JPH0594869A - インバータ電子レンジの駆動回路 - Google Patents
インバータ電子レンジの駆動回路Info
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- JPH0594869A JPH0594869A JP3254929A JP25492991A JPH0594869A JP H0594869 A JPH0594869 A JP H0594869A JP 3254929 A JP3254929 A JP 3254929A JP 25492991 A JP25492991 A JP 25492991A JP H0594869 A JPH0594869 A JP H0594869A
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- switching element
- switching
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 2つのスイッチング素子群と、これを制御す
る制御手段とからなるインバータ回路と、昇圧トランス
と、倍電圧整流回路と、低電圧直流源に並列に接続され
る低圧コンデンサと、該低圧コンデンサの一端に接続さ
れ上記低電圧直流源に直列に接続されるチョークコイル
とから構成し、上記昇圧トランスの1次巻線と上記2つ
のスイッチング素子群とを接続して閉ループを形成し、
2つのスイッチング素子群の接続点と上記昇圧トランス
の1次巻線のセンタータップとを上記低圧コンデンサの
両端に接続する。低圧コンデンサは2個以上設けて、低
圧コンデンサ容量を変化させる。 【効果】 低電圧直流電源を電源とでき、安価でコンパ
クト、かつ高出力に出来る。零電流スイッチングを行う
ことができ、遷移損が非常に小さくなり、スイッチング
損失の低減が図れる。さらに、零電流スイッチング状態
を崩すことなく、インバータ回路の出力電力を制御でき
る。
る制御手段とからなるインバータ回路と、昇圧トランス
と、倍電圧整流回路と、低電圧直流源に並列に接続され
る低圧コンデンサと、該低圧コンデンサの一端に接続さ
れ上記低電圧直流源に直列に接続されるチョークコイル
とから構成し、上記昇圧トランスの1次巻線と上記2つ
のスイッチング素子群とを接続して閉ループを形成し、
2つのスイッチング素子群の接続点と上記昇圧トランス
の1次巻線のセンタータップとを上記低圧コンデンサの
両端に接続する。低圧コンデンサは2個以上設けて、低
圧コンデンサ容量を変化させる。 【効果】 低電圧直流電源を電源とでき、安価でコンパ
クト、かつ高出力に出来る。零電流スイッチングを行う
ことができ、遷移損が非常に小さくなり、スイッチング
損失の低減が図れる。さらに、零電流スイッチング状態
を崩すことなく、インバータ回路の出力電力を制御でき
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は低電圧直流電源を高電圧
の高周波電力に変換し、マグネトロンに電力を供給する
インバータ電子レンジの駆動回路に関するものである。
の高周波電力に変換し、マグネトロンに電力を供給する
インバータ電子レンジの駆動回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、これまで商用交流電源で使用して
いた電気・電子機器の屋外での使用を考慮した機器が各
種開発されており、現在、家庭内で広く利用されている
インバータ電子レンジにおいても屋外での使用が試みら
れている。
いた電気・電子機器の屋外での使用を考慮した機器が各
種開発されており、現在、家庭内で広く利用されている
インバータ電子レンジにおいても屋外での使用が試みら
れている。
【0003】従来の一般的なインバータ電子レンジの回
路構成を図8に示す。本回路では商用電源(AC100
V、50/60Hz)から得られた交流電力はまず、整
流回路で直流電力に変換される。この直流電力は一石共
振型インバータ回路で高周波化され、昇圧トランスで数
kVまで昇圧される。トランス出力は倍電圧整流回路で
整流され、マグネトロンに電力を供給する。
路構成を図8に示す。本回路では商用電源(AC100
V、50/60Hz)から得られた交流電力はまず、整
流回路で直流電力に変換される。この直流電力は一石共
振型インバータ回路で高周波化され、昇圧トランスで数
kVまで昇圧される。トランス出力は倍電圧整流回路で
整流され、マグネトロンに電力を供給する。
【0004】これに対し、屋外で上記インバータ電子レ
ンジを使用する場合には、直流12Vまたは24Vの蓄
電池等限られたエネルギー源を用いる必要があるため
に、例えば、図9に示すように、蓄電池等の低電圧直流
電源と上記交流100Vを電源とするインバータ電子レ
ンジに用いられる回路との間にDC/ACインバータを
設け、このDC/ACインバータでもって直流低電圧を
交流100Vに変換することにより、インバータ電子レ
ンジを駆動していた。
ンジを使用する場合には、直流12Vまたは24Vの蓄
電池等限られたエネルギー源を用いる必要があるため
に、例えば、図9に示すように、蓄電池等の低電圧直流
電源と上記交流100Vを電源とするインバータ電子レ
ンジに用いられる回路との間にDC/ACインバータを
設け、このDC/ACインバータでもって直流低電圧を
交流100Vに変換することにより、インバータ電子レ
ンジを駆動していた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】インバータ電子レンジ
を蓄電池等を用いて使用する場合、DC/ACインバー
タを間に挿入する方法では、直流から交流、交流から直
流と交直電力変換を2度行う必要があるため、電力の利
用率が低くなる。またDC/ACインバータを追加する
分、コスト高にもなる。
を蓄電池等を用いて使用する場合、DC/ACインバー
タを間に挿入する方法では、直流から交流、交流から直
流と交直電力変換を2度行う必要があるため、電力の利
用率が低くなる。またDC/ACインバータを追加する
分、コスト高にもなる。
【0006】そこで、蓄電池等の低電圧直流電源を用い
て直接にマグネトロンを駆動するインバータ回路が必要
になり、この要望を満たすために、本出願人は低電圧直
流電源に適したインバータ電子レンジの駆動回路を既に
提案している(特願平2ー200689,特願平2ー2
00690)。
て直接にマグネトロンを駆動するインバータ回路が必要
になり、この要望を満たすために、本出願人は低電圧直
流電源に適したインバータ電子レンジの駆動回路を既に
提案している(特願平2ー200689,特願平2ー2
00690)。
【0007】ところで、従来のインバータ回路において
はスイッチング素子のオン・オフ時間の時比率を制御し
て出力電力を制御するPWM方式が一般的である。しか
しながら上記方式には、スイッチング素子のオン・オフ
時に電流と電圧がともに急峻に変化する期間が存在する
ためにスイッチング損失が大きくなるという欠点があ
る。この欠点を解決する一手段として、コンデンサとコ
イルで構成された直列共振回路を利用する方法がある。
この場合、直列共振回路によりスイッチング素子のオン
時の電流波形が正弦波状となり、上記スイッチング素子
のオン・オフ時に電流、あるいは電圧がほぼ零で交差す
る。そのため、スイッチング損失を著しく減少出来る。
しかしながら上記直列共振型インバータは共振周波数が
一義的に決まっているのに対して、PWM制御は時比率
を変化させることにより、出力電力を制御するために、
上記特徴を損なわずに出力電力を変動させることが困難
となる。これに対しては、周波数を変えて制御する方法
もあるが動作する最低周波数でトランスを設計する必要
があるためトランスの形状が大きくなるという欠点を有
している。本発明は以上に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、先に提案したインバータ電子
レンジの駆動回路(特願平2ー200689,特願平2
ー200690)に加え、低電圧直流電源を電源とし
て、安価でコンパクトな高出力かつ高効率のインバータ
電子レンジの駆動回路を提供することにあり、さらに出
力電力制御を容易におこなうことのできる駆動回路を提
供することにある。
はスイッチング素子のオン・オフ時間の時比率を制御し
て出力電力を制御するPWM方式が一般的である。しか
しながら上記方式には、スイッチング素子のオン・オフ
時に電流と電圧がともに急峻に変化する期間が存在する
ためにスイッチング損失が大きくなるという欠点があ
る。この欠点を解決する一手段として、コンデンサとコ
イルで構成された直列共振回路を利用する方法がある。
この場合、直列共振回路によりスイッチング素子のオン
時の電流波形が正弦波状となり、上記スイッチング素子
のオン・オフ時に電流、あるいは電圧がほぼ零で交差す
る。そのため、スイッチング損失を著しく減少出来る。
しかしながら上記直列共振型インバータは共振周波数が
一義的に決まっているのに対して、PWM制御は時比率
を変化させることにより、出力電力を制御するために、
上記特徴を損なわずに出力電力を変動させることが困難
となる。これに対しては、周波数を変えて制御する方法
もあるが動作する最低周波数でトランスを設計する必要
があるためトランスの形状が大きくなるという欠点を有
している。本発明は以上に鑑みてなされたものであり、
その目的とするところは、先に提案したインバータ電子
レンジの駆動回路(特願平2ー200689,特願平2
ー200690)に加え、低電圧直流電源を電源とし
て、安価でコンパクトな高出力かつ高効率のインバータ
電子レンジの駆動回路を提供することにあり、さらに出
力電力制御を容易におこなうことのできる駆動回路を提
供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のインバータ電子
レンジの駆動回路は、スイッチング素子が1個以上並列
接続された2つのスイッチング素子群と、上記スイッチ
ング素子のオン、オフ動作を行う制御手段とからなるプ
ッシュプル方式インバータ回路と、該プッシュプル方式
インバータ回路からの高周波交流が1次巻線に供給され
て2次巻線に高圧を発生させる昇圧トランスと、該昇圧
トランスの2次巻線に接続され、高圧ダイオードと高圧
コンデンサで構成されたマグネトロンに電力を供給する
倍電圧整流回路と、電源となる低電圧直流源に並列に接
続される低圧コンデンサと、該低圧コンデンサの一端に
接続され上記低電圧直流源に直列に接続されるチョーク
コイルとから構成され、上記昇圧トランスの1次巻線と
上記2つのスイッチング素子群とが接続されて閉ループ
が形成され、2つのスイッチング素子群の接続点と上記
昇圧トランスの1次巻線のセンタータップとが上記低圧
コンデンサの両端に接続されていることを特徴とする。
レンジの駆動回路は、スイッチング素子が1個以上並列
接続された2つのスイッチング素子群と、上記スイッチ
ング素子のオン、オフ動作を行う制御手段とからなるプ
ッシュプル方式インバータ回路と、該プッシュプル方式
インバータ回路からの高周波交流が1次巻線に供給され
て2次巻線に高圧を発生させる昇圧トランスと、該昇圧
トランスの2次巻線に接続され、高圧ダイオードと高圧
コンデンサで構成されたマグネトロンに電力を供給する
倍電圧整流回路と、電源となる低電圧直流源に並列に接
続される低圧コンデンサと、該低圧コンデンサの一端に
接続され上記低電圧直流源に直列に接続されるチョーク
コイルとから構成され、上記昇圧トランスの1次巻線と
上記2つのスイッチング素子群とが接続されて閉ループ
が形成され、2つのスイッチング素子群の接続点と上記
昇圧トランスの1次巻線のセンタータップとが上記低圧
コンデンサの両端に接続されていることを特徴とする。
【0009】さらに、上記プッシュプル方式インバータ
回路内の制御手段が、上記プッシュプル方式インバータ
回路の出力電流波形の過渡振動の振動周期と上記スイッ
チング素子のオン時間の関係に対して、上記オン時間が
上記振動周期の略半周期から1周期の間に納まるように
設定されていることを特徴とする。
回路内の制御手段が、上記プッシュプル方式インバータ
回路の出力電流波形の過渡振動の振動周期と上記スイッ
チング素子のオン時間の関係に対して、上記オン時間が
上記振動周期の略半周期から1周期の間に納まるように
設定されていることを特徴とする。
【0010】さらに、上記低電圧直流源に並列接続され
た低圧コンデンサを2個以上有し、該低圧コンデンサに
直列に接続された回路に対する挿入、切り離しのための
スイッチング手段と、該スイッチング手段を制御して低
圧コンデンサ容量を変化させることで零電流スイッチン
グのタイミングを崩すことなく出力電力制御を行なう切
替回路とを有することを特徴とする。
た低圧コンデンサを2個以上有し、該低圧コンデンサに
直列に接続された回路に対する挿入、切り離しのための
スイッチング手段と、該スイッチング手段を制御して低
圧コンデンサ容量を変化させることで零電流スイッチン
グのタイミングを崩すことなく出力電力制御を行なう切
替回路とを有することを特徴とする。
【0011】
【作用】プッシュプル方式インバータ回路内の2つのス
イッチング素子群を同時にオフした状態(休止期間)か
ら、一方のスイッチング素子群をオンすると高圧コンデ
ンサは昇圧トランスのリーケージインダクタンス、高圧
コンデンサのキャパシタンス、回路抵抗(但しマグネト
ロンの抵抗分は除く)で定まる振動の弧を描く電流で充
電される。高圧コンデンサの充電電圧の大きさは高圧コ
ンデンサの初期電圧とスイッチング素子群のオン時間の
長さで決まる。次に、前記と同じスイッチング素子群を
オフすると、昇圧トランスに蓄えられた電磁エネルギが
高圧コンデンサに供給されながら電源に回生され、休止
期間となる。
イッチング素子群を同時にオフした状態(休止期間)か
ら、一方のスイッチング素子群をオンすると高圧コンデ
ンサは昇圧トランスのリーケージインダクタンス、高圧
コンデンサのキャパシタンス、回路抵抗(但しマグネト
ロンの抵抗分は除く)で定まる振動の弧を描く電流で充
電される。高圧コンデンサの充電電圧の大きさは高圧コ
ンデンサの初期電圧とスイッチング素子群のオン時間の
長さで決まる。次に、前記と同じスイッチング素子群を
オフすると、昇圧トランスに蓄えられた電磁エネルギが
高圧コンデンサに供給されながら電源に回生され、休止
期間となる。
【0012】次に、休止期間の後、他方のスイッチング
素子群をオンすると、昇圧用トランスのリーケージイン
ダクタンスと高圧コンデンサのキャパシティ、マグネト
ロンの抵抗分を含む回路抵抗で定まる振動の弧を描く電
流でマグネトロンに電気エネルギーが供給される。ここ
でマグネトロンに供給される電力は、高圧コンデンサの
電圧とスイッチング素子群のオン時間の長さで決まる。
そしてスイッチング素子群をオフすると昇圧トランスに
蓄えられた電磁エネルギーがマグネトロンに供給されな
がら電源に回生される。以上のスイッチング動作が繰り
返されてマグネトロンが高周波電力を発振するように駆
動される。
素子群をオンすると、昇圧用トランスのリーケージイン
ダクタンスと高圧コンデンサのキャパシティ、マグネト
ロンの抵抗分を含む回路抵抗で定まる振動の弧を描く電
流でマグネトロンに電気エネルギーが供給される。ここ
でマグネトロンに供給される電力は、高圧コンデンサの
電圧とスイッチング素子群のオン時間の長さで決まる。
そしてスイッチング素子群をオフすると昇圧トランスに
蓄えられた電磁エネルギーがマグネトロンに供給されな
がら電源に回生される。以上のスイッチング動作が繰り
返されてマグネトロンが高周波電力を発振するように駆
動される。
【0013】またスイッチング素子の電流波形は回路定
数、すなわち主回路内のインダクタンス成分、キャパシ
タンス成分、及び回路抵抗で定まる固有周波数で振動す
るが、このインダクタンス値、キャパシタンス値、ある
いはこの双方を調整して、スイッチング素子のオン時間
を固有周波数の2分の1周期から1周期の間に納める
と、零電流スイッチングを行うことができ、遷移損が非
常に小さくなり、スイッチング損失の低減が図れる。
数、すなわち主回路内のインダクタンス成分、キャパシ
タンス成分、及び回路抵抗で定まる固有周波数で振動す
るが、このインダクタンス値、キャパシタンス値、ある
いはこの双方を調整して、スイッチング素子のオン時間
を固有周波数の2分の1周期から1周期の間に納める
と、零電流スイッチングを行うことができ、遷移損が非
常に小さくなり、スイッチング損失の低減が図れる。
【0014】この状態からさらに、低圧コンデンサのキ
ャパシタンス値を変化させてやると、零電流スイッチン
グ状態を崩すことなく、出力電流波形の振動条件の変化
による波形形状の変動により出力電流の平均値が変化
し、出力電力は出力電流平均値に比例するのでインバー
タの出力電力が制御される。
ャパシタンス値を変化させてやると、零電流スイッチン
グ状態を崩すことなく、出力電流波形の振動条件の変化
による波形形状の変動により出力電流の平均値が変化
し、出力電力は出力電流平均値に比例するのでインバー
タの出力電力が制御される。
【0015】
【実施例】以下、添付図面を参照して実施例により本発
明のインバータ電子レンジの駆動回路および回路出力改
善、回路損失低減について詳細に説明する。
明のインバータ電子レンジの駆動回路および回路出力改
善、回路損失低減について詳細に説明する。
【0016】図1は本発明の第1の実施例の電源回路図
である。本電源回路は低電圧直流電源(例えば自動車用
蓄電池)1の直流電力を高周波電力に変換するプッシュ
プル電圧型のインバータ回路2、電源電圧を昇圧する昇
圧トランス3、昇圧トランス3の出力を整流する倍電圧
半波整流回路4を備えてなり、倍電圧半波整流回路4の
出力によってマグネトロン5を駆動する。また、昇圧ト
ランス3の2次側からは、マグネトロン5のフィラメン
ト加熱用電源も供給される。
である。本電源回路は低電圧直流電源(例えば自動車用
蓄電池)1の直流電力を高周波電力に変換するプッシュ
プル電圧型のインバータ回路2、電源電圧を昇圧する昇
圧トランス3、昇圧トランス3の出力を整流する倍電圧
半波整流回路4を備えてなり、倍電圧半波整流回路4の
出力によってマグネトロン5を駆動する。また、昇圧ト
ランス3の2次側からは、マグネトロン5のフィラメン
ト加熱用電源も供給される。
【0017】倍電圧半波整流回路4は、2個の高圧ダイ
オード6a、6b及び高圧コンデンサ7により構成され
る。
オード6a、6b及び高圧コンデンサ7により構成され
る。
【0018】インバータ回路2は、1個あるいは2個以
上の直流を高速でスイッチングするパワーMOSFET
(Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transist
orの略)が並列接続された2組のスイッチング素子群8
a、8bと、スイッチング素子群8a、8bを駆動する
スイッチング素子ドライブ回路9a、9bと制御回路1
0とを備えてなる。
上の直流を高速でスイッチングするパワーMOSFET
(Metal Oxide Semi-conductor Field Effect Transist
orの略)が並列接続された2組のスイッチング素子群8
a、8bと、スイッチング素子群8a、8bを駆動する
スイッチング素子ドライブ回路9a、9bと制御回路1
0とを備えてなる。
【0019】スイッチング素子群8aと8bを構成して
いるパワーMOSFETのドレインはそれぞれ昇圧トラ
ンス3の1次巻線の一端3aと他端3bに接続され、こ
れら2つのスイッチング素子群8a,8bを構成してい
るパワーMOSFETのソース同士が接続され、さらに
スイッチング素子群8a、8bを構成しているパワーM
OSFETのゲートがスイッチング素子ドライブ回路9
a、9bにそれぞれ接続されている。
いるパワーMOSFETのドレインはそれぞれ昇圧トラ
ンス3の1次巻線の一端3aと他端3bに接続され、こ
れら2つのスイッチング素子群8a,8bを構成してい
るパワーMOSFETのソース同士が接続され、さらに
スイッチング素子群8a、8bを構成しているパワーM
OSFETのゲートがスイッチング素子ドライブ回路9
a、9bにそれぞれ接続されている。
【0020】パワーMOSFETで構成されるスイッチ
ング素子群8a,8bは、制御回路10、スイッチング
素子ドライブ回路9a、9bによって駆動され、昇圧ト
ランス3の1次側を流れる電流が高速にスイッチングさ
れる。
ング素子群8a,8bは、制御回路10、スイッチング
素子ドライブ回路9a、9bによって駆動され、昇圧ト
ランス3の1次側を流れる電流が高速にスイッチングさ
れる。
【0021】直流電源1は、その一端が直列接続された
チョークコイル11、及び直流電源1とチョークコイル
11に並列接続された低圧コンデンサ12を介してスイ
ッチング素子群8aのソースとスイッチング素子群8b
のソースとの接続点に接続され、他端は昇圧トランス3
の1次巻線のセンタータップ3cに接続されている。
チョークコイル11、及び直流電源1とチョークコイル
11に並列接続された低圧コンデンサ12を介してスイ
ッチング素子群8aのソースとスイッチング素子群8b
のソースとの接続点に接続され、他端は昇圧トランス3
の1次巻線のセンタータップ3cに接続されている。
【0022】つぎに本実施例の動作を説明する。スイッ
チング素子群8a及び8bのパワーMOSFETが共に
オフしている状態からスイッチング素子群8bのパワー
MOSFETがオンされると、昇圧トランス3の2次側
回路は高圧コンデンサ7、高圧ダイオード6a、昇圧ト
ランス3の2次巻線の一端3e、2次巻線の他端3dの
閉ループに電流が流れ高圧コンデンサ7が充電される。
チング素子群8a及び8bのパワーMOSFETが共に
オフしている状態からスイッチング素子群8bのパワー
MOSFETがオンされると、昇圧トランス3の2次側
回路は高圧コンデンサ7、高圧ダイオード6a、昇圧ト
ランス3の2次巻線の一端3e、2次巻線の他端3dの
閉ループに電流が流れ高圧コンデンサ7が充電される。
【0023】つぎに再び上記と同じスイッチング素子群
8bのパワーMOSFETをオフすると昇圧トランス3
に蓄えられた電磁エネルギーが高圧コンデンサ7に供給
されながら電源1に回生され、2つのスイッチング素子
群8a、8bのパワーMOSFETが同時オフする期間
に移る。
8bのパワーMOSFETをオフすると昇圧トランス3
に蓄えられた電磁エネルギーが高圧コンデンサ7に供給
されながら電源1に回生され、2つのスイッチング素子
群8a、8bのパワーMOSFETが同時オフする期間
に移る。
【0024】次に、スイッチング素子群8aのパワーM
OSFETがオンすると、昇圧トランス3の2次側回路
は高圧ダイオード6b、高圧コンデンサ7、昇圧トラン
ス3の2次巻線の一端3d、2次巻線の他端3e、マグ
ネトロン5の閉ループに電流が流れ、マグネトロン5に
電気エネルギーが供給される。そしてスイッチング素子
群8aのパワーMOSFETをオフすると昇圧トランス
3に蓄えられた電磁エネルギーはマグネトロン5に供給
されながら電源1に回生される。以上の動作が繰り返さ
れてマグネトロン5には高周波電力が供給される。
OSFETがオンすると、昇圧トランス3の2次側回路
は高圧ダイオード6b、高圧コンデンサ7、昇圧トラン
ス3の2次巻線の一端3d、2次巻線の他端3e、マグ
ネトロン5の閉ループに電流が流れ、マグネトロン5に
電気エネルギーが供給される。そしてスイッチング素子
群8aのパワーMOSFETをオフすると昇圧トランス
3に蓄えられた電磁エネルギーはマグネトロン5に供給
されながら電源1に回生される。以上の動作が繰り返さ
れてマグネトロン5には高周波電力が供給される。
【0025】このとき、高圧コンデンサ7には主回路中
の回路インダクタンス、回路キャパシタンス、回路抵
抗、すなわち昇圧トランス3のリーケージインダクタン
ス、高圧コンデンサ7、及び低圧コンデンサ12のキャ
パシタンス、スイッチング素子オン抵抗、配線抵抗等の
回路抵抗で定まる振動の弧を描くスイッチング素子群8
bのパワーMOSFETのドレイン電流波形と同様の電
流波形で充電され、またマグネトロン5には昇圧トラン
ス3のリーケージインダクタンスと高圧コンデンサ7、
及び低圧コンデンサ12のキャパシタンス、スイッチン
グ素子オン抵抗、配線抵抗等の回路抵抗で定まる振動の
弧を描くスイッチング素子群8aのパワーMOSFET
のドレイン電流波形と同様の電流波形で電気エネルギー
が供給される。
の回路インダクタンス、回路キャパシタンス、回路抵
抗、すなわち昇圧トランス3のリーケージインダクタン
ス、高圧コンデンサ7、及び低圧コンデンサ12のキャ
パシタンス、スイッチング素子オン抵抗、配線抵抗等の
回路抵抗で定まる振動の弧を描くスイッチング素子群8
bのパワーMOSFETのドレイン電流波形と同様の電
流波形で充電され、またマグネトロン5には昇圧トラン
ス3のリーケージインダクタンスと高圧コンデンサ7、
及び低圧コンデンサ12のキャパシタンス、スイッチン
グ素子オン抵抗、配線抵抗等の回路抵抗で定まる振動の
弧を描くスイッチング素子群8aのパワーMOSFET
のドレイン電流波形と同様の電流波形で電気エネルギー
が供給される。
【0026】図2は本実施例におけるパワーMOSFE
Tに流れる電流波形の一例を示す図である。同図を参照
して回路出力電力が向上できることを詳細に説明する。
上記電流波形は上述したように昇圧トランス3のリーケ
ージインダクタンス、高圧コンデンサ7、低圧コンデン
サ12のキャパシタンス、回路抵抗の各値で定まる固有
周波数で振動し、固有周波数Fは次式で表わすことがで
きる。
Tに流れる電流波形の一例を示す図である。同図を参照
して回路出力電力が向上できることを詳細に説明する。
上記電流波形は上述したように昇圧トランス3のリーケ
ージインダクタンス、高圧コンデンサ7、低圧コンデン
サ12のキャパシタンス、回路抵抗の各値で定まる固有
周波数で振動し、固有周波数Fは次式で表わすことがで
きる。
【0027】
【数1】
【0028】ここで L:昇圧トランスのリーケージイ
ンダクタンス C:高圧コンデンサのキャパシタンス R:回路抵抗 n:昇圧用トランス巻数比 この波形の2分の1周期から1周期の範囲内にパワーM
OSFETのオン時間を合わせるように上式中のL,
C,Rの値を設定すると(1/2F≦TON≦1/F)、
MOSFETのオフ時におけるドレイン電流がほぼゼロ
となり、零電流スイッチングが可能となるため、遷移損
の発生を極力抑えることができ、スイッチング損失の低
減が図れることがわかる。また特にオン時間を2分の1
周期に等しく(1/2F=TON)することによって、図
2(a)に示すようにパワーMOSFETのオン期間に
おける電流(電流波形のオン期間における積分値)はほ
ぼ最大となり、回路出力電力もほぼ最大にできる。この
固有振動数がオン時間よりも長すぎたり、短すぎたりす
ると、図2(b),図2(c)に示したようにオン期間
中の電流値は小さくなる。
ンダクタンス C:高圧コンデンサのキャパシタンス R:回路抵抗 n:昇圧用トランス巻数比 この波形の2分の1周期から1周期の範囲内にパワーM
OSFETのオン時間を合わせるように上式中のL,
C,Rの値を設定すると(1/2F≦TON≦1/F)、
MOSFETのオフ時におけるドレイン電流がほぼゼロ
となり、零電流スイッチングが可能となるため、遷移損
の発生を極力抑えることができ、スイッチング損失の低
減が図れることがわかる。また特にオン時間を2分の1
周期に等しく(1/2F=TON)することによって、図
2(a)に示すようにパワーMOSFETのオン期間に
おける電流(電流波形のオン期間における積分値)はほ
ぼ最大となり、回路出力電力もほぼ最大にできる。この
固有振動数がオン時間よりも長すぎたり、短すぎたりす
ると、図2(b),図2(c)に示したようにオン期間
中の電流値は小さくなる。
【0029】一方、上記電流波形が振動の孤を描くこと
を利用して,上記回路定数を変化させることによって,
オン期間中の電流波形の固有振動数を変えることで電流
値を制御する。ここで回路定数である、回路キャパシタ
ンス,回路インダクタンス、回路抵抗のどの値を変化さ
せても、この効果を得ることができるが、ここではその
一例として最も大きな効果が期待でき、しかも容易に実
現可能な方法として低圧コンデンサの容量をリレー接点
を用いて切替える方法とその効果について説明する。
を利用して,上記回路定数を変化させることによって,
オン期間中の電流波形の固有振動数を変えることで電流
値を制御する。ここで回路定数である、回路キャパシタ
ンス,回路インダクタンス、回路抵抗のどの値を変化さ
せても、この効果を得ることができるが、ここではその
一例として最も大きな効果が期待でき、しかも容易に実
現可能な方法として低圧コンデンサの容量をリレー接点
を用いて切替える方法とその効果について説明する。
【0030】図3は本発明の第2の実施例の電源回路図
である。第1の実施例に比べての相違点は、低圧コンデ
ンサを3個(12a,12b,12c)並列に挿入し、そ
のうちの2個のコンデンサは、リレー13a,13bを
介して主回路に接続されており、このリレー13a,1
3bのオン、オフ制御を行う切替え回路14が付加され
ている。例えば今この3個の低圧コンデンサの容量がそ
れぞれ4.7μF、10μF,22μFとし、切替え回
路14で上記リレー接点のオン、オフを制御すると、リ
レー接点13a、13bのオン・オフで入力コンデンサ
容量は変化し、13a,13bが共にオンの時は36.
7μF、13aがオフ、13bがオンの時は26.7μ
F,13aがオン、13bがオフの時は14.7μF、
13a,13bが共にオフの時は4.7μFとなる。こ
の結果主回路中における上記回路キャパシタンスが変化
し、マグネトロンに供給される電流波形が図4,図5,
図6,図7に示す実測波形のように変化する。ここで電
流平均値は電流波形の積分値から求めることができ、そ
れぞれの場合では146.3mA、93.6mA、58.
9mA、31.1mAとなる。またマグネトロンに供給
される電力は上記電流平均値に比例するため、上述のよ
うに入力コンデンサ容量を切替えることでマグネトロン
への供給電力すなわち電子レンジのパワー制御を容易
に、しかも通常のPWM制御におけるパワー制御のよう
にスイッチングオン時間を変化させるのではなく、図4
乃至図7に示すようにスイッチングオン時間はそのまま
で電流波形の周期を変化させているため、零電流スイッ
チングを行うという特徴を損なわず、パワー制御を行う
ことができる。このためパワー制御による効率を低下は
ない。
である。第1の実施例に比べての相違点は、低圧コンデ
ンサを3個(12a,12b,12c)並列に挿入し、そ
のうちの2個のコンデンサは、リレー13a,13bを
介して主回路に接続されており、このリレー13a,1
3bのオン、オフ制御を行う切替え回路14が付加され
ている。例えば今この3個の低圧コンデンサの容量がそ
れぞれ4.7μF、10μF,22μFとし、切替え回
路14で上記リレー接点のオン、オフを制御すると、リ
レー接点13a、13bのオン・オフで入力コンデンサ
容量は変化し、13a,13bが共にオンの時は36.
7μF、13aがオフ、13bがオンの時は26.7μ
F,13aがオン、13bがオフの時は14.7μF、
13a,13bが共にオフの時は4.7μFとなる。こ
の結果主回路中における上記回路キャパシタンスが変化
し、マグネトロンに供給される電流波形が図4,図5,
図6,図7に示す実測波形のように変化する。ここで電
流平均値は電流波形の積分値から求めることができ、そ
れぞれの場合では146.3mA、93.6mA、58.
9mA、31.1mAとなる。またマグネトロンに供給
される電力は上記電流平均値に比例するため、上述のよ
うに入力コンデンサ容量を切替えることでマグネトロン
への供給電力すなわち電子レンジのパワー制御を容易
に、しかも通常のPWM制御におけるパワー制御のよう
にスイッチングオン時間を変化させるのではなく、図4
乃至図7に示すようにスイッチングオン時間はそのまま
で電流波形の周期を変化させているため、零電流スイッ
チングを行うという特徴を損なわず、パワー制御を行う
ことができる。このためパワー制御による効率を低下は
ない。
【0031】尚、同様の動作は高圧コンデンサの容量を
変化させることでも行うことができるが、高圧回路での
接点による切替えは価格的にも技術的にも困難あり、低
圧コンデンサ容量を段階的、あるいは連続的に変化させ
ることによって可能であるという点に本実施例の特徴が
ある。
変化させることでも行うことができるが、高圧回路での
接点による切替えは価格的にも技術的にも困難あり、低
圧コンデンサ容量を段階的、あるいは連続的に変化させ
ることによって可能であるという点に本実施例の特徴が
ある。
【0032】
【発明の効果】本発明によれば、DC/ACインバータ
を使用する必要がないので、安価で電力利用効率の高
い、かつ高出力なインバータ電子レンジの駆動回路を提
供できる。さらに、低電圧の直流電源を直接高周波電流
に変換しているので、電源回路の中で最も大きく、しか
も重量のある昇圧用トランスの小型化、軽量化が可能と
なり、駆動回路のコンパクト化が図れる。
を使用する必要がないので、安価で電力利用効率の高
い、かつ高出力なインバータ電子レンジの駆動回路を提
供できる。さらに、低電圧の直流電源を直接高周波電流
に変換しているので、電源回路の中で最も大きく、しか
も重量のある昇圧用トランスの小型化、軽量化が可能と
なり、駆動回路のコンパクト化が図れる。
【0033】また、スイッチング素子のオン時間と電流
波形の過渡振動の振動周期の制御により、大きな回路出
力が得られ、零電流スイッチングによるスイッチング損
失の低減を実現出来る。
波形の過渡振動の振動周期の制御により、大きな回路出
力が得られ、零電流スイッチングによるスイッチング損
失の低減を実現出来る。
【0034】さらに、低圧コンデンサ容量の制御によ
り、零電流スイッチングの効果を損なうことなく、出力
パワー制御を実現できる。
り、零電流スイッチングの効果を損なうことなく、出力
パワー制御を実現できる。
【0035】以上のことから、本発明の駆動回路を電子
レンジに用いれば、通常調理、食品解凍等、調理内容に
応じたパワーでの使用が可能となり、しかも高効率であ
るという、これまでは実現不可能であった低電圧直流電
源駆動の電子レンジが実現する。尚、本発明は広くマグ
ネトロン駆動に利用できる。
レンジに用いれば、通常調理、食品解凍等、調理内容に
応じたパワーでの使用が可能となり、しかも高効率であ
るという、これまでは実現不可能であった低電圧直流電
源駆動の電子レンジが実現する。尚、本発明は広くマグ
ネトロン駆動に利用できる。
【図1】本発明の第1の実施例の電源回路図である。
【図2】第1の実施例のパワーMOSFETのスイッチ
ング電流波形を説明する図である。
ング電流波形を説明する図である。
【図3】本発明の第2の実施例の電源回路図である。
【図4】第2の実施例におけるマグネトロンに供給され
る電流波形を示す図である。
る電流波形を示す図である。
【図5】第2の実施例におけるマグネトロンに供給され
る電流波形を示す図である。
る電流波形を示す図である。
【図6】第2の実施例におけるマグネトロンに供給され
る電流波形を示す図である。
る電流波形を示す図である。
【図7】第2の実施例におけるマグネトロンに供給され
る電流波形を示す図である。
る電流波形を示す図である。
【図8】従来の商用電源で駆動するインバータ電子レン
ジの回路ブロック図である。
ジの回路ブロック図である。
【図9】低電圧直流電源を用いて従来のインバータ電子
レンジを駆動する方法を説明する図である。
レンジを駆動する方法を説明する図である。
1:直流電源 2:インバー
タ回路 3:昇圧トランス 4:倍電圧半
波整流回路 5:マグネトロン 6:高圧ダイ
オード 7:高圧コンデンサ 8a、8b:
スイッチング素子群 9a、9b:スイッチング素子駆動回路 10:制御回
路 11:チョークコイル 12:低圧コ
ンデンサ 13:リレー 14:切替え
回路
タ回路 3:昇圧トランス 4:倍電圧半
波整流回路 5:マグネトロン 6:高圧ダイ
オード 7:高圧コンデンサ 8a、8b:
スイッチング素子群 9a、9b:スイッチング素子駆動回路 10:制御回
路 11:チョークコイル 12:低圧コ
ンデンサ 13:リレー 14:切替え
回路
Claims (3)
- 【請求項1】スイッチング素子が1個以上並列接続され
た2つのスイッチング素子群と、上記スイッチング素子
のオン、オフ動作を行う制御手段とからなるプッシュプ
ル方式インバータ回路と、 該プッシュプル方式インバータ回路からの高周波交流が
1次巻線に供給されて2次巻線に高圧を発生させる昇圧
トランスと、 該昇圧トランスの2次巻線に接続され、高圧ダイオード
と高圧コンデンサで構成されたマグネトロンに電力を供
給する倍電圧整流回路と、 電源となる低電圧直流源に並列に接続される低圧コンデ
ンサと、 該低圧コンデンサの一端に接続され上記低電圧直流源に
直列に接続されるチョークコイルとから構成され、 上記昇圧トランスの1次巻線と上記2つのスイッチング
素子群とが接続されて閉ループが形成され、2つのスイ
ッチング素子群の接続点と上記昇圧トランスの1次巻線
のセンタータップとが上記低圧コンデンサの両端に接続
されていることを特徴とするインバータ電子レンジの駆
動回路。 - 【請求項2】上記プッシュプル方式インバータ回路内の
制御手段が、上記プッシュプル方式インバータ回路の出
力電流波形の過渡振動の振動周期と上記スイッチング素
子のオン時間の関係に対して、上記オン時間が上記振動
周期の略半周期から1周期の間に納まるように設定され
ていることを特徴とする請求項1記載のインバータ電子
レンジの駆動回路。 - 【請求項3】上記低電圧直流源に並列接続された低圧コ
ンデンサを2個以上有し、該低圧コンデンサに直列に接
続された回路に対する挿入、切り離しのためのスイッチ
ング手段と、該スイッチング手段を制御して低圧コンデ
ンサ容量を変化させることで零電流スイッチングのタイ
ミングを崩すことなく出力電力制御を行なう切替回路と
を有することを特徴とする請求項2記載のインバータ電
子レンジの駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3254929A JP2834916B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | インバータ電子レンジの駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3254929A JP2834916B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | インバータ電子レンジの駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594869A true JPH0594869A (ja) | 1993-04-16 |
| JP2834916B2 JP2834916B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=17271824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3254929A Expired - Fee Related JP2834916B2 (ja) | 1991-10-02 | 1991-10-02 | インバータ電子レンジの駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2834916B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100381576B1 (ko) * | 1999-12-24 | 2003-04-26 | 삼성전자주식회사 | 직류용 전자렌지의 전원회로 |
| KR20040005292A (ko) * | 2002-07-09 | 2004-01-16 | 엘지전자 주식회사 | 전자 레인지의 구동장치 |
| EP1166601A4 (en) * | 1999-12-09 | 2004-08-18 | Samsung Electronics Co Ltd | CONTROL CIRCUIT IN A DC MICROWAVE OVEN AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME |
| JP2011045151A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-03-03 | Tdk Corp | ワイヤレス給電装置およびワイヤレス電力伝送システム |
| JP2016039731A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 株式会社デンソー | 回転電機 |
-
1991
- 1991-10-02 JP JP3254929A patent/JP2834916B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1166601A4 (en) * | 1999-12-09 | 2004-08-18 | Samsung Electronics Co Ltd | CONTROL CIRCUIT IN A DC MICROWAVE OVEN AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME |
| US6852959B1 (en) | 1999-12-09 | 2005-02-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Driving circuit of DC microwave oven and method of controlling the same |
| KR100381576B1 (ko) * | 1999-12-24 | 2003-04-26 | 삼성전자주식회사 | 직류용 전자렌지의 전원회로 |
| KR20040005292A (ko) * | 2002-07-09 | 2004-01-16 | 엘지전자 주식회사 | 전자 레인지의 구동장치 |
| JP2011045151A (ja) * | 2009-07-24 | 2011-03-03 | Tdk Corp | ワイヤレス給電装置およびワイヤレス電力伝送システム |
| JP2016039731A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 株式会社デンソー | 回転電機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2834916B2 (ja) | 1998-12-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |