JPH0594875A - Organic thin-film el element - Google Patents
Organic thin-film el elementInfo
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- JPH0594875A JPH0594875A JP3252623A JP25262391A JPH0594875A JP H0594875 A JPH0594875 A JP H0594875A JP 3252623 A JP3252623 A JP 3252623A JP 25262391 A JP25262391 A JP 25262391A JP H0594875 A JPH0594875 A JP H0594875A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電気的な発光、すなわ
ちエレクトロルミネセンス(以下、単にELという)を
用いたEL素子に関し、更に詳しくは、少なくとも陽
極、正孔注入輸送層、有機発光層、電子注入輸送層、陰
極の順で構成される有機薄膜EL素子に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an EL device using electroluminescence, that is, electroluminescence (hereinafter simply referred to as EL), and more specifically, at least an anode, a hole injecting and transporting layer, an organic light emitting layer. , An electron injecting and transporting layer, and a cathode in this order.
【0002】[0002]
【従来の技術】イーストマン・コダック社のC.W.T
angらに開発された有機薄膜EL素子は、特開昭59
−194393号公報、特開昭63−264692号公
報、特開昭63−295695号公報、アプライド・フ
ィジックス・レター第51巻第12号第913頁(19
87年)、およびジャーナル・オブ・アプライドフィジ
ックス第65巻第9号第3610頁(1989年)等に
よれば一般的には陽極、正孔注入輸送層、電子輸送発光
層、陰極の順に構成され、以下のように作られている。2. Description of the Related Art C. of Eastman Kodak Company. W. T
The organic thin film EL device developed by ang et al.
-194393, JP-A-63-264692, JP-A-63-295695, Applied Physics Letter Vol. 51 No. 12, page 913 (19)
1987), and Journal of Applied Physics Vol. 65, No. 9, page 3610 (1989) and the like, generally, an anode, a hole injecting and transporting layer, an electron transporting and emitting layer, and a cathode are formed in this order. , Is made as follows.
【0003】まず、ガラスや樹脂フィルム等の透明絶縁
性の基板上に蒸着又はスパッタリング法等でインジウム
とスズの複合酸化物(以下ITOと略す)の透明導電性
被膜の陽極が形成される。次に正孔注入輸送層として銅
フタロシアニン、あるいは(化1)で示される化合物:First, an anode of a transparent conductive film of a complex oxide of indium and tin (hereinafter abbreviated as ITO) is formed on a transparent insulating substrate such as glass or a resin film by vapor deposition or sputtering. Next, copper phthalocyanine as a hole injecting and transporting layer, or a compound represented by the following chemical formula:
【0004】[0004]
【化1】 [Chemical 1]
【0005】1,1−ビス(4−ジーパラートリルアミ
ノフェニル)シクロヘキサン、あるいは(化2)で示さ
れる化合物:1,1-bis (4-diparatolylaminophenyl) cyclohexane or a compound represented by the following chemical formula:
【0006】[0006]
【化2】 [Chemical 2]
【0007】N,N,N’,N’−テトラ−P−トリル
−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン等のテト
ラフェニル誘導体の層を、0.1μm程度以下の厚さに
単層または積層して蒸着して形成する。A layer of a tetraphenyl derivative such as N, N, N ', N'-tetra-P-tolyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine is formed to a thickness of about 0.1 μm or less. It is formed by vapor deposition of a single layer or a laminated layer.
【0008】次に正孔注入輸送層上にトリス(8−キノ
リノール)アルミニウム等の有機蛍光体を0.1μm程
度以下の厚さで蒸着し、有機電子輸送発光層を形成す
る。最後に、その上に陰極としてMg:Ag,Ag:E
u,Mg:Cu,Mg:In,Mg:Sn等の合金を共
蒸着により2000Å程度蒸着している。Next, an organic phosphor such as tris (8-quinolinol) aluminum is vapor-deposited on the hole injecting and transporting layer to a thickness of about 0.1 μm or less to form an organic electron transporting light emitting layer. Finally, Mg: Ag, Ag: E as a cathode thereon.
Alloys of u, Mg: Cu, Mg: In, Mg: Sn, etc. are vapor-deposited by about 2000 Å.
【0009】また、安達らは有機電子輸送発光層を、2
種類の材料を積層することにより有機発光層と電子注入
輸送層とに分けた素子を作製した。アプライド・フィズ
ィックス・レター第57巻第6号第531頁(1990
年)によると、この素子は、ITOの陽極上に正孔注入
輸送層(3)としてN,N’−ジフェニル−N,N’−
ビス(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−
4,4’−ジアミン、有機発光層(4)として1−〔4
−N,N−ビス(P−メトキシフェニル)アミノスチリ
ル〕ナフタレン、電子注入輸送層(5)として2−(4
−ビフェニル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−
1,3,4−オキサジアゾール(以下、単にBPBDと
いう)、陰極(6)としてMgとAgの合金を順に積層
している。In addition, Adachi et al.
A device in which an organic light emitting layer and an electron injecting and transporting layer were separated was manufactured by stacking various kinds of materials. Applied Physics Letters Vol. 57, No. 6, pp. 531 (1990
According to the authors, this device shows that N, N'-diphenyl-N, N'- as a hole injecting and transporting layer (3) on the anode of ITO.
Bis (3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-
4,4′-diamine, 1- [4 as the organic light emitting layer (4)
-N, N-bis (P-methoxyphenyl) aminostyryl] naphthalene, 2- (4) as the electron injecting and transporting layer (5)
-Biphenyl) -5- (4-t-butylphenyl)-
1,3,4-oxadiazole (hereinafter simply referred to as BPBD) and an alloy of Mg and Ag as a cathode (6) are sequentially laminated.
【0010】いずれの素子も20V程度以下の直流低電
圧を印加することにより1000cd/m2 程度の輝度
が得られているが、印加電圧により発光スペクトルが変
わるという報告はされていない。A brightness of about 1000 cd / m 2 was obtained by applying a DC low voltage of about 20 V or less to any of the elements, but it has not been reported that the emission spectrum changes depending on the applied voltage.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、印加電圧を
変えることにより可逆的に発光色を変えられる有機薄膜
EL素子を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic thin film EL element capable of reversibly changing the emission color by changing the applied voltage.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、すく
なくとも陽極、正孔注入輸送層、有機発光層、電子注入
輸送層、陰極の順で構成される有機薄膜EL素子におい
て、正孔注入輸送層として下記の(化3)で示される
α,α,α’,α’−テトラメチル−α,α’−ビス
(4−ジーパラートリルアミノフェニル)−パラーキシ
レンや、下記の(化4)で示されるN,N’−ジフェニ
ル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,1’
−ビフェニル−4,4’−ジアミンなどのテトラフェニ
ルジアミン誘導体を用い、有機発光層としてテトラアリ
ールブタジエンを用い、電子注入発光層としてはトリス
(8−キノリノール)アルミニウムを用いたことを特徴
とする有機薄膜EL素子である。That is, the present invention relates to an organic thin film EL device comprising at least an anode, a hole injecting and transporting layer, an organic light emitting layer, an electron injecting and transporting layer, and a cathode in this order, and a hole injecting and transporting layer. As α, α, α ′, α′-tetramethyl-α, α′-bis (4-diparatolylaminophenyl) -para-xylene represented by the following (Chemical Formula 3) and the following (Chemical Formula 4) N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl) -1,1 'shown
An organic compound characterized by using a tetraphenyldiamine derivative such as -biphenyl-4,4'-diamine, tetraaryl butadiene as an organic light emitting layer, and tris (8-quinolinol) aluminum as an electron injecting light emitting layer. It is a thin film EL device.
【0013】[0013]
【化3】 [Chemical 3]
【0014】[0014]
【化4】 [Chemical 4]
【0015】以下に本発明の実施例を図面の図1に基い
て説明する。図1は本発明における有機薄膜EL素子を
透明基板(1)、陽極(2)、正孔注入輸送層(3)、
有機発光層(4)、電子注入輸送層(5)、陰極
(6)、無機封止層(7)、接着性樹脂層(8)、封止
板(9)の順で構成した例であるが基板上に陰極から構
成することもできる。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. 1 of the drawings. FIG. 1 shows an organic thin film EL device according to the present invention, which includes a transparent substrate (1), an anode (2), a hole injecting and transporting layer (3),
This is an example in which an organic light emitting layer (4), an electron injecting and transporting layer (5), a cathode (6), an inorganic sealing layer (7), an adhesive resin layer (8) and a sealing plate (9) are arranged in this order. Can also consist of a cathode on the substrate.
【0016】透明基板(1)は透明なガラスまたはポリ
エチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートの
ような透明樹脂フィルムである。この片面にITO(仕
事関数4.8eV)や酸化スズ、酸化インジウム、酸化
亜鉛アルミニウムのような透明導電性物質を真空蒸着や
スパッタリング法等で表面抵抗10〜50Ω/平方、可
視光線透過率80%以上の透明導電膜を所望のパターン
に被覆し、陽極(2)とする。The transparent substrate (1) is a transparent glass or a transparent resin film such as polyethylene terephthalate or polyethylene naphthalate. A transparent conductive material such as ITO (work function 4.8 eV), tin oxide, indium oxide, and zinc aluminum oxide is provided on one side of the surface resistance by vacuum deposition or sputtering method with a surface resistance of 10 to 50 Ω / square and a visible light transmittance of 80%. The above transparent conductive film is coated in a desired pattern to form an anode (2).
【0017】次に透明な陽極(2)上に正孔注入輸送層
(3)を形成するが、正孔注入輸送材料の好ましい条件
は、酸化に対して安定で正孔移動度が大、仕事関数が陽
極材料と発光層の中間にあり、成膜性が良く、少なくて
も発光層材料の蛍光波長領域において実質的に透明であ
る必要がある。Next, the hole injecting and transporting layer (3) is formed on the transparent anode (2). Preferred conditions of the hole injecting and transporting material are stable to oxidation, high hole mobility and high workability. The function lies between the anode material and the light emitting layer, and the film forming property must be good, and at least it must be substantially transparent in the fluorescence wavelength region of the light emitting layer material.
【0018】具体的にはテトラフェニルジアミン誘導体
等を単層で、または積層して使用する。テトラフェニル
ジアミン誘導体の代表的な材料としては、1,1−ビス
(4−ジーパラートリルアミノフェニル)シクロヘキサ
ン、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチ
ルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジア
ミン(仕事関数5.4eV)、N,N’−ジフェニル−
N,N’−ビス(パラートリル)−1,1’−ビフェニ
ル−4,4’−ジアミン(仕事関数5.4eV)N,
N,N’,N’−テトラ(パラートリル)−4,4’−
ジアミノビフェニル、(化3)で示される化合物(仕事
関数5.7eV)等があげられるが、上記例に特に限定
されるものではない。Specifically, a tetraphenyldiamine derivative or the like is used in a single layer or laminated layers. Typical materials for the tetraphenyldiamine derivative are 1,1-bis (4-diparatolylaminophenyl) cyclohexane, N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -1, 1'-biphenyl-4,4'-diamine (work function 5.4 eV), N, N'-diphenyl-
N, N′-bis (paratolyl) -1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (work function 5.4 eV) N,
N, N ', N'-tetra (paratolyl) -4,4'-
Examples thereof include diaminobiphenyl and a compound represented by (Chemical Formula 3) (work function 5.7 eV), but are not particularly limited to the above examples.
【0019】これらの化合物を用いた正孔注入輸送層
(3)の成膜は、真空蒸着法、またはスピンコーティン
グ法等により0.01〜0.2μm程度の厚さに成膜さ
れる。次に正孔注入輸送層(3)上に、有機発光層
(4)を真空蒸着法で0.01〜0.2μmの厚さで形
成する。The hole injecting and transporting layer (3) using these compounds is formed to a thickness of about 0.01 to 0.2 μm by a vacuum vapor deposition method, a spin coating method or the like. Next, the organic light emitting layer (4) is formed on the hole injecting and transporting layer (3) by a vacuum deposition method to a thickness of 0.01 to 0.2 μm.
【0020】本発明で用いる有機発光層材料は1,1,
4,4−テトラアリールブタジエンでアリール基はフェ
ニル基、トリル基、メトキシフェニル基等から選ばれ
る。なお、1,1,4,4−テトラフェニルブタジエン
の仕事関数は6.0eV、電子親和力は3.1eVであ
った。The organic light emitting layer material used in the present invention is 1,1,
In 4,4-tetraarylbutadiene, the aryl group is selected from a phenyl group, a tolyl group, a methoxyphenyl group and the like. The work function of 1,1,4,4-tetraphenylbutadiene was 6.0 eV, and the electron affinity was 3.1 eV.
【0021】次に有機発光層の上に電子注入輸送層を形
成するが、本発明で用いる電子注入輸送材料の好ましい
条件は、電子移動度が大きく、電子親和力が陰極の仕事
関数と有機発光層の電子親和力の間にあり、成膜性が良
く発光層の結晶化を抑制することである。具体的にはト
リス(8−ヒドロキシキノリノール)アルミニウム(電
子親和力3.2eV)を0.01〜0.2μmの厚さで
真空蒸着法で形成する。Next, an electron injecting and transporting layer is formed on the organic light emitting layer. Preferred conditions of the electron injecting and transporting material used in the present invention are that the electron mobility is high, the electron affinity is the work function of the cathode and the organic light emitting layer. , Which is between the electron affinities, and has good film-forming properties and suppresses crystallization of the light-emitting layer. Specifically, tris (8-hydroxyquinolinol) aluminum (electron affinity 3.2 eV) is formed in a thickness of 0.01 to 0.2 μm by a vacuum deposition method.
【0022】また、正孔注入輸送層、有機発光層、電子
注入輸送層の耐熱性を上げるため、各層の構成材料の例
にあげた有機分子にビニル基、アリル基、メタクリロイ
ルオキシメチル基、メタクリロイルオキシ基、メタクリ
ロイルオキシエチル基、アクリロイル基、アクリロイル
オキシメチル基、アクリロイルオキシエチル基、シンナ
モイル基、スチレンメチルオキシ基等の重合性置換基
を、ひとつ以上導入し、成膜中また成膜後に各層を熱、
光、放射線、プラズマ等にポリマー化してもよいし、各
層の構成材料の成膜性を改善し平滑な膜が形成できるよ
う各層の構成材料の例にあげた有機分子に1個以上のメ
チル基、エチル基等のアルキル基を導入してもよい。In order to improve the heat resistance of the hole injecting and transporting layer, the organic light emitting layer, and the electron injecting and transporting layer, the organic molecules mentioned in the examples of the constituent materials of each layer include vinyl group, allyl group, methacryloyloxymethyl group and methacryloyl. An oxy group, a methacryloyloxyethyl group, an acryloyl group, an acryloyloxymethyl group, an acryloyloxyethyl group, a cinnamoyl group, or a polymerizable substituent such as a styrenemethyloxy group is introduced into each layer during or after film formation. heat,
It may be polymerized into light, radiation, plasma, etc., or one or more methyl groups may be added to the organic molecules mentioned in the examples of the constituent materials of each layer to improve the film-forming property of the constituent materials of each layer and form a smooth film. Alternatively, an alkyl group such as an ethyl group may be introduced.
【0023】次に陰極(6)を電子注入輸送層(5)上
に形成する。陰極は、電子注入を効果的に行なうために
低仕事関数の物質が使われ、Li,Na,Mg,Ca,
Sr,Al,Ag,In,Sn,Zn,Zr等の金属元
素単体、または安定性を向上させるためにそれらを含む
2成分、3成分の合金系が用いられる。Next, the cathode (6) is formed on the electron injecting and transporting layer (5). The cathode is made of a material having a low work function in order to effectively inject electrons, and Li, Na, Mg, Ca,
A single metal element such as Sr, Al, Ag, In, Sn, Zn, or Zr, or a two-component or three-component alloy system containing them for improving stability is used.
【0024】仕事関数の例としてはMg単体で約3.6
eVであり、MgにLi等アルカリ金属を添加した場合
は3.1〜3.2eVに低下する。陰極(6)の形成方
法は、抵抗加熱方法により10-5Torrオーダー以下
の真空度の下で成分ごとに別々の蒸着源から水晶振動子
式膜厚計でモニターしながら共蒸着する。このとき、
0.01〜0.3μm程度の膜厚で形成されるが、電子
ビーム蒸着法、イオンプレーティング法やスパッタリン
グ法により共蒸着ではなく、合金ターゲットを用いて成
膜することもできる。As an example of the work function, Mg alone is about 3.6.
It is eV and decreases to 3.1 to 3.2 eV when an alkali metal such as Li is added to Mg. The cathode (6) is co-deposited by a resistance heating method under a vacuum of the order of 10 −5 Torr or less while monitoring the vapor deposition from different vapor deposition sources for each component with a crystal oscillator type film thickness meter. At this time,
The film is formed with a film thickness of about 0.01 to 0.3 μm, but it is also possible to use an alloy target instead of co-deposition by the electron beam evaporation method, the ion plating method or the sputtering method.
【0025】次に素子の有機層、電極の酸化を防ぐため
に素子上に封止層(7)を形成する。封止層(7)は陰
極(6)の形成後直ちに形成する。封止層材料の例とし
ては、SiO2 ,SiO,GeO,MoO3 等の酸化
物、MgF2 ,LiF,BaF 2 ,AlF3 ,FeF3
等の沸化物、GeS,SnS等の硫化物等のバリアー性
の高い無機化合物があげられるが、上記例に限定される
ものではない。これらを単体または複合して蒸着、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法等により成膜す
る。抵抗加熱方式で蒸着する場合には、低温で蒸着でき
るGeOが優れている。Next, in order to prevent oxidation of the organic layers and electrodes of the device
A sealing layer (7) is formed on the device. The sealing layer (7) is shade
It is formed immediately after the pole (6) is formed. As an example of sealing layer material
For SiO2, SiO, GeO, MoO3Oxidation of etc.
Thing, MgF2, LiF, BaF 2, AlF3, FeF3
Barrier properties of fluorinated compounds such as GeS, SnS, etc.
Inorganic compounds with high
Not a thing. Vapor deposition, spa
The film is formed by the tattering method, the ion plating method, etc.
It When using the resistance heating method, you can deposit at a low temperature.
GeO is excellent.
【0026】さらに湿気の浸入を防ぐ為に低吸湿性の光
硬化性接着剤、エポキシ系接着剤等の接着性樹脂層
(8)を用いて、ガラス板等の封止板(9)を接着し密
封する。ガラス板以外にも金属板、プラスチック板等を
用いることもできる。以上のように構成した有機薄膜E
L素子は、正孔注入輸送層(3)側を正として電源(1
0)にリード線(11)で接続し直流電圧を印加する
と、低電圧印加時と高電圧印加時では異なる色で発光す
る。Further, in order to prevent the invasion of moisture, a sealing plate (9) such as a glass plate is adhered by using an adhesive resin layer (8) such as a low hygroscopic photocurable adhesive or an epoxy adhesive. And seal. Besides the glass plate, a metal plate, a plastic plate or the like can be used. Organic thin film E configured as described above
The L element has a positive side on the hole injecting and transporting layer (3) side and a power source (1
0) is connected with a lead wire (11) and a direct current voltage is applied, light is emitted in different colors when a low voltage is applied and when a high voltage is applied.
【0027】[0027]
【実施例】 <実施例1>以下、本発明のEL素子の実施例を図1に
従って、説明する。まず、透明基板(1)として、厚さ
1.1mmのガラス板を用い、この上に1200ÅのI
TOを被覆して陽極(2)とした。この透明導電性ガラ
ス基板を十分に洗浄後、正孔注入輸送層(3)として
(化3)で示されるα,α,α’,α’−テトラメチル
−α,α’−ビス(4−ジーパラートリルアミノフェニ
ル)−パラーキシレンを500Å蒸着した。次に有機発
光層(4)として、1,1,4,4−テトラフェニルブ
タジエンを300Å蒸着した。次に電子注入輸送層
(5)としてトリス(8−キノリノール)アルミニウム
を200Åした。その上面に陰極(6)としてMgとL
iを共蒸着した。EXAMPLES Example 1 An example of an EL device of the present invention will be described below with reference to FIG. First, as the transparent substrate (1), a glass plate having a thickness of 1.1 mm was used, and 1200 I
It was coated with TO to form an anode (2). After thoroughly washing this transparent conductive glass substrate, α, α, α ′, α′-tetramethyl-α, α′-bis (4-) represented by (Chemical Formula 3) as a hole injecting and transporting layer (3). Diparatolylaminophenyl) -para-xylene was vapor-deposited at 500Å. Next, as the organic light emitting layer (4), 1,1,4,4-tetraphenylbutadiene was vapor-deposited at 300 liters. Next, tris (8-quinolinol) aluminum (200 Å) was used as the electron injecting and transporting layer (5). Mg and L as a cathode (6) on the upper surface
i was co-deposited.
【0028】次に無機封止層(7)としてGeOを2μ
m蒸着後、ガラス板を封止板(9)として紫外線硬化接
着性樹脂(8)で接着し密封した。この素子は、3V〜
6Vの印加電圧においては590nmピークの赤色発光
をした。また7V〜12Vにおいては470nmピーク
の水色発光が優勢となり、13Vにおいては白色発光
(30cd/m2 ,1.85mA/cm2 )であった。
また、印加電圧を下げると可逆的に発光色が変化した。Next, 2 μ of GeO is used as the inorganic sealing layer (7).
m After vapor deposition, a glass plate was used as a sealing plate (9) and adhered with an ultraviolet curable adhesive resin (8) for sealing. This element is 3V ~
At an applied voltage of 6 V, red light emission with a peak of 590 nm was emitted. Further, at 7V to 12V, light-blue emission at a peak of 470 nm became dominant, and at 13V, white emission (30 cd / m 2 , 1.85 mA / cm 2 ) was obtained.
In addition, the emission color changed reversibly when the applied voltage was lowered.
【0029】<実施例2>実施例1における正孔注入輸
送層のかわりに、陽極(2)上にまず、N,N’−ジフ
ェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−1,
1’−ビフェニル−4,4’−ジアミンを、250Å蒸
着し、さらに(化3)で示される化合物を250Å蒸着
し正孔注入輸送層(3)とした以外は実施例1と同様に
構成した。この素子は、印加電圧3Vから590nmピ
ークの赤色発光をし、10V以上で470nmピークの
水色発光となり12V以上で白色発光(15Vにおいて
1200cd/m2 ,71mA/cm2)であった。発
光色は印加電圧により可逆的に変化した。Example 2 Instead of the hole injecting and transporting layer in Example 1, first, N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl) -1 was formed on the anode (2). ,
1'-Biphenyl-4,4'-diamine was vapor-deposited by 250Å, and the compound represented by (Chemical Formula 3) was vapor-deposited by 250Å to form a hole injecting and transporting layer (3). .. This device emitted red light with a peak of 590 nm from an applied voltage of 3 V, became light blue with a peak of 470 nm at 10 V or more, and emitted white light at 12 V or more (1200 cd / m 2 , 71 mA / cm 2 at 15 V). The emission color changed reversibly by the applied voltage.
【0030】<実施例3>実施例1における正孔注入輸
送層のかわりにN,N’−ジフェニル−N,N’−ビス
(3−メチルフェニル)−1,1’−ジフェニル−4,
4’−ジアミンを500Å蒸着した以外は実施例1と同
様に構成した。この素子は、3V以上で470nmピー
クの水色発光し、14V以上では白色発光(15Vにお
いて2330cd/m2 ,129mA/cm2)であっ
た。発光色は印加電圧により可逆的に変化した。Example 3 Instead of the hole injecting and transporting layer in Example 1, N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl) -1,1'-diphenyl-4,
The same construction as in Example 1 was carried out except that 500 Å of 4′-diamine was vapor-deposited. The device emitted light of 470 nm peak in light blue at 3 V or higher, and emitted white light at 14 V or higher (2330 cd / m 2 , 129 mA / cm 2 at 15 V). The emission color changed reversibly by the applied voltage.
【0031】<実施例4>実施例2の素子の発光面を部
分的に加熱し正孔注入輸送層、有機発光層、電子注入輸
送層を、混合させたところ、被加熱部分はトリス(8−
キノリノール)アルミニウムの蛍光色と同じ緑色のEL
発光を示し、同一の素子内で赤、緑、水色の発光をさせ
ることができた。Example 4 The light emitting surface of the device of Example 2 was partially heated to mix the hole injecting and transporting layer, the organic light emitting layer and the electron injecting and transporting layer. −
(Quinolinol) Green EL, which is the same as the fluorescent color of aluminum
It emitted light and could emit red, green, and light blue in the same device.
【0032】[0032]
【発明の効果】以上述べたように、上記の素子構成とす
ることにより、ピーク波長470nmのEL発光と59
0nmのEL発光の割合を変えることができ、EL発光
色を変えるのに効果がある。本発明の構成の有機薄膜E
L素子によれば、発光色を印加電圧により変えることが
でき、有機薄膜EL素子の多色化に効果がある。As described above, with the above device structure, EL light emission with a peak wavelength of 470 nm and 59
The ratio of 0 nm EL emission can be changed, which is effective in changing the EL emission color. Organic thin film E having the constitution of the present invention
According to the L element, the emission color can be changed by the applied voltage, which is effective in making the organic thin film EL element multicolored.
【0033】[0033]
【図1】本発明の有機薄膜EL素子の実施例を示す説明
図である。FIG. 1 is an explanatory view showing an embodiment of an organic thin film EL element of the present invention.
(1)透明基板 (2)陽極 (3)正孔注入輸送層 (4)有機発光層 (5)電子注入輸送層 (6)陰極 (7)無機封止層 (8)接着性樹脂層 (9)封止板 (10)電源 (11)リード線 (12)陰極取り出し口 (1) Transparent substrate (2) Anode (3) Hole injecting and transporting layer (4) Organic light emitting layer (5) Electron injecting and transporting layer (6) Cathode (7) Inorganic sealing layer (8) Adhesive resin layer (9 ) Sealing plate (10) Power supply (11) Lead wire (12) Cathode outlet
Claims (2)
光層、電子注入輸送層、陰性の順で構成される有機薄膜
EL素子において、印加電圧を変えることによりEL発
光色を変えることができる有機薄膜EL素子。1. In an organic thin film EL device comprising at least an anode, a hole injecting and transporting layer, an organic light emitting layer, an electron injecting and transporting layer, and a negative order, the EL emission color can be changed by changing the applied voltage. Organic thin film EL device.
誘導体、有機発光層にテトラアリールブタジエン、電子
注入輸送層にトリス(8−キノリノール)アルミニウム
を用いたことを特徴とする請求項1記載の有機薄膜EL
素子。2. The organic compound according to claim 1, wherein a tetraphenyldiamine derivative is used for the hole injecting and transporting layer, tetraaryl butadiene is used for the organic light emitting layer, and tris (8-quinolinol) aluminum is used for the electron injecting and transporting layer. Thin film EL
element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252623A JPH0594875A (en) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Organic thin-film el element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3252623A JPH0594875A (en) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Organic thin-film el element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594875A true JPH0594875A (en) | 1993-04-16 |
Family
ID=17239939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3252623A Pending JPH0594875A (en) | 1991-09-30 | 1991-09-30 | Organic thin-film el element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0594875A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6582837B1 (en) | 1997-07-14 | 2003-06-24 | Nec Corporation | Organic electroluminescence device |
| KR100699254B1 (en) * | 2006-02-14 | 2007-03-28 | 삼성전자주식회사 | Manufacturing method of display device and display device thereby |
| JP2012104492A (en) * | 1996-08-12 | 2012-05-31 | Trustees Of Princeton Univ | Non-polymeric flexible organic light emitting device |
-
1991
- 1991-09-30 JP JP3252623A patent/JPH0594875A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012104492A (en) * | 1996-08-12 | 2012-05-31 | Trustees Of Princeton Univ | Non-polymeric flexible organic light emitting device |
| US6582837B1 (en) | 1997-07-14 | 2003-06-24 | Nec Corporation | Organic electroluminescence device |
| KR100699254B1 (en) * | 2006-02-14 | 2007-03-28 | 삼성전자주식회사 | Manufacturing method of display device and display device thereby |
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