wでの像回転補正を行う。そして、w
1 とw2 の間のそれ以外の全ての位置wにおいても、同
じ角度だけ像回転補正を行うようにする。このようにす
れば、結像距離がw1 とw2 の間で±10mm変化して
も、従来モードからLDFモードに切り換えたときの像
回転は、±2.6〔deg〕と極めて小さいものとな
る。
w(w1 <w<w2 )において、従来モードからLDF
モードに切り換えたときに像回転が生じないように、例
えば上記Δθ1 とΔθ2 の平均値の像回転角 (9.7+14.9)/2=12.3〔deg〕 ・・・(2.25) を補正するように制御部7により走査コイル4を制御し
て、その結像距離wでの像回転補正を行う。そして、w
1 とw2 の間のそれ以外の全ての位置wにおいても、同
じ角度だけ像回転補正を行うようにする。このようにす
れば、結像距離がw1 とw2 の間で±10mm変化して
も、従来モードからLDFモードに切り換えたときの像
回転は、±2.6〔deg〕と極めて小さいものとな
る。
【0027】以上、LDFモード及び従来モードにおい
て、対物レンズ3主面から集束レンズ2の結像点Q及び
Yまでの距離a及びbと対物レンズ3主面から試料位置
S1 及びS2 までの結像距離w1 及びw2 とについて、
(2.14)に数値例を上げて説明してきたが、上記のよ
うに、広い範囲で変化する結像距離wに対して、結像距
離を変更しないで焦点深度モードを従来モードからLD
Fモードに切り換えても、何れの試料位置に対しても同
じ一定の像回転補正で実質的に像回転が殆どなしに観察
できるためには、上記a及びbが上記w2 (最大結像距
離)に比較して十分に大きければよいわけであるが、実
際上3倍以上にしておけば、この像回転の問題はないこ
とが経験上分かっている(上記数値例の場合は5倍)。
て、対物レンズ3主面から集束レンズ2の結像点Q及び
Yまでの距離a及びbと対物レンズ3主面から試料位置
S1 及びS2 までの結像距離w1 及びw2 とについて、
(2.14)に数値例を上げて説明してきたが、上記のよ
うに、広い範囲で変化する結像距離wに対して、結像距
離を変更しないで焦点深度モードを従来モードからLD
Fモードに切り換えても、何れの試料位置に対しても同
じ一定の像回転補正で実質的に像回転が殆どなしに観察
できるためには、上記a及びbが上記w2 (最大結像距
離)に比較して十分に大きければよいわけであるが、実
際上3倍以上にしておけば、この像回転の問題はないこ
とが経験上分かっている(上記数値例の場合は5倍)。
【0028】ところで、上記数値例において、対物レン
ズ3の励磁の変更も、 ΔJ1 /J1 =0.14,ΔJ2 /J2 =0.31 ・・・(2.26) 程度のものなので、Jの変更による軸ずれは、対物レン
ズ3の励磁を切ってしまう場合よりも少ない(〜1/3
以下)。また、これは、2次電子の検出効率が変わるよ
うな励磁の変化ではない。さらに、aが大きいので、フ
ォーカス微調整を集束レンズ2のみで行っても、プロー
ブ電流の変化は少ない。したがって、前記した従来技術
(D)の問題は解決される。
ズ3の励磁の変更も、 ΔJ1 /J1 =0.14,ΔJ2 /J2 =0.31 ・・・(2.26) 程度のものなので、Jの変更による軸ずれは、対物レン
ズ3の励磁を切ってしまう場合よりも少ない(〜1/3
以下)。また、これは、2次電子の検出効率が変わるよ
うな励磁の変化ではない。さらに、aが大きいので、フ
ォーカス微調整を集束レンズ2のみで行っても、プロー
ブ電流の変化は少ない。したがって、前記した従来技術
(D)の問題は解決される。
【0029】また、従来技術(E)のように強励磁対物
レンズを用いているわけでないので、対物レンズ3の励
磁を変化させても観察可能な最低倍率は変化しない。し
たがって、広い範囲の作動距離に対してLDFモードに
切り換えても、対物レンズ3励磁の連動によってフォー
カスが合い、しかも、モードの切り換えによる像回転
は、単純な一定の像回転補正で、例えば±10mmの作
動距離の変化に対し、上記したように±2.6°以下に
でき、従来技術(E)の問題は解決する。また、像回転
補正の単純さでは、従来技術(C)の問題も解決する。
レンズを用いているわけでないので、対物レンズ3の励
磁を変化させても観察可能な最低倍率は変化しない。し
たがって、広い範囲の作動距離に対してLDFモードに
切り換えても、対物レンズ3励磁の連動によってフォー
カスが合い、しかも、モードの切り換えによる像回転
は、単純な一定の像回転補正で、例えば±10mmの作
動距離の変化に対し、上記したように±2.6°以下に
でき、従来技術(E)の問題は解決する。また、像回転
補正の単純さでは、従来技術(C)の問題も解決する。
【0030】さらに、従来技術(A)、(B)の問題
は、本発明では特願平1−248794号の原理に従っ
て焦点深度DF を大きくしているので、本発明において
は解決している。
は、本発明では特願平1−248794号の原理に従っ
て焦点深度DF を大きくしているので、本発明において
は解決している。
【0031】また、aをwに比較して十分大きくしてい
るので、LDFモードにおいて、wに比較してaが小さ
い場合(a)と大きい場合(b)について対物レンズ3
の焦点距離fの符号を示した図8から明らかなように、
wを広い範囲で変えても、対物レンズ3の焦点距離fが
負になることはない。
るので、LDFモードにおいて、wに比較してaが小さ
い場合(a)と大きい場合(b)について対物レンズ3
の焦点距離fの符号を示した図8から明らかなように、
wを広い範囲で変えても、対物レンズ3の焦点距離fが
負になることはない。
【0032】本発明の電子顕微鏡においては、上記した
ように、従来モードでフォーカスを合わせておけば、モ
ードをLDFモードに切り換えても、制御部7による集
束レンズ1、2、対物レンズ3の励磁の変更により、フ
ォーカスが自動的に合うが、LDFモードにおいて試料
位置が変化したときは、特願平3−2093号に示した
ような方法により、プローブ電流を変化させないでフォ
ーカス調整するか、又は、集束レンズ1、2の何れか一
方の焦点距離を変えてフォーカス調整を行うようにして
もよい。この場合、対物レンズ3の励磁は固定されてい
るので、像回転は発生しない。
ように、従来モードでフォーカスを合わせておけば、モ
ードをLDFモードに切り換えても、制御部7による集
束レンズ1、2、対物レンズ3の励磁の変更により、フ
ォーカスが自動的に合うが、LDFモードにおいて試料
位置が変化したときは、特願平3−2093号に示した
ような方法により、プローブ電流を変化させないでフォ
ーカス調整するか、又は、集束レンズ1、2の何れか一
方の焦点距離を変えてフォーカス調整を行うようにして
もよい。この場合、対物レンズ3の励磁は固定されてい
るので、像回転は発生しない。
【0033】以上、本発明の焦点深度切り換え可能な電
子顕微鏡等の電子光学観察装置を、実施例に基づいて説
明してきたが、本発明はこれら実施例に限定されず種々
の変形が可能である。
子顕微鏡等の電子光学観察装置を、実施例に基づいて説
明してきたが、本発明はこれら実施例に限定されず種々
の変形が可能である。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の焦点深度
切り換え可能な電子顕微鏡等の電子光学観察装置による
と、従来モードにおける第2集束レンズの結像位置から
対物レンズ主面位置までの距離、及び、焦点深度の深い
モードにおける対物レンズ主面位置から第2集束レンズ
の結像位置までの距離を、対物レンズ主面位置から最も
離れた試料位置までの距離に比較して十分大きく設定し
たので、何れの試料位置においてもモード変換に伴う像
回転はほぼ同じ角度になり、そのため、試料位置を変え
たときのモード変換に伴う像回転補正を広い範囲の作動
距離について同じ角度にしても、その変換による像回転
は極めて小さくなる。
切り換え可能な電子顕微鏡等の電子光学観察装置による
と、従来モードにおける第2集束レンズの結像位置から
対物レンズ主面位置までの距離、及び、焦点深度の深い
モードにおける対物レンズ主面位置から第2集束レンズ
の結像位置までの距離を、対物レンズ主面位置から最も
離れた試料位置までの距離に比較して十分大きく設定し
たので、何れの試料位置においてもモード変換に伴う像
回転はほぼ同じ角度になり、そのため、試料位置を変え
たときのモード変換に伴う像回転補正を広い範囲の作動
距離について同じ角度にしても、その変換による像回転
は極めて小さくなる。
【0035】したがって、広い範囲の中の任意の作動距
離(例えば、10〜30mm)に対して焦点深度が従来
の数倍から1桁大きなLDFモードに切り換えても、像
の明るさや視野ずれが少なく、また、像回転も少なく
(例えば、±2〜3°)なる。また、モード切り換えに
伴い対物レンズの励磁も余り大きく変化させなくともフ
ォーカスが合う。このため、操作性が著しく向上する。
離(例えば、10〜30mm)に対して焦点深度が従来
の数倍から1桁大きなLDFモードに切り換えても、像
の明るさや視野ずれが少なく、また、像回転も少なく
(例えば、±2〜3°)なる。また、モード切り換えに
伴い対物レンズの励磁も余り大きく変化させなくともフ
ォーカスが合う。このため、操作性が著しく向上する。
【0036】しかも、従来技術(A)〜(E)の焦点深
度を深くする方法の問題点は全て解決される。
度を深くする方法の問題点は全て解決される。
【図1】本発明の電子光学観察装置の1実施例の焦点深
度が深いモード(LDFモード)における電子銃から試
料までのビームの経路を示す図である。
度が深いモード(LDFモード)における電子銃から試
料までのビームの経路を示す図である。
【図2】本発明の電子光学観察装置の1実施例の従来モ
ードにおける電子銃から試料までのビームの経路を示す
図である。
ードにおける電子銃から試料までのビームの経路を示す
図である。
【図3】作動距離wの変化に対応する対物レンズの励磁
パラメータJの変化を示す図である。
パラメータJの変化を示す図である。
【図4】作動距離wの変化に対応してモード変換に伴う
励磁パラメータの差ΔJを示す図である。
励磁パラメータの差ΔJを示す図である。
【図5】試料上でのプローブ径が最小値になるように又
は最小値に近づくように電子光学系を制御する場合の凹
凸のある試料に入射する電子ビームの開き角とプローブ
径と走査線間の距離を示す図である。
は最小値に近づくように電子光学系を制御する場合の凹
凸のある試料に入射する電子ビームの開き角とプローブ
径と走査線間の距離を示す図である。
【図6】任意のプローブ電流と観察倍率に対して常に焦
点深度を最大にする場合の図5と同様な図である。
点深度を最大にする場合の図5と同様な図である。
【図7】結像距離wと対物レンズの焦点距離fの関係と
そのときのビーム経路を示す図である。
そのときのビーム経路を示す図である。
【図8】LDFモードにおいて作動距離に比較して対物
レンズから第2集束レンズの結像位置までの距離aが小
さい場合と大きい場合の対物レンズの焦点距離fの符号
を示す図である。
レンズから第2集束レンズの結像位置までの距離aが小
さい場合と大きい場合の対物レンズの焦点距離fの符号
を示す図である。
1…第1集束レンズ 2…第2集束レンズ 3…対物レンズ 4…走査コイル 5…対物絞り 6…電子銃 7…制御部
Claims (1)
- 【請求項1】 電子ビームの進行方向に、少なくとも、
電子銃、第1集束レンズ、第2集束レンズ、対物絞り、
走査コイル、対物レンズが順に配置されてなり、第1集
束レンズ、第2集束レンズ、対物レンズの励磁を変更す
ることにより、同一試料位置に対してフォーカスを変更
することなく、第2集束レンズによる電子銃の結像位置
を対物レンズの電子銃側及び試料側に変更して焦点深度
が変わる第1モード及び第2モードに変換可能な電子顕
微鏡等の電子光学観察装置において、第1モードにおけ
る第2集束レンズによる電子銃の結像位置から対物レン
ズ主面位置までの距離、及び、第2モードにおける対物
レンズ主面位置から第2集束レンズによる電子銃の結像
位置までの距離を、対物レンズ主面位置から最も離れた
試料位置までの距離に比較して十分大きく設定すること
により、試料位置を変えたときのモード変換に伴う像回
転補正を同じ角度にしてもその変換による像回転を著し
く小さくしたことを特徴とする焦点深度切り換え可能な
電子顕微鏡等の電子光学観察装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3115740A JPH0594798A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 焦点深度切り換え可能な電子顕微鏡等の電子光学観察装置 |
| US07/886,623 US5225676A (en) | 1991-05-21 | 1992-05-21 | Electrooptical viewing apparatus capable of switching depth of focus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3115740A JPH0594798A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 焦点深度切り換え可能な電子顕微鏡等の電子光学観察装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594798A true JPH0594798A (ja) | 1993-04-16 |
Family
ID=14669898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3115740A Withdrawn JPH0594798A (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 焦点深度切り換え可能な電子顕微鏡等の電子光学観察装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5225676A (ja) |
| JP (1) | JPH0594798A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08138600A (ja) * | 1994-11-04 | 1996-05-31 | Shimadzu Corp | 荷電粒子光学系 |
| JP2005175465A (ja) * | 2003-12-12 | 2005-06-30 | Samsung Electronics Co Ltd | 自動フォーカシング方法及び自動フォーカシング装置 |
| US7186975B2 (en) | 2000-10-12 | 2007-03-06 | Hitachi, Ltd. | Scanning charged-particle microscope |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0582067A (ja) * | 1991-09-20 | 1993-04-02 | Jeol Ltd | 対物レンズの励磁電流発生方式 |
| US6124140A (en) * | 1998-05-22 | 2000-09-26 | Micron Technology, Inc. | Method for measuring features of a semiconductor device |
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| JP5438937B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2014-03-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム装置 |
| US8873837B2 (en) | 2011-08-04 | 2014-10-28 | University Of Southern California | Image-based crack detection |
| WO2013090830A1 (en) | 2011-12-16 | 2013-06-20 | University Of Southern California | Autonomous pavement condition assessment |
| EP3426135B1 (en) | 2016-03-08 | 2024-01-03 | Enspectra Health, Inc. | Non-invasive detection of skin disease |
| EP3614915A4 (en) | 2017-04-28 | 2021-01-20 | Enspectra Health, Inc. | SARCOMAS IMAGING AND MEASUREMENT SYSTEMS AND METHODS |
| CN113473900B (zh) | 2018-11-13 | 2024-09-24 | 恩斯派克特拉健康公司 | 用于生成深度剖面的方法和系统 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4936769A (ja) * | 1972-08-09 | 1974-04-05 | ||
| JPS4940380A (ja) * | 1972-08-25 | 1974-04-15 | ||
| NL7304298A (ja) * | 1973-03-28 | 1974-10-01 | ||
| GB1477030A (en) * | 1973-12-24 | 1977-06-22 | Jeol Ltd | Method and apparatus for the automatic focussing of electron beams in electron optical apparatus |
| JPS5457949A (en) * | 1977-10-18 | 1979-05-10 | Jeol Ltd | Automatic focusing unit for scanning electron microscope and so on |
| JPS5610740A (en) * | 1979-07-09 | 1981-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Receiving device |
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| JP2685603B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1997-12-03 | 日本電子株式会社 | 電子線装置 |
-
1991
- 1991-05-21 JP JP3115740A patent/JPH0594798A/ja not_active Withdrawn
-
1992
- 1992-05-21 US US07/886,623 patent/US5225676A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5225676A (en) | 1993-07-06 |
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